大气压等离子体加工技术研究

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大气压氧气中稳定形态气液放电等离子体特性研究

大气压氧气中稳定形态气液放电等离子体特性研究

第59卷第2期2019年3月大连理工大学学报J o u r n a l o fD a l i a nU n i v e r s i t y o f T e c h n o l o g yV o l .59,N o .2M a r .2019文章编号:1000-8608(2019)02-0118-06大气压氧气中稳定形态气液放电等离子体特性研究冯 静, 杨德正*, 张 丽, 王 森, 袁 皓, 赵紫璐, 周雄峰, 王文春(大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,辽宁大连 116024)摘要:通过在放电回路中连接电容来控制放电电荷数目并得到稳定的氧等离子体.利用测量的电压电流波形和放电图像的变化分析了放电模式在不同应用电压下的转化过程.根据等离子体发射光谱计算了各种活性物种的发射光谱强度,模拟了等离子体气体温度㊁振动温度的变化过程.结果表明:随着应用电压的增加,等离子体放电模式在电压正半周明显地从流光放电转化为辉光放电最后转化为弧光放电,在电压负半周从电晕放电转化为弧光放电.在放电回路中加入电容可以限制单次放电的电荷数目,提高放电的稳定性.与放电模式的转化相对应,等离子体的气体温度先增加后不变.关键词:气液放电;氧等离子体;电容;模式转化;温度中图分类号:T P 319;O 242.2文献标识码:Ad o i :10.7511/d l l gx b 201902002收稿日期:2018-04-11; 修回日期:2019-01-11.基金项目:国家自然科学基金资助项目(51407022,51677019,51377014);国家重点研发计划项目(2016Y F C 0207200).作者简介:冯静(1995-),女,硕士生,E -m a i l :z i p u t a o f e n g @ma i l .d l u t .e d u .c n ;杨德正*(1984-),男,博士,副教授,硕士生导师,E -m a i l :y a n gd z @d l u t .e d u .c n .0 引 言大气压放电等离子体具有电子温度高和活性物种密度大等特点,能够采用一些非传统的软材料作为电极,例如塑料㊁生物组织㊁水溶液等,可以广泛应用于材料表面改性㊁生物医学㊁杀菌消毒以及纳米颗粒制备,等离子体处理饮用水技术就是在这个基础上发展起来的[1-4].与常规等离子体水处理技术相比,气液放电等离子体的优势在于等离子体与水溶液直接接触发生复杂的物理化学过程并产生大量的活性物种,水溶液使得活性物种更容易扩散,在扩散过程中还会产生新的活性物种.常见的活性物种主要包括活性氮基团(R N S)和活性氧基团(R O S ),为了产生这两种活性基团常用的工作气体主要为含氮和含氧气体[5-7].氮气放电等离子体会产生具有强氧化性的过氧亚硝酸(O N O O H ),但是同时也会产生难以分离出来的硝酸根离子(N O -3)和亚硝酸根离子(N O -2)[8-9],还会改变溶液的p H.放电产生的副产物对处理结果有很大的影响,L u k e s 等[10]研究了空气气液放电等离子体产生的硝酸㊁亚硝酸对液体的二次污染过程.随着放电时间的延长,上述副产物并没有减少,反而持续增加.在饮用水处理中要避免这种二次污染的产生就要避免使用氮气作为工作气体.氧气放电等离子体会产生强氧化性的羟基自由基O H 和氧原子O ,在杀菌消毒方面具有显著效果[1].但是氧气作为一种电负性气体,在放电初始阶段会吸附雪崩电子,造成放电的起始电压升高,在放电过程中又会吸收低能电子,使得电子的平均能量升高,影响放电的稳定性,使放电容易向热不稳定形态转化.虽然氧气放电等离子体会产生羟基自由基O H ,但是O H 会被氧气放电等离子体产生的O ㊁O 3等大量猝灭,不利于光谱的测量,不稳定的放电同时也会影响光谱测量[11].在W a n g 等[12]㊁S h i 等[13]的研究过程中发现:放电等离子体会在无外加磁场和热场的条件下产生放电模式转变,同时改变等离子体的相关特性.在本文实验中,以氧气作为工作气体,采用针-水电极结构,得到一种稳定可控的气液放电氧等离子体.电容能够限制单次放电的电荷数目,所以通过在放电回路中加入合适的电容来抑制放电的不稳定性.在实验过程中,随着外加电压的变化,等离子体产生明显的放电模式转变.本文对放电模式转变过程的电学特性和光学特性进行测量和分析.根据等离子体的发射光谱对活性物种的发射光谱强度进行计算,对等离子体的气体温度进行模拟.1 实验方法实验装置如图1所示,主要分为等离子体发生器㊁电容(75p F ,快速充放电脉冲电容)㊁配气系统㊁交流电源㊁电学探测系统和光学探测系统.等离子体发生器包括一个倒置的带进气支管的石英漏斗,漏斗距离下边3m m 处均匀分布6个直径2m m 的出气孔.漏斗上高压端放置一个白钢针电极与漏斗密封,下端接地的一圆形板电极也与漏斗密封.等离子体发生器底部放置在水中使液体进入容器内部.实验主要使用的工作气体为氧气(O 2),流速为20m L /m i n ,部分实验数据的测量需要混合10%的氮气(N 2),流速不变,通过质量流量控制计控制.实验中的电学探测系统主要包括高压探头1(H V -P 60,2000ʒ1,1000MΩ,5p F )㊁高压探头2(T e k t r o n i xP 6015-A ,1000ˑ,3.0p F ,100MΩ)㊁电流探头(P e a r s o n 电流传感器,型号4100)和示波器(T e k t r o n i x T D S 5054,500MH z ).高压探头1和2分别连接在电容两端,测量的电压信号分别为等离子体的应用电压和气体电压.光学探测系统包括光纤探头㊁单色仪(2400l i n e s /m m ,300n m ;1200l i n e s /m m ,500n m )㊁C C D 相机(N e w t o n D U 940P -B V )和计算机.图1 气液放电等离子体实验装置图F i g .1 T h e s c h e m a t i c o f e x p e r i m e n t a l s e t u p fo r g e n e r a t i o n o f g a s -l i q u i dd i s c h a r ge p l a s m a 2 结果与分析2.1 放电图像和电学特性图2是在不同的应用电压下,气液放电氧等离子体的应用电压㊁气体电压和放电电流的波形图以及相应的放电图像.电流波形的显著变化表明在这个过程中存在着不同的放电模式转变.由于电极结构的不对称导致了正㊁负半周电流波形的不对称.不同的电流变化方式意味着放电模式转变的过程在正㊁负半周也不同,所以把它们分开讨论.对正半周,在较低的应用电压下(图2(a)),气体间隙呈现间歇性的击穿,即并不是每个周期都有放电发生.这主要是由于参与放电的电荷受串联到放电回路中电容的限制.应用电压较低时,电容存储电荷数量较少,当达到临界值,电荷快速释放,气体电压急剧下降.随着应用电压的升高,电容存储电荷数量增多,放电逐渐分布到每个周期之中.在每半个周期内,放电的时间在电压达到本周期的峰值之前.气体电压在击穿的瞬间下降到零以下,放电被过零熄灭,此时放电属于典型的流光放电(图2(b )).这种放电模式是由单电子雪崩引起的,是一种放电的丝带通道.如果在流光放电的基础上增加电极上的电压,电子雪崩就会继续发展,到一定程度之后,流光放电就会向火花放电过渡(火花放电是一种不均匀且不稳定的放电).电路中的电容能够控制电荷释放的数量,使得放电不向火花放电发展.此时电极间的剩余电荷数目不足以维持放电的继续进行和放电模式的转化.随着应用电压和注入功率的继续增加,正半周期的电流峰值出现了明显的下降(毫安量级).电流相同的陡峭上升沿,表明此时的放电和低电压时的击穿机制类似.同时电流的持续时间增加到了微秒量级(8.28μs),这是因为等离子体在首先通过流光通道击穿后,由电压升高带来的电荷量增加可以进一步维持放电.此时放电已经从流光放电模式转化为辉光放电模式了,同时放电形态也由丝状的电离通道转变成了弥散的辉光形式.应用电压的变化不明显是因为在辉光放电模式,空间电荷的效应更加明显,如图2(c )所示.随着应用电压峰-峰值的进一步增加,如图2(d )所示,在每个周期内将存在更多的放电模式.气体电压的峰值下降到了2.93k V.这种低电压高电流密度的放电模式是很明显的弧光放电.这种转变的一个原因是因为电极两端电压的增加使得等离子体中正离子的能量增加,正离子轰击阴极使阴极温度升高,导致释放出的电荷数目增多,电流密度增加.911 第2期冯静等:大气压氧气中稳定形态气液放电等离子体特性研究(a )应用电压峰-峰值9.24kV (b )应用电压峰-峰值6.56kV(c )应用电压峰-峰值11.36kV(d )应用电压峰-峰值16.96k V图2 不同应用电压下的放电图像和电压电流波形图F i g .2 D i s c h a r g e i m a g e s a n dw a v e f o r m s o f v o l t a g e a n d c u r r e n t f o r d i f f e r e n t a p p l i e dv o l t a ge s 对负半周,在电压较低时,负半周产生的放电模式为负电晕放电.对于针-水电极这种两电极曲率半径相差特别大的电极结构,当曲率半径小的那一个电极为阴极时,就会在这一极产生负电晕放电.这种放电的发展较为缓慢,所以一直到应用电压峰-峰值为16.96k V 之前,负半周的电流峰值相比较正半周都很小.随着应用电压增加,电晕放电向阳极发展,放电通道与阳极光致电离产生的放电相接通,累积在电极两端的电荷迅速释放,转变成弧光放电.2.2 发射光谱等离子体中的高能电子会与氧气分子O 2和水分子H 2O 碰撞,产生大量激发态的自由基和原子等活性物种,可以通过发射光谱技术探测到.图3图3 气液放电等离子体的发射光谱图F i g .3 T h e o p t i c a l e m i s s i o n s p e c t r a o f g a s -l i q u i dd i s c h a r ge p l a s m a 021大连理工大学学报第59卷为气液放电氧等离子体的发射光谱图,波长范围从200~900n m.放电产生的发射光谱主要由羟基自由基O H (A 2ΣңX 2Π)的谱带(最大强度在309n m )㊁氧原子O (3p 5Pң3s 5S ,777n m )的谱线㊁氢原子的α线系(656n m )和β线系(486n m )组成.在这些活性物种中,羟基自由基O H 和氧原子O 属于活性氧基团,能破坏细胞壁,具有杀菌消毒的作用[1].实验中测量了不同应用电压时的发射光谱,并计算了活性物种的发射光谱强度.图4是在不同应用电压下,O H 和O 的发射光谱强度.随着应用电压的增加,O 的发射光谱强度先减小后增大,但是变化的范围大.与氧原子O 不同,O H 自由基的发射光谱强度则先逐渐增大,在应用电压大于18k V 后保持在同一水平.气液放电等离子体中的O H 主要产生在气相和液相的交界处,反应方程式为[14]e -+H 2OңH+O H+e -(1)e -+H 2OңH -+O H(2)O+H 2Oң2O H(3)O H 自由基主要由电子和氧原子O 与水分子H 2O 的碰撞产生,这些反应的反应速率与等离子体的气体温度成正比.图4 不同应用电压下的羟基自由基O H (A -X )(302~328n m )和氧原子O (777n m )的发射光谱强度F i g .4 O pt i c a l e m i s s i o n i n t e n s i t i e so fO H (A -X )(302-328n m )a n d O (777n m )a s af u n c t i o no f a p p l i e dv o l t a ge 2.3 等离子体温度大气压非平衡等离子体的转动能级间隔较小,易与平动能级达到平衡,等离子体的转动温度T r 可近似认为与气体温度T g 相等[15].利用L i f b a s e 软件,根据自由基O H (A -X )的发射光谱线形可以模拟出等离子体的转动温度[16-17].但是对于气液放电等离子体,放电产生的O H (A )态的转动能级分布与形成过程有关,它的转动温度并不是一个热力学温度,不满足玻尔兹曼分布,不能用来计算气体温度[18].为了得到正确的等离子体温度,在工作气体中通入10%的氮气N 2,以获得N 2(C 3Πu ңB 3Πg ,Δν=1,2,3)的发射光谱[19-21].模拟N 2(C 3Πu ңB 3Πg ,Δν=1,2,3)的转动温度近似等于等离子体的气体温度,需要满足两个假设[21]:N 2(B 1Σ+g )+e ңN 2(C 3Πu )+e (4)τr t =1/Z r t (1010300p/T )(5)首先,氮分子N 2(C 3Πu )态由N 2(B 1Σ+g )态直接碰撞激发.转动能级和平动能级的平衡弛豫时间τr t 与氮分子N 2(B 1Σ+g )有关,其中,Z r t 是氮分子N 2(B 1Σ+g )态的有效碰撞次数;p 为压强,101325P a ;T 为热力学温度,K.利用S pe c a i r 软件可以模拟计算等离子体的转动温度T r 和振动温度T v .图5是N 2(C 3Πu ңB 3Πg ,Δν=2)跃迁光谱的模拟线形与实验线形的对比图,应用电压为15.84k V.图6是通过这种方法得到的振动温度和转动温度随着应用电压的变化趋势.随着应用电压的增加,振动温度的变化不明显.转动温度随着应用电压的增加而增加,从800K 增加到2000K ,在放电模式转变时增加的程度更大.图5 N 2(C 3Πu ңB 3Πg ,Δν=2)发射光谱的模拟谱带和实验谱带的对比F i g .5 T h e c o m pa r i s o nb e t w e e n t h e m e a s u r e d a n d s i m u l a t e de m i s s i o n s p ec t r ab a nd s o fN 2(C 3Πu ңB 3Πg ,Δν=2)在同一放电模式内,电场的增强使得粒子热运动的剧烈程度增加,温度升高.应用电压增加导致的放电模式转变使得等离子体的放电区域和带电粒子数目增加,带电粒子数目增加和热运动剧烈程度增加这两个原因导致等离子体的温度进一步增加.O H (A -X )的发射光谱强度变化趋势与等离子体气体温度的变化趋势一致,都随着电压增121 第2期冯静等:大气压氧气中稳定形态气液放电等离子体特性研究加和放电模式的转变增加,直到放电转变为弧光放电后保持稳定.图6 不同应用电压下振动温度和转动温度的变化趋势F i g .6 T h e v i b r a t i o n a l a n dr o t a t i o n a l t e m pe r a t u r e s v a r y i n g a s af u n c t i o no f a p p l i e dv o l t a ge 3 结 语本文通过在放电回路中加入电容控制单次放电的电荷数目,得到了稳定可控的交流气液放电氧等离子体.通过增加应用电压的方式可以得到不同模式的放电,对其电学特性和光学特性进行了诊断测量.通过放电照片和电压电流波形图可以分析放电的模式转变类型和变化过程.由于电极的不对称性,放电的模式转变在正负半周也不对称.正半周的放电模式转变过程为从流光放电到辉光放电最后变成弧光放电,负半周则是从电晕放电转变到弧光放电.利用发射光谱法对放电产生的活性物种进行了测量,气液放电氧等离子体中含有丰富的羟基自由基O H ㊁氧原子O 和氢原子H ,其中O H 在应用电压为18k V 时达到了极值.利用S p e c a i r 软件对N 2(C 3Πu ңB 3Πg ,Δν=2)的发射光谱进行了模拟,得到了等离子体的振动温度和气体温度.随着应用电压的增加和放电模式的转变,带电粒子的数目增加,粒子运动的剧烈程度增加,等离子体的气体温度从800K 增加到2000K.参考文献:[1]Y A N GD e z h e n g,J I A L i ,WA N G W e n c h u n ,e t a l .A t m o s p h e r i c p r e s s u r e g a s -l i qu i dd i f f u s en a n o s e c o n d p u l s e d i s c h a r g eu s e d f o r s t e r i l i z a t i o n i n s e w a ge [J ].P l a s m aP r o c e s s e sa n dP o l y m e r s ,2014,11(9):842-849.[2]G O D B .A t m o s p h e r i c -pr e s s u r ei o n i z a t i o n :N e w a p p r o a c h e sa n da p pl i c a t i o n sf o r p l a s m a si nc o n t a c t w i t hl i q u i d s [J ].J o u r n a lo f P h ys i c s :C o n f e r e n c e S e r i e s 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l o g y,2015,24(2):025001.221大连理工大学学报第59卷[13]S H IJJ ,K O N G M G.M o d et r a n s i t i o ni nr a d i o -f r e q u e n c y a t m o s p h e r i ca r g o n d i s c h a r g e s w i t h a n d w i t h o u t d i e l e c t r i c b a r r i e r s [J ].A p p l i e d P h ys i c s L e t t e r s ,2007,90(10):101502.[14]R O E S E L O V A M ,V I E C E L I J ,D A N GLX ,e t a l .H y d r o x ylr a d i c a la tt h e a i r -w a t e ri n t e r f a c e [J ].J o u r n a lo ft h e A m e r i c a n C h e m i c a lS o c i e t y ,2004,126(50):16308-16309.[15]L U O S i qi ,D E N N I N G C M ,S C HA R E R J E .L a s e r -r f c r e a t i o n a n d d i a g n o s t i c s o f s e e d e d a t m o s p h e r i c p r e s s u r e a i r a n dn i t r o g e n p l a s m a s [J ].J o u r n a l o fA p p l i e dP h y s i c s ,2008,104(1):013301.[16]L U Q U EJ ,K R A U S M ,WO K A U N A ,e t a l .G a st e m p e r a t u r e m e a s u r e m e n ti n C H 4/C O 2d i e l e c t r i c -b a r r i e rd i s c h a r ge s b yo pt i c a l e m i s s i o ns p e c t r o s c o p y [J ].J o u r n a l o f A p p l i e dP h ys i c s ,2003,93(8):4432-4438.[17]D E I Z A R R A C .U V O H s pe c t r u m u s e d a s a m o l e c u l a r p y r o m e t e r [J ].J o u r n a lof P h ys i c s D :A p p l i e dP h ys i c s ,2000,33(14):1697-1704.[18]B R U G G E MA N P ,S C H R AM D C ,K O N G M G ,e t a l .I s t h e r o t a t i o n a l t e m p e r a t u r e o fO H (A -X )f o r d i s c h a rg e si n a n di n c o n t a c t w i t hl i q u i d sa g o o d d i a g n o s t i c f o r d e t e r m i n i n g th e g a s t e m p e r a t u r e ?[J ].P l a s m aP r o c e s s e sa n dP o l ym e r s ,2009,6(11):751-762.[19]L A U XCO ,S P E N C ETG ,K R U G E RC H ,e t a l .O p t i c a l d i a g n o s t i c s o f a t m o s ph e r i c p r e s s u r e a i r pl a s m a s [J ].P l a s m a S o u r c e s S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y,2003,12(3):125-138.[20]MA C HA L A Z ,J A N D A M ,H E N S E L K ,e ta l .E m i s s i o n s p e c t r o s c o p y o f a t m o s ph e r i c p r e s s u r e pl a s m a s f o r b i o -m e d i c a l a n d e n v i r o n m e n t a la p p l i c a t i o n s [J ].J o u r n a l o fM o l e c u l a r S p e c t r o s c o p y ,2007,243(2):194-201.[21]E V A N S M DG ,S A I N C TFP ,A R I S T I Z A B A LF ,e ta l .D e v e l o pm e n to fa n a n o s e c o n d p u l s e d HV a t m o s p h e r i c p r e s s u r e p l a s m a s o u r c e :p r e l i m i n a r ya s s e s s m e n t o f i t s e l e c t r i c a l c h a r a c t e r i s t i c s a n d d e g r e e o ft h e r m a ln o n e q u i l ib r i u m [J ].J o u r n a lo fP h ys i c s D :A p p l i e dP h ys i c s ,2015,48(25):255203.S t u d y o f c h a r a c t e r i s t i c s f o r s t a b l e g a s -l i q u i dd i s c h a r ge p l a s m a i no x y g e na t a t m o s ph e r i c p r e s s u r e F E N G J i n g , Y A N G D e z h e n g *, Z H A N G L i , W A N G S e n ,Y U A N H a o , Z H A O Z i l u , Z H O U X i o n g f e n g, W A N G W e n c h u n (K e y L a b o r a t o r y o fM a t e r i a l sM o d i f i c a t i o nb y L a s e r ,I o na n dE l e c t r o nB e a m s ,M i n i s t r y o f E d u c a t i o n ,D a l i a nU n i v e r s i t y o f T e c h n o l o g y,D a l i a n 116024,C h i n a )A b s t r a c t :As u i t a b l e c a p a c i t o rw a s e m p l o y e d i n t h ed i s c h a r g e c i r c u i t t o q u a n t i f y t h e c h a r gen u m b e r a n d g e n e r a t eas t a b l ed i f f u s i o n o x y g e n p l a s m a .D y n a m i ce v o l u t i o n o fe l e c t r i c a lc h a r a c t e r i s t i c so f v o l t a g e a n d c u r r e n tw a v e s a n dd i s c h a r g e i m a g e sw e r em e a s u r e d t o i n v e s t i g a t e t h e d i s c h a r gem o d e s a n d t h e i r t r a n s i t i o n s w h e nt h ed i s c h a r g e p a r a m e t e ro fa p p l i e d v o l t a g e w a sc h a n ge d .T h e p l a s m a g a s t e m p e r a t u r e ,v i b r a t i o n a l t e m p e r a t u r ea n de m i s s i o n i n t e n s i t y of e x c i t e da c t i v es p e c i e sw e r ec a l c u l a t e d a n d s i m u l a t e d b y o p t i c a l e m i s s i o n s p e c t r a .I t i s f o u n d t h a t a n o b v i o u s t r a n s i t i o n f r o ms t r e a m e rm o d e t og l o w m o d e a n dth e nt oa r cm o d ei nas i n g l ev o l t a g e p o s i t i v eh a l f c y c l ea n da n o t h e rm o d e t r a n s i t i o n f r o mc o r o n a m o d et oa r c m o d ei nn e g a t i v eh a l fc y c l ea r e g e n e r a t e d w i t ht h ei n c r e a s i n g o fa p p l i e d v o l t a g e .T h e c a p a c i t o r a d d e d i nd i s c h a r g e c i r c u i t c a n r e g u l a t e t h e r e l e a s i n g q u a n t i t y of e l e c t r o n i no n c e d i s c h a rg et oi m p r o v eth edi s c h a r g es t a b i l i t y .F u r t h e r m o r e ,c o r r e s p o n d i n g w i t ht h et r a n s i t i o n so f d i s c h a r g em o d e s ,t h e p l a s m a g a s t e m pe r a t u r e i n c r e a s e sf i r s t a n d t h e n r e m a i n s s t a b l e .K e y wo r d s :g a s -l i q u i dd i s c h a r g e ;o x y g e n p l a s m a ;c a p a c i t o r ;m o d e t r a n s i t i o n ;t e m p e r a t u r e 321 第2期冯静等:大气压氧气中稳定形态气液放电等离子体特性研究。

用于材料表面处理的大气压等离子体射流技术研究进展

用于材料表面处理的大气压等离子体射流技术研究进展

用于材料表面处理的大气压等离子体射流技术研究进展刘轩东,任 蔷,何红庄,孙 昊(西安交通大学电气工程学院,西安710049)摘 要:大气压等离子体射流阵列可以在开放的空间中灵活㊁高效地产生低温等离子体,被认为是实现等离子体射流技术大面积应用最有效的手段之一㊂研究表明,大气压等离子体射流阵列在材料表面改性和薄膜沉积等方面具有广阔的应用前景㊂但由于阵列各个单元之间复杂的相互作用,导致等离子体阵列存在着各基本单元放电不一致和下游作用面不均匀等问题,会严重影响材料表面处理的效率㊂本文综述了近年来大气压等离子体射流阵列的研究进展及其应用,主要包括大气压等离子体射流阵列的电极结构及放电特性,并详细介绍了在改善大气压等离子体射流阵列放电一致性和下游作用面均匀性方面的最新研究成果㊂关键词:等离子体射流;大气压;阵列;材料表面处理;电极结构中图分类号:T N 136 文献标志码:A D O I :10.12061/j.i s s n .20956223.2020.040401P r o g r e s s i n A t m o s p h e r i c -P r e s s u r e P l a s m a J e t A r r a yT e c h n o l o g y fo r M a t e r i a l S u r f a c e T r e a t m e n t L I U X u a n -d o n g R E N Q i a n g H E H o n g -z h u a n gS U N H a o S c h o o l o f E l e c t r i c a l E n g i n e e r i n g X i a n J i a o t o n g U n i v e r s i t yX i a n 710049 C h i n a收稿日期:20200615;修回日期:20200908基金项目:强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(S K L I P R 1907)作者简介:刘轩东(1981- ),男,四川巴中人,副教授,博士,主要从事高功率脉冲源㊁气体放电及等离子体技术研究㊂E -m a i l :l i u x u a n d @x jt u .e d u .c n A b s t r a c t I t i s c o n s i d e r e d t h a t a t m o s p h e r i c p r e s s u r e p l a s m a j e t a r r a y c a n g e n e r a t e l o w t e m pe r a t u r e p l a s m af l e x i b l y a n d e f f i c i e n t l y i n o p e n s p a c e I t i s o n e o f t h e m o s t e f f e c t i v e m e t h o d s f o r a c h i e v i ng l a r ge s c a l e a p p l i c a t i o n s of p l a s m a j e t t e c h n o l og y Th e r e s u l t s s h o w t h a t t h e a t m o s ph e r i c p r e s s u r e p l a s m a j e t a r r a y h a s a w i d e a p p l i c a t i o n s p r o s p e c t i n s u r f a c e m o d i f i c a t i o n a n d t h i n f i l m d e po s i t i o n H o w e v e r d u e t o t h e c o m p l e x i n t e r a c t i o n s b e t w e e n t h e e l e m e n t s o f t h e a r r a y t h e p l a s m a a r r a y h a s t h e pr o b l e m s o f i n c o n s i s t e n t d i s c h a r g e o f t h e j e t s a n d u n e v e n n e s s o f t h e d o w n s t r e a m s u r f a c e w h i c h g r e a t l ya f f e c t t h e e f f i c i e n c y o f m a t e r i a l s u r f a c e t r e a t m e n t I n t h i s p a p e r t h e r e s e a r c h p r o g r e s s a n d a p pl i c a t i o n s t a t u s o f a t m o s p h e r i c p r e s s u r e p l a s m a j e t a r r a y a r e r e v i e w e d i n c l u d i n g e l e c t r o d e s t r u c t u r e a n d d i s c h a r g e c h a r a c t e r i s t i c s T h e l a t e s t r e s e a r c h r e s u l t s o n i m p r o v i n g t h e d i s c h a r g e i n c o n s i s t e n c y of a t m o s p h e r i c p r e s s u r e p l a s m a j e t a r r a y a n d u n i f o r m i t y of d o w n s t r e a m s u r f a c e a r e i n t r o d u c e d K e yw o r d s p l a s m a j e t a t m o s p h e r i c p r e s s u r e a r r a y m a t e r i a l s u r f a c e t r e a t m e n t e l e c t r o d e s t r u c t u r e 1-104040第11卷第4期2020年12月现代应用物理MO D E R N A P P L I E D P H Y S I C SV o l .11,N o .4D e c .2020大气压等离子射流技术是近20年来的一个研究热点,其原理是使介质阻挡放电产生的等离子体在电场和外加气场的共同作用下从产生区域喷出,在外界大气压下朝着指定的方向行进,从而形成等离子体射流[1]㊂该技术具有温度低㊁化学活性高㊁可控性好㊁表面处理操作简单㊁成本低廉㊁无废弃物及无污染等显著优点,特别是用于一些温度敏感材料(如生物材料)及形状复杂工件的表面处理时,已显示出独特的应用优势㊂随着对大气压等离子体射流技术的深入研究,该技术在材料表面处理及聚合物薄膜沉积等方面正发挥着越来越重要的作用,应用范围越来越广[28]㊂然而,目前大气压等离子体射流源的直接作用面积通常小于1c m 2,还不能满足大面积材料表面处理的需求[7]㊂为提高射流技术处理材料表面的效率,研究人员提出了等离子体射流阵列的设想,即由若干间距极近的射流单元组成射流阵列,以增加等离子体射流的作用面积㊂近几年来,等离子体射流阵列研究主要集中在扩大等离子体射流阵列的作用面积和增强下游作用面的均匀性等方面㊂本文介绍了大气压等离子体射流阵列的典型结构㊁羽流特性和电气特性,讨论了等离子体射流阵列在材料表面处理方面的应用现状和发展趋势,分析了未来需要关注和解决的焦点问题㊂1大气压等离子体射流阵列的结构大气压等离子体射流阵列是将多个基本射流单元按照1维或2维结构进行排列[2],阵列基本单元的结构与单个射流装置的结构类似㊂单电极结构主要包括针电极和环电极,针电极结构又分为实心针电极结构和空心针电极结构,后者也称为毛细管结构[5]㊂图1为针电极射流单元的2种典型结构示意图㊂图1针电极射流单元的2种典型结构示意图F i g .1D i a g r a m o f t w o t y pi c a l s t r u c t u r e s o f t h e n e e d l e e l e c t r o d e p l a s m a je t 双电极结构主要有针环电极㊁环环电极㊁针板电极㊁环板电极和微腔结构电极等[4]㊂已有大量研究资料表明,与单电极结构相比,双电极结构放电更加稳定,且高压电极为针电极时放电最为稳定[5]㊂大气压等离子体射流阵列按照排列方式可分为1维阵列和2维阵列㊂1维阵列的结构一般是采取多个基本射流单元沿一个方向水平排列㊂C a o 等用铜箔作为高压电极包裹介电管,在激励电源频率为30k H z 和气体流量为4L ㊃m i n -1下产生了稳定的大气压1维射流阵列[9]㊂随后,C h e n 等设计了4管1维阵列,每个基本单元采用铜丝作为高压电级,氯化钾溶液作为地电极直接与介电层接触,产生了更加均匀的等离子体射流[10]㊂K i m 等采用针板电极结构,用频率为50k H z 的双极性脉冲电源激励阵列放电,产生了16管1维射流阵列[11],如图2所示㊂针对针电极产生羽流的特点,K i m 将每个射流单元的管口设计为锥形,以减少外界因素对射流的干扰㊂图216管1维射流阵列结构[11]F i g .2A 16-c h a n n e l 1D a r r a ys t r u c t u r e [11]L i 等用直流电源作为阵列的激励电源[12],使用3根直径为1mm 的钨棒作为高压电极,将其放在距离水面一定距离的线上,用自来水作为液体地电极,在下游区域产生了十分均匀的等离子体㊂方志等采用5个基本单元并联的1维阵列结构,在交流激励电源频率分别为22k H z 和20k H z 时通入纯氩气或一定比例的氩气与六甲基二硅醚(HM D S O )的混合气体,均产生了放电稳定的射流阵列[13]㊂通常,1维阵列用作等离子幕 ,对下游样品的处理需要通过阵列或样品扫描才能实现㊂为进一步增加阵列的作用面积,研究人员设计了2维阵列,并根据实际需要提供不同的2维排列方案㊂牛俊博最早尝试研究2维大气压等离子体射流阵列[7],在20世纪90年代末实现了60H z 下的3ˑ3大气压等离子体阵列㊂但该阵列具有较高的气体温度,并不适合于低温等离子体应用㊂随后,在2002年,H u b i c k a 等使用千赫级的高频交流电源实现了3ˑ3大气压热等离子体射流阵列[14]㊂C a o 等设计了7管蜂窝状等离子体阵列[15],该阵列的基本单元采用环板电极,2-104040第11卷现 代 应 用 物 理以纯氦为气体介质在10k H z 交流激励电压下产生了相对稳定的射流阵列㊂此后,研究人员主要通过增加等离子体基本单元的数量来增大等离子体阵列的作用面积,有的阵列多达45个单元㊂H u 等分别使用不同形式的高压脉冲电源激励3管2维阵列放电[16],并测试了该阵列的电气特性㊂方志等使用高频交流激励电源先后在氩气和氦气中实现了7管蜂窝状射流阵列[17],该阵列的基本单元均采用环板结构,通过改变气体流速和射流单元之间的间距,成功实现了阵列的一致性㊂为优化2维阵列的放电特性,很多学者提出了改善阵列结构的设计方案㊂K i m 等提出通过增加外管的数量将更多的带电粒子引入中心等离子体羽流的设计方案[18],其设计的2种类蜂巢状阵列结构如图3所示㊂图3左侧结构由7个内径为1m m ㊁外径为2m m 的石英管围绕一个内径为2m m ㊁外径为3m m 的石英管组成2维蜂窝状阵列;图3右侧结构中,用空心光纤制作的14个内径为200μm ㊁外径为700μm 的射流单元围绕一个内径为1m m ㊁外径为2m m 的中心射流单元㊂所有射流单元均采用环板电极结构㊂研究表明,随着外管数量的增加,等离子发射强度增大㊂与单管等离子体射流装置相比,阵列受频率的影响更大㊂但是,该方案只在射流单元间距极小时有效㊂图32种类蜂巢式2维射流阵列结构[18]F i g .3T w o k i n d s o f h o n e y c o m b 2D j e t a r r a y st r u c t u r e [18]W u 等用10.5k H z 的交流激励电源实现了单孔直径为3.4μm 的蜂窝状大气压等离子体微孔阵列[19],如图4所示㊂图4微孔阵列结构[19]F i g .4M i c r o p l a s m a a r r a ys t r u c t u r e [19]此阵列采用氩气作为工作气体,在峰值电压为30k V 时,羽流的长度可达2c m ㊂通过氩谱线的斯塔克效应估计,该微孔阵列的电子密度高达8.0ˑ1016c m -3,比普通等离子体阵列的电子密度至少高1个量级㊂但此阵列相应的激励电压较高,在气体温度较低时会出现阵列严重不平衡现象㊂O c o n n o r㊁聂秋月等先后提出了融合型等离子体阵列结构㊂O c o n n o r 等提出的新型等离子体射流阵列[20],如图5所示㊂O c o n n o r 等在4个内径为2mm ㊁外径为4mm 的聚四氟乙烯(P T F E )管上安装单环高压电极,并将其排列成方形㊂各个管中心轴线间的距离为1c m ,将它们安装在一个内径为2c m ㊁外径为3c m ㊁长为13c m 的聚碳酸酯管的首端㊂将氦气作为工作气体,分别通过4个P T E E 管的首端通入,并利用聚碳酸酯管促进等离子体的融合㊂在每个高压电极上串联了限流电阻,以加强阵列放电的一致性㊂此阵列在直径为2c m 的空间内成功生成了均匀的低温等离子体羽流㊂但该阵列不能用来处理金属材料,在金属材料表面羽流会由面变为点㊂图5含有4个基本单元的融合阵列结构[20]F i g .5F u s e d a r r a y st r u c t u r e w i t h f o u r b a s i c u n i t s [20]L i 等采用空心针电极作为各放电基本单元的高压电极[21],并使5根高压电极紧密排列为蜂窝状,使用一个内径为7.5mm ㊁外径为10.2mm 的石英管将5根高压电极包裹起来,并在距离石英管口5mm 的地方放置接地铜环形成改进的针环阵列结构㊂采用氦气作为工作气体,并采取内㊁外路气流分别控制的方法,使得各放电单元的气体流场彼此弥合,在下游形成了强度适中的均匀等离子体作用面,其结构示意图如图6所示㊂3-104040刘轩东等:用于材料表面处理的大气压等离子体射流技术研究进展第4期(a )G e n e r a t o r (b )E l e c t r o s t a t i c p o t e n t i a l (c )M e t a l l i c s u r f a c e (d )D i e l e c t r i c (e )3D s u r f a c es t r u c t u r e d i s t r i b u t i o n(gr o u n d e d )s u r f a c e(m e t a l)图6中心为蜂窝状电极的融合阵列结构[21]F i g .6F u s e d a r r a y s t r u c t u r e w i t h a h o n e yc o m b e l e c t r ode a t t h e c e n t e r [21] 图6阵列的优点是放电强度大,在处理导电材料时性能较佳,处理效果更加均匀,而且更适合处理表面形状变化大的不规则物体㊂融合阵列的基本原理是在2维阵列的外围增加气体屏蔽装置减少外界环境对射流的影响,通过精确控制气体流量促进等离子体羽流的融合㊂此类阵列有望解决等离子体阵列在处理材料表面时出现的一系列问题,是目前研究的热点㊂2大气压等离子体射流阵列的基本特性射流阵列中的每个射流单元都会受到其他单元的电场和气流场的相互作用,这严重影响射流阵列的单元一致性和下游均匀性[2223]㊂C a o 等认为阵列中各个单元间的相互作用可导致等离子体羽流之间的发散或会聚㊂图7为2维大气压等离子体射流阵列的发光图像[15]㊂图72维大气压等离子体射流阵列的发光图像[15]F i g .7O p t i c a l i m a g e o f a 2D a t m o s ph e r i c p r e s s u r e p l a s m a j e t a r r a y[15]研究各个单元之间的相互作用,并在此基础上通过改变外界条件或阵列结构,增强阵列各个单元之间放电的一致性和等离子体下游工作区的均匀性,是目前大气压等离子体射流阵列研究中关注的重点㊂G h a s e m i 等通过快速拍摄技术观察频率为19k H z 的交流电源激励下的4管1维阵列[24],发现每个射流单元电流脉冲峰值出现的时间并不相同,且每个单元射流发展的速度会循环变化㊂G h a s e m i 等认为这是射流尖端在形成和起始阶段的库仑力相互作用的结果㊂B a b a e v a 等分别针对脉冲电源激励下的单㊁双及3管大气压等离子体1维阵列的放电特性开展了2维数值模拟[25],用公式推算了不同管间距下流场㊁电子碰撞电离项及电子密度等关键参数的演变及分布情况,认为射流单元之间存在着静电㊁流体动力和光电离的相互作用㊂当空气扩散到羽流中时,流体动力学中的相互作用可以促进各个单元的通道合并㊂随着射流单元之间的间距缩小,气流场开始合并,单元间距足够小的射流阵列,可以合并成单个等离子体羽流㊂阵列基本单元之间的相互作用受气体流速的影响较大,通过改变激励电源参数,如采用正极性放电,可以改变放电过程,为实现下游等离子体融合提供可能途径㊂K i m 等制作的1维射流阵列在脉冲电源驱动下出现了边缘管的羽流发散现象,这是由于不同单元产生的等离子体子弹间存在着静电排斥作用,图8给出了15管1维射流阵列的发光图像[11]㊂K i m 等通过I C C D 相机观察发现,由于不同单元的间距较大,等离子体子弹通过各自的气体通道传播而不会合并;在外加电压峰值大于5.5k V 时,射流的发展由子弹模式变为连续模式㊂此外,K i m 等还研究了脉冲电源激励下的阵列电特性随一系列因素的变化,所得结果均与高频交流电源激励下的结果类似㊂图815管1维射流阵列的发光图像[11]F i g .8O p t i c a l i m a g e o f a 15-c h a n n e l 1D j e t a r r a y[11]为提高阵列各个单元的放电一致性和下游作用面的均匀性,国内外学者主要从增加限流器件㊁改善阵列的外部条件(激励电源参数㊁气体流量等)和优化阵列结构3方面开展了研究㊂4-104040第11卷现 代 应 用 物 理由于缺乏限流装置,最早的大气压等离子体射流阵列存在着各个单元放电不一致的问题㊂大量研究表明,限流装置可以确保所有射流单元在处理3维物体时同时运作,对稳定1000k P a 以内的等离子体射流阵列至关重要㊂G h a s e m i 等通过在电路中串联限流电阻器大大提高了阵列的一致性[24],但串联电阻器会降低效率,G h a s e m i 等又提出了使用电容器替代电阻器的方案㊂图9是激励电源频率为19k H z 下的4管1维阵列在分别添加不同量值的电阻器和电容器时的电流峰值㊂由图9可见,与添加电阻器相比,添加电容器时整个回路拥有更高的放电电流峰值,且在实验中未观察到电容器会对阵列一致性产生影响㊂图9不同量值限流电阻和电容下的放电电流峰值[24]F i g .9M e a n p e a k c u r r e n t u n d e r v a r i o u s l i m i t i n gr e s i s t a n c e s a n d c a pa c i t a n c e s [24]G h a s e m i 等认为气体流速是影响阵列一致性的关键因素之一㊂图10为不同气体流速下的1维阵列发光图像[24]㊂由图10可见,在气体流速较低时,羽流之间存在着强烈的发散现象㊂(a )7L ㊃m i n -1 (b )5L ㊃m i n -1 (c )3L ㊃m i n-1图10不同气体流速下的1维阵列发光图像[24]F i g .10O p t i c a l i m a g e s o f a 1D a r r a y un d e r v a r i o u s ga s f l o w r a t e s [24]此外,激励电源的各项参数对大气压等离子体射流阵列的放电特性也有至关重要的影响㊂C a o 等认为,2维阵列各个单元的放电一致性对激励电源的频率十分敏感[15]㊂图11为不同频率下的7管2维等离子体阵列发光图像㊂由图11可见,当交流激励电流频率为5~10k H z 时,各个单元的发射强度比较一致,但在10k H z 以上,各个单元的发射强度一致性变差㊂激励频率分别为5,8,10,20,30k H z 时,不同单元的光发射强度极差分别为12.7%,12.0%,13.6%,31.3%,37.7%㊂C a o 等分析认为,不同的激励频率下,阵列的杂散电容不同,且外部电路中的等效阻抗也不同㊂在相对较低的激励频率下,表面电荷将有更多的时间在阵列的几何结构上重新分布,有助于提高射流阵列的一致性㊂2维阵列的最佳激励频率约为10k H z ㊂此外,C a o 等实现了反应化学空间影响范围高达48.6mm 2的等离子体射流阵列[15]㊂图11不同频率下的7管2维等离子体阵列发光图像[15]F i g .11O p t i c a l i m a g e s o f a 7-c h a n n e l 2D p l a s m a je t a r r a y a t v a r i o u s e x c i t a t i o nf r e qu e n c i e s [15]H u 等分别用射频脉冲及直流正脉冲功率源激励2维射流阵列放电,获得了平行羽流束和发散羽流束[16]㊂该研究结果证实了激励电源类型对等离子射流阵列放电特性具有较大影响㊂W a n g 等使用5管1维阵列验证了等离子体阵列的放电特性可以通过控制激励电源参数和气体流速进行调节[26]㊂研究表明,阵列的活性粒子浓度㊁放电电流密度及气体流速之间满足准线性规则,通过同时优化气体流速和电源参数,可以在相关区域获得具有适当气体温度和更好一致性的等离子体羽流㊂张波等使用纳秒脉冲源激励3管1维等离子体射流阵列放电,并研究了电压幅值㊁上升时间和重复频率对阵列一致性的影响[27]㊂结果表明,阵列中等离子体羽流的长度随激励电压的增加呈现先增加后饱和的趋势;上升时间是影响电子能量㊁离子能量和化学活性的重要参数,减小上升时间可以提升放电电流㊁放电能量和传输电荷;脉冲重复频率是影响射流阵列一致性的主要因素,增大重复频率可以提高羽流的长度和发光强度,但高重复频率脉冲激励下的射流阵列会出现中间管被抑制的现象,对于1维阵列,最佳重复频率为5k H z㊂最近,Q a i s r a n i 等搭建了基本单元为针电极结构的3管1维阵列[28],并使用直流脉冲电源供电,通过S c h l i e r e n 摄影技术研究了电源频率㊁电压和气5-104040刘轩东等:用于材料表面处理的大气压等离子体射流技术研究进展第4期体流速等参数对等离子体射流阵列气流场的影响㊂结果表明,电源频率和气体流速对阵列的气流场均有显著影响,这2个因素是引起气流从层流到湍流早期过渡的主要原因,其中,频率的影响更加明显㊂等离子体羽流尖端产生的波状羽流及发散现象会造成阵列不稳定㊂Z h o u 等对比了高频交流电源和纳秒脉冲电压激励下的3管1维等离子体阵列的放电特性[29]㊂结果表明,纳秒脉冲电源激励下的阵列更不易发散,羽流长度更长且效率更高,更适合进行材料的表面处理㊂在工作气体中混入其他气体是增加阵列各单元一致性的常用手段之一㊂Z h a n g 等通过精确调控氧气掺杂含量进一步提高了阵列的一致性[30]㊂方志等向3管1维阵列中通入氩气和六甲基二硅醚(HM D S O )的混合气体,研究了混合气体对阵列一致性的影响[13]㊂结果表明,HM D S O 气体的加入可有效抑制1维阵列相邻通道之间的排斥作用㊂众多研究表明,单纯改变外界因素无法彻底解决阵列一致性和均匀性问题,因此,学者们提出了改善传统阵列结构的新方法㊂为减少等离子体阵列各基本单元之间的相互影响,使各单元可以在很大程度上任意排列,提高阵列的应用价值,L i 等设计了一种新型阵列结构,如图12所示[31]㊂该结构包含1个高压管电极和1个由聚丙烯制成的瓶子㊂将高压电极嵌入瓶子中,并将高纯氦气送入瓶中㊂在瓶子下方开有直径为1m m 的孔,孔的个数和位置可以根据实际应用情况改变㊂在交流激励电源频率为20k H z ㊁电压峰值为8.5k V 时,各个孔中出现了强度一致的等离子体羽流㊂但该结构中2个孔之间的距离不能小于2.5m m ,否则临近羽流将彼此影响㊂图12一种新型的大气压等离子体阵列结构[31]F i g .12A n o v e l a t m o s ph e r i c p r e s s u r e p l a s m a j e t a r r a ys t r u c t u r e [31]W a n g 等认为,等离子体射流阵列各个单元之间放电不一致的根本原因是阵列电场分布不均匀[3233]㊂W a n g 等对基本单元为针环结构的3管1维阵列的研究表明,中间射流单元的电场强度显著低于侧边射流单元的电场强度,通过调整中间针电极和侧边针电极的相对位置,分别在工作气体为氦气和氩气时实现了阵列的放电一致性㊂但是,大气压等离子体射流阵列即使在各放电单元一致性良好㊁且阵列覆盖面积较大的理想工作条件下处理材料表面时,各个单元的羽流依然呈斑点状作用在材料上,难以均匀覆盖整个待处理表面区域㊂针对该问题,L i 等用直流电源作为列阵的激励电源,使用自来水作液体地电极,将3根直径为1mm 的钨棒作为高压电极放在距离水面一定距离的线上[12]㊂研究发现,在高压电极与水电极的间距足够大时,各电极之间的放电通道将从相互排斥转变为融合放电,解决了阵列放电的离散问题,图13为该装置在不同放电间隙下的放电图像㊂(a )6mm (b )11mm (c )17mm (d )20mm图13不同放电间隙下的放电图像[12]F i g .13D i s c h a r g e i m a g e s u n d e r d i f f e r e n t g a p wi d t h s [12]本文2节中介绍的2种新型融合阵列结构是为解决射流阵列喷射出的等离子体无法在下游工作区融合的问题而研制的[2021]㊂O C o n n o r 等提出的阵列原理是先利用外围气体屏蔽装置减少外界对羽流发展的影响,再进一步利用外围套管内表面上电荷的沉积和去除,使内表面变为电子源,促进射流向屏蔽管轴线方向传播[20]㊂针对外加气体屏蔽装置这种技术手段,L i 等对比了5管蜂窝状阵列在有无气体屏蔽装置下的放电情况[21]㊂实验证明,在大气压等离子体阵列外围添加合适体积的气体屏蔽装置,可以有效促进等离子体羽流融合,防止湍流发生㊂3大气压等离子体射流阵列的应用大气压等离子体射流阵列主要用于材料表面处理和薄膜沉积2个方面㊂目前,材料表面处理方面的应用研究主要集中在改善绝缘材料表面的憎水性㊂K i m 等利用2维蜂窝状等离子体射流阵列对表面附有Z n O 纳米层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(P E T )材料表面进行改6-104040第11卷现 代 应 用 物 理性,可使该材料的水接触角在30s内从111.23ʎ持续降低至8.70ʎ[34]㊂C h e n等用基本单元为针环结构的4管1维射流阵列作用于蚕丝蛋白薄膜(S F F),可使该薄膜表面的水接触角从71ʎ下降到16ʎ[10]㊂F a n g等使用基本单元为针环电极结构的5管1维阵列处理商用环氧树脂材料[35],在工作气体氩气中混入四甲基硅烷(TM S),研究了T M S体积分数对材料水接触角的影响㊂结果表明,处理后的环氧树脂材料的水接触角随着T M S体积分数的增加而增大,在T M S体积分数为0.04%㊁处理时间为300s时,可达到最佳处理效果,环氧树脂材料的水接触角从46ʎ增加至95ʎ㊂随后,L i u等利用7管蜂窝状阵列处理聚甲基丙烯酸甲酯(P MMA),工作气体仍采用氩气和T M S的混合气体[36]㊂结果表明,在T M S体积分数为0.04%时可达到最佳处理效果,处理时间为240s时,P MMA的水接触角从65ʎ增加到最大值115ʎ㊂通过分析材料能谱,L i u等认为,P MMA材料表面憎水性的改善归因于生成的S i-O-S i薄膜㊂C u i等设计了3管1维阵列,并利用氩气和T M S的混合气体改善玻璃的憎水性[37]㊂结果表明,T M S体积分数为0.04%时可达到最佳处理效果,在处理时间为240s时,玻璃的水接触角增加到最大值110.3ʎ㊂Z h a n g等使用基本单元为针环电极结构的3管1维阵列,以高纯氦气作为工作气体,对不同污染程度的高温硫化硅橡胶(H T V)样品进行了表面处理[38]㊂结果表明,样品的表面憎水性均得到改善㊂但随着样片受污程度的增加,若要达到相同的处理效果,则需要更长的处理时间㊂分析认为,低温等离子体对H T V样品的改性是通过羽流中的活性粒子与H T V材料表面的低分子量硅烷链(L MW)分子碰撞,使分子能量增加,分子更容易穿透污染层,留在受污染材料的表面,且活性粒子在切断长硅胶链时会产生更多的L MW,使L MW 更容易迁移到材料表面㊂等离子体阵列处理加速了L MW在材料表面上的积累,从而使被污染的H T V 的憎水性得到改善㊂薄膜沉积方面的应用研究是近年来的热点,目前的研究成果主要集中于单个等离子体装置的应用[3941],阵列应用的相关文献较少㊂马翊洋等采用氩气和正硅酸乙酯(T E O S)的混合气体作为工作气体,使用4管1维阵列以0.5mm㊃s-1的速度Z字形反复扫描处理环氧树脂表面进行薄膜沉积[42]㊂结果表明,对于40mmˑ40mm的样品,单次扫描沉积时间为10m i n;阵列扫描处理能对材料表面的电荷陷阱起到适当浅化的作用,同时可减少孔洞与凸起,从而抑制材料表面电场的畸变,提高材料的闪络电压㊂4讨论大气压等离子体射流阵列的各个单元间存在着电场和气场的相互作用,其放电特性受激励电源类型与参数㊁气体流速及阵列结构等因素影响㊂即使在各放电单元一致性较为良好的理想工作条件下处理材料表面时,等离子体羽流之间仍然相互排斥,呈斑点状作用在材料表面上㊂因此,提高大气压等离子体射流阵列的一致性与均匀性,产生面积较大且等离子体分布较为均匀的工作面,对推动大气压等离子体射流阵列在相关领域的实际应用具有重要意义㊂目前,大气压等离子体射流阵列放电特性上的主要问题为:1)为了扩大射流阵列的作用面积,传统的1维和2维阵列结构中每个基本单元之间均存在较大的间隙,且各个射流单元之间存在管壁,阻碍羽流之间的融合;2)各个射流单元之间存在着静电排斥㊁光电离及气场作用等多种复杂的相互作用,使得各个羽流很难融合;3)强耦合模式下的2维阵列的作用面积不大[43]㊂针对这些问题,可以通过优化等离子体射流阵列结构,并进行有针对性的参数调控,得到最优参数匹配,从而实现对阵列一致性和下游作用面均匀性的改善,具体措施为:1)通过在电路中添加合适量值的限流电阻器或电容器;2)通过调控气流场,改变等离子体阵列的羽流形态;3)通过混入其他气体抑制羽流之间的相互排斥;4)通过调控激励电源类型及其各项电气参数,从而改变阵列的放电状态,实现有针对性的最优参数匹配;5)通过优化射流阵列结构,如改善电极结构或加入气体屏蔽装置等,可以改善射流阵列的电场分布及射流的发展过程,从根本上实现单元放电的一致性及阵列的均匀性㊂目前,针对单个大气压等离子体射流装置的应用研究已经非常广泛,但对阵列的应用研究还不够7-104040刘轩东等:用于材料表面处理的大气压等离子体射流技术研究进展第4期。

大气压等离子体方法

大气压等离子体方法

大气压等离子体方法我折腾了好久大气压等离子体方法,总算找到点门道。

说实话,刚开始接触大气压等离子体的时候,我完全是一头雾水。

我就知道这是个很高大上的东西,但是具体怎么操作,完全不明白。

我一开始也是瞎摸索,各种找资料,网上的、图书馆的书里的,只要是和等离子体有关的,我都拿来研究。

我最早尝试按照一些很简单的实验装置搭建去做。

那时候我以为只要把那些仪器按照图上的连接起来就好了,就像搭积木一样嘛。

我找来了电源,还有处理气体的装置,就开始组装。

可是呢,一开电源就出问题了,完全没有产生我想要的大气压等离子体。

我当时真是沮丧极了,也不知道问题出在哪。

后来我就一直研究那个电路图,经过很久才发现原来是我在连接电极的时候犯了个超级低级的错误。

就像你本来要把水管接好让水流过去,结果你有一根水管根本就没接上,那水肯定流不过去啊。

这电极没接对,等离子体当然产生不了啊。

后来我就谨慎多了。

在做下一次尝试的时候,我把每一个连接的部分都检查好多遍。

我还看了好多其他人做的实验记录,发现气体流量和通入的气体种类都很关键。

我先用氩气试,这就好比先找个熟悉的路走走看。

调整气体流量的时候,就像是在小心翼翼地拧水龙头,一点一点地试,到底多大的流量最合适。

不过这时候新的问题又出现了,就算有等离子体产生了,它的稳定性却不好。

我当时就很苦恼,这又要怎么解决呢?我突然想到我在研究资料的时候看到过,可以加个磁场来稳定等离子体。

于是我又开始捣鼓加磁场的装置。

这个可费劲了,因为磁场的强度大小和方向都要调整到合适的程度,而且磁场发生器和之前的装置要配合得很好。

我就像个在黑暗里摸索的人,只能一点点地调整,每调一次就看看等离子体的稳定性有没有变好。

经过这么长时间的折腾,我有几点心得。

首先,每一个小的部分都不能马虎,像连接、气体流量这些基础的部分必须做到准确和稳定。

其次,多参考别人的经验和实验确实很有帮助,有时候可以让你少走很多弯路。

再有,遇到问题不要慌,就一点点排查。

大气压放电等离子体柱的光谱研究

大气压放电等离子体柱的光谱研究
个玻璃管 的厚度均为 1 mm。 璃管中间充满水作为水 电极 , 玻 内层玻璃管兼做放 电的介质层 。电源的高压输 m端 和钨钊 电 极相连接 ,水电极接地 。工作 气 体氩 气从 内层玻 璃 管导 入 , D D发生在钨针 电极和 内玻璃管之 间 ,所 以 DB B D的 体M i
氮 [ 、 成 臭 氧 用 于 处 理 工 业 和 生 活 废 水 l ;在 生 物 医 疗 领 6 生 ] 7
低气压条件下产生等离子体 。 从 用角度 讲在大气 下产 乍 等离子体柱无疑具有重要意义 。 大气压 下户 牛 的等离 子体 但 : 长度一般 只有 几个厘米 。 例如 Ho g等 把牵气通 人多孔 氧化 n 铝介质装置 , 这种方 法产 乍 的等离 子休 喷枪 的垌 长为 2 用 3 mn1 。I 利用等离 子体针 存空 气 L 产生 r f 3 1 』 i } 1 约 5mm 的 等离子体l I 。所报告的等离子体 长度很短 , 为等离子 体天 作 线而 言, 生长度更大 的大气压 等离子体 具有 霞婴 意 义。对 产 此 ,采用 轴 D D装 置在氯气 中产生 长达儿 卜 B 厘米的 等离 子体柱 , 利用 光学方法对放 电机理进行 J研究 ,利用 光谱 并 , 学方法对 电子能量随着实验参数的变化关系进 行了分析 。
第3卷 , 7 2 第 期 20 12年 7月


学 i 光



Vo. 2 N . , p 7 8 1 6 13 , o 7 p 1 5 7 1
S e t o c p n p cr l p c r s o y a d S e t a ay i An l ss
隙 为 3mm。
特性 ,当放电装 置连通 电源 时就 成为 导体 , 能发射 和接 收无 线 电磁波信 完成和 自身基地的通讯 ;当断开电源时便成 为 绝缘体 ,不反射敌 雷 达探测信号 。

大气压氦气等离子体的产生及对pvc的处理实验报告

大气压氦气等离子体的产生及对pvc的处理实验报告

大气压氦气等离子体的产生及对pvc的处理实验报告大气压下放电产生非平衡等离子体在材料表面处理,生物医学,
电子材料制备等方面获得了广泛的应用,文献是其中一些近年来在国际上发表的相关的综述性文章.大气压非平衡等离子体射流或通常文献中所称大气压等离子体射流可以直接射入大气中,对各种材料的表面,特别是非平面的表面,进行局部处理.由于这种高性的射流几乎处于环境温度,其在温度敏感材如生物材料)表面处理方面的能力被寄
了很高的期望最早的APPJ装置采用同轴电极结构,射频功率加在中
心轴电极上,外套电极接地,工作气体在电极之间的环形间隙流过形
成等离子体从喷口射出.有两种此类装置,一种直接采用金属电极,另一种则在外套电极内加了一层介质材料石英管),形成类似于DBD的。

结构等在2005年发表了一种共轴双圆简DBD结构的APPJ.有趣的是他们首次用高速CCD拍摄到的图像显示,与用肉眼看到的呈细长圆锥形的辉光不同,这种用DBD放成的,这些等离子体从毛细管口射出。

这是一个非常有趣的物理现象,目前已有许多实验室都对这种等离子体射流用高速CCD进行了观察和研究但是对于这种等离子体子
弹的成因,目前还没有得到一种令人信服的解释.本文采用一种带有
狭缝的光电倍增管PMT)装置对上述的DBD等离子体射流进行了观察,并辅以数码成像以及电学测量等手段对其进行了仔细的实验研究,在实验结果的基础上对这种等离子体射流形成的机理给出了定性的解释。

一种大气压放电氦等离子体射流的实验研究_江南

一种大气压放电氦等离子体射流的实验研究_江南

一种大气压放电氦等离子体射流的实验研究_江南在大气物理学中,等离子体是指由正负电荷粒子组成的气体,具有自由电子和离子的高度电离状态。

等离子体在自然界和科学实验中具有重要的应用,射流等离子体是其中一种重要的实验研究对象。

本文将介绍一种基于大气压的氦等离子体射流的实验研究方法。

氦等离子体射流是一种在大气压下产生的等离子体束流。

与传统的低温等离子体相比,氦等离子体射流具有高密度、低温等特点,被广泛应用于等离子体加速器、等离子体推进器等领域。

为了研究氦等离子体射流的性质和应用方法,可以通过以下步骤进行实验研究。

首先,实验需要准备一个射流设备。

该设备由氦气供应系统、高频电源、射流排管、探测器等组成。

氦气供应系统用于提供高纯度的氦气,高频电源用于产生高频电场以激发等离子体,射流排管用于将等离子体射流引导到所需位置,探测器用于测量等离子体射流的性质和参数。

接下来,通过氦气供应系统将氦气注入射流排管,并通过高频电源产生高频电场。

高频电场作用下,氦气中的电子受到加速并与其他氦原子碰撞,从而激发了电荷交换过程。

这个过程会产生大量的离子和自由电子,形成等离子体。

随后,通过探测器对等离子体射流进行测量。

可以使用电离室、质谱仪和光谱仪等仪器对射流的电离状态、成分和温度等进行测量。

这些数据可以帮助研究人员了解射流的性质并优化实验过程。

在实验研究中,还可以通过改变射流排管的形状和尺寸、调整高频电场的频率和幅值等方式对射流进行控制。

这些控制参数的变化会影响射流的密度、速度和动力学特性等。

此外,为了更精确地研究氦等离子体射流的特性,还可以使用数值模拟方法对射流进行模拟和分析。

数值模拟可以提供射流的详细动力学信息,帮助研究人员理解射流的行为规律和优化实验参数。

在实验研究中,需要注意安全问题。

射流设备中产生的等离子体具有较高的电离性和活性,可能对人体和实验设备造成损害。

因此,在进行实验前,需要对实验过程进行充分的风险评估,并采取必要的防护措施,如穿戴防护服、使用防护设备等。

物理实验技术中的等离子体物理研究方法与技巧分享

物理实验技术中的等离子体物理研究方法与技巧分享

物理实验技术中的等离子体物理研究方法与技巧分享在物理实验研究中,等离子体物理是一个非常重要的领域。

等离子体是由离子和电子组成的带电粒子体系,广泛存在于自然界和人工环境中。

它既具有粒子性,也具有波动性,因此在物理研究中有着广泛的应用。

本文将分享一些等离子体物理研究中的方法和技巧。

一、等离子体制备技术在等离子体物理研究中,合适的等离子体制备技术是非常重要的。

常用的等离子体制备技术包括电子轰击、电弧放电、射频放电等。

1. 电子轰击:利用电子束轰击气体,将气体分子或原子激发到高能级,从而形成等离子体。

电子轰击可通过大气压电离或是低压放电获得。

在实验中,通过调节电子束的能量和电流,可以控制等离子体的密度和温度。

2. 电弧放电:利用高电压电弧放电使材料发生电离和激发,形成等离子体。

电弧放电通常用于高温等离子体制备,常见的电弧放电器包括电弧炉、电弧喷涂装置等。

3. 射频放电:射频放电是一种通过射频场激发等离子体的方法,通过调节射频场的频率和功率,可以控制等离子体的特性。

射频放电广泛应用于等离子体刻蚀、等离子体聚变等领域。

二、等离子体诊断技术等离子体诊断技术是等离子体物理研究中至关重要的一环。

通过合适的诊断技术,可以获得等离子体的密度、温度、速度等重要物理参数。

1. 光谱诊断:光谱诊断是一种非常常用的等离子体诊断方法。

通过测量等离子体辐射出的光谱,可以得到等离子体的密度、温度、电子浓度等信息。

在等离子体物理研究中,常用的光谱诊断方法包括可见光、紫外光和X射线光谱等,可以通过光谱诊断技术获得等离子体的很多信息。

2. 探针诊断:探针诊断是一种直接接触等离子体的方法,通过探测等离子体与金属电极之间的电流和电压,可以得到等离子体的参数信息。

常用的探针方法包括电阻探针、电容探针、霍尔探针等。

三、等离子体激发技术在等离子体物理研究中,激发等离子体是非常重要的一步。

通过合适的激发技术,可以使等离子体处于特定的激发态,研究其性质和行为。

大气压等离子体加工技术

大气压等离子体加工技术

气体放电现象
当作用于气体的电场强度超过临界值时 就会发生气体放电现象,这时气体就从绝缘 态变为导电态,放电形式与气体的压力和电 流密度有着重要的关系。低气压小电流密度 下的放电称为辉光放电,大气压或更高气压 下的大电流放电称为电弧放电。
气体放电的基本内涵是放电中的带电粒 子在电场的作用下,气体就从绝缘态变为导 电态即物质的第四态—等离子态。
4、大气等离子体加 工技术所面临的问题
大气压等离子体加工中温度与热问题
由于等离子体是由惰性气体在电磁场中激发而成的电磁流体,随着放电过程的进 行,焦耳热逐渐产生,从而引发等离子体温度的升高。大气压等离子体加工技术的原 理是基于生成挥发产物的化学反应,温度作为影响化学反应速率的重要因素,也必将 对加工过程产生很大影响。因此,温度与热问题一直是实现光学元件的精密加工关键 所在。
等离子加工 技术加工光 学曲面面临 的挑战
(1)高精度复杂光学曲面一般具有复杂的表面结 构,这就要求大气等离子体加工技术能够获得高 分辨率去除函数。同时,由于总体面型加工去除 量大,大气等离子体加工应具有更高去除速率。
(2)光学加工一般加工过程较长,而且复杂光学 曲面加工过程中需要反复测量、迭代,这就要求 大气等离子体加工技术能够保持长时间的加工稳 定性。
大气压等离子体加工技术
目录
1、等离子体概述 2、传统等离子体加工技术 3、大气等离子体加工技术发展概况 4、等离子加工技术面临问题
1、等离子体概述
什么是等离子体
• 等离子体是物质三态(气液固)之外的第 四种可能状态,等离子体是高温电离的气体, 它由气体原子或分子在高温下获得能量电离 之后,离解成带正电荷的离子和带负电荷的 自由电子所组成,整体的正负电荷数值仍然 相等,因此称为等离子体。广义的讲它是包 含等量高密度正、负带电粒子的物质体。
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大气压等离子体加工技术研究徐振东1引言在航空航天,光学工程,激光核聚变等众多领域中,超光滑表面的光学元件是系统的重要组成部分,因此国内外围绕光学元件超光滑表面加工技术开展了众多研究。

由于传统加工技术在加工硬脆的光学元件时会对表面产生残余应力和亚表层损伤[1],对复杂形状的表面传统的加工技术也难达到高质量,高精度的加工要求。

而等离子加工是一种非接触的加工方式,对表面无损伤,无残余应力,对材料没有选择性,因此适合对光学元件的加工。

本文参阅国内外相关文献,从大气压等离子体加工技术的原理,国内外大气压等离子体加工技术等进行介绍。

2大气压等离子体加工技术的原理等离子体被称为物质的第四态,它是被电离的气体,由于等离子体中存在大量的电子、正离子、自由基、亚稳态的分子原子等,但整体还是电中性的,因此和其他三态有不同的物理和化学性质。

大量的电子、正离子、自由基、亚稳态的分子原子都是活性粒子,采用低冷离子体,因此不会对材料造成任何损伤(由于高温等离子体对物体表面的作用过于强烈,因此在实际应用中很少使用,目前投入使用的只有低温等离子体,比如太阳就是一种高温等离子体[2]。

活性等离子体与材料发生干化学反应,就能达到去除材料的目的。

在等离子体自身中的电子与原子或者分子之间会碰撞产生激发态中性原子或原子团(又称自由基)等离子体中存在大量的自由基,而自由基有着极高的能量,有极高的活化作用。

等离子体化学是一种复杂的化学现象,反应的能源不是单一的,而是热、电、光化学等多种化学反应过程,这使得在等离子体氛围中能够发生常规难以发生的反应。

比如在加工熔石英材料中,反应气体CF 4在等离子体氛围中被激发成各种具有活性的自由基和激发态的F 原子,激发态的F原子扩散到熔石英材料表面后,和SiO2发生化学反应生成气态SiF 4,从工件表面逸出,从而达到去除材料的目的[3]。

图1等离子体加工原理示意图[ 4]3国内外大气压等离子体加工技术目前国内外比较成熟的大气压等离子体加工技术日本大阪大学开发的大气等离子体化学蒸发加工(PCVM)、美国加利福尼亚州劳伦斯•利弗莫尔国家实验室开发的反应原子等离子体加工(RAPT)、德国的莱布尼茨学会开发的大气等离子体化学加工(APACE)及我国哈尔滨工业大学开发的大气等离子体加工技术(APPP)3.1大气等离子体化学蒸发加工(PCVM)20世纪90年代,日本大阪大学提出等离子体化学蒸发加工(PCVM),与传统机械加工方式和等离子体刻蚀相比,PCVM的损伤密度很小,不及前两者导致的损伤密度的1/100[5];采用管电极(直径4mm)加工时,与同等尺寸小磨头抛光方式,材料去除率提高了30~80倍,而且平均粗糙度Ra可达0.5nm(测量长度为200μm)[6]。

PCVM基于电容耦合方式激发等离子体,使用射频功率源,可选择频率范围为13.56~300MHz。

选用不同的电极或电极组合能够对工件进行无损伤切割、平坦化加工和对非球面工件进行修形加工等功能[7-9]。

加工过程没有机械力,不会对加工表面产生损伤,同时热量能很快的导出,也不会有热损伤。

同时该课题组开发了相应的机床。

图2.旋转电极和管电极图3.射流等离子体图 4 NC-PCVM 机床图5 开放式等离子体加工机床3.2反应原子等离子体加工(RAPT)RAPT技术是美国加利福尼亚州劳伦斯•利弗莫尔国家实验室在1999年提出的,并且在2001年成成立RAPT公司,成功的将这项技术商业化,美国国家点火工程所用的超光滑大口径光学元件就是该公司提供的,并且该技术在光学和半导体元件生产制造领域应用前景广阔[10]。

RAPT基于感应耦合放电(ICP)原理的一种大气压等离子体加工技术,这项技术不需要真空环境加工。

在加工过程中,首先是形成稳定的氩等离子体,然后在通入含氟气体作为反应气体。

这些含氟气体在等离子体氛围中被激发成含氟活性粒子,进而与工件表面的Si 原子反应生成挥发性的气体,从而实现材料去除。

由于感应耦合放电相比别的放电方式,其能量转换率和等离子激发的程度都更加高,因此适合大口径的光学元件的整形加工。

图6 RAPT 加工原理示意图为了充分发挥RAPT的加工优势,有学者开发了加装有冷却装置分体式等离子体发生器。

图7.分体式炬管结构示意图[11]RAPT已经开发了几代加工机床了。

图8为RAPT300机床,该机床验证了该技术的修形能力。

图9为RAPT Helios 1200机床,该机床最大加工尺寸1.2m,在此机床上已经做了大量大口径光学元件的修形实验。

图8. RAPT300 机床图9. RAPT Helios 1200机床如图10所示经过多次迭代加工曲率半径为3m 的凹球面得到了面形误差和粗糙度都很小的曲面[12]。

有学者在熔石英工件上加工出纳米尺度的字母图形,验证了在小尺度范围内的RAPT技术有很好的加工能力,也证明了去除速率是可控的[13]。

图10大口径ULE 凹球面[12]图11 纳米尺度的字母图形[13]3.3等离子体喷射加工技术等离子体喷射加工技术(PJM)是德国莱布尼次表面改性研究室设计研发的,PJM也是采用电容耦合放电形式,但PJM的激励电源是两种,一种是射频电容耦合式的射频激励,另一种是微波电容耦合式的微波激励。

这两种激励在相近功率能达到的加工效率是差不多的,但两种激励方式所产生的等离子体的加工效率是大致相同的,但微波激励可以承载的功率上限更大,因此微波激励一般用在粗加工场合。

使用PJM对SiC表面进行加工,面形精度可以达到1nm RMS。

图12. PJM 加工原理与实物图[1 4]该技术通过采用不同直径的等离子体射流炬,可以得到很高去除率的去除函数,使得加工分辨率和材料去除率都大大提高,这使得在硅基材料上加工自由曲面不成问题,还能提高面形误差修正的速度正。

有学者开放了一种基于PJM 技术的自由曲面光学加工工艺链,并且得到了实验验证,这种方法配合其他抛光方法,能够加工出超光滑的表面[15]。

3.4大气等离子体加工技术大气等离子体加工技术(APPP)是我国哈尔滨工业大学王波教授团队提出来的,这个技术是基于电容耦合的放电方式,使用等离子体射流进行加工,该团队自主研发了国内首台三轴联动大气等离子体抛光系统,使用该系统对单晶硅的超光滑表面加工进行了研究。

该团队对其他硬脆材料的研究也在进行。

对等离子体的发生装置也进行了研究,对加工光学微结构也进行了研究,不过没有达到实际应用的要求。

4大气压等离子体抛光系统装置一般来说,大气压等离子体抛光系统装置一般由射频电源供应系统、水冷系统、气体供应系统、等离子体发生炬、可控运动工作台、密封加工舱和废气净化处理装置等几部分组成。

下面对重要的部分做简要介绍:4.1射频电源供应系统射频电源是大气等离子抛光系统的重要组成部分之一,它将两相交流电转换为可供等离子体激发所使用的射频电流。

射频(Radio-frequency)是一种高频交流变化电磁波的简称,射频电源的性能优劣,直接关系着激发等子体的稳定性。

4.2气体供应系统大气等离子体抛光利用反应气体激发产生的活性粒子与工件表面反应实现工件表面材料的去除,因此气体的流量及稳定性等对等离子体放电及加工过程有很大影响。

为了使放电均匀、稳定、可控,就需要对气体的流量进行控制。

在大气等离子体抛光系统所使用的气体有两类:一类是激发气体,是产生等离子体的主要气体;第二类为反应气体,是产生活性粒子的主要气体[16]。

4.3等离子体炬等离子体炬是等离子体和活性反应原子的激发装置,其结构和工作状态都会影响到等离子体特性和放电状态,进而影响到加工质量,因此,在设计和制造等离子体炬的过程中要重点考虑可能会影响到放电特性的因素。

比如:放电过程中的微小波动都会引起等离子体状态的显著变化,甚至终止放电,因此在电极制造过程中要采用较精密的研抛手段,保证内外电极的放电表面都比较光滑,不会残留能够影响到放电的毛刺。

5大气等离子体加工技术存在的问题与展望首先是热影响,加工过程为产生大量热,这对加工过程不利,需要进行控制[17]。

然后是加工分辨率的问题,为了加工光学微结构,需要有更高的加工分辨率[18-20]。

还有就是去除速率的问题,现在加工大口径光学元件的速度很慢,需要进一步提高[21]。

这些问题有待进一步研究及解决。

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