DY294晶体管直流参数测试仪
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管直流参测试仪的妙用
晶体管直流参数测试仪的妙用河南省高级煤炭技工学校马武刚从事电子维修的专业技术人员，大体上都拥有晶体管直流参数测试仪。
该仪表不仅能够测试各类二、三极管、可控硅、场效应管的正反向电压、正向饱和压降、放大倍数、反向漏电流等多种直流参数，还能够测试电容的耐压值；不仅能够测试压敏电阻的爱惜电压值，而且能够测试氖泡、霓虹灯管的起辉电压值。
可是，以彩色电视的故障为例。
大多数故障发生在电源和行扫描部份。
行扫描电路显现故障，常使行管损坏或造成“三无”故障。
造成“三无”故障的缘故尽管很多，但最难判定的是高压包匝间短路。
若是能用简便、直观的方式，开路或在路判定出高压包是不是存在匝间短路，无疑会对检修造成极大的便利。
本人利用云峰牌JD6909-B晶体管直流参数测试仪稍作改动，不仅实现了以上目的，而且关于高压包次级负载是不是有短路也能进行准确判定。
由于开关电源与行扫描电路工作原理有相同的地方，因此本方式对检修开关电源也一样适用。
改制灵感：行扫描电路工作频率为15625Hz，高压包显现匝间短路或次级负载短路，将必然造成高压包低级电流过大而烧坏行管。
假设能在高压包低级施加一个与行频相近的小功率交流电，则既可幸免烧坏行管，又能判定出高压包及负载是不是存在短路。
在利用晶体管直流参数测试仪（以下简称测试仪）时，每次按下测试开关，就能够听到“吱---”的叫声，说明测试仪内部有一个自激振荡电路。
故能够尝试用测试仪内部的自激振荡电路产生的脉冲电压加至高压包低级，用以测试高压包是不是存在短路。
测试仪内部相关电路原理：由于需要的是测试仪内部产生的交流脉冲信号，故仅对自激振荡电路部份进行分析。
依如实物，绘制出电路如图：图中K为反压测试按钮V BR，R一、Q1、L一、L2组成自激振荡电路，D1、D2、D3与C一、C二、C3、C4、C五、C6组成倍压整流电路，D4为次级线圈L4的整流电路。
在次级空载的情形下，测试L4两头的输出电压为250V p-p，频率约为5000Hz。
双极型晶体管直流参数测量
双极型晶体管直流参数测量发布时间：2021-09-16T06:47:58.597Z 来源：《教育学》2021年7月总第254期作者：李英棣逄珂邓海峰吴一傅伟[导读] 在电子产业中，晶体管的应用十分广泛。
集成电路和晶体管的制造过程当中需要检测晶体管的性能。
91206部队山东青岛266100摘要：在当今的电子技术领域中，晶体管被广泛地使用。
当处于晶体管或者集成电路的制作，并使用晶体管的过程中，需要进行测试的晶体管的性能。
一般直接显示晶体管的输入、输出和传输特性，得到特性曲线，然后测量各种直流参数。
该晶体管的直流参数，诸如DC电流增益，饱和电压降，晶体管的PN结存在的反向饱和漏电流和PN结的开路电压和击穿电压，通过施加DC偏压条件至晶体管测量。
这些直流参数是测量双极晶体管质量的重要基本参数。
关键词：晶体管双极型晶体管直流参数一、实验概述在电子产业中，晶体管的应用十分广泛。
集成电路和晶体管的制造过程当中需要检测晶体管的性能。
一般采用直接显示的方法来获得晶体管输入，输出和传输特性曲线，进一步可以测量各种直流参数。
本实验通过给晶体管加直流偏置条件，测其饱和压降，直流电流增益，晶体管中的PN 结反向饱和漏电流、PN 结开启电压和击穿电压等直流参数。
这些直流参数是衡量双极型晶体管品质优劣的重要基本参数。
实验仪器BJ48151.BJ4815概述。
BJ4815 型半导体管特性图示仪通过示波管屏幕及标尺刻度，准确地反映器件的特性曲线，信息量相比其它类型直流测试设备要大，在此基础上图示仪更能展现出其极为显著的闪光点。
因为这些优势的存在，图示仪成为了半导体生产与研制行业中的宠儿，是进行半导体一系列研究(设计，研发，改良，测试)中不可或缺的重要角色。
BJ4815功能齐全，测试范围宽，绝大部分电路实现了集成化，其中集电极扫描电路实现了电子扫描，大电流测试状态进行了占空比压缩，减小了发热，减小了重量阶梯部分的大电流，测试状态采用了脉冲阶梯输出。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
编制：
审核：
批准：
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪 Prepared on 22 November 2020自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB 按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
JY-3晶体管测试仪技术说明书
JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。
晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。
该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。
本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。
当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。
2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。
2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。
中文菜单式界面，操作简便。
2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。
（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。
h FE1、h FE2可以自动分10档。
2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。
晶体管直流参数测试仪DY294
晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。
它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。
该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。
技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。
测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。
注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。
总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。
该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。
在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。
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K3、K4
0~200V K2、K4
0~200V K2、K4
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79XX K12
瓷介电容 涤纶电容 云母电容 独石电容 耐压测试
压敏电阻 动作电压
78XX三端稳压 器
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V K2、K4
0~200V K2、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
ICEO 漏
电流C、E 极
ICBO 漏
电流C、B 极
IEBO 漏
电流E、B 极
2000uA K11 2000uA K11 2000uA K11
ICEO 漏
电流C、E 极
ICBO 漏
电流C、B 极
IEBO 漏
电流E、B 极
2000uA K11 2000uA K11 2000uA K11
hFE 放
0~200V Ic=10mA
K4、K7
二极管正 向压降
10mA~2A K5、K6、 (Ic) K7
0~200V 0~2000V
K4、K7
0~200V Ic=10mA
K4、K7
稳压二极 管稳压值
发光二极 管正向压 降 发光二极 管反向电 压 双向可控 硅击穿电 压 单向可控 硅击穿电 压
P-MOS管耐 压测试
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
稳压二极 管稳压值
发光二极 管正向压 降
发光二极 管反向电 压
双向可控 硅击穿电 压
单向可控 硅击穿电 压
P-MOS管耐 压测试
瓷介电容 涤纶电容 云母电容 独石电容 耐压测试
压敏电阻 动作电压
78XX K12
79XX三端 稳压器
0~200V 0~2000V
BVCES
三极管
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
BVEBO
三极管E、 B耐压
BVCEO
三极管C、 E耐压
BVCES
三极管
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
K3、K4
0~200V 0~2000V
DY-294/JL294-3晶体管直流参数测试
NPN
PNP
被测参数连接方法 档位 K键 被测参数连接方法 档位 K键
BVCBO
三极管C、 B耐压
0~200V 0~2000V
K3、K4
BVCBO
三极管C、 B耐压
0~200V 0~2000V
K3、K4
BVEBO
三极管E、 B耐压
BVCEO
三极管C、 E耐压
大倍数
h 10uA~10 K8、K9、 FE 放
mA(Ib) K10
大倍数
10uA~10 Kt饱
和压降
二极管反 向击穿电 压
二极管正 向压降
10mA~2A K5、K6、 VCE sat饱
(Ic) K7
和压降
0~200V 0~2000V
K4、K7
二极管反 向击穿电 压