基于SD4840 4841 4842 4843 4844的开关电源设计指南
SD4840,SD4841,SD4842,SD4843,SD4844AZ
VCC,MAX VFB
总功耗
PD Darting
工作结温 工作温度 贮存温度 注：1. 脉冲宽度由最大结温决定；
TJ Tamb TSTG
2. L=51mH， TJ=25°C(起始)。
参 数 范围 1 1.5 2 3 4 15 30 68
140 200 21 -0.3~ VSD 1.5 0.017 +160 -25~ +85 -55~+150
6，7，8
管脚名称 SGND PGND VCC FB NC Drain
I/O
-
控制电路地
-
MOSFET 地
-
供电脚
I/O
反馈输入脚
-
空脚
O
漏端
功能描述
功能描述
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于离线式开关电源集成电路。电路含有高压功率MOSFET， 优化的栅驱动电路以及电流模式PWM控制器。PWM控制器包含有振荡频率发生器及各个保护功 能。振荡电路产生的频率抖动，可以降低EMI。内置的软启动电路减小了电路启动时变压器的应 力。在轻载时，电路采用打嗝模式，可以有效的降低电路的待机功耗。保护功能包括：欠压锁 定，过压保护，过流保护和温度保护功能。电路的前沿消隐功能，保证MOSFET的开通有最短的 时间，消除了由于干扰引起的MOSFET的误关断。使用SD4840/4841/4842/4843/4844系列可减少 外围元件，增加效率和系统的可靠性，可用于正激变换器和反激式变换器。
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第6页
SD4840/4841/4842/4843/4844
2. 内置软启动电路 为了减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和，使得输出电流的最大值启动后缓慢
基于TL494的开关电源设计开题报告书
课题名称：基于TL494的开关电源设计专业班级：学生姓名：指导教师：填写日期： 2011 年 12 月 28 日开题报告填写要求1、开题报告作为毕业设计（论文）答辩委员会对学生答辩资格审查的依据材料之一。
此报告应在指导教师指导下，由学生本人在毕业设计（论文）工作前两周内完成，经指导教师签署意见及所属专业教研室审查通过后实施。
2、开题报告的内容必须用黑墨水笔工整填写或用计算机打印，不得随意涂改或潦草书写，禁止打印在其它纸上后剪贴。
3、“二级学院”、“专业班级”等名称，应写中文全称，不能用数字代码。
学生的“学号”应写完整。
4、学生写文献综述的参考文献应不少于5～10篇（不包括辞典、手册）。
5、有关年月日等日期的填写，应按照GB/T7408-94《数据元和交换格式、信息交换、日期和时间表示法》规定的要求，一律用阿拉伯数字书，如“2007年11月16日”或“2007-11-16”。
6、开题报告要求统一用A4纸打印。
结合本毕业设计（论文）课题情况，根据所查阅的文献资料，每人撰写2000字左右的文献综述（说明本课题研究的主要内容、目的、意义及现状等）研究的主要内容：设计一个基于TL494的开关电源。
主要参数：输入：220V AC 50Hz，输出：+5V，12A、+12V，5A，两路同时工作功率60W，开关频率：30KHz。
目的：通过本课题的研究，理解并掌握开关电源基本原理，利用半导体功率器件应用技术、电力电子技术、自动控制理论等，完成电路原理图的设计，电路制版焊接，调试电路测量参数并完成此次设计。
意义：开关电源技术是一门运用半导体功率器件实现电能的高效率变换、将粗电变成精电，以满足供电质量要求的技术。
由于在开关电源中半导体功率器件工作在高频开关方式，因此它具有高效率、高功率密度、高可靠性。
正是因为开关电源的突出优点，开关电源更替线性电源是发展的必然趋势，因此研究开关电源有着很重要的意义和实用价值。
研究现状：电源是各种电子设备不可或缺的组成部分，其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标级能否安全可靠的工作。
SD484X应用资料
内置15ms软启动电路，可以减小在上电过程中变压器 的应力，防止变压器饱和。
电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁 定，过压保护，脉冲前沿消隐，过流保护和温度保护功 能。在电路发生保护以后，电路可以不断自动重启，直到 系统正常为止。
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第6页
SD4840/4841/4842/4843/4844
2. 内置软启动电路 为了减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和，使得输出电流的最大值启动后缓慢
增加。上电时，使反馈电压值（决定输出电流的峰值）由内部决定，缓慢增加。从而决定了内部 的最大限制电流缓慢增加，经过约 15mS，软启动电路结束工作，对正常工作不影响。
1. 欠压锁定和自启动电路 开始时，电路由高压 AC 通过启动电阻对 VCC 脚的电容充电。当 VCC 充到 12V，电路开始工
作。电路正常工作以后，如果电路发生保护，输出关断，由于电路此时供电由辅助绕组提供，VCC 开始降低，当 Vcc 低于 8 伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对 VCC 脚的电容 充电，启动电路重新工作。
单位
A
mJ
V V W W/°C °C °C °C
电气参数(感应 MOSFET 部分，除非特殊说明， Tamb=25°C)
参数
符号
测试条件
漏源击穿电压 零栅压漏端电流
BVDSS IDSS
VGS=0V，ID=50μA VDS=650V. ，VGS=0V VDS=480V. ，VGS=0V
Tamb=125°C
-- 550 --
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进[摘要] 户户通神州机顶盒开关电源故障率较高，本文根据电源实物测绘出电原理图并分析其工作原理，对易损件电源开关电路进行了改进，并对易发故障和个别元器件代换作了简要介绍。
[关键词] 户户通设备；SD3842P开关电源；电路改进；元件代换户户通神州机顶盒在社会上有一定拥有量，为我县2012-2013年户户通工程选定机型。
根据维修情况统计，该机故障约有60%以上出自开关电源部分。
由于该机未附电原理图，本人根据该机开关电源实物PCB板测绘还原出电原理图，并对电路易损元件及致损原因进行分析，对电源开关电路进行了改进，供大家维修时参考。
该机开关电源采用SD4842内置高压MOSFET电流模式PWM控制器，该电路具有待机功耗低，保护功能完善等特点。
图1原理图如图1所示，交流220V通过插座P1输入，开关电源输入电路部分主要由保险管F1、热敏电阻R3、滤波线圈L1和由D1〜D4组成的整流桥及滤波电容C1组成；热敏电阻R1是一个为阻值6Ω的负温度特性（NTC）电阻，主要作用是限制电路启动时的电流峰值，当冲击电流过后，该电阻的阻值会降得很小；压敏电阻MOV1用于过压保护，标称值电压为600V；滤波线圈L1和电容CX1、电阻R1、R2构成电源共模抑制滤波器，可将电源和电网的噪声进行隔离，防止电网污染；电容CX1用于滤除电网输电线之间的差模干扰，而CY1用于滤除初次级耦合产生的共模干扰。
电路中，市电通过噪声滤波器抑制电路后整流滤波获得约300V 平滑直流电压，再经R7与R8串联后为C6充电，同时为IC1（SD4842P）3脚提供工作电压Vcc。
当该电压充到12V，电路开始工作，电路正常工作以后或电路发生保护时，SD4842的供电由开关变压器辅助绕组通过R9和D6提供，Vcc开始降低，当Vcc低于8伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对Vcc脚的电容充电，启动电路重新工作，该方式可以有效地降低待机功耗。
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进
户户通神州机顶盒电源电路分析、维修及改进【摘要】户户通神州机顶盒开关电源故障率较高，本文根据电源实物测绘出电原理图并分析其工作原理，对易损件电源开关电路进行了改进，并对易发故障和个别元器件代换作了简要介绍。
【关键词】户户通设备;SD3842P开关电源;电路改进;元件代换户户通神州机顶盒在社会上有一定拥有量，为我县2012-2013年户户通工程选定机型。
根据维修情况统计，该机故障约有60%以上出自开关电源部分。
由于该机未附电原理图，本人根据该机开关电源实物PCB板测绘还原出电原理图，并对电路易损元件及致损原因进行分析，对电源开关电路进行了改进，供大家维修时参考。
该机开关电源采用SD4842内置高压MOSFET电流模式PWM控制器，该电路具有待机功耗低，保护功能完善等特点。
图1原理图如图1所示，交流220V通过插座P1输入，开关电源输入电路部分主要由保险管F1、热敏电阻R3、滤波线圈L1和由D1～D4组成的整流桥及滤波电容C1组成;热敏电阻R1是一个为阻值6Ω的负温度特性（NTC）电阻，主要作用是限制电路启动时的电流峰值，当冲击电流过后，该电阻的阻值会降得很小;压敏电阻MOV1用于过压保护，标称值电压为600V;滤波线圈L1和电容CX1、电阻R1、R2构成电源共模抑制滤波器，可将电源和电网的噪声进行隔离，防止电网污染;电容CX1用于滤除电网输电线之间的差模干扰，而CY1用于滤除初次级耦合产生的共模干扰。
电路中，市电通过噪声滤波器抑制电路后整流滤波获得约300V平滑直流电压，再经R7与R8串联后为C6充电，同时为IC1（SD4842P）3脚提供工作电压Vcc。
当该电压充到12V，电路开始工作，电路正常工作以后或电路发生保护时，SD4842的供电由开关变压器辅助绕组通过R9和D6提供，Vcc开始降低，当Vcc低于8伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对Vcc脚的电容充电，启动电路重新工作，该方式可以有效地降低待机功耗。
【精品】各种MOSFET参数大全
2 分立器件功率MOSFET 1）特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。
它们能帮助我们创建低损耗系统。
我们的最新工艺和小型封装能帮助您提高系统效率，缩小系统尺寸，从而创建终极低功耗驱动。
（通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET）功率MOSFET 参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件Ta25℃最大漏-VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压VDSS是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于VBRDSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS 额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
连续漏电流ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJmax下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值TC 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
开关电源设计说明书精品文档8页
开关稳压电源学校：福州大学参赛组别：本科参赛学生姓名：陈燕傅明明阙辉鉴指导老师：吴海彬倪霞林一、电路设计原理………………………………………………………二、核心模块的方案论证与比较………………………………………………………1、倍压整流电路的选择与论证2、DC/DC变换器电路拓朴结构3、PWM电路工作原理4、、微控制器电路方案三、电路设计与参数计算………………………………………………………1、稳压原理分析及电压反馈回路参数计算2、过流保护原理分析及阈值控制参数计算3、感性元件参数计算4、功率器件选择四、测试方法与数据………………………………………………………1、所选用的测试仪器设备2、测试方法3、测试数据4、测试结果分析五、电路图及设计文件…………………………………………………………1、总电路图2、程序六、参考文献………………………………………………………本文介绍了一种采用LM2576芯片的DC/DC 电源变换控制器的电源电路设计。
它提供的直流输出不仅与供电电源共地,而且有两组与供电电源隔离。
实验室长期试运行表明,各项指标均可满足数字与模拟混合电路对电源的要求,没有跳码现象,检测精度不低于0. 1 %。
Abstract: This paper describes the design of t he power supply circuit for DC2DC converter by usingLM2576 chip . The DC voltages provided are not only common2grounded wit h t he inp ut voltage but two of t hem are al so isolated with the input . It is effectiveness is verified by running test in the labora2 tory that all the indexes fulfill the power supply requirements of the digital2analog mixed circuit , witha detecting precision no less than 0. 1 %.一、电路设计原理本电路采用倍压整流电路对二侧端电压进行倍压整流，增倍后的电压通过降压开关型集成稳压电路芯片LM2576处理后可得稳定的所需要的输出电压。
基于UC3844多路输出开关电源的设计_车保川
作者简介：车保川（1985—），女，山西长治人，江苏城市职业学院讲师。
2012年12月第6期（总第95期）济南职业学院学报Journal of Jinan Vocational College Dec．2012No．6（Serial No．95）基于UC3844多路输出开关电源的设计车保川（江苏城市职业学院，江苏常州213001）摘要：阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的单端反激式开关电源。
通过阐述主电路以及控制电路的工作原理，提供了完整的多路输出开关电源设计方案。
经测试表明按此方法设计的开关稳压电源可输出5V ，12V ，+15V ，－15V ，24V ，该电路实现简单，效率高，可靠性高。
关键词：UC3844；单端反激电路；多路输出；开关电源中图分类号：TN86文献标识码：B文章编号：1673－4270（2012）06－0088－031引言在工业电子设备中，通常会用到多种电位的电源，所以研制多路输出开关电源是非常有实际意义的。
多路输出开关电源可以减小电源的体积，减轻重量，节省成本，具有较强的实用价值。
本设计在参考各种开关电源的基础上，采用单端反激作为电源的主电路，控制芯片采用电流型控制芯片UC3844，开关管选择频率较高的IGBT ，为节省变压器体积，频率定位100KHz 。
为使其适用于多种场合，采用多个绕组的脉冲变压器以输出多种常用的输出电压，以输出功率定为50W ，可满足大多控制电路需要。
2主电路设计本设计主电路的选取单端反激电路，单端反激电路的特点是：电路简单、体积小巧且成本低。
单端反激电路如图1所示。
图1单端反激电路其工作原理是：起始时开关K 合上，电源给变压器供能，并以磁能的形式储存于变压器中。
N1的极性为上正下负，N2的为上负下正，二极管截止，次边无电流。
然后开关K 断开，由于次边无电流输出，在N1自感作用下，N1下端电压超出电源，电感内储蓄了较高的磁能，此时N1极性变为下正上负，由于互感的作用N2的极性变为上正下负，二极管导通，变压器的磁能由N2线圈释放出来，N1线圈的下端电压开始回落。
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SD4840/4841/4842/4843/4844
电气参数(除非特殊说明，VCC=12V，Tamb=25°C)
参
数
符号
测试条件
欠压部分 上电启动电压 关断电压 振荡部分 振荡频率 振荡频率抖动 振荡频率随温度的变化率 最大占空比 反馈部分
Vstart Vstop
FOSC FMOD
-Dmax
25°C≤Tamb≤+85°C
10W
14W
12W
17W
14W
19W
16W
21W
85~265V
适配器
开放式
5W
7.2W
8W
12W
10W
14W
12W
15W
14W
18W
+-
+-
极限参数
参
数
漏栅电压（RGS=1MΩ）
栅源（地）电压
SD4840P67K65
漏端电流脉冲 SD4841P67K65
注1
SD4842P67K65
SD4843P67K65
VCC,MAX VFB
总功耗
PD Darting
工作结温 工作温度 贮存温度 注：1. 脉冲宽度由最大结温决定；
TJ Tamb TSTG
2. L=51mH， TJ=25°C(起始)。
参 数 范围 1 1.5 2 3 4 15 30 68
140 200 21 -0.3~ VSD 1.5 0.017 +160 -25~ +85 -55~+150
静态漏 源导通 电阻
SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 RDS(ON) VGS=10V，ID=0.5A SD4843P67K65
SD4844P67K65
SD4840P67K65
输入 电容
SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65
V
0.25 0.35 0.45 V
18 19 --
V
125 140 --
°C
200 --
--
ns
--
6
20
μA
1
3
5
mA
杭州士兰微电子股份有限公司
Http: //
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第5页
管脚排列图
SD4840/4841/4842/4843/4844
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Http: //
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第6页
SD4840/4841/4842/4843/4844
2. 内置软启动电路 为了减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和，使得输出电流的最大值启动后缓慢
增加。上电时，使反馈电压值（决定输出电流的峰值）由内部决定，缓慢增加。从而决定了内部 的最大限制电流缓慢增加，经过约 15mS，软启动电路结束工作，对正常工作不影响。
管脚说明
管脚号 1 2 3 4 5
6，7，8
管脚名称 SGND PGND VCC FB NC Drain
I/O
-
控制电路地
-MOSFET 地- Nhomakorabea供电脚
I/O
反馈输入脚
-
空脚
O
漏端
功能描述
功能描述
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于离线式开关电源集成电路。电路含有高压功率MOSFET， 优化的栅驱动电路以及电流模式PWM控制器。PWM控制器包含有振荡频率发生器及各个保护功 能。振荡电路产生的频率抖动，可以降低EMI。内置的软启动电路减小了电路启动时变压器的应 力。在轻载时，电路采用打嗝模式，可以有效的降低电路的待机功耗。保护功能包括：欠压锁 定，过压保护，过流保护和温度保护功能。电路的前沿消隐功能，保证MOSFET的开通有最短的 时间，消除了由于干扰引起的MOSFET的误关断。使用SD4840/4841/4842/4843/4844系列可减少 外围元件，增加效率和系统的可靠性，可用于正激变换器和反激式变换器。
ID=25mA
-- 12 --- 20 --- 33 --
-- 40 --
--
3
--
VDD=0.5BVDSS ， tr
ID=25mA
--
4
--
-- 15 --
-- 19 --
-- 25 --
VDD=0.5BVDSS ， td(OFF)
ID=25mA
-- 27 --- 30 --- 55 --- 70 --
电路的开关频率为67KHz，抖动的振荡频率，可以获 得较低的EMI。
内置15ms软启动电路，可以减小在上电过程中变压器 的应力，防止变压器饱和。
电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁 定，过压保护，脉冲前沿消隐，过流保护和温度保护功 能。在电路发生保护以后，电路可以不断自动重启，直到 系统正常为止。
-- 550 --
pF
-- 640 --
-- 840 --
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第3页
SD4840/4841/4842/4843/4844
输出 电容
反向传 输电容
导通延 迟时间
上升 时间
关断延 迟时间
封装类型 DIP-8-300-2.54
注：P 表示 DIP8 封装，67k 表示频率为 67KHz，65 表示耐压 650V。
打印名称 SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65 SD4844P67K65
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3. 频率抖动 为了降低 EMI，本电路使得振荡频率不断的变化，减小在某一个单一频率的对外辐射。振荡
频率在一个很小的范围内变动，从而简化 EMI 设计，更容易满足要求。频率变化的规律是：在 4mS 内由 65KHz 到 69KHz 变化，共有 16 个频率点。
4. 轻载模式 该方式可以有效地降低待机功耗。当 FB 大于 500mV，正常工作；当 350mV<FB <500mV 时
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第1页
SD4840/4841/4842/4843/4844
典型输出功率能力
产品
SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65 SD4844P67K65
内部框图
190~265V
适配器
开放式
7W
9W
参
数
符号
SD4840P67K65
漏端连续电流 SD4841P67K65
SD4842P67K65
ID
(Tamb=25°C)
SD4843P67K65
SD4844P67K65
SD4840P67K65
信号脉冲雪崩 SD4841P67K65
能量注2
SD4842P67K65
EAS
SD4843P67K65
SD4844P67K65 供电电压 模拟输入电压范围
1. 欠压锁定和自启动电路 开始时，电路由高压 AC 通过启动电阻对 VCC 脚的电容充电。当 VCC 充到 12V，电路开始工
作。电路正常工作以后，如果电路发生保护，输出关断，由于电路此时供电由辅助绕组提供，VCC 开始降低，当 Vcc 低于 8 伏，控制电路整体关断，电路消耗的电流变小，又开始对 VCC 脚的电容 充电，启动电路重新工作。
打嗝模式高电平 打嗝模式低电平 保护部分
VBURH VBURL
过压保护 过热保护 前向边缘消隐时间 总待机电流部分
Vovp Tsd TLEB
启动电流 工作电流（控制部分）
Istart Iop
VCC=11V VCC=12V
最小值 典型值 最大值 单位
11 12 13
V
7
8
9
V
61 67 73 KHz
±1.5 ±2.0 ±2.5 KHz
-- 90 --
--
8
--
VDD=0.5BVDSS ， tf
ID=25mA
-- 10 --- 25 --- 32 --- 42 --
单位 pF pF nS nS nS nS
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版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第4页
SD4844P67K65
符号 VDGR VGS
IDM
参 数 范围 650 ±30 4 6 8 11 14
单位 V V
A
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Http: //
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第2页
SD4840/4841/4842/4843/4844
反馈源电流 反馈关断电压 关断延迟电流 内部软启动时间 限流部分
IFB VSD Idelay
ts
0V≤VFB≤3V
5V≤VFB≤VSD VFB=4V
SD4840P67K65
SD4841P67K65 峰值电流 SD4842P67K65 Iover 最大电感电流
SD4843P67K65
SD4844P67K65 打嗝模式控制
有两种情况，一种情况是，FB 电压由低到高，此时与低于 350mV 情况一样，开关不动作。另一 种情况是，FB 电压由高到低，为减小开关损耗，避免开关导通时间过短，此时调高电流比较器的 比较点，增加导通时间。
在轻载条件下，开关调节情况如下：轻载时，FB 电压在约 0.5V 以下。当 FB 电压由高到低变 化时，由于电流比较器的比较点较高，输出功率较大，输出电压升高（升高的快慢取决于负载的 大小），使得 FB 下降，直至 FB 电压低于 350mV；当 FB<350mV，开关不动作，输出电平下降