[工学]第3章 AT89S52存储器结构

访问SFR块时——采用直接寻址；
访问低128字节RAM时——以上两种方式 均可。
注意：
128字节的SFR块中只有26个字节是有意 义的。如果访问这一块没有意义的单元，则将 得到一个不确定的随机数。
下图表示了内部数据存贮器的配置及工 作寄存器区的分配：


从0～31共32个字节单元——为4个通用 工作寄存器区，每个区含8个8位寄存器， 编号为：R0～R7。
（1）、静态RAM
静态RAM是采用MOS管触发器作为基本 单元电路，由触发器的两个稳定状态来存储 “0”或“1”的信息，这种存储电路属非破坏性 读出，不需要刷新，只有断电信息才会丢失。 （2）、动态RAM 由MOS管栅极电容存储“0”或“1”的信息， 可以提高集成度，但由于存在泄漏电阻使栅极 电容上的电荷经过一定的时间就会泄放，使存 储的“1”信息变成“0”信息。
B
ACC PSW
F7
E7 D7
TL2 TL2
RCAP2 H RCAP2H T2MOD
(0F0H) (0E0H) (0D0H) (0C8H)
T2CON CF
IP P3 IE BF B7 AF
(0B8H）
（0B0H） （0A8H）
P2
SCON P1 TCON P0
A7
97 97 8F SP
WDT
AUXR1
2.4.2 数据存贮器（RAM） 2.4.3 专用寄存器 2.4.4 外部数据存储器
目录
2.4.1 程序存贮器 （ROM）
用途：ROM用于存放已编好的程序和表格 常数。MCS-51单片机的64KBROM空间是统一 编址的。 有内部ROM的单片机，在正常运行时，应 把 EA引脚接高电平，使程序从内部ROM开始 执行。当PC值超出内部ROM的容量时，将会自 动转向外部ROM执行程序，此时，EA引脚变为 低电平。
2.4.2 内部数据存贮器
RAM在物理上和逻辑上都为两个地址空间： 用途：存放变量和工作数据的。
※ 访问内部RAM——用MOV指令； ※ 访问外部RAM——用MOVX指令。
内部RAM在物理上又分为3个不同的块： 00H ～ 07FH 单元组成了低128B的RAM块； 80H ～ 0FFH单元组成了高128B的RAM块； （仅在8032/8052中有这一块） 128B的专用寄存器(SFR)块（80H～0FFH）。
专用寄存器 0FFH 高 128 字 节 80H 255
FOH EOH DOH C3H B8H B0H A8H A0H 98H 90H 88H 80H
仅8032/ 8052有
专用寄存 器中的可 寻址位
128 7FH
内部RAM 中的可寻 址位
48 32
127
120 0
寄存器区
7 R7 24 R0 R7 16 R0 R7 8 R0 R7 0 R0
＋
F0H E0H D0H C8H B8H B0H A8H A0H 98H 90H 88H
B
ACC PSW
T2CON
－－
－
IP
P3 IE P2 SCON P1 TCON
8
0
80H
87
81
80
P0
位操作区（221位）
2.4.4 外部数据存储器的扩展
AT89S52的外部RAM可扩展为64KB地址 空间，对外部RAM进行读写时，采用寄存器 间接寻址方式。 R0、R1 和DPTR作间寻址寄存器用。 其中：R0和R1的寻址范围为256B， DPTR寻址范围为64KB。
3.1.2
只读存储器ROM
作用：存放已编译好的固定程序（指令）代码 和表格常数，例如：系统管理程序、监 控 程序、应用程序、专用子程序等。
ROM的种类： 1、掩膜式ROM ——由生产厂家根据用户提供的程序清单 （二进制代码），在生产过程中通过二次光刻 版图（掩膜）固化在ROM中，故称掩膜ROM。
掩膜ROM一经将信息固化后，就只能读 出不能再改写了。
1C 14 04 0C 1B 13 03 0B
1A 12 02 0A 19 11 01 09
18 10 00 08
R2 R2 R2 R1 R1 R1
R0 R0 R0
00
对MCS-51工作寄存器区的选择——由专 用寄存器PSW(程序状态字)中的RS0,RS1两位 来确定 。 有两种方法可以改变RS0,RS1这两位的值： 对PSW寻址，通过改变PSW的值来间接 改变这两位的值； 直接对RS0,RS1寻址，以改变它们的值。 显然,采用后一种方法简便些。
EEPROM还有串行数据转送方式的，如：ATMEL公司的 AT24系列： AT24C01——128B AT24C04 ——512B AT24C16——2KB AT24C02——256B AT24C08——1KB
（3）、电可擦写闪速只读存储器——FLASH 闪速——擦写速度很快、很方便。 特点：可随机擦写，且掉电数据信息不丢失。 即可存放指令代码又可存放数据。
EPROM可以多次擦除和写入程序，芯片的型号是27系列：
2716——2KB
2732——4KB 2764——8KB
27128——16KB
27256——32KB 27512——64KB
（2）、可电擦写EEPROM
特点：可在线擦写，无需专门的编程器和擦 除器，在写入一个字节的指令代码或数据之 前，自动地对所写单元进行擦除再写入。此 类芯片为28系列。如：2817A——2KB、 2864A——8KB。
其他6个特殊地址单元分别对应于6种中断源的中 断服务子程序的入口地址 ，如下表所示：
入口地址 0003 H 000B H 0013 H 001B H 中断源 外部中断0 定时器0溢出 外部中断1 定时器1溢出
0023 H
002B H
串行口
定时器2溢出或（T2EX端负跳变时)
通常在这些入口地址放置一条绝对跳转指令， 而真正的中断服务子程序从转移到的地址开始存 目录 放。
2、一次性可编程只读存储器PROM PROM可由用户通过专用编程器（烧写器） 把用户信息固化进去。一经固化后只能读出不 能再改写。 3、可反复擦写的ROM （1）、紫外光擦写EPROM 对EPROM进行程序固化时，先要用 紫外灯照射擦除片内的信息，然后用万能编程器 编程。
EPROM在芯片封装时顶部有一个石英玻 璃窗口，要擦除片内信息时，将芯片放在专门 的紫外灯下通过窗口照射15——20分钟，全部 存储单元的“0”变为“1”，也就是说，片内所 有存储单元为“1”时，表示信息擦除正常，可 以重新写入程序。
（0A0H） （98H） （90H）
AUXR TH1 DP0L DP0H
TH0
TL1
TL0
TMOD （88H） PCON （80H）
DPIL DP1H
32个特殊功能寄存器 及地址映像表
B
ACC PSW IP P3 IE P2
(0F0H)
(0E0H) (0D0H)
F7
E7 D7
F0
E0 D0
T2CON (0C8H)
内部RAM结构及工作寄存器区的分配
0FFH 高 128 字节 （仅8052有） 80H 7FH 专用寄存器
17 0F 1F 07 1E 16 06 0E R7 R7 R7 R6 R6 R5 R5 R4 R4 R3 R3 R3
低 128 字节
20H 1FH
1D 15 05 0D
3区 2区 1区 0区
在逻辑上分为3个地址空间：
※ 片内外统一的64KB ROM地址空间； ※ 256B的内部RAM地址空间（其中 128B
的专用寄存器地址空间，仅有20几个字 节是实际定义的）； ※ 64KB的外部RAM地址空间。
访问这三个不同的逻辑空间时，应采用不 同形式的指令。
※ 访问内部RAM时，用MOV指令；
CF
－ －
C8
B8 B0 A8 A0 98
(0B8H） BF （0B0H） B7 （0A8H） AF （0A0H） A7 97
SCON （98H）
P1
TCON
（90H）
（88H）
97
8F
90
88
P0
（80H） 87
86
85
84
83
82
81
80
可位寻址的特殊功能寄存器
2FH 7F 2EH 2DH 2CH 2BH 2AH 29H 28H 27H 26H 25H 24H 23H 22H 21H F 20H 7
为了保持原来的信息不改变，必须对原存的 “1”信息单元电荷进行充电，这种重复充电 的过程叫刷新。
也就是说动态RAM的特点是集成度高、 功耗低、工作速度快、但需要定期刷新、导 致电路复杂。在微型计算机中由于要求容量 大、速度快，一般采用动态RAM。 现在市场上有一种新的动态RAM，叫 IRAM（集成随机RAM），它集静态和动态 的优点于一体，使其具有接口简单、功耗低、 价格低，使用时如同静态RAM一样。
当MCS-51无内部ROM时，EA引脚接低电平， 强迫系统从外部ROM执行程序。
对程序存贮器的寻址——可采用立即寻址 和基址加变址寻址。 如：MOV A, #DATA ; MOVC A, @A+DPTR 64KB ROM中有7个单元具有特殊功能：
0000H单元——复位后的PC内容为0000H,故 系统必须从0000H地址单元开始 取指，执行程序。故0000H地址是 系统的起始地址。一般在0000H地址 单元中存放一条绝对跳转指令，而用户 编制的主程序从跳转到的地址开始存放。

例如：原来采用工作寄存器0区。
(即 RS0=0, RS1=0)，
现要改用为工作区1（即RS1=0, RS0=1） 可用下列指令实现： SETB PSW﹒3 ;PSW﹒3位是RS0的符号 地址。