真空溅镀p
真空溅镀
濺鍍機工作原理譯者：研發部陳頌文「電光火石」這字眼，經常出現在金庸武俠小說，用來形容俠客或惡盜取人首級在極短暫的時間內，不過，這可不是金庸的專利呦！訊碟科技製造的光碟片那才是真正的「電光火石」啦！來喔，看看我們的CD, DVD部門隱藏的諸位俠客到底怎樣發功！！一、DC Sputtering原理：(適合導體材料的濺鍍)在真空濺鍍艙中，打入Ar，電極加數KV的直流電，因而產生輝光放電。
輝光放電將產生Ar()電漿，電漿中因陰極電位降而加速(陰極帶負電荷)，衝撞target表面，使target表面粒子濺射，濺射粒子沉積於substrate上，形成薄膜。
如何計算到substrate的濺射粒子數目呢?假設濺射到substrate的濺鍍粒子總量Q，則，: 常數，: target 的蒸發總量，P: 濺鍍用氣體壓力，d: target到substrate的距離。
，:target離子電流，e:電子電荷量，s:濺鍍速率，A:濺鍍物原子量，N:。
一般來說，濺鍍時的放電電流，為放電壓，所以，取決於target。
所以濺鍍於substrate的量正比於濺鍍裝置消耗電力()，反比於氣體壓力及target到substrate的距離。
二、RF Sputtering原理：(適合所有固體材料之濺鍍)如果target為絕緣體，則由於target表面帶正電位(target接負電(陰極))，因而造成靶材表面與陽極的電位差消失，不會持續放電，無法產生輝光放電效應，所以若將直流供電改為RF電源，則絕緣體的target亦可維持輝光放電。
接RF電源後，電漿中電子移動度將大於離子移動度，target表面累積過剩電子，target表面直流偏壓為負電位，如此即可濺鍍。
為使電力充分導入放電，在高周波電源及電極間插入阻抗匹配電路。
阻抗匹配電路與target電極間串聯電容器，絕緣體target也會激起負電位偏壓。
此負電位約在高周波濺鍍施加電壓的峰值(實效值的倍)。
真空溅镀原理
真空溅镀原理溅镀的原理如图主要主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面, 靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。
溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。
新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加, 提高溅镀速率。
一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。
一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料。
(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。
(3)利用放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子的混合物或化合物。
(4)靶材输入电流及溅射时间可以控制，容易得到高精度的膜厚。
(5)较其它制程利于生产大面积的均一薄膜。
(6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自由安排。
(7)基板与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高能量，在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜，同时此高能量使基板只要较低的温度即可得到结晶膜。
(8)薄膜形成初期成核密度高，可生产10nm以下的极薄连续膜。
(9)靶材的寿命长，可长时间自动化连续生产。
(10)靶材可制作成各种形状，配合机台的特殊设计做更好的控制及最有效率的生产。
一、DC Sputtering原理：(适合导体材料的溅镀)在真空溅镀舱中，打入Ar，电极加数KV的直流电，因而产生辉光放电。
辉光放电将产生Ar( )电浆，电浆中因阴极电位降而加速(阴极带负电荷)，冲撞target表面，使target表面粒子溅射，溅射粒子沉积于substrate上，形成薄膜。
PVD知识整理
帕邢（Paschen）曲线
溅镀
溅射沉积的方法
反应溅射溅射
在存在反应气体的情况下，溅射靶材时，溅射出来的靶材料与反应气体形成化合
物（氮化物、碳化物、氧化物）
反应溅射特征
➢靶中毒：反应气体与靶反应，在靶表面形成化合物。
➢沉积膜的成分不同于靶材。
➢化合物靶材溅射后，组元成分（氧、氮）含量下降，补偿反应气体。
蒸发分子的平均自由程与碰撞几率
蒸镀
➢真空室存在两种粒子：蒸发物质的原子或分 子；残余气体分子。 ➢由气体分子运动论可求出在热平衡下，单位时间通过单位面积的气体分 子数，即为气体分子对基片的碰撞率
➢蒸发分子的平均自由程为 （ d为碰撞截面）
蒸镀
蒸发分子的平均自由程与碰撞几率
蒸发分子的碰撞百分数与实际行程对平均自由程之比如图。当平均自由程等于源 之比如 图。当平均自由程等于源- -基距时，有63％的蒸发分子受到碰撞，如果自由程增加 10倍， 撞几率减小到9％。因此，只有在平均自由程源- -基距大得多，才有效减少渡越中的碰撞。
Z大溅射原子逸出时能量高，Z小逸出的速度高。 同轰击能量下，溅射原子逸出能量随入射离子的质量而线形增加。 溅射原子平均逸出能量随入射离子能量的增加而增大，达到某一高
平均能量趋于恒定。
值时，
溅射沉积的方法 直流二极溅射
溅镀
辉光放电产生离子轰击靶材； 气压过低辉光放电难以维持（＜1Pa）； 溅射气压高（~10Pa）、沉积速率低； 工艺参数：电源功率、工作气体流量与压 强、基片温度、基片偏压。
溅镀
溅镀（Sputtering） 溅射的基本原理: ➢ 物质的溅射现象 溅射：荷能粒子与固体（靶材）表面相互作用过程中，发生能量和动量 的转移，当表面原子获得足够大的动能而脱离固体表面，从而产生表面原子 的溅射。 溅射是轰击粒子与固体原子之间能量和动量转移的结果 溅射镀膜：应用溅射现象将靶材原子溅射出来并沉积到基片上形成薄膜 的技术。 ➢ 溅射参数 ✓ 溅射阀值：将靶材原子溅射出来所需的入射离子最小能量值。与入射 离子的种类关系不大、与靶材有关。 ✓ 溅射产额 ✓ 溅射离子速度和能量
Sputter溅镀机原理与操作简介
研究生: 指導教授:
真空之定義
英文Vacuum，表示Empty或Nothing，空無一物 ,是佛家的境界，但在真空技術裡，真空係針對大氣 而言，表示一特定空間內部之部份氣體被排出，其 壓力小於一大氣壓,通常稱此空間為真空或真空狀態 。 在真空技術中，一密閉容器雖保持真空，但並 非真正的空，也就是說真空並不表是容器內部全無 氣體分子；事實上以目前之技術所及的超高真空狀 態，其中仍有為數可觀之氣體分子存在。
冷凍幫浦(cryo pump)
冷凍幫浦-再生
Cyropump若長期使用或是吸入大量氣體，其抽氣量將 會降低，此時必須要對Cyropump作再生的動作，那就 是將Cyropump內部溫度回升到室溫，然後通以氮氣來 回數次，藉此將原本吸附的氣體帶出，如此Cyropump 將可恢復原狀，不過若因操作不當有油氣進入 Cyropump污染了內部的活性炭，則必須全部更換活性 炭才有辦法恢復原抽氣量。
真空邦浦
(一) 定義： 凡能將一特定空間內之氣體去除，以減低氣體分子數目， 造成某種程度之真空狀態之機件，統稱為真空邦浦。
(二) 分類： 在未介紹各種真空邦浦之結構、原理、功能等特性前，先 讓我們依照不同性質將真空邦浦加以分類，以得一概括之 認識。 依抽氣型態： 排氣式：將氣體由特定空間內去除並排出至大氣。 儲氣式：欲除去之氣體不排至大氣，而利用物理或化學 作用永久或暫時性吸附在系統內。
真空度介紹
1atm=760torr=760mmHg=1.1325*105Pa(N/m2)
=1.01325Bar=14.7Psi(lb/m2)
粗略真空(rough vacuum):氣壓從<760torr-1troo 中度真空(medium vacuum):氣壓從1torr-10-3torr 高真空(high vaccum):氣壓從10-3torr-10-7torr 超高真空(ultra-high vaccum):氣壓<10-7torr源自冷凍幫浦(cryo pump)
真空溅镀工艺技术的应用
真空溅镀相比传统水电镀的优点
• 真空溅镀技术，由于镀膜施工过程都处于 真空状态下，不与水或氢气产生化学变化， 而生成有害化学物质，全程完全符合环保 规范与诉求，加上完工后的质量稳定性较 佳，加工成本亦最符合经济效益，而在所 有真空电镀中又以上述所介绍的溅镀工法 最普及。
真空溅镀相比传统水电镀的优点
• 事实上目前的 真空镀膜科技 技术水准已迅 速提升，现今 的真空电镀渐 渐成为主流， 取代传统水镀， 其使用范围亦 日渐广泛，不 仅传统产业， 连科技电子业 皆已涵盖。
真空濺射特色
• 欲濺射材料無限制, 任何常溫固態導電金屬及 有機材料、 絕緣材料皆可使用( 例: 銅、鉻、 銀、金、不銹鋼、鋁、氧化矽等) 。
• 被濺射基材幾無限制( ABS、PC、PP、PS、玻 璃、陶瓷、等) 。
• 膜質緻密均勻、膜厚容易控制。 • 附著力強。 • 可同時搭配多種不同濺射材料之多層膜。
性能比较
ห้องสมุดไป่ตู้
附着力 硬度 光泽度
水电镀
• 附着力一 般
• 硬度可达 5H
• 光泽度低
炉式溅镀
• 附着力一 般
• 硬度可达 2H~3H
• 光泽度一 般
连续式溅镀
• 镀膜施工过程 都处于真空状 态下，不与水 或氢气产生化 学变化，而生 成有害化学物 质，全程完全 符合环保规范 与诉求
连续式溅镀
• 附着力好
• 硬度可达 2H~3H
• 光泽度高
EHS影响比较
对环境 影响
水电镀
炉式溅镀
• 水电镀毒性大， 三废污染特别
严重,在人们 环保意识逐步
加强的今天, 它的发展,已 受到了各方各
面的制约。
• 镀膜施工过程 都处于真空状 态下，不与水 或氢气产生化 学变化，而生 成有害化学物 质，全程完全 符合环保规范 与诉求
Sputter溅镀原理
Sputter磁控溅镀原理Sputter在辞典中意思为：（植物）溅散。
此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时，被溅射飞散出。
因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜。
在日光灯的插座附近常见的变黑现象，即为身边最赏见之例，此乃因日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成。
溅镀现象，自19世纪被发现以来，就不受欢迎，特别在放电管领域中尤当防止。
近年来被引用于薄膜制作技术效效佳，将成为可用之物。
薄膜制作的应用研究，当初主要为Bell Lab.及Western Electric公司，于1963年制成全长10m左右的连续溅镀装置。
1966年由IBM公司发表高周波溅镀技术，使得绝缘物之薄膜亦可制作。
后经种种研究至今已达“不管基板的材料为何，皆可被覆盖任何材质之薄膜”目的境地。
而若要制作一薄膜，至少需要有装置薄膜的基板及保持真空状况的道具（内部机构）。
这种道具即为制作一空间，并使用真空泵将其内气体抽出的必要。
一、真空简介：所谓真空，依JIS（日本工业标准）定义如下：较大气压力低的压力气体充满的特定的空真空单位相关知识如下：二、Sputter（磁控溅镀）原理：1、Sputter溅镀定义：在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子被离子化而产生带电电荷，其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材，将其原子等粒子溅出，此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜，此物理现象即称溅镀。
而透过激发、解离、离子化……等反应面产生的分子、原子、受激态物质、电子、正负离子、自由基、UV 光（紫外光）、可见光……等物质，而这些物质混合在一起的状态就称之为电浆（Plasma ）。
下图为Sputter 溅镀模型（类似打台球模型）：图一中的母球代表被电离后的气体分子，而红色各球则代表将被溅镀之靶材（Si 、ITO&Ti 等），图二则代表溅镀后被溅射出的原子、分子等的运动情形；即当被加速的离子与表面撞击后，通过能量与动量转移过程（如图三），低能离子碰撞靶时，不能从固体表面直接溅射出原子，而是把动量转移给被碰撞的原子，引起晶格点阵上原子的链锁式碰撞。
《真空溅镀工艺介绍》PPT课件
真空濺鍍
將掛件裝配於真空容器內，容器中間裝配適當的靶材電極，實現基材 濺鍍，此過程一般需要5~10分鐘。
噴面漆
噴面漆作用是為增強濺鍍表面性能，增加附著力和耐磨性，同時面 漆可以用宇調節表面顏色，得到想要的效果。
技術人員噴塗 面漆
Байду номын сангаас
真空濺鍍的優点：
(1)表面有超強金屬質感，亮度高，質感細膩。
(2)可以解决闪银、魔幻蓝、裂纹、水滴银等七彩色的问题。（水电镀 颜色较单调，一般只有亮银和亚银等少数几种）
(3)各種高沸點金属、合金或绝缘物均可做成靶材材料。
(4)靶材的寿命长，可长时间自动化连续生产。
(5)靶材選擇廣泛，可避免使用有害物質（水鍍鍍層材質一般含六價鉻） 而且所有镀层材料都是在真空环境下通过离子体沉积在基材上，没有 溶液污染，有利於環境保護。
粒子碰撞原理 ：
Ar+
氣體 靶材
基材
靶材原子等粒子
Ar+
氣體 靶材
真空濺鍍氣壓要求：
溅镀要求在高真空狀態充入惰 性氣體實現輝光放電.該工藝要 求真空度在1.3×10-3Pa的分子 流狀態。
真空泵實現高 真空狀態
主要工藝流程 ：
前處理
裝配
真空濺鍍 面漆
UV/IR照射烘乾 UV/IR照射烘乾
清潔处理 底漆 成品
真空溅镀工艺介绍
（Suitable for teaching courseware and reports）
前言
真空溅镀作為一種新興的鍍膜技術，其產品表面有超強 金屬質感。被越來越多的應用在手機等電子產品的外殼表面 處理，其膜面不緊亮度高，質感細膩逼真，可做出多種亮麗 色彩。同時，它還有製作成本较低，有利環境保護，較少受 到基材材質限制的優點。
真空双面溅镀工艺流程
真空双面溅镀工艺流程英文回答：Vacuum double-sided sputtering is a process used in the manufacturing of various electronic devices, such as solar cells, LED displays, and semiconductors. It involves depositing thin films of different materials onto both sides of a substrate using a vacuum chamber and sputtering targets.The process starts with the preparation of the substrate. The substrate can be made of various materials, such as glass or silicon. It is thoroughly cleaned to remove any impurities or contaminants that could affect the quality of the deposited films.Once the substrate is prepared, it is loaded into the vacuum chamber. The chamber is then evacuated to create a high vacuum environment. This is important to minimize the presence of any gas molecules that could interfere with thesputtering process.Next, sputtering targets are introduced into the chamber. These targets are made of the materials that will be deposited onto the substrate. For example, if the desired films are made of indium tin oxide (ITO), the sputtering targets would be made of indium and tin.The targets are bombarded with high-energy ions, typically generated by a radio frequency (RF) or direct current (DC) power source. This bombardment causes the atoms of the target material to be ejected and deposited onto the substrate.To ensure uniform deposition on both sides of the substrate, the chamber is equipped with multiple targets and the substrate is rotated during the sputtering process. This allows for a more even distribution of the deposited material.The deposition process continues until the desired thickness of the films is achieved. The thickness can becontrolled by adjusting the sputtering time and the power applied to the targets.Once the deposition is complete, the chamber is slowly vented to atmospheric pressure. The substrate is then unloaded and inspected for quality. Any defects or imperfections in the films can be identified at this stage.中文回答：真空双面溅镀是一种用于制造各种电子器件的工艺流程，例如太阳能电池、LED显示屏和半导体。
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EMI 問題的對策
A（吸率屏蔽效果）：
A = 8.69（t/δ） δ＝2.6/√fμσ吋
吸收屏蔽效果與鍍膜材料、電磁波頻 率、鍍膜厚度有關，其大小約介於 0 – 10 d B 之間（0 - 2.4μ）
EMI 問題的對策
接地平面 ： 接地是控制電磁波干擾的另一種
方法，材料選擇不當或鍍膜方法不適， 不僅無法協助解決電磁波干擾之問題， 更有可能造成問題的擴大；尤其在高 頻部分，緻密的鍍層與高導電材料的 選擇是絕對必要的.
真空濺鍍技術
操作真空度： 真空度越高則膜質越純，但其電漿濃度亦
可能相對下降；因此如何取得平衡點將是每部 設備重要參數.
真空濺鍍技術
操作電壓： 通入的電壓是影響鍍膜速度的最大因素；
當電壓小於臨界值(閾)時，濺鍍不發生；當電 壓高於上限臨界值時，效率幾乎不變；介於期 間則效率與電壓成正比；但電壓高則腔體溫度 亦升高.
塑殼上鍍膜之屏蔽與接地
EMI 問題的對策
塑殼上鍍膜之屏蔽與接地：
一.鍍區與非鍍區之設計 二.附著力之處理 三.良好之導電材質與緻密鍍膜 四.上下蓋連接點之導電性
EMI 問題的對策
屏蔽效果之估算 鍍膜屏蔽效果為防止電磁波干擾對 策的重要評估要素之一，若屏蔽效果 太低，則可能有電磁波外漏之虞，一 般而言需大於 20 d B 以上 總屏蔽效果 = 反射效果 +吸收效果 +修正項
真空濺鍍
目的
溅镀的目的是在基材上镀上金属镀 层(deposit)，改变基材表面性质或尺 寸。例如赋予金属光泽美观、物品的防 锈、防止磨耗、提高导电度、防ESD、 润滑性、强度、耐热性、耐候性、热处 理之防止渗碳、氮化 、尺寸错误或磨 耗之零件之修补。
相关定义
真空：真空系指低于该地区大气压的稀 簿气体状态
作業區的溫濕度控制，空氣中微粒子的含量； 甚至真空中氣體的成分；若無法有效管制將可 能造成膜質的嚴重缺陷；當然濺鍍設備的材質 也是不可忽略的考量重點.
真空濺鍍技術
抽氣系統： 真空幫浦種類極多，各有其使用功能，也
沒有好壞之分， 端視薄膜功能與抽氣量而異； 一般而言光電產品不可使用含油氣之幫浦，且 系統中亦需搭配各種不同真空度使用的幫浦.
真空濺鍍技術
操作速度： 每種材料皆有其特殊的溢氣量與吸水性，
且塑殼外觀設計亦有所不同，加上射出成型廠 製程條件也有變異；因此抽氣時間與鍍膜趟數 亦應有所變化；當材料溢氣量高時必須有較長 抽氣時間，否則易形成氧化物.
真空濺鍍技術
前處理： 一般而言濺镀的操作真空度最少需 0.005
torr 以上，當基材上含有一滴水滴則鍍膜純度 將起極大變化；或當基材上留有油漬時，則鍍 膜將出現明顯斑點，甚至附著不良；所以徹底 的乾與淨是濺鍍實務上必先解決的條件.
清洗时间:清洗时间越长效果越好，特殊材料除外。
清洗溶液（介质）的种类:根据产品对象不同，选择不同的清洗液， 以达到最好的清洗效果。
清洗液的PH值：清洗前必须作确认，根据不同的产品可作调整。
水质：水质的好与坏，直接影响清洗的效果。
真空溅镀原理
溅镀原理如图：
主要利用辉光放电（glow discharge)将氩（Ar)气离子撞击靶材 (target)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀 薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜好，但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。 新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材 周围的氩气离子化，造成靶与氩气离子间的撞击机率增加，提高溅镀 速率。一般金属镀膜大都釆用直流溅镀，而不导电的陶磁材料则使用 RF交流溅镀，基本的原理是在真空中利用辉光放电（glow discharge) 将氩气离子撞击靶材表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材 的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄 膜。
超声波频率:频率越低,空化越好,频率越高,折反射效果越好。对 于简单表面宜采用低频，对于复杂表面及深孔盲孔宜采用高频。 （20KHz/28KHz/40KHz/80KHz/0.8MHz）
清洗温度:超声波在40℃～70℃时空化最好。温度越高，越有利于 污物分解，但当温度达到70℃～80℃以后，便影响超声波发挥作 用，降低清洗效果。
污染少 使用原材皆经过SGS认证 符合TCO-99, ECO-99
生产速度较慢 产能较小
生产速度快产能大(90sec/盘) 可连续性生产
品质异常难及时管控 产能大
超声波清洗技术
定义：超声波清洗机主要由超声波信号发生器 换能器及清洗槽组成。超声波信号发生器产生 高频振荡信号，通过换能器转换成每秒几万次 的高频机械振荡，在清洗液（介质）中形成超 声波，以正压和负压高频交替变化的方式在清 洗液中疏密相间地向前辐射传播，使清洗液中 不断产生无数微小气泡并不断破裂，这种现象 称之为“空化效应”。气泡破裂时可形成1000 个大气压以上的瞬间高压，产生一连串的爆炸 释放出巨大能量，对周围形成巨大冲击，从而 对工件表面不断进行冲击，使工作表面及缝隙 中的污垢迅速剥落，从而达到工件表面净化的 目的。
金屬材料的電磁波防治
金屬表面的電子相當自由，當電磁波照 射在金屬表面，使這些自由電子隨之振 動，這時，他們獲得的能量不會在原子 間傳送，而是再次發射出來，這就是用 金屬材料解決電磁波干擾的原理,與金屬 的厚度無絕對關係.
EMI 問題的對策
改善主機板之線路設計為解決 EMI 最直接之對策
機構之改善與組裝之確實
成。
溅镀/电镀/蒸镀工艺的比较
比较 基材
工艺
电镀
材料受限，ABS 可作双色电镀，从模具上处理
溅镀 范围广
蒸镀 范围广，受夹具限制
镀膜层厚度 镀膜方式 镀膜原理 制程
污染 生产性
膜层厚，不易控制，无法达到半透之要 求 产品导电，手感好细腻
湿式镀膜 不镀区域须上防镀漆 防镀漆有时效性,且易脱落
属化学性变化 被镀物及欲镀物本身性质会被改变
溅镀特点
金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料， 且在特定条件下可将多元复杂的靶材作出 同一组成薄膜。
靶材输入电流及溅射时间可以控制。 溅射粒子不受重力影响，靶材位置可自由
按排。 基材与膜的附着强度是一般蒸镀的10倍以
上 靶材可根据机台作出不同的形状。
真空濺鍍技術
好的作業環境： 環境是影響真空鍍膜的首要條件，其包括
真空度：处于真空状态下的气体稀簿程 度，通常用“真空度高”和“真空度低” 来表示。真空度高表示真空度“好”的 意思，真空度低表示真空度“差”的意 思。
真空度单位：通常用托（Torr）为单位， 1托＝1/760大气压＝1毫米汞柱
辉光放电:是指气体在电场作用下被击穿 而产生电离运动
何謂真空濺鍍
在一個通電的高真空密閉容器中， 注入少許惰性氣體(一般) ，氣體將 部分被離子化，並於容器內形成高 濃度電漿，此電漿中的離子被負電 極所吸引而撞擊安裝於電極上面的 靶材，進行能量轉移並將靶材原子 一顆顆擠出來，附著於基材上，即 稱為真空濺鍍。溅镀源由固态变为 电浆态。
真空濺鍍技術
靶材的選擇： 濺鍍前一定需考慮薄膜功能，如此才能決
定靶材原料，同為反射膜，可因要求之頻段與 反射率不同，而有不同靶材的選擇；一般而言 濺鍍金屬材料只要注意其純度即可，但若為光 學級薄膜則必須考慮採化合物靶材或純元素靶 材，並配合電源供應器、入射氣體及濺鍍機： 濺鍍效率會隨鍍膜開機時間增長而越趨升
高，因此非必要不得任意打開腔體，一般而言 當靶材接近耗盡時或大保養時方得打開.
真空濺鍍的應用
日常生活用品（外观装饰）： 高反射膜：鏡子 濾光膜：汽車藍鏡、隔熱玻璃 高硬度膜：高爾夫球桿、金筷子 變色膜：手機外殼 飾品：門把、包裝材 抬頭顯示器
真空濺鍍的應用
電子產品： 高反射膜：電磁波干擾防治（EMI） 濾光膜：彩色濾光片 透明導電膜：I T O 玻璃與塑膠 光源：背光與前光模組 高硬度膜：銀幕保護膜與抗反射膜 偏光板 ESD按键
電磁波的穿透（材料別）
當電磁波接觸某一材質，其頻率若與此 材質之電子的固有振動頻率相同時，則 電磁波將與該材質之電子產生共振，如 此則該材料原子保有電磁波給予的能量 時間長，此電磁波當會被吸收。當頻率 小於固有振動頻率時（一般塑殼即是）， 則共振情況不產生，材料原子保有電磁 波給予的能量時間短，並把能量釋出形 成透射光；此即電磁波穿透的由來.
超声波清洗工艺流程
热浸洗 → 超声波粗洗 → 超声波精洗 →喷 淋→ 超声波漂洗 → 压缩空气吹干 → 热风 烘干等过程。
以上工艺可据产品结构及表面清洁度作调 整。
超声波清洗注意事项
超声波功率密度：功率密度越高,空化效果越强，清洗效果越好, 清洗速度越快。对于难清洗的工件宜采用大功率密度，对于精密 工件宜采用小功率密度。
制程短 夹具使用少 镀层跟选用之金属有关 不选用镍金属则膜层不含镍 绝对符合EN12472的测试及标准
属于物理变化 基材及原料之性质不改变，但基材 易变形
制程与溅镀一样 夹具较复杂 镀层跟选用之金属有关 不选用镍金属则膜层不含镍 绝对符合EN12472的测试及标准
污染少 使用原材皆经过SGS认证 符合TCO-99, ECO-99
EMI 問題的對策
R（反射屏蔽效果）
R ＝ 168 - 10 log（fμ/σ)
反射屏蔽效果僅與鍍膜材料（導電率 與導磁率）、電磁波頻率有關，而與 鍍膜厚度無關；其大小約介於 108 – 78 d B 之間
EMI 問題的對策
B（修正項）：
修正項一般均為負值，與膜厚、頻率 材質、膜質均有相關，不容易由理論 求得，需實際量測
真空濺鍍的應用
光通訊產品： 被動元件：薄膜電容、電阻與電感 無線天線 光儲存、光輸出入 光柵 DWDM 發光元件、受光元件
真空濺鍍的應用
特殊產品： 臭氧除菌膜 薄膜電池 觸媒轉換器 真空封裝
真空濺鍍的應用
其他產品： 超高硬度工具：鑽石鑽頭 隱形鍍膜 檢知器 光學鏡頭 防霧玻璃