(完整版)扫描电子显微镜的发展及展望
2024年扫描电镜市场环境分析
2024年扫描电镜市场环境分析摘要本文对扫描电镜市场的环境进行了分析。
分析了扫描电镜市场的规模、增长趋势、主要竞争对手等因素，并提出了对扫描电镜市场未来发展的展望。
1. 引言扫描电镜（Scanning Electron Microscope，SEM）是一种能够高分辨率地观察和研究样品表面形貌和成分的仪器。
随着科技的发展和应用领域的扩大，扫描电镜市场的规模逐渐增大。
本文将对扫描电镜市场的环境进行详细分析。
2. 市场规模根据市场调研数据显示，扫描电镜市场在过去几年里呈现出稳定增长的趋势。
2020年，全球扫描电镜市场规模达到X亿美元，预计到2025年将增长到X亿美元。
扫描电镜市场的规模增长主要受到以下因素的影响：•科学研究领域对高分辨率成像需求的增加；•航空航天、电子、材料科学等行业的发展带动了扫描电镜的需求；•扫描电镜技术的不断创新和改进。
3. 市场增长趋势扫描电镜市场在未来几年有望继续保持稳定增长的趋势。
以下是对扫描电镜市场未来增长趋势的预测：3.1 新兴应用领域的快速增长随着科技的发展，扫描电镜在生物医学、纳米材料、新型能源等新兴应用领域得到越来越广泛的应用。
这些新兴应用领域的快速增长将为扫描电镜市场带来新的机遇。
3.2 技术的不断创新和突破扫描电镜技术的不断创新和突破将进一步推动市场的增长。
例如，新的探测器技术、更高分辨率的成像、更快的数据处理速度等技术的引入将提升扫描电镜的性能和功能。
3.3 云计算和人工智能技术的应用云计算和人工智能技术的应用将为扫描电镜市场带来新的机遇和挑战。
通过云计算和人工智能的支持，扫描电镜可以实现更高效的数据处理和分析，提高工作效率和准确性。
4. 主要竞争对手扫描电镜市场存在着激烈的竞争。
以下是主要的竞争对手：•FEI公司：是全球最大的扫描电镜制造商之一，产品线广泛，技术实力强。
•JEOL公司：是另一家知名的扫描电镜制造商，产品在市场上具有较高的知名度和市场占有率。
扫描电子显微镜的早期历史和发展趋势
扫描电子显微镜的早期历史和发展趋势扫描电子显微镜（SEM）的基本原理在20世纪30年代到40年代初由Knoll, 德国的von Ardenne和美国的Zworykin，Hillier等人确立。
扫描电镜的研究在英国剑桥大学电机工程学系Charles Oatley博士学位的一系列项目中复苏。
在剑桥大学的McMullan和Smith的早期研究之后，SEM的第一次产业应用在加拿大纸浆和造纸研究所实现。
不久之后，在美国的Westinghouse，SEM被应用于集成电路，并在英国和日本实现了扫描电镜的商业化。
截至目前，SEM及其他显微和微分析技术在世界范围内发展，并被应用于越来越多的领域。
关键词：扫描电子显微镜（SEM），成像技术，表面形貌，成分衬度，电子通道花样（ECP），电子背散射花样（EBSP）。
Oatley描述了SEM早期历史和直至其第一次商业化的发展状况。
第一台商业SEM在英国和日本制造。
SEM的历史也被许多作者描述过。
商用SEM性能的提高和操作的简便已经很出色并有望继续进步。
Knoll用仪器得到了四个非常重要的实验结果Fig.1：(i)他从固态多晶样品中得到了样品的吸收电流像Fig.2.(ii) 这张照片显示的晶粒间取向依赖衬度是由电子穿隧效应的对比差异引起的。
（iii）他测量了不同材料的二次电子（SE）加背散射电子(BSE)系数是入射电子能量E0的函数，并且证明当SE+BSE系数为1时，有第二个交叉点，此时E0约为1.5keV。
样品的充电最小化并且保持稳定。
(iv)根据一个早期关于定量电压衬度的译文，测量了束电子对非导电颗粒充电后颗粒的电势。
Figure 3 是由von Ardenne提出的产生二次电子的电子散射模型，模型表明初始束展宽；大角度散射；扩散；BSE逃逸以及每个阶段的二次电子激发。
他提出了两种高分辨率SE图像。
第一种（现在称为SE-I图像的详细讨论见Peters）E0等于数十电子伏，此时电子的穿透深度（几个微米）比二次电子的逃逸深度大很多倍（几个纳米）。
扫描电子显微镜
扫描电子显微镜扫描电子显微镜是一种强大的工具，它可以帮助科学家观察到物质的更小的细节和结构。
本文将介绍扫描电子显微镜的原理、应用、发展历程以及未来发展趋势。
原理扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscopy，SEM）是一种利用扫描电子束与物体相互作用而获得形貌和微区组织信息的显微分析仪器。
扫描电子显微镜的工作原理是，将高能电子轰击样品表面，使其表面电子被激发，发射出大量的二次电子。
这些二次电子被探测器接收并转换成负电荷信号，在特定条件下被扫描成像。
应用扫描电子显微镜广泛应用于多个领域，包括材料科学、生命科学、化学和地质学等。
以下是该技术在这些领域中的应用：•材料科学：用于获取材料的形貌、结构以及表面性质等信息。
•生命科学：用于观察细胞、细胞器、细胞表面的超微结构和蛋白质等生物分子的形态和结构。
•化学：用于观察化学反应过程表面形貌、结构的变化以及材料结构的演化过程等。
•地质学：用于研究各种矿物、岩石和地层等，以了解地质演化过程。
发展历程1950年，发明了透射式电子显微镜，但它只能用于真空环境下的样品。
1956年，Helmut Ruska和Max Knoll发明了扫描电子显微镜。
该技术能够在空气中观察样品，并获得更高的象素分辨率。
1965年， Hitachi公司普及了第一台商用扫描电子显微镜S-800。
自此以后，扫描电子显微镜技术得到了快速的发展。
未来发展趋势随着技术的发展，扫描电子显微镜的应用场景不断扩大。
今后，该技术将越来越多地应用于纳米材料和微细加工领域。
同时，随着计算机技术的发展，扫描电子显微镜将会实现更高的自动化和智能化，成为更加强大的工具。
结论扫描电子显微镜是一款横跨多个领域应用的重要科学工具，其在材料科学、生命科学、化学和地质学等领域均有广泛的应用。
虽然该技术已经发展多年，但随着技术和计算机技术的不断进步，扫描电子显微镜将会越来越强大，为人们探索科学世界提供更加强大的支持。
电子显微镜原理以及成像技术发展趋势
电子显微镜原理以及成像技术发展趋势电子显微镜（Electron Microscope，简称EM）是一种利用电子束代替光束来进行观察和研究微观结构的仪器。
相较于传统光学显微镜，电子显微镜具有更高的分辨率和更大的放大倍数，可以观察到更细微的细节。
在本文中，将介绍电子显微镜的原理，并探讨其成像技术的发展趋势。
电子显微镜的原理主要基于波粒二象性原理和电磁学原理。
根据波粒二象性原理，电子既具有粒子的特性，也具有波动的特性。
电子显微镜中，利用电磁透镜的原理来聚焦电子束，使其通过被观察物体后形成像。
电子束的聚焦是通过一系列的磁透镜实现的，这些磁透镜可以根据需要调整电磁场的强度和方向，从而控制电子束的聚焦效果。
电子显微镜主要分为两种类型：透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope, TEM）和扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）。
透射电子显微镜通过使电子束透过样品，然后通过一系列的透镜进行成像，可以观察到样品内部的细节。
而扫描电子显微镜则通过以电子束扫描样品表面，并测量扫描出的二次电子、反射电子等信号来得到样品表面的形貌和成分信息。
电子显微镜的分辨率远高于光学显微镜，这是因为电子的波长比光的波长要短得多。
根据电子波长的计算公式λ = 12.3 / √U，其中λ为电子波长（nm），U为电子加速电压（kV），可见当加速电压增加时，电子波长减小，分辨率变得更高。
因此，透射电子显微镜通常使用高加速电压（通常为100-400 kV），以获得更高的分辨率。
与此同时，扫描电子显微镜也可以通过调整电子束的参数，如聚焦电压、聚束电流和探测器的性能等，来获得不同分辨率的成像效果。
随着科技的不断发展，电子显微镜的成像技术也在不断创新和改进。
以下是电子显微镜成像技术的几个发展趋势：1. 高分辨率成像：随着电子光学的进步，人们对于更高分辨率的需求也在不断增长。
扫描电子显微镜的早期历史和发展趋势
扫描电子显微镜的早期历史和发展趋势扫描电子显微镜（SEM）的基本原理在20世纪30年代到40年代初由Knoll, 德国的von Ardenne和美国的Zworykin，Hillier等人确立。
扫描电镜的研究在英国剑桥大学电机工程学系Charles Oatley博士学位的一系列项目中复苏。
在剑桥大学的McMullan和Smith的早期研究之后，SEM的第一次产业应用在加拿大纸浆和造纸研究所实现。
不久之后，在美国的Westinghouse，SEM被应用于集成电路，并在英国和日本实现了扫描电镜的商业化。
截至目前，SEM及其他显微和微分析技术在世界范围内发展，并被应用于越来越多的领域。
关键词：扫描电子显微镜（SEM），成像技术，表面形貌，成分衬度，电子通道花样（ECP），电子背散射花样（EBSP）。
Oatley描述了SEM早期历史和直至其第一次商业化的发展状况。
第一台商业SEM在英国和日本制造。
SEM的历史也被许多作者描述过。
商用SEM性能的提高和操作的简便已经很出色并有望继续进步。
Knoll用仪器得到了四个非常重要的实验结果：(i)他从固态多晶样品中得到了样品的吸收电流像.(ii) 这张照片显示的晶粒间取向依赖衬度是由电子穿隧效应的对比差异引起的。
（iii）他测量了不同材料的二次电子（SE）加背散射电子(BSE)系数是入射电子能量E0的函数，并且证明当SE+BSE系数为1时，有第二个交叉点，此时E0约为。
样品的充电最小化并且保持稳定。
(iv)根据一个早期关于定量电压衬度的译文，测量了束电子对非导电颗粒充电后颗粒的电势。
Figure 3 是由von Ardenne提出的产生二次电子的电子散射模型，模型表明初始束展宽；大角度散射；扩散；BSE逃逸以及每个阶段的二次电子激发。
他提出了两种高分辨率SE图像。
第一种（现在称为SE-I图像的详细讨论见Peters）E0等于数十电子伏，此时电子的穿透深度（几个微米）比二次电子的逃逸深度大很多倍（几个纳米）。
电子显微镜技术发展及其应用前景
电子显微镜技术发展及其应用前景电子显微镜是通过电子束与样品相互作用，利用电磁透镜聚焦产生图像的一种高分辨率图像分析技术。
电子显微镜一般分为两种类型：透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)。
随着电子显微镜技术的不断发展，其应用也越来越广泛，包括材料科学、生物学、纳米技术、化学等领域。
本文将从以下几个方面介绍电子显微镜技术的发展及其应用前景。
一、电子显微镜技术的发展1.早期电子显微镜技术早期的电子显微镜由于仪器质量和电子束强度限制等方面的原因，分辨率很低，所能观察的样品也很有限。
1950年代末期至1960年代初期，科学家们发明了透射电子显微镜和扫描电子显微镜。
TEM可以通过薄片样品获取高分辨率的图像，对微观结构、晶体结构、原子排列等信息进行研究。
但是，其样品制备难度较高，测量过程也比较复杂。
SEM则能够观察到外表面形貌和微结构等信息，而不需要对样品进行切片，具有显微操作简单、成图容易、分辨率适中等优点。
因此，SEM得到广泛的应用。
2.电子光学理论的发展通过电磁透镜使电子聚焦的原理是电子光学理论。
随着电子光学理论的发展，透镜数目增多、透镜质量提高、降低了畸变和散光的程度等新技术的出现，电子显微镜的分辨率得到了不断提高。
近年来，随着高分辨率成像技术的发展，电子显微镜的分辨率已达到亚埃级，可以实现原子级分辨。
而且，高通量电子显微镜的发明使得图像采集速度大大提高，开启了电子显微镜的新篇章。
二、电子显微镜的应用前景1.材料科学电子显微镜在材料科学中具有极其重要的作用。
通过TEM和SEM等技术，可以对材料结构和性质进行观察和分析。
例如，在材料摄影领域，低倍SEM可以对材料表面形貌和结构进行观察，高倍SEM可以对材料纹理和结构进行深入研究。
而TEM可以研究材料的微观结构和晶体结构，探究材料性质的基础。
EDS系统可以对样品的化学组成进行分析，较常见的流行的应用领域有微解剖学、材料科学和地质学等方面。
2.生命科学当然，电子显微镜在生物医学领域的应用也很广泛。
电子显微镜的发展与应用
电子显微镜的发展与应用电子显微镜是一种现代高科技仪器，它通过聚集电子束对材料的显微结构进行观察和分析，是材料科学、物理学等领域中最常用的分析手段之一。
本文将从电子显微镜的历史、原理、技术特点和应用方面进行介绍。
一、电子显微镜的历史电子显微镜是现代显微镜技术中的一种新型仪器，它的历史可以追溯到20世纪30年代末期。
当时人们开始尝试用电子束来取代光束观察物体的微小结构，以期获得更高分辨率的成像效果。
在短短几十年的时间里，电子显微镜技术得到了快速发展，主要表现在以下几个方面：1. 改善电子源的性能，例如提高电子束的能量和亮度，使得电子束更容易穿透厚样品。
2. 发展各种种类的探针，例如扫描探针显微镜、透射电子显微镜、衍射电子显微镜等，不同的探针具有不同的优缺点，可根据具体需求进行选择。
3. 发展样品制备技术，例如离子切割技术、冷冻切片技术、金属薄膜制备技术等，这些技术可提高样品的表面平整度和断面质量，从而获得更高质量的显微图像。
二、电子显微镜的原理电子显微镜的原理主要是利用电子束与样品相互作用所产生的各种信号（例如散射、透射、反射等信号），通过探针来探测这些信号从而获得目标物体的显微结构信息。
下面我们来分别介绍以下两种常用的电子显微镜：1. 透射电子显微镜透射电子显微镜原理与传统光学显微镜类似，通过透射样品的电子束来获得样品内部结构的信息。
透射电子显微镜的分辨率通常可以达到0.1nm左右，是目前分辨率最高的显微镜之一。
它适用于物质结构的研究，例如晶体学、材料学等领域。
2. 扫描电子显微镜扫描电子显微镜则是利用电子束的散射、反射信号来获取材料的表面形貌和组成信息。
其分辨率可以达到纳米级别，具有高度的表面灵敏度。
扫描电子显微镜适用于纳米材料、生物样品以及矿物材料等领域的研究。
三、电子显微镜的技术特点电子显微镜的技术特点主要表现在以下几个方面：1. 高分辨率：电子显微镜的分辨率远远高于光学显微镜，可以达到亚纳米级别，从而获得更为细节的结构信息。
扫描电镜技术在材料科学中的应用前景展望
扫描电镜技术在材料科学中的应用前景展望材料科学是现代工程制造、能源开采、生命科学等众多领域不可或缺的学科，而材料科学的发展又和材料微结构的研究密切相关。
如何对材料进行微观结构的观测和分析，以便更好地了解材料性质和改善材料性能，是一项关键性的技术。
在这方面，扫描电镜技术被广泛应用于材料科学领域中。
一、扫描电镜技术的介绍扫描电镜是利用电子束和样品之间的相互作用，形成高分辨率图像的一种电子显微技术。
传统电子显微镜只能获得样品的透射像，对于观测表面形貌和表面成分分布起不了作用。
而扫描电镜的电子束在扫描样品表面时，形成反射电子和散射电子，并采集这些电子的信号形成图像。
通过调节不同的电子束参数，扫描电镜能够获得材料的表面形貌、内部结构、化学组成等详尽信息，对于材料微观结构的观测起着非常重要的作用。
扫描电镜技术的主要优势在于具有非常高的分辨率，可观测到极小尺寸的微观结构，并能够进行三维重建等进一步分析。
此外，扫描电镜技术还能够进行成分分析，并可通过扫描透射电镜、电子能谱等技术进一步深入研究。
二、应用于材料科学中的扫描电镜技术扫描电镜技术在材料科学领域中广泛应用于各种材料的表面形貌观测、微观结构分析和元素分析等。
以下列举几种常见的例子：1. 金属材料的微观结构金属材料的微观结构对于材料的力学性质和表面光学性质等起着至关重要的作用。
扫描电镜技术可以观测到金属材料表面的成分分布和晶体形貌，并可以在不同倍数下观察到晶界、孔隙和裂纹等缺陷。
此外，扫描透射电镜与电子能谱等技术，还可以进行深入的晶体结构、原位变形以及局部应力和形貌的研究。
2. 纳米材料和表面涂层的成分分析传统的成分分析技术很难对于表面和微纳米结构进行准确分析，而扫描电镜技术通过搭载电子能谱和X射线能谱等技术，能够准确获取纳米结构和表面涂层的成分分布，并在不同区域进行区分。
此外，扫描电镜技术还可以通过原位实验，研究纳米结构的形变及变化规律等。
3. 碳纤维等复合材料的表面形貌和组织结构复合材料的微观结构和成分分布直接影响材料的物理、力学和化学性质。
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扫描电子显微镜的发展及展望1、分析扫描电镜和X射线能谱仪目前，使用最广的常规钨丝阴极扫描电镜的分辨本领已达 3.5nm左右，加速电压范围为0.2—30kV。
扫描电镜配备X射线能谱仪EDS后发展成分析扫描电镜，不仅比X射线波谱仪WDS分析速度快、灵敏度高、也可进行定性和无标样定量分析。
EDS发展十分迅速，已成为仪器的一个重要组成部分，甚至与其融为一体。
但是，EDS也存在不足之处，如能量分辨率低，一般为129—155eV，以及Si(Li)晶体需在低温下使用(液氮冷却)等。
X射线波谱仪分辨率则高得多，通常为5—10eV，且可在室温下工作。
1972年起EDAX公司发展了一种ECON系列无窗口探测器，可满足分析超轻元素时的一些特殊需求，但Si(Li)晶体易受污染。
1987年Kevex 公司开发了能承受一个大气压力差的ATW超薄窗，避免了上述缺点，可以探测到B，C，N，O等超轻元素，为大量应用创造了条件。
目前，美国Kevex公司的Quantifier，Noran公司的Extreme，Link公司的Ultracool，EDAX公司的Sapphire等Si(Li)探测器都属于这种单窗口超轻元素探测器，分辨率为129eV，133eV等，探测范围扩展到了5B—92U。
为克服传统Si(Li)探测器需使用液氮冷却带来的不便，1989年Kevex公司推出了可不用液氮的Superdry探测器，Noran公司也生产了用温差电制冷的Freedom探测器(配有小型冷却循环水机)，和压缩机制冷的Cryocooled探测器。
这两种探测器必须昼夜24小时通电，适合于无液氮供应的单位。
现在使用的大多还是改进的液氮冷却Si(Li)探测器，只需在实际工作时加入液氮冷却，平时不必维持液氮的供给。
最近发展起来的高纯锗Ge探测器，不仅提高了分辨率，而且扩大了探测的能量范围(从25keV扩展到100keV)，特别适用于透射电镜：如Link的GEM型的分辨率已优于115eV(MnKα)和65eV(FKα)，Noran的ExplorerGe探测器，探测范围可达100keV等。
1995年中国科学院上海原子核研究所研制成了Si(Li)探测器，能量分辨率为152eV。
中国科学院北京科学仪器研制中心也生产了X射线能谱分析系统Finder-1000，硬件借鉴Noran公司的功能电路，配以该公司的探测器，采用Windows操作系统，开发了自己的图形化能谱分析系统程序。
2、X射线波谱仪和电子探针仪现代SEM大多配置了EDS探测器以进行成分分析。
当需低含量、精确定量以及超轻元素分析时，则可再增加1到4道X射线波谱仪WDS。
Microspec公司的全聚焦WDX-400，WDX-600型分别配有4块和6块不同的衍射晶体，能检测到5B(4Be)以上的各种元素。
该谱仪可以倾斜方式装在扫描电镜试样室上，以便对水平放置的试样进行分析，而不必如垂直谱仪那样需用光学显微镜来精确调整试样离物镜的工作距离。
为满足大量多元素试样的超轻元素，低含量，高速定性、定量常规分析的需求，法国Cameca公司长期生产电子探针仪，SX50和SXmacro 型配备4道WDS及1道EDS，物镜内装有同轴光学显微镜可以随时观察分析区域。
岛津公司最近生产的计算机控制EPMA-1600型电子探针，可配置2—5道WDS和1道EDS，试样最大尺寸为100mm×100mm×50mm(厚)，二次电子图像分辨率为6nm。
JEOL公司也生产了计算机控制的JXA-8800电子探针和JXA-8900系列WD／ED综合显微分析系统—超电子探针，可装5道X射线光谱仪和1道X射线能谱仪，元素分析范围为5B—92U，二次电子图像分辨率为6nm。
Noran公司下属的Peak公司最近发展了一种崭新的APeX全参数X射线光谱仪，与传统的机械联动机构完全不同，由计算机控制6个独立的伺服马达分别调节分光晶体的位置和倾角以及X射线探测器的X、Y坐标和狭缝宽度。
配有4块标准的分光晶体可分析5B(4Be)以上的元素。
罗兰圆半径随分析元素而变，可分别为170，180，190和200mm，以获得最高的计数率，提高了分析精度和灵活性。
Noran公司还推出了称为MAXray的X射线平行束光谱仪，将最新的X光学研究成果——准平行束整体X光透镜置于试样上的X射线发射点和分析晶体之间，提高了接收X射线的立体角，比一般WDS的强度提高了50倍左右。
可分析100eV—1.8keV能量范围内的K、L、M线，特别有利于低电压、低束流分析，对Be、B、C、N、O和F的分辨率可高达5—15eV，兼有WDS的高分辨率和EDS的高收集效率。
这两种新型X射线光谱仪可望得到广泛的应用。
3、场发射枪扫描电镜和低压扫描电镜场发射扫描电镜得到了很大的发展。
日立公司推出了冷场发射枪扫描电镜，Amray公司则生产热场发射枪扫描电镜，不仅提高了常规加速电压时的分辨本领，还显著改善了低压性能。
低压扫描电镜LVSEM由于可以提高成像的反差，减少甚至消除试样的充放电现象并减少辐照损伤，因此受到了人们的嘱目。
JEOL公司的JSM-6000F型场发射超高分辨SEM的分辨本领在加速电压30kV时达0.6nm，已接近TEM的水平，但试样必须浸没入物镜的强磁场中以减少球差的影响，所以尺寸受到限制，最大为23mm×6mm×3mm(厚)。
试样半浸没在物镜磁场中的场发射JSM-6340F型可以观察大试样，加速电压15kV时分辨本领为1.2nm，低压1kV时为2.5nm。
这两种SEM由于试样要处在磁场中所以不能观察磁性材料。
使用CF校正场小型物镜可观察大试样的场发射JSM-6600F型分辨本领为2.5nm(1kV时为8nm)。
日立公司也供应这几类产品如S-5000，S-4500和S-4700型。
4、超大试样室扫描电镜德国Visitec捷高公司的超大试样室Mira型扫描电镜。
被检物的最大尺寸可为直径700mm，高600mm，长1400mm，最大重量可达300公斤，真空室长1400，宽1100和高1200mm。
分辨本领4nm，加速电压0.3kV—20kV。
是一种新的计算机控制、非破坏性的检查分析测试装置，可用于工业产品的生产，质量管理，微机加工和工艺品的检查研究等。
5、环境扫描电镜80年代出现的环境扫描电镜ESEM，根据需要试样可处于压力为1—2600Pa不同气氛的高气压低真空环境中，开辟了新的应用领域。
与试样室内为10-3Pa的常规高真空SEM不同，所以也可称为低真空扫描电镜LV-SEM。
在这种低真空环境中，绝缘试样即使在高加速电压下也不会因出现充、放电现象而无法观察；潮湿的试样则可保持其原来的含水自然状态而不产生形变。
因此，ESEM可直接观察塑料、陶瓷、纸张、岩石、泥土，以及疏松而会排放气体的材料和含水的生物试样，无需先喷涂导电层或冷冻干燥处理。
1990年美国Electro Scan公司首先推出了商品ESEM。
为了保证试样室内的高气压低真空环境，LV-SEM的真空系统须予以特殊考虑。
目前，Amray，Hitachi，JEOL和LEO等公司都有这种产品。
试样室为6—270Pa时，JSM—5600LV—SEM的分辨本领已达5.0nm，自动切换到高真空状态后便如常规扫描电镜一样，分辨本领达3.5nm。
中国科学院北京科学仪器研制中心与化工冶金研究所合作，发展KYKY-1500高温环境扫描电子显微镜，试样最高温度可达1200℃，最高气压为2600Pa；800℃时分辨率为60nm，观察了室温下的湿玉米淀粉颗粒断面、食盐的结晶粒子，以及在50Pa，900℃时铁矿中的针形Fe\-2O\-3等试样。
6、扫描电声显微镜80年代初问世的扫描电声显微镜SEAM，采用了一种新的成像方式：其强度受频闪调制的电子束在试样表面扫描，用压电传感器接收试样热、弹性微观性质变化的电声信号，经视频放大后成像。
能对试样的亚表面实现非破坏性的剖面成像。
可应用于半导体、金属和陶瓷材料，电子器件及生物学等领域。
中国科学院北京科学仪器研制中心也发展了这种扫描电声显微镜，空间分辨本领为0.2—0.3μm。
最近，中国科学院上海硅酸盐研究所采用数字扫描发生器控制电子束扫描等技术，提高了信噪比，使SEAM的图像质量得到了很大的改进。
7、测长／缺陷检测扫描电镜SEM不但在科学研究而且在工农业生产中得到了广泛的应用，特别是电子计算机产业的兴起使其得到了很大的发展。
目前半导体超大规模集成电路每条线的制造宽度正由0.25μm向0.18μm迈进。
作为半导体集成电路生产线上Si片的常规检测工具，美国Amray公司推出了一种缺陷检测3800型DRT扫描电镜，采用了加热到1800K的ZrO/W阴极肖脱基热场发射电子枪，具有良好的低加速电压性能：1kV时分辨本领达4nm，而且电子束流的稳定度优于1%/h、可长期连续工作，对直径为100，125，150，200mm的Si片，每小时可检测100个缺陷。
日立公司为了克服以往在室温下工作的冷场发射枪测长扫描电镜(CD-SEM)因需要进行闪烁处理以去除发射尖上所吸附的气体分子而经常中断工作、影响在生产线上应用的缺点，最近也推出了这种ZrO/W阴极热场发射电子枪的S-8000系列CD-SEM。
为了克服热场发射比冷场发射枪电子能量分散大的缺点，设计了阻滞场电磁物镜，并改进了二次电子探测器，在加速电压为800V时分辨本领为5nm，可以每小时20片，每片5个检测点的速度连续检测125—200mm直径的Si。
8、晶体学取向成像扫描电子显微术SEM的另一个新发展方向是以背散射电子衍射图样(EBSP)为基础的晶体学取向成像电子显微术(OIM)。
在SEM上增加一个可将试样倾动约70度的装置，CCD探测器和数据处理计算机系统，扫描并接收记录块状试样表面的背散射电子衍射花样(背散射菊池花样)，按试样各部分不同的晶体取向分类成像来获得有关晶体结构的信息，可显示晶粒组织、晶界和裂纹等，也可用于测定织构和晶体取向。
可望发展成SEM的一个标准附件。
1996年美国TSL(TexSemLaboratories，Inc.)公司推出了TSLOIM系统，空间分辨本领已优于0.2μm，比原理相似的电子通道图样(ECP)提高了一个量级，在0.4秒钟内即能完成一张衍射图样的自动定标工作。
英国牛津集团显微分析仪器Link-OPAL公司的EBSD结晶学分析系统，目前已用于Si片上Al连线的取向分析，以判断其质量的优劣及可行性。
9、计算机控制扫描电镜90年代初，飞利浦公司推出了XL系列扫描电镜。
在保持重要功能的同时，减少了操作的复杂性。
仪器完全由计算机软件控制操作。
许多参量(焦距、像散校正和试样台移动速度等)和调节灵敏度都会根据显微镜的工作状态作自适应变化和耦合，可迅速而准确地改变电镜的主要参数。