晶体管测试仪
MT-105 晶体管耐压测试仪使用说明书
MT-105晶体管耐压测试仪使用说明书深圳鹏达电子科技有限公司一、简介MT-105晶体管耐压测试仪可测试各种晶体二极管、瞬态二极管、三极管、可控硅、场效应管的正向、反向击穿电压耐压值；能测试稳压二极管的稳压值。
仪表为便携式设计，体积小、重量轻、自动量程、功能强、操作均采用无锁按键和遥控操作、上位机软件操作并可以保存测试数据（MT-105通信版），使用方便可靠，实用性强，适用于从事电子技术的实验人员、调试人员、维修人员、采购人员、销售人员及无线电爱好者。
还适用于电子电器产品生产厂家作为各类电子元器件批量检测之用。
二、面板功能介绍①：仪器电源开关，使用时请把开关打开，不使用请把开关关闭，避免电池耗电。
②：HV高压测试键，把被测试的器件引脚放进对应的测试槽后，按下测试键。
③：测试高压工作指示灯，按下测试键测试时，此指示灯会亮，表示高压工作中。
④：测试槽的1脚（黄色标记）HV-（GND地）⑤：测试槽的2脚（黄色标记）N型管的控制信号LG⑥: 测试槽的2脚（红色标记）P型管的控制信号HG⑦：测试槽的3脚（红色标记）HV+（高压输出HV）⑧: 充电指示灯，充电中此LED等亮，等充满电此指示灯灭，充电自动控制⑨：USB接口，充电与通信接口，可以接在电脑USB接口上，可以边通信边充电 ⑩: 仪器的显示屏，采用1602，LCD屏，显示清楚美观省电耐用三、使用操作说明打开开关，仪器屏幕显示官方网站和型号名称：“ MT-105 HV Tester”显示3秒后进入测试画面（没有任何测试操作）显示：“Bat:4424mv MT-105 HV Tester”。
按键操作：把待测试的元件放入对应的引脚后，按下测试键进行测试遥控操作：把待测试的元件放入对应的引脚后，按下遥控器播放键，可以进行测试遥控器只有2个按键有用，一个是高压测试键，另外一个是返回清屏键软件上位机操作可以测试和保存测试数据四、主要经典（重要项目）测试方法1、二极管测试方法，有两种VB R和U F电压，如下图1和图2所示图1 图22、三极管NPN的测试方法，有BVces和BVcer的反向击穿电压（耐压）测试，如下图3和图4所示图3 图43、三极管PNP的测试方法，有BVces和BVcer的反向击穿电压（耐压）测试，如下图5和图6所示图5 图64、N沟道的M O S管的测试方法，有BVdss和BVdsr的反向击穿电压（耐压）测试，如下图7和图8所示图7图85、P沟道的M O S管的测试方法，有BVdss和BVdsr的反向击穿电压（耐压）测试，如下图9和图10所示图9图105、可控硅的单、双向的测试方法，V RR M的反向击穿电压（耐压）测试，如下图11和图12所示图11 图12五、多种测试类型管的不同接法1、NPN管的8种击穿电压接法：以下是NPN三极管的8种测试电压的接法，BVceo、BVc b o、BVe b o、BV b eo、BVcer、BVces、BVce x、的击穿电压测试方法：（1）、BVceo：晶体管反向击穿电压；基极开路,集电极－发射极反向击穿电压接法：NPN管基极B开路（悬空），集电极C接测试槽3，发射极E接测试槽1，这时测试的就是反向击穿电压。
QT2晶体管测试仪.
仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 页码 8/6 KTD 操作指导书 A/0 被测管2012/05/22 生效日期二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压，并且通过 Y 电流/度及 X 电压/度的选择，使其在示波管上显示所要的测量值。
本仪器提供了二种测试手段，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在上述的三极管测试中，利用 C、E 二极进行正向和反向测试，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在专用的二极管测试插孔中进行测试。
在小于500V 二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于“NPN”档二极管特性测试示波器取样电阻示波管操级时，其集电极插孔为正电压，置于“PNP”档级时，集电极插孔为负电压。
而在 3000V 二极管测试中其极性不变，可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。
二极管的测试方法： 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连，在特殊的情况下也可用合适的耐高作 B 8-1 B 8-2 图 B8-1 调压变压器 B8-2 高压变压器压线与插孔相连，被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。
2. 3. 将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。
示将 Y 电流/度置于 IB 范围内的合适档级，并将X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。
图(6 4．按入“测试”按钮，并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。
5．由于高压测试插孔中具有高压，因此在按入“测试”按钮时，切勿接确测试插孔的任一端。
变更履历标记日期编制审核备注：核准审核编制仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗限制电阻页码 8/7 KTD 操作指导书 A/0 2012/05/22 生效日期场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS，最大漏源电流(IDSM饱和漏源电流被测管示波管放大器 (IDSS夹断电压(VP跨导(ｇＭ，最大电源电压(BVDS等参数进行测试。
JL294-3晶体管测试仪
测试方法：1、测试操作步骤：（本说明以JL294型仪表为例）①开机；按下K1键使仪表工作②置K2键（PNP与NPN功能转换键）与被测管极性相符位置，将被测管与测试插座可靠连接。
③测试：按下需测试功能对应的按键，读出被测数。
注意：测试时K3～K12之间不准同时按下二个键！④关机；按K1，切断仪表电源。
2、各种三极管测试方法及图示：图中K2置NPN位置，测试PNP三极管时将K2（JL295型为K1）键置PNP位置，管脚接法与图一样。
①为了保证测试的准确性，建议使用外接6V 3A直流稳压电源。
②将三极管管脚按图示插入测试插座。
③仪表K3、K4档用于测试三极管VBR（耐压值），测试电压分别为0～1999V和0～199.9V；按下相应档位的开关，仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO 及VCE、VBC、VBE的耐压值。
④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE（sat）（共发射极饱和压降）。
Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA；Ib电流分别为200mA、30mA、1mA；测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关，表头显示相对电流下三极管的压降值。
提示：对同一型号的三极管，在相同电流档下测试，饱和压降值越小越好。
提示：小功率三极管不要用大电流档进行测试。
⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE（共发射极直流放大系数）。
Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA；通过逐档测试可以观察三极管的放大线性，测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。
提示：测试时应根据被测三极管的功率大小，先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档（要防止测试电流过大而损坏小功率管），表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。
注1：如果测试电流增大，被测三极管的放大系数不变或增大则说明被测管能在大电流的工作条件下使用；相反，如果随着测试电流的增大而被测三极管的放大系数减小，则说明被测管不能在大电流的工作条件下使用；如果表头显示的测试值不断变动，则说明该三极管不能承受该档的工作电流。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管测试仪简介
开始/测试按键SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座DC 电源接口LCD 显示屏开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座一. 产品概述本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。
可测直插式器件,也可测试贴片器件，可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管；能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压，场效应管的结电容，可测电容和电阻等。
二. 注意事项● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。
● 使用适配器供电时，请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。
● 本仪表不会对电池进行充电，当电池电量低于6V 时,请更换电池。
三. 技术指标电阻：0Ω-50MΩ 分辨率： 0.01Ω电容：25pF-100mF 分辨率：1pF电感：0.01mH-20H 分辨率：0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω四. 使用方法a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能，多次测量可重复按此键；测完后20秒无操作自动关机。
b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式，每种方式的1，2，3脚都是相同的对应关系。
c. 放置器件无需区分管脚顺序，测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。
d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表，该表仅供参考，请以各生产厂家公布的数据为准。
五. 校准短接1，2，3 测试点，按“开机/测试”按键，屏幕提示是否进入校准，在2秒内此按“开机/测试”按键确认，进入校准。
之后屏幕提示断开1，2，3测试点，断开后继续，直到提示校准结束。
POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe SocketDC IN LCD Screen POWER/TESTSmall Devices Container Plug-in Devices Socket1. Product DescriptionThis Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test different kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET.2. Cautions● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one .3. Measuring parametersResistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω4. Instructionsa. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power off 20 seconds after measurement.b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected.c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature.5. CalibrationShort the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to confirm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration finish.晶体管测试仪大屏幕128*64点阵屏倾斜设计大视角左右按键大体积，操作简便方便左手或右手操作多种供电方式电池：9V（6F22，万用表电池)DC供电：9~12V贴片测试支持多种不同的封装的SMD器件：贴片电感，电容SMA，SMB，SMC，TO-252，SOT23，SOP8, 0603,0805，1206等插件测试弹片式插座支持各种2或3脚插件类器件电解电容放电电解电容测试前需先放电内部提供1K /1W 的放电电阻，最大支持2000uF/50V电容可外接探头提供外部探头插座：支持万用表笔支持鳄鱼夹支持电容测试夹ESR阻值表附电解电容ESR值参考表方便用户判断电容是否合格此表参数仅供参考，不同厂家生产的电容，ESR值可能不一样。
基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪
基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪刘士兴;刘宏银;赵博;鲁迎春;易茂祥【摘要】A transistor characteristic curve tester has been designed,which is based on STM32F103.The input ladder current of the base of the triode under test is implemented by adopting digital potentiometer,and the base drive current is 0-1 60 μA whose resolution is 0.1 μA.The regulation of the collector scanning voltage is achieved by the output of the three-terminal voltage regulator circuit which is controlled by embedded DAC, and the output ranges 0-30 V whose highest resolution is 3.18 mV.First of all,a sense resistor has been used to change the determined current into voltage ,which is amplified by instrumentation amplifier and sampled by the embedded ADC,also the median average filtering method has been used to filter the sampling disturbance. The measured parameters are processed by STM32F103 processor to map the input-output characteristic curve and have a real-time display of the amplification h FE on LCD.The tester also has the function of communication with PC which is convenient for further processing.%设计了一种以 STM32F103VET6为核心的晶体管输入输出特性曲线测试仪.通过数字电位器实现对待测三极管基极输入电流的阶梯控制,基极驱动电流0～160μA,分辨率达到0．1μA；通过内嵌 DAC 控制三端稳压电路的输出实现集电极扫描电压的调节,输出范围0～30 V,最高分辨率3．18 mV；电流的测量首先通过采样电阻转换为待测电压,经仪表放大器进行放大后由内嵌 ADC 进行采样,采用中位值平均滤波法滤除采样干扰.由 STM32F103VET6处理器对所测得参数运算处理,绘制晶体管输入输出特性曲线,通过 LCD实时显示晶体管特性曲线及放大倍数 h FE 值；测试仪还具有与上位机通信的功能,方便实现对所测数据做进一步处理.【期刊名称】《实验技术与管理》【年(卷),期】2015(000)011【总页数】5页(P86-90)【关键词】晶体管特性曲线;嵌入式处理器;数字滤波;LCD 显示【作者】刘士兴;刘宏银;赵博;鲁迎春;易茂祥【作者单位】合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009【正文语种】中文【中图分类】TN32晶体管特性曲线图示仪能够测量半导体晶体管的静态参数［1］，显示晶体管的输入、输出特性曲线，在高校电子信息类专业的教学中获得了广泛的应用［2］。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
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XJ4810型半导体管特性图示仪的使用方法晶体管测试仪的使用方法
晶体管特性图示仪的使用
晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：
1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A
四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。
可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。
旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮.
16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：
⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。
⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。
⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。
19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。
20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。
21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。
22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。
当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。
23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。
一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。
24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。
25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。
26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。
27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被测管的各种极限特性。
28. 极性按键：极性的选择取决于被测管的特性。
29. 测试台：其结构如图A-24所示。
30. 测试选择按键：
⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，此时“级/簇”应置适当位置，以利于观察。
二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。
⑵“零电压”键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置，见（22）项。
⑶“零电流”键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量ICEO 特性。
31、32. 左右测试插孔：插上专用插座（随机附件），可测试F1、F2型管座的功率晶体管。
33、34、35.晶体管测试插座。
36. 二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。
在仪器右侧板上分布有图A-25所示的旋钮和端子：
37. 二簇移位旋钮：在二簇显示时，可改变右簇曲线的位置，更方便于配对晶体管各种参数的比较。
38. Y轴信号输入：Y轴选择开关置外接时，Y轴信号由此插座输入。
39. X轴信号输入：X轴选择开关置外接时，X轴信号由此插座输入。
40. 校准信号输出端：1V、0.5V校准信号由此二孔输出。