多晶硅提纯技术以及工艺
多晶硅生产工艺流程简述
多晶硅生产工艺流程简述嘿，朋友们！今天咱来唠唠多晶硅生产工艺流程这档子事儿。
你想想看啊，多晶硅就像是我们盖房子的砖头，那可是构建各种高科技玩意儿的重要材料呢！生产多晶硅就好比一场奇妙的旅程。
首先呢，得有原材料硅石，这就像是做饭得有食材一样。
把硅石弄碎了，再进行一系列复杂的化学反应，就像厨师精心调配调料。
然后呢，经过各种处理，慢慢就有了初步的硅材料。
这就好比面团初步揉好了，还得继续加工呢。
接下来就是提纯啦！把那些杂质啥的都去掉，让硅变得纯纯的。
这感觉就像是把一颗宝石从石头堆里挑出来，得细心再细心。
再之后呢，就是一系列精细的操作，让多晶硅的品质越来越好。
就好像雕琢一件艺术品，每一刀都得恰到好处。
在这个过程中，工人们就像是神奇的魔法师，用他们的智慧和技术，把普通的硅石变成了闪闪发光的多晶硅。
你说这神奇不神奇？这可不是随随便便就能做到的，得有专业的设备，得有经验丰富的技术人员。
咱再打个比方，多晶硅生产就像是一场精彩的演出，每个环节都不能出错，不然这出戏可就演砸啦！每一道工序都得严谨认真，就像走钢丝一样，不能有丝毫马虎。
而且啊，这可不是一天两天就能学会的，得经过长时间的积累和实践。
就像学骑自行车，得摔几次跤才能真正掌握技巧呢。
多晶硅的用途可广泛啦，从太阳能电池到电子设备，到处都有它的身影。
想象一下，如果没有多晶硅，我们的生活得少多少便利和乐趣呀！所以说啊，多晶硅生产工艺流程真的太重要啦！它是科技发展的基石，是推动我们生活进步的重要力量。
我们可得好好珍惜这些来之不易的成果，也得感谢那些在背后默默付出的人们。
这就是多晶硅生产工艺流程的神奇之处，大家说是不是很有意思呢？。
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺冶金级硅（工业硅）是制造多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在电弧炉中用碳还原而成。
尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见，但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。
一般来说，要求矿石中二氧化硅的含量应该在97～98%以上，并对各种杂质特别是砷、磷和硫等的含量有严格的限制。
冶金硅形成过程的化学反应式为：SiO2 + 2C ＝ Si + 2CO。
在用于制造多晶硅的冶金硅中，要求含有99%以上的Si，还含有铁、铝、钙、磷、硼等，它们的含量在百万分之几十到百万分之一千（摩尔分数）不等。
而EG硅中的杂质含量应该降到10-9（摩尔分数）的水平，SOG硅中的杂质含量应该降到10-6（摩尔分数）的水平。
要把冶金硅变成SOG硅或EG硅，显然不可能在保持固态的状态下提纯，而必须把冶金硅变成含硅的气体，先通过分馏与吸附等方法对气体提纯，然后再把高纯的硅源气体通过化学气相沉积（CVD）的方法转化为多晶硅。
目前世界上生产制造多晶硅的工艺技术主要有：改良西门子法、硅烷（SiH4）法、流化床法以及专门生产SOG硅的新工艺。
1、改良西门子法1955年，西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯硅烷（SiHCl3）在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年开始了工业规模的生产，这就是通常所说的西门子法。
在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，于是形成了改良西门子法——闭环式SiHCl3氢还原法。
改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl（或外购HCl），HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。
具体生产工艺流程见图1。
改良西门子法包括五个主要环节：SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。
该方法通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗。
(新版)多晶硅生产工艺
馏
馏
塔
塔
送往SiCl4氢化工序
四氯化硅氢化工序
• 经干法分离提纯工序精制的四氯化硅送入本工序汽化器， 与被热水加热的循环氢气形成混合器气体进入氢化炉内， 在通电的电极表面发生反应。
• 反应式 SiCl4 + H2 = SiHCl3 + HCl
• 反应生成的混合气体送往氢化干法分离工序
•
从四氯化硅氢化工序来的氢化气与
硅烷法—硅烷热分解法
• 硅烷 是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化 物还原法、硅的直接氢化法等方法制取，反应如 下；
• 硅烷气提纯后再热分解炉生产纯度较高的棒状多 晶硅。
• 硅烷法也有废料，也是氯化物的提纯，且工艺难 度大，安全要求高，每一步都有转化率，投资更 大，使得硅烷法尚不能取代西门子法。
开路系统
干法处理—在西门子法中广泛法应用
同时西门子法的尾气处理还依赖于吸 附技术
吸附原理：利用尾气各组分分沸点的 差异、溶解度的差异和在吸附剂上附 着能力的差异将各组分完全分离。
常用的吸附方法：冷凝吸附法 变压吸附法 变温吸附法
闭 路循环 系统
Thank you!
太阳能多晶硅
缺
点
安全性差，危害性大，产品纯度不高
流化床法—制备粒状硅
难点；如何降低低硅粉的玷污，炉内反 应温度的均衡控制，耐腐蚀、耐高温炉 体材料的选择，防止和控制炉壁上的沉 积硅，气体和硅粉流速的均匀分布控制， 控制生长硅粒的尺寸和减少细硅粉的生 成。 流化床法是研究的热点，对此抱有很大 的希望。
• 反应式 2H2O = 2H2 ↑ + O2 ↑
• 净化流程：氢气 （来在反应） 冷却 分离液体
催化（活性铜）除氧
太阳能级多晶硅生产工艺介绍
流化床法是美国 Boeing 公司研发的多晶硅生产工艺，该方法主要采用硅籽作为 沉积体，再将其与卤硅烷进行反应，进而制造多晶硅。流化床法制造多晶硅需要 用到流化床反应器，具体反应过程如下：将 SiHCl3 和 H2 由底部注入到反应装 置中，在经过加热区和反应区后，可以和装置顶部的硅晶体进行反应，反应条件 需要处在高温环境，同时在气相沉积的作用下，硅晶体将会不断增多，最终可以 形成多晶硅产物。该方法与西门子法相比主要具有以下优势：第一，可以进行连
加的节能，能耗大约在 40kW·h/kg 左右。然而，该方法存在着一定的安全问题， 这是由硅烷的特性决定的，硅烷是一种易燃、易爆的气体，这极大地增加了硅烷 的保存难度，在日常生产过程中不易于管理。产品和晶种相对容易受到污染，存 在超细硅粉问题，工艺和设备成熟度较低。
3. 冶金法
冶金法制备多晶硅主要分为两个步骤：第一，需要采用真空蒸馏、定向凝固等方 式对工业硅进行提纯，去除工业硅中的杂质，使其纯度达到要求。第二，通过等 离子炉清除 C、B 等元素，得到更加纯净的硅元素。通过这种方式制备的多晶硅 具有 P-极性，并且电阻系数较小，因而具有较高的光电转化效果。日本 Kawasaki Steel 企业采用的就是这种制造方式，可以有效地对工业硅进行提纯。此外，上 述方法还可以进行优化，优化过程主要用到了湿法精炼极性处理。通过这种方式 可以对多晶硅进一步进行精炼，与未使用该方法相比，可以将太阳能电池的工作 效率提升到 15%左右。由此可见，多晶硅的纯度非常的重要，通过提高多晶硅 的纯度可以极大地改变多晶硅的物理特性，能够在很大程度上提高太阳能电池的 工作效率。
6. 电解法
电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅，在电解装置中，以 C 作为阳 极，反应温度控制在 1000℃，在经过一段时间的电解反应后，Si 单质将会在阴 极上附着，阳极生成 CO2 气体。电解反应对电极材料的要求较高，这是因为在 电解反应中，尤其是温度较高的反应条件下，电极极易发生腐蚀，进而将新的杂 质引入反应体系中，如 B、P 等，对硅的纯度造成影响。以 CaCl2 作为熔盐电解 为例，使用石墨作为阳极，阴极采用特制材料。电解完成后，需要将阴极置于真
物理冶金提纯多晶硅
物理冶金提纯多晶硅一、工业硅中杂质分类：1、浅层电活性杂质：包括O氧、C碳、B硼、P磷、Al铝；2、过渡金属杂质：包括Fe铁、Ni镍、Cu铜、Cr铬、Mo钼、V钒、Ti钛；3、碱金属和碱土金属杂质：包括Mg镁、Ca钙；二、去除杂质的方法：酸洗、造渣、氧化精炼、真空熔炼、定向凝固、硅系合金1、除碳C方法：吹氧氧化、真空熔炼、防止石墨坩埚污染；C≤1ppm2、除磷P方法：最有效是真空熔炼；P≤0.6ppm3、除氧O方法：吹Ar氩气或N2氮气、真空熔炼、需注意防止石英坩埚在高温下和硅反应；O≤0.5ppm4、除硼B方法：B≤0.3ppm1）、氧化成气体除硼：用湿氢氧化，等离子体氧化生成气态的硼氧化物和氢氧化物，再抽气去除；2）、氧化分凝除硼：当Si硅氧化后，B硼、Al铝可以从Si硅体内向SiO2迁移；3）、造渣除硼：用助渣剂放入硅液中，造渣将B吸入渣中排除；4）、重结晶除硼：硅溶解在Al液体中，冷却后将B留在Al液中；5、除金属杂质方法：定向凝固最有效6、硅系合金法除杂质：1）、Si—Sn硅锡合金提纯多晶硅方法：在定向凝固工序前，将锡粉与工业硅混合，可以省去高真空和造渣工艺，避免等离子、电子束装置的使用。
2）、Si—Al合金提纯冶金硅：将硅完全溶于液态铝中，再冷却，取出硅薄片再进行酸洗、造渣、定向凝固工序。
3）、在真空下将硅溶于液态Ga镓中，去除一些高蒸汽压的杂质，通入氮气使杂质形成氮化物去除，冷却后得到硅薄片，再酸洗、过滤。
4）、Si—Cu合金法：在电磁熔炉中，通入氩气，熔硅铜混合物，冷却后得到Si—Cu合金，再进行粉碎（微米级），利用重力分离Si与Si—Cu合金，对Si得到提纯。
5）、通过添加0.2%的Ti，可有效去除多晶硅中的B硼，析出TiB27、普罗公司自主研发的CP化学物理法提纯8、注意提纯过程中对硅的污染日本川崎制铁公司采用提纯方法：成本高水平区熔单向凝固—切除、粉碎、清洗—等离子熔炉去除B—水平区熔单向凝固—切除、粉碎、清洗—电子束熔炉去除P和C，直接生成太阳能级多晶硅三、常规工艺路线：1、火法工艺：冶金硅→炉外精炼（吹氧、造渣）→真空熔炼（真空造渣、真空吹气）→定向凝固2、湿法工艺：冶金硅→湿法冶金（粉碎、酸浸、离子交换去渣）→真空熔炼→定向凝固现在提纯工艺基本是以火法与湿法配合进行的。
多晶硅到硅片的制备流程和工艺流程
多晶硅到硅片的制备流程和工艺流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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多晶硅生产工艺流程(3篇)
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料，广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展，对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程，旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段：原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅（Si），其含量在98%以上。
首先，将冶金级硅进行破碎、研磨等处理，使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节，其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除，得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤：（1）将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
（2）在还原炉中通入还原剂，如碳、氢气等，与冶金级硅发生还原反应。
（3）在还原过程中，炉内温度保持在约1100℃左右，反应时间为几小时至几十小时。
（4）反应结束后，将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质，需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤：（1）将粗多晶硅加入熔融炉中。
（2）在熔融炉中通入提纯剂，如氢气、氯气等，与粗多晶硅发生反应，生成挥发性杂质。
（3）将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出，实现提纯。
（4）提纯结束后，将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中，进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤：（1）将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
（2）在铸锭模具中通入冷却水，使多晶硅迅速凝固。
（3）待多晶硅凝固后，将铸锭模具从熔融炉中取出，得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤：（1）将多晶硅铸锭放置在切割机上。
（2）在切割机上安装切割刀片，将多晶硅铸锭切割成硅片。
单晶硅和多晶硅的制作工艺
单晶硅和多晶硅的制作工艺
单晶硅和多晶硅的制作工艺主要包括以下步骤：
单晶硅的制作工艺：
提纯：从石英砂中提炼出冶金级硅，并将其提纯和精炼，以去除杂质。
拉晶：使用单晶硅生长炉，通过直拉法生产单晶棒。
滚磨：采用外圆磨床滚磨外径，以获得精确的硅片直径。
切片：使用切割机将晶棒切割成一定厚度的薄晶片。
倒角：采用倒角机增加硅片边缘机械强度，减少颗粒沾污。
研磨：使用双面研磨机，去除硅片表面损伤层并达到微米级别的平整度。
抛光：使用抛光机将硅片表面达到纳米级别的平整度。
最终检测：使用检测设备来检测成品的尺寸和电学性能等是否达到预期。
多晶硅的制作工艺：
铸锭：由石英砂加工的冶金级硅精炼而来，先被铸成硅锭。
切片：将硅锭切割成片，从而加工成多晶硅硅片。
请注意，多晶硅也可作为生产单晶硅的原料。
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2流化床法——硅烷法——硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。
但美国Asimi和SGS 公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内(沸腾床)高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。
唯一的缺点是安全性差，危险性大。
其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。
此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。
目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。
此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。
3冶金法——物理法——等离子体法据资料报导，日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂(SHARP公司)应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。
主要工艺是：选择纯度较好的工业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。
现在，只有BSI和ELKEM能够批量生产，DOW CONNING，5N的多晶硅，13.3%的光电转换效率。
物理法的目标是做到6N，也就是杂质要做到1个ppm以下，但那一个ppm的杂质，是硼，是磷，还是铁，或者是哪几种杂质混合的，每种杂质的比例又是多少，这种种不同的组合，所得到的硅材料的性能是大不一样的。
由于物理法的极限又刚好在6N附近，因此，材料的质量稳定性，其实，也就是硅中各种杂质的含量的稳定性，就是十分重要的。
4气液沉积法VLD据资料报导，以日本Tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半商业化规模生产线在2005-2006年间投入试运行。
主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。
1、精馏提纯。
西门子法多晶硅厂家排出的四氯化硅，纯度一般为99-99.5%左右，而锌热还原法，最低要求气体纯度是6N，因此必须经过精馏提纯气体方可使用。
精馏提纯工艺中，使用的精馏塔一般有两种，一种是筛板式，一种是填料式。
选用精馏塔的原则，在下认为应该遵循质量和效率两方面。
关于B杂质，一般认为，光纤用四氯化硅对B杂质无多高要求，而做锌还原法则不同，对B有严格要求。
关于B杂质的去除，在西门子法的精馏工艺当中，也并非易事。
如国内新光，从俄罗斯引进了湿氮除B的工艺，但实验结果并不理想。
B杂质在三氯氢硅与四氯化硅中，主要以BCL3的形式存在，P杂质主要以PCL3形式存在，因此，需要将其与其他成分化合，形成高沸点的络合物，以便从四氯化硅中除去。
据在下了解，参照国外西门子多晶厂家的工艺，添加成分为二苯基硫卡巴腙和三苯基氯代甲烷，可与上述杂质形成高沸点络合物大分子。
2、传统锌热还原法与改善建议。
传统锌热还原法的还原构造，一般为卧式反应器。
大致构造为锌蒸汽管、四氯化硅管和排气管。
通过输入气体，使之在反应器的石英舟中进行还原与结晶。
硅结晶体为针状。
此反应器的缺陷比较明显，主要是在结晶过程中，硅与石英舟壁接触，石英舟中的杂质会在高温下向硅晶体中扩散与游离，影响产品纯度。
故此，以前用此工艺生产的晶体硅，纯度在5N左右，国内目前做的小试样品，据说只有4N。
另一种思路为，用此还原的4N硅结合冶金物理法后段定向凝固工艺将其进一步提纯，在下认为此做法不可取，因为如此一来，必然导致制造成本升高，那么锌热还原法也就失去了低成本工艺的优势。
据在下了解国外的工艺，其为了采用此工艺制造出高纯度多晶硅，将卧式反应器改为了立式，且还原出的多晶硅，不与反应器壁接触，避免了污染。
具体为，将锌蒸汽与四氯化硅气体通过设置在反应室上方的管道输入，让硅沿着输气管道结晶，反应温度一般为800-1200摄氏度。
可以看出，做了改善后，只要原料气体纯度足够，此工艺的产品纯度会有较大的提升空间。
3、锌蒸汽的纯度要求与蒸发速率控制。
锌蒸汽纯度要求，一般认为在5-6N为宜。
锌蒸汽的蒸发速率不稳定，这点，在下不甚了解，不敢乱说，但应该可以同设备厂家与冶金专家协同解决。
4、废物回收循环利用。
因为高纯度锌非常昂贵，因此，还原后的氯化锌产物重新利用变得很重要。
可以考虑采用电解等工艺来回收重新循环利用，降低成本。
从以上可以看出，精馏取得高质量四氯化硅与高纯度锌是前提保障，过程还原反应为核心，废物回收循环利用为低成本最重要因素。
5四氯化硅-锌还原法四氯化硅-锌还原法，成本低，有希望成为实现太阳能级硅的大规模生产技术，会使太阳能级硅成为电子级硅生产的副产品。
尽管我国目前的产业基础比较薄弱，但是可以探索该项技术的发展;6CP法——物理法的变体CP法，指的是化学物理法。
普罗公司所发明的CP法生产太阳能多晶硅，采用高温冶炼、炉外精炼、湿法冶金、粉末冶金、真空冶金以及离子交换等多项专有技术，去除各类杂质，最终将硅料提纯到6N~7N太阳能级多晶硅，并进行及多晶硅铸锭的专利生产工艺。
整个生产过程无污染排放，而且耗能低。
生产每单位重量的多晶硅所耗的能源仅相当于西门子法的1/5。
与传统的西门子法、循环流化床法、硅烷法等常规化学法多晶硅生产工艺不同。
CP法生产多晶硅的过程中，作为材料的主体，99%以上的硅元素自始至终不发生化学反应，参与反应与作用的仅仅是硅中的杂质。
这使得CP法的能耗比化学法大大降低，污染也大为减小，实际上，CP法生产多晶硅是完全没有污染排放的，是目前世界上最为清洁的多晶硅生产工艺。
与现在国际上许多物理法也不同，对于那些没有化学反应但耗能很高的物理过程，普罗也采用更为经济和清洁的化学方法来与这些杂质进行反应。
所有的反应物都是循环再用的，所以，CP法的整个生产过程是没有任何有害物质排放的。
CP法太阳能级多晶硅生产工艺共涉及到矿热炉冶炼、炉外精炼技术、湿法冶金、粉末冶金、真空熔炼、运动控制、石墨加热体、真空感应炉、温度场控制、定向凝固技术等数十个发明和实用新型专利，所有专利技术均为普罗公司自主研发。
虽然公司成立才一年的时间，但来自全球各地的精英技术团队使普罗已经能够从以下多个方面处于世界一流的水平：Ø用CP法从金属硅生产太阳能级6N多晶硅的全套工艺技术Ø高温精炼造渣去杂工艺Ø用于固液相离子交换去杂的生产工艺与设备Ø用于真空提纯、可选择性去杂的真空感应电阻炉Ø精密温度场控制的多晶硅铸锭设备Ø高纯度金属硅的生产工艺与整厂设备Ø超细粉末的真空冶炼技术薄膜硅由于薄膜硅太阳能电池，采用的是硅烷、四氯化硅或者三氯氢硅，而不会再用多晶硅，因此，这些薄膜的材料就会对物理法多晶硅的市场造成直接的侵犯。
薄膜硅之所以能够得到大家的重视，就是由于现在硅材料太贵，而晶体硅的用硅量太多，比如现在常用的多晶硅电池片的厚度通常最薄也在160微米左右，而薄膜硅的厚度只有2~3微米，因此，似乎可以省去许多材料。
薄膜是要进行CVD沉积的，目前从工艺效率和环保的角度来说，最佳的原料气体应该是硅烷气。
硅烷气的成本如果按照目前的进口到岸价，要达到近2000元/公斤，而如果国内可以达到批量生产的话，价格应当在300元/公斤左右。
而考虑到硅烷的沉积效率，有人计算过，每瓦非晶硅薄膜太阳能电池所用的硅烷气的成本约为4元人民币，而目前每瓦多晶硅电池所用的硅材料的成本是25元左右。
但是，上述的比较是假定硅烷为30万/吨、而多晶硅为300万/吨来比较的，而且，还没有计算硅烷气变成非晶硅薄膜的时候的用电和损耗。
如果，每吨多晶硅的价格降到30万元一吨(这样，物理法的多晶硅生产厂依然可以保有50%以上的利润)，则多晶硅电池的硅材料的成本将下降到2.5~3元/瓦，低于每瓦薄膜电池所用的硅烷气的成本。
由于晶体硅电池的光电转换效率高，因此，在后续的电池成本、组件成本和安装成本的较量中，晶体硅还会占些上风。
因此，只要多晶硅的成本下来，在成本方面是不必惧怕薄膜太阳能电池的。
只有那些需要柔性薄膜，实现光伏建筑一体化等特殊用途，是晶体硅没有办法做到的。
但是，在那种情形，薄膜硅的衬底也不能采用玻璃了，用什么材料，需要多高的成本，可能也要重新计算过再说。
其实，说到薄膜太阳能电池，物理法多晶硅的那些与化学法相比的所有的短处，反倒成了长处。
效率，物理法多晶硅至少已经可以达到13%了;光致衰减，现在几个国家的试验都表明没有衰减。
而薄膜的，单层的转换效率只能在6~8%之间波动，而衰减怎么样都是存在的。
没有办法，怎么说也是非晶硅啊，缺陷太多了。
因此，那些对薄膜太阳能电池看好的人，可要谨慎一些。
物理法多晶硅，可能会是你们最大的对手。
综上所述，物理法多晶硅只要能够将自己的工艺稳定下来，生存的空间还是相当大的。
而且，我们也欣喜地看到，国内，已经有公司可以在用自己的物理法多晶硅材料生产出效率较高、衰减较小同时也比较稳定的太阳能电池了。
三、技术比较及发展趋势这里对几家国内多晶硅厂和国外多晶硅厂的设备技术做些比较.国内：(1)新光核心技术是俄罗斯技术,也就是改良西门子技术同时还有德国设备已经取得较大程度的磨合.今年估计产能300吨.估计实际产能会小于此数.明年预估800-1000吨.(2)洛阳中硅核心技术也是俄罗斯技术,今年也是300吨,明年预估1000吨.(3)峨眉半导体核心技术也是俄罗斯技术今年200吨.(4)LDK首先从德国sunways买来了两套现成的simens设备,包括所有的附件. sunways帮助安装,和调试生产.这两套设备年产量1000吨.按照合同,今年第四季度两套设备会送到江西.(我估计现在该到了,LDK的人能证实一下吗?).明年6月份投产.作为回报,LDK在10年内卖1GW的wafer给sunways.这是个很好的交易,等于sunways帮LDK培育生产硅料的人才.另外,LDK还从美国GT solar买新的生产硅料的设备,建成后,2008年有6000吨的规模,2009年有15000吨的规模.整个施工有美国Fluor设计.Fluor的实力强大无比,只要它还在,成功的可能性也很大.LDK了解的比较深就多写些.(5)扬州顺大引进国外技术,计划明年量产6000吨(6)青海亚洲硅业(施正荣投资)引进国外技术,计划明年量产1000吨同时STP和亚洲硅业签了长单协议明年下半年开始供货国外：(1)HEMLOCK.主要工艺是西门子法.2008年实现以三氯氢硅,二氯二氢硅.硅烷为原料,流化床反应器的多晶硅生产新技术.明年增加3000吨产能达到12000吨.(2)TOKUYAMA二氯二氢硅+工业硅西门子工艺明年产能6000吨.(3)WACKER二氯二氢硅+工业硅西门子工艺明年产能9000吨.(4)MEMC流化床工艺明年产能8000吨(5)REC西门子工艺明年产能7000吨国外多晶硅生产技术发展的特点1)研发的新工艺技术几乎全是以满足太阳能光伏硅电池行业所需要的太阳能级多晶硅。