模拟电子技术基础_知识点总结
模电知识点总结
模电知识点总结1. 电路基本原理电路是电子技术的基础，它是由电阻、电容和电感等元件组成的。
在模拟电子技术中，我们经常需要分析和设计各种电路。
因此，了解电路基本原理是学习模拟电子技术的第一步。
电路分析包括欧姆定律、基尔霍夫定律、节点电压法和网孔电流法等。
这些原理是分析电路的重要工具，可以帮助我们理解电路中各个元件之间的关系。
2. 放大器放大器是模拟电子技术中的重要部分，它的作用是放大电压或电流信号。
放大器包括各种类型，例如运放放大器、电子管放大器和功率放大器等。
学习放大器的原理和特性可以帮助我们设计各种类型的放大器电路。
在实际应用中，放大器经常用于音频放大、信号处理和通信系统等领域。
3. 滤波器滤波器是模拟电子技术中的重要部分，它的作用是通过滤波器电路来处理信号中的不同频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
了解滤波器的原理和特性可以帮助我们设计滤波器电路以及实现信号处理和分析等功能。
4. 模拟信号处理电路模拟信号处理电路是模拟电子技术的核心内容，它包括各种模拟信号处理和传输电路。
常见的模拟信号处理电路包括模拟加减法器、积分器、微分器、比较器和信号发生器等。
了解这些电路的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟信号处理系统和仪器。
5. 模拟数字转换模拟数字转换（ADC和DAC）是模拟电子技术中的重要部分，它的作用是将模拟信号转换为数字信号或将数字信号转换为模拟信号。
了解ADC和DAC的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟数字转换电路以及实现数字信号处理和传输等功能。
总之，模拟电子技术是电子工程中的一个重要分支，它在通信、音频、视频和医疗等领域都有广泛的应用。
通过学习模拟电子技术的知识点，我们可以掌握电子技术的基本原理和技能，为未来的工作和研究打下良好的基础。
希望以上总结的知识点能对学习模拟电子技术的朋友们有所帮助。
模拟电子技术重要知识点整理
模拟电⼦技术重要知识点整理模拟电⼦技术重要知识点整理第⼀章绪论1．掌握放⼤电路的主要性能指标都包括哪些。
2．根据增益，放⼤电路有哪些分类。
并且会根据输出输⼊关系判断是哪类放⼤电路，会求增益。
第⼆章运算放⼤器1．集成运放适⽤于放⼤何种信号?2．会判断理想集成运放两个输⼊端的虚短、虚断关系。
如：在运算电路中，集成运放的反相输⼊端是否均为虚地。
3．运放组成的运算电路⼀般均引⼊负反馈。
4．当集成运放⼯作在⾮线性区时，输出电压不是⾼电平，就是低电平。
5．在运算电路中，集成运放的反相输⼊端不是均为虚地。
6．理解同相放⼤电路、反相放⼤电路、求和放⼤电路等，会根据⼀个输出输⼊关系表达式判断何种电路能够实现这⼀功能。
7．会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放⼤电路。
第三章⼆极管及其基本电路1．按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类，导电性能良好的⼀类物质称为导体，⼏乎不导电的物质称为绝缘体，导电性能介于中间的称为半导体。
2．在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺⼊微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流⼦和少数载流⼦是是什么，⼜称为什么半导体。
3．半导体⼆极管由⼀个PN结做成，管⼼两侧各接上电极引线，并以管壳封装加固⽽成。
4．半导体⼆极管可分为哪两种类型，其适⽤范围是什么。
5．⼆极管最主要的特性是什么。
6．PN结加电压时，空间电荷区的变化情况。
7．杂质半导体中少数载流⼦浓度只与温度有关。
8．掺杂半导体中多数载流⼦主要来源于掺杂。
9．结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
10．当掺⼊三价元素的密度⼤于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺⼊五价元素的密度⼤于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。
11．温度升⾼后，⼆极管的反向电流将增⼤。
12．在常温下，硅⼆极管的开启电压约为0．3V，锗⼆极管的开启电压约为0．1V。
13．硅⼆极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。
14．PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模电知识点识点总结
模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点，它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。
在电路分析中，学生需要掌握电路元件的特性和参数，熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律，能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。
二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指通过放大器将输入信号放大的过程。
学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识，理解放大器的工作原理，能够设计各种类型的放大电路。
三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。
学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识，能够设计模拟信号处理系统，提高模拟信号处理的质量和效率。
四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指用于对信号进行滤波处理的电路。
学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识，能够设计各种类型的模拟滤波器，提高信号的质量和准确性。
五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。
学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识，能够设计各种类型的集成电路，提高集成电路的性能和可靠性。
总之，模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程，它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。
学生在学习模拟电子技术的过程中，需要注重理论与实践相结合，通过实验和项目设计来提高自己的技能水平，从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，半导体是至关重要的材料。
半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。
半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
在纯净的半导体中，掺入微量的杂质可以显著改变其导电性能。
比如，掺入五价杂质形成 N 型半导体，其中自由电子是多数载流子；掺入三价杂质形成 P 型半导体，空穴则成为多数载流子。
PN 结是半导体器件的核心结构，它是由 P 型半导体和 N 型半导体接触形成的。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
这一特性为二极管等器件的工作原理奠定了基础。
二、二极管二极管是最简单的半导体器件之一。
它的主要特性就是上述提到的单向导电性。
二极管的伏安特性曲线可以清晰地展示其工作状态。
当正向电压超过开启电压时，电流迅速增大；反向电压在一定范围内，反向电流很小，当反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大。
二极管在电路中有多种应用，如整流、限幅、钳位等。
在整流电路中，利用其单向导电性将交流转换为直流；在限幅电路中，可以限制信号的幅度；在钳位电路中，能将信号的电位固定在某个值。
三、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管的工作状态有截止、放大和饱和三种。
在放大状态下，基极电流的微小变化会引起集电极电流的较大变化，这就是三极管的放大作用。
要使三极管工作在放大状态，需要满足一定的外部条件，即发射结正偏，集电结反偏。
通过合理设置电路参数，可以实现对输入信号的放大。
三极管在模拟电子电路中广泛应用于放大电路、开关电路等。
四、基本放大电路基本放大电路是模拟电子技术中的重要内容。
常见的有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
共射极放大电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，但输入输出电阻适中；共集电极放大电路的电压放大倍数接近于 1，但输入电阻大，输出电阻小，常用于输入级和输出级；共基极放大电路具有较大的高频特性和宽频带。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
◆PN结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管❑普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。
◆单向导电性：正向导通，反向截止。
◆正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
◆死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。
❑分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:◆若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);◆若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
❑方法1：图解分析法◆该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
❑方法2：等效电路法◆直流等效电路法（低频大信号模型）◆微变等效电路法（低频小信号模型）交流动态电阻：5.稳压二极管❑二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象称为反向击穿。
❑反向击穿的主要原因是有价电子碰撞电离而发生的“雪崩击穿”。
❑稳压二极管的特性：常工作时处在PN结的反向击穿区。
❑稳压管的参数：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数。
❑稳压管的应用：限幅电路，稳压电路。
第二章晶体三极管及基本放大电路4.1晶体三极管1.三极管的结构、类型及特点❑类型：分为NPN和PNP两种。
❑形成两个结：发射结和集电结；三个区域：发射区、集电区和基区。
❑结构特点：◆基区很薄，且掺杂浓度最低；◆发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；◆集电区结面积大，掺杂浓度较高。
2.三极管的工作原理❑电流控制性器件，具有电流放大作用❑电流放大的外部条件：◆发射结正向偏置，集电结反向偏置。
❑所谓的放大：实质上是一种能量控制作用，通过晶体管这种有源元件对直流电源的能量进行控制，使负载从电源中获得的输出信号的能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。
放大的特征是功率放大。
3.晶体管的三个工作区❑放大区，饱和区，截止区◆判断晶体管处于哪一个工作区的方法。
◆放大区的电流分配关系。
❑温度对晶体管特性及参数的影响：◆温度升高，输入特性曲线向左移动。
◆温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
❑晶体管的主要参数◆电流放大倍数：交流和直流◆极限参数：最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压4.2 放大电路的组成原则❑晶体管放大电路的原则◆确保合适的工作点（处于放大区）；◆确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路；◆确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
❑理解静态工作点的必要性！❑三极管的三种基本组态4.3 放大电路的基本分析方法❑共射极电路的分析方法◆理解个元件的作用；◆直流通路与静态分析：★直流通路：电容视为开路；★图解法与解析法，，◆电路参数对静态工作点的影响；★直流负载线：由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
★改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
★改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
★改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
◆静态工作点与非线性失真★截止失真➢产生原因---Q点设置过低➢消除方法---减小R b，提高Q。
★饱和失真➢产生原因---Q点设置过高➢消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC。
★放大器的动态范围：失真输出电压的峰峰值U opp。
➢当（U CEQ－U CES）＞（V CC－U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
➢当（U CEQ－U CES）＜（V CC－U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2（U CEQ－U CES）。
➢当（U CEQ－U CES）＝（V CC－U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
◆交流通路和动态分析：（分析信号被放大的过程）★交流通路：电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
★图解法★微变等效电路法➢放大倍数➢输入电阻➢输出电阻❑分压式稳定工作点共射电路◆静态分析：◆动态分析无旁路电容：在R e两端并一电解电容C e后：；❑共集电极基本放大电路◆静态分析◆动态分析◆电路特点➢电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
➢输入电阻高，输出电阻低。
➢应用：多级放大器的输入级、输出级、或作为两个共射极电路的中间级。
❑三种组态放大电路比较第六章负反馈技术放大器的输出电压（或电流）经反馈网络在放大器输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来输入信号共同控制放大器的输入，即构成反馈放大器。
一、单环负反馈理想模型1．基本定义：❑开环放大倍数－－－A❑闭环放大倍数－－－A f❑反馈系数－－－F❑反馈深度－－－1+AF◆1．当AF＞0时，A f下降，这种反馈称为负反馈。
◆2．当AF＝0时，表明反馈效果为零。
◆3．当AF＜0时，A f升高，这种反馈称为正反馈。
◆4．当AF＝-1时，A f →∞ 。
放大器处于“ 自激振荡”状态。
2．深度负反馈❑当AF＞＞1时称深负反馈❑深负反馈的特征是：反馈信号X f接近原输入信号X i，使净输入X id很小；此时，闭环增益A f只由反馈网络决定。
二．反馈的形式和判断1. 反馈的范围----本级或级间。
2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
R s越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
R s越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+ 表示，降低用－表示）。
（3）确定反馈信号的极性。
（4）根据X i与X f的极性，确定净输入信号的大小。
X id 减小为负反馈；X id增大为正反馈。
6．反馈类型及用双口网路表示的理想模型·由于基本放大器与反馈网络在输出口的接法不同，取样信号可能是输出电压或输出电流；由于基本放大器与反馈网络在输入口的接法不同，求和信号也可能为电压或电流。
因此有四种不同的反馈类型，表7-1给出了这四种类型的总结。
表7-1 四种反馈类型各物理量的含义*反馈网络可以看成是一个受控源。
实现各类反馈的规律是：A、F两网络与负载在输出口并联实现电压取样；串联则实现电流取样。
A、F两网络与源电流is在输入口并联形成电流求和；A、F两网络与源电压Vs在输入口串联形成电压求和。
三、负反馈对放大器性能的影响1．负反馈环具有自动调节功能任何因素使输出端取样信号X o发生变化，负反馈可以减小这种变化，使X o稳定。
利用负反馈的稳定X o的功能可以解释为什么负反馈能使A f稳定，展宽通频带和减小非线性失真。
2．可以提高闭环增益的稳定性。
3．可以扩展闭环增益的通频带4．可以减小非线性失真及抑制环内干扰和噪声。
5．直流负反馈可以稳定放大器工作点。
6．改变输出电阻与取样方式有关。
电压取样负反馈使输出电阻减小；电流取样负反馈使输出电阻增大。
7．改变输入电阻与求和方式有关。
电流求和负反馈使输入电阻减小；电压求和负反馈使输入电阻增大。
四、深负反馈条件下电压增益的估算两种出发点:基于反馈网络的放大;基于理想运放的方法.第七章集成运放及其应用❑放大电路模型❑集成运放的电压传输特性⏹当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：❑理想集成运放的参数⏹开环电压放大倍数Aod→∞；⏹差模输入电阻Rid→∞；⏹输出电阻Ro→0；⏹共模抑制比KCMR→∞；❑理想集成运放的分析方法⏹运放工作在线性区:★电路特征——引入负反馈★电路特点——“虚短”和“虚断”:⏹运放工作在非线性区★电路特征——开环或引入正反馈★电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om ，当u+<u-时，u o=-U om ❑基本运算电路⏹反相比例运算电路R2 =R1//R f⏹同相比例运算电路R2=R1//R f⏹反相求和运算电路R4=R1//R2//R3//R f⏹同相求和运算电路R1//R2//R3//R4=R f//R5⏹加减运算电路R1//R2//R f=R3//R4//R5 ⏹积分运算⏹微分运算。