有机场效应晶体管和研究
碳纳米管场效应晶体管的特性研究与优化
碳纳米管场效应晶体管的特性研究与优化近年来，随着纳米科技的快速发展，碳纳米管场效应晶体管（CNT-FET）作为一种具有巨大潜力的纳米电子器件引起了广泛关注。
CNT-FET以其优异的电学性能和独特的结构特点，被认为是下一代高性能晶体管的有力竞争者。
本文将探讨碳纳米管场效应晶体管的特性研究与优化。
首先，碳纳米管的材料特性使其成为理想的电子输运通道。
碳纳米管具有优异的载流子迁移率和高电导率，这使得CNT-FET在高频电子器件中具有巨大的应用潜力。
研究人员通过调控碳纳米管的直径、手性和结构等参数，可以实现对CNT-FET电学性能的精确调控。
例如，通过控制碳纳米管的直径，可以实现对CNT-FET的载流子迁移率和开关速度的调节，从而优化其性能。
其次，碳纳米管场效应晶体管的结构特点也为其性能的优化提供了可能。
CNT-FET的结构由源极、漏极、栅极和碳纳米管通道组成。
通过调节栅极电压，可以实现对CNT-FET的电流开关控制。
此外，研究人员还通过引入高介电常数的栅介质材料，如氧化铝或高介电常数聚合物，来增强CNT-FET的电流开关比。
这种结构优化的方法可以显著提高CNT-FET的性能。
此外，碳纳米管场效应晶体管的制备工艺也对其性能进行了优化。
目前，研究人员已经发展出了多种制备CNT-FET的方法，如化学气相沉积、电化学沉积和机械剥离等。
这些制备方法可以实现对CNT-FET的尺寸和结构的控制，从而优化其性能。
同时，研究人员还通过控制碳纳米管的生长温度和气氛等参数，来实现对CNT-FET电学性能的调节。
这些制备工艺的优化将为CNT-FET的应用提供更多可能性。
最后，碳纳米管场效应晶体管的应用也是其研究与优化的重要方向之一。
CNT-FET在高频电子器件、柔性电子器件和生物传感器等领域具有广泛的应用前景。
例如，CNT-FET可以用于制备高性能的射频放大器和振荡器，以满足日益增长的无线通信需求。
此外，CNT-FET还可以用于制备柔性电子器件，如可弯曲的显示屏和可穿戴设备。
有机半导体材料在光电器件中的研究
有机半导体材料在光电器件中的研究在现代科技领域中，光电器件已经成为了一个非常重要的研究方向。
由于它具有高效电荷传输、较低的成本和较大的可塑性等优点，因此得到了广泛的应用。
而有机半导体材料，作为一种重要的材料来源，也在该领域中得到了广泛的研究与应用。
本篇文章将介绍有机半导体材料在光电器件中的研究现状和未来发展方向。
一、有机半导体材料的种类目前，有机半导体材料可以分为两大类：小分子有机半导体和聚合物有机半导体。
小分子有机半导体的分子量比较小，通常在几百或者几千之内，分子结构比较简单。
与之相比，聚合物有机半导体分子量较大，通常在数百万或以上，分子结构复杂。
两类有机半导体材料在性质和应用方面有所不同。
二、有机半导体材料在光电器件中的应用1、有机太阳能电池有机太阳能电池是一种利用有机半导体材料将太阳能转化为电能的装置。
其工作原理是通过光子激发分子跃迁产生的电子和空穴来实现能量转换。
有机材料太阳能电池具有优良的光电转换效率，应用前景广阔。
2、有机场效应晶体管有机场效应晶体管，是一种利用有机半导体材料的特性，实现电流调制的器件。
常用的有机场效应晶体管有有机薄膜晶体管、有机高分子晶体管、有机晶体管等多种。
这些晶体管具有低的应力、更好的纯度和更加稳定的性能，逐渐成为替代硅晶体管的有力候选者。
3、有机发光二极管有机发光二极管是一种利用有机半导体材料生成的高效发光器件。
当外加电压时，电子会进入有机电子传输层，与载流子复合释放出光能。
由于具有节能、高均匀度、简单制备等特点，在室内照明、装饰照明、汽车照明等领域得到了广泛应用。
三、有机半导体材料在光电器件中的研究现状有机半导体材料在光电器件中的研究已经成为了国际上一个非常重要的研究领域。
国内外一流科研机构的学者们都在这个领域开展着富有成效的研究工作。
目前，有机半导体材料在光电器件中的研究重点集中在以下几个方面：1、优化分子设计为了提高器件的性能，研究人员必须通过分子设计来突破性能瓶颈。
有机电致发光,有机光伏,有机场效应晶体管
有机电致发光,有机光伏,有机场效应晶体管
有机电致发光是指利用有机材料，通过电场激发，发射出光波的现象。
有机电致发光
器件由于其具有颜色可变、光效高、柔性高、加工成本低等优点，逐步在平板显示、汽车
照明、室内照明等领域得到广泛应用。
有机电致发光器件结构一般包括导电层、发光层和
金属电极层，通过对层间电场的调节，实现器件发光或关闭。
近年来，凭借其应用广泛和
市场潜力大的优点，有机电致发光成为了新兴市场中的一股重要力量。
有机光伏是指利用有机材料的光伏效应产生电能的技术。
有机光伏器件主要由有机半
导体、电极和介质构成。
有机光伏具有材料成本低、加工工艺简单、柔性好、透明度高等
优点，逐渐成为太阳能电池的重要研究方向。
有机太阳能电池已成为新一代太阳能电池的
一个研究热点，该技术具有减少污染、可制备化、利于应用与环保等优点。
有机场效应晶体管是指利用有机半导体作为载流子传输通道，通过控制门极电场调节
通道导电性的一种场效应晶体管。
该类晶体管主要由源、漏、栅和有机半导体等部分构成，通过栅极间电场的强弱控制晶体管的导电能力。
有机场效应晶体管与传统硅基晶体管相比，具有低工作电压、大量产量制备和可弯曲性、可刻蚀性等独特优点。
大量研究表明，该类
器件具有广阔的市场应用前景，是未来新型电子产品中的关键部分之一。
总之，有机电致发光、有机光伏和有机场效应晶体管是有机电子器件中常见的三种器
件类型。
它们都有着独特的优点和应用领域，在人们的生活和产业中都有着广泛的应用和
发展前景。
有机场效应晶体管的数值研究
１ 引 言
过去的十多年来， 有机场效应晶体管得到了广泛的研究ｎ Ｏ Ｅ Ｓ 。 Ｆ Ｔ 可望广泛应用于有机主动发光显示器件［】 ｍ、
智能卡、 射频标识牌 、 ¨ 存储器ｎ 、 引 传感器 等等，具有工艺简单、 成本低、并且可 以制造在柔性衬底上 （ 如塑料） 等一系列优点。 目 前，Ｏ Ｅ Ｓ的性能已经能够与 ａＳ Ｈ非晶硅薄膜晶体管（Ｆ ｓ￣性能相媲美［】 ＦＴ －ｉ ： Ｔ Ｔ） Ｍ。 相比于 Ｏ Ｅ Ｓ性能的不断地迅速地改进，Ｏ Ｅ Ｓ理论研究［ 的进展要缓慢得多。诸如：有机半导体材料的 ＦＴ ＦＴ １ 删】 电导率低、Ｏ Ｅ ｓ工作于累积情形 （ ＦＴ 使得零栅压时仍然存在一定导电性） 、迁移率依赖栅压和漏压、Ｏ Ｅ ｓ的性能 ＦＴ
ｓ ｒｃｒｓｒｄ － ｅｕ ｃ ｅ ｔ ｃｔ ｎｔ ｓ Ｒ Ｉ ） ｄ ｌ ｔ ｅｔ ｎ． ｈ ａ ｔ ａ ｍｏ ｅ ｔａ ｄｓｒ ｅ ｅ ｍａ ｄ，ａｉ ｆ ｑ ｅ ｙｉ ｎｉ ａ ｏ ｇ （Ｆ Ｄｓａ ａｉ ｅ ｃ ｏ ｓＴ ｅ ｌ ｉ ｌ ｄ ｌｈｔ ｅｃｉ ｓ ｔａ ｏｒ ｎ ｄ ｆ ｉ ａ ｉ ， ｐ ｓｃ ｌ ｒ ｎ ｎ ａ ｙｃ ｂ ｔ ｈ
ｏ ｅａｉｎｏ ｏｇ ｉ ｉ— ｌ ｔ ｎ ｉ ｏ ｓ ａ ｅｉｅ ， ｓｎ ｕ ｅｉａ ｔｏ ｔｄ ｅｅ ｅ ｔ ｏ ＯＦ Ｔｓ ｐ ａ ｔ ｎ ｐ ｒｔ ｆ ｒａ ｃｔ ｎ ｆ ｍ－ ａ ｓｓ ｒ ｓ ｒ ｄ ｕ ｉｇｎ ｏ ｎ ｈ ｉ ｒ ｔ ｈ ｄ ｖ ｍ ｒｃ ｌ ｈ ｄｗｅｓｕ ｙｔ ｆ ｃｓ ｆ Ｅ ’ ａ ｍｅｅ ｏ ｍｅ ｈ ｒ ｒ ｉ ｐ ｒｏｍａ ｃ ， ｄｗｅａｓ ｉｅｓ ｍｅｏ ｔ ａ ｉｅ ｌ ｏ ｅｉｎｏ ＯＦ Ｔｓ ｔ ｅｆｒ ｎ ｅ ａ ｓ ｎ ｌ ｏｇｖ ｏ ｐｉ ｌｄ ａｓ ｎｄ ｓｇ ｆ Ｅ ． ｍ Ｋｅ ｙＷ ｏ ｄ ： ｇ ｉ ｉ ｌ ｆｅｔ ａ ｓｓ ｒ ； ｍｏ ｅ： ｍｍａｒｃ ｍｅ ｏ ： ｏ ｔ ａ ｒ ｓ Ｏｒａ ｃｆ ｄｅ ｃ ｔ ｎ ｅ ｒ ｎ ｉｏｓ ｔ ｄｌ ｅｉａ ｌ ｈ ｔ ｄ ｐｍ ｌ ｉ
有机光电材料的光电性能研究
有机光电材料的光电性能研究随着科技的进步和人们对绿色环保能源的需求增加，有机光电材料作为一种新型材料备受关注。
有机光电材料以其优异的光电性能在太阳能电池、有机发光二极管、场效应晶体管等领域展现出广阔的应用前景。
在这篇文章中，我们将探讨有机光电材料的光电性能研究。
首先要了解有机光电材料的基本特性。
有机光电材料主要由有机分子构成，具有可变的电子结构和化学性质。
与无机材料相比，有机材料具有简单的合成方式、较低的制备成本和较高的可加工性。
然而，由于有机分子结构的复杂性，有机光电材料的光电性能的研究相对复杂。
在研究过程中，我们经常需要探究有机光电材料的吸光性能。
光电材料的吸光性能可以通过吸收光谱来研究。
例如，紫外可见吸收光谱可以帮助我们了解有机材料在不同波长的光照下的吸收情况。
这对于太阳能电池等器件的设计和性能优化至关重要。
此外，利用吸收光谱还可以研究有机材料的能带gap，从而判断其光电传输性能。
除了吸光性能，有机光电材料的发光性能也是研究的重点之一。
有机发光二极管利用有机分子的发光特性实现了高效能源转换和发光效果。
通过研究材料的发光光谱、发光效率和色彩纯度等指标，我们可以评估有机发光材料的性能。
此外，为了进一步提高有机发光材料的效果，研究者还会对发光材料进行结构设计和合成改进。
在光电性能研究中，还需要考虑有机光电材料的电学性能。
有机场效应晶体管是一种基于有机材料的电子器件，通过控制外加电场来改变电流和电压。
在研究有机场效应晶体管时，可以通过测试电子迁移率、载流子迁移长度和开关特性等来评估材料的电学性能。
这些参数不仅与材料本身的性能有关，也与材料的晶体结构、电极材料和制备工艺等相关。
在有机光电材料的光电性能研究中，我们还应该考虑材料的稳定性和可持续性。
由于有机光电材料在实际应用中常受到光照、湿气等环境因素的影响，因此材料的长期稳定性非常重要。
科研人员通过模拟不同的环境条件，并进行长期实验来评估材料的稳定性，以便为实际应用提供更可靠的数据支持。
有机场效应晶体管
有机场效应晶体管
有机场效应晶体管（OECT）又称为有机金属-半导体叠层结构场效应晶
体管，它是一种新型的晶体管，利用其独特的金属-半导体叠层结构来
实现高性能的特性。
它由两个极性不同的半导体片和一个金属片构成，这三层物质的叠加使得它可以有效的运行电子信号。
有机场效应晶体管具有良好的抗干扰能力，可以有效抑制外部电磁波
对晶体管工作效果造成的干扰，大大降低噪声对电路输出信号的影响。
此外，它还具有低工作电压、低漏出电流、可调节增益带宽等优点，
这样它就可以用于微处理器、计算机系统和无线设备等多种复杂电路
的应用场合。
有机场效应晶体管的另外一个显著优势是，它耗电量低，与普通的晶
体管相比耗电量可以降低9成以上，这也是它被广泛应用的原因之一。
同时，它的封装方式也采用了更小的尺寸，可以显著减少电路板的大小，有利于减少电路外部的电磁波泄漏，也可以节省更多的空间。
总而言之，有机场效应晶体管具有高强度抗干扰、低耗电量、小封装
等特性，它有着广泛的应用前景，是推动新型电子电路的一个重要组
成部分。
它的实用性和易于使用的优势将使它能够更好的满足我们生
活中的用电需求，为未来的智能电子装置带来更多的可能性。
有机场效应晶体管研究与应用展望
有机场效应晶体管研究与应用展望下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!有机场效应晶体管的研究进展与未来应用展望随着微电子技术的飞速发展，有机场效应晶体管（Organic Field-Effect Transistors, OFETs）作为一种新型的半导体器件，已经在科研和工业领域引起了广泛关注。
有机场效应晶体管的研究
ｏｇ ｎｃｆ ｌ— ｆ ｃ ｒｎ ｉ ｏ ＯＦ Ｔ ｗｉ ｈ ｒ ｈ ｒｓ ｅ ｔｈ ｓｇ ｔ ｈ ｐｄｐｏ ｅ ｓ Ｔ ｅ ｒａ ｉ ｉ ｄ ｅｆ ｔ ａ ｓｓ ｒ（ Ｅ ） ｔ ｔ ｅｂ ｉ ｔ ｏ ｐ ｃ ａ ｏ ｅｒ ｉ ｒｃ ｓ ． ｈ ｅ ｅ ｔ ｔ ｈ ｇ ｐ ｔ ａ
ｆ ｔ ｒ ｅ ｅｏ ｍ ｅ ｔ ｆＯＦ Ｔ ａ ｅａｓ ｅ ｃ ｉｅ ． ｕ ｕｅ ｄ ｖ ｌｐ ｎ ｓｏ Ｅ ｒ ｌｏ ｄ ｓ ｒ ｄ ｂ
Ｋ ｙ ｒ ｓ ｏ ｇ ｎ ｃ ｓ ｍ ｉｏ ｄ ｃ ｏ ； Ｅ ｍ ｏ ｉ ｙ ｅ ｗｏ ｄ ： ｒ ａ ｉ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ Ｆ Ｔ； ｂ ｌ ｉ ｔ
摘 要 ： 在信 息技 术 高速发 展 的今 天 ， 有 广 阔应 用前景 的 有机场 效 应 晶体 管 （ｒａｉ ｆ ｌ— ｆ ｃ 具 ｏｇｎｃｉ ｄ ｅ ｅ ｔ ｅ
ｔ ｎｉｏ ． Ｅ ／ 来在 技 术上 获得 了 突飞猛进 的发展 。 文扼 要 概 述 了 ＯＦ Ｔ 的结 构 、 ｒ ｓｔｒ ＯＦ Ｔ） ａ ｓ ￣年 本 Ｅ 工作原
料导 电能 力 的有 源器 件 。有机 场 效 应 晶体 管 作 为 开
关、 存储 器 件 …， 渐成 为人 们 研 究 的热 点 。最 近 关 逐 于 有 机场 效 应 晶 体 管 中 的超 导 现 象 、 机 场 效 应 有
具 有 良好 的 电特性 ， 因此 ， 受到 了广 泛 的重 视和研 究 。
Ｓ Ｇ ｉ ＸＵＺ ｅ ｇ，Ｈ Ｏ —ｉ Ｚ ＡＮ ｕ ｊｎ， Ａ ｉ－ ｈ ｏ ＯＮ Ｌｎ， ｈ ｎ Ｚ Ａ Ｓｕ ｌｇ，Ｈ Ｇ Ｆ —ｕ ＨＵ ＮＧ Ｊｎ ｚ ａ ｎ
（ ｅ ａ ｏａｏｙｏ ｕ ｎ ｓ ｅ ｃ ｎ ｔ ａ Ｉｆｒ ｔ ｎ Ｍｉｉ ｒ ｆ ｄ ｃ ｔ ｎ Ｋ ｙ Ｌ ｂ ｒｔｒ ｆ ｍｉｅ ｃ ｎ ｅａ ｄ Ｏｐｉ ｌｎｏｍａｉ ， ｎｓｙ ｏ ｕ ａ ｉ ， Ｌ ｃ ｏ ｔ Ｅ ｏ
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
有机场效应晶体管的研究摘要：有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)是以有机半导体材料作为有源层的晶体管器件。
和传统的无机半导体器件相比，由于其可应用于生产大面积柔性设备而被人们广泛的研究，在有机发光、有机光探测器、有机太阳能电池、压力传感器、有机存储设备、柔性平板显示、电子纸等众多领域具有潜在而广泛的应用前景。
文中对OFET结构和工作原理做了简要介绍，之后重点讨论了最近几年来OFET中有机材料和绝缘体材料的发展状况，接着总结了OFET制备技术，最后对OFET发展面临问题及应用前景做了归纳和展望。
关键词：有机半导体材料；有机场效应晶体管；迁移率;绝缘体材料；柔性面板显示0引言场效应晶体管( Field Effect Transistor FET)是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件。
由于其所具有体积小、重量轻、功耗低、热稳定性好、无二次击穿现象以及安全工作区域宽等优点，现已成为微电子行业中的重要元件之一。
目前无机场效应晶体管已经接近小型化的自然极限，而且价格较高，在制备大表面积器件时还存在诸多问题。
因此，人们自然地想到利用有机材料作为FET的活性材料。
自1986年报道第一个有机场效应晶体管( OFET )以来，OFET研究得到快速发展，并取得重大突破。
由于OFET具有以下突出特点而受到研究人员的高度重视：材料来源广，工作电压低，可与柔性衬底兼容，适合低温加工，适合大批量生产和低成本，可溶液加工成膜等。
从使用共扼低聚物成功地制造出第一个有机场效应晶体管，到全有机全溶液加工的光电晶体管的诞生，这些突破性进展对有机半导体材料的发展无论从理论上还是工业生产上都起到了巨大的推动作用。
1器件结构、工作原理及性能评定1. 1有机场效应晶体管基本结构传统的有机场效应晶体管的主要包括底栅和顶栅两种结构，其中底栅和顶栅结构又分别包括顶接触和底接触两种结构，如图1所示。
图1 典型的OFET结构OFET 一般采用栅极置底的底栅结构，即图1( a) 、( b) 所示的两种结构，它们分别是底栅-顶接触结构和底栅-底接触结构。
二者最大的区别就是有机层是在镀电极之前(a顶接触)还是之后(b底接触)。
顶接触结构的源、漏电极远离衬底，有机半导体层和绝缘层直接相连，在制作的过程中可以采取对绝缘层的修饰改变半导体的成膜结构和形貌，从而提高器件的载流子迁移率。
同时该结构中半导体层受栅极电场影响的面积大于源、漏电极在底部的器件结构，因此具有较高的载流子迁移率。
底接触型OFET的主要特点是有机半导体层蒸镀于源、漏电极之上，且源、漏电极在底部的器件结构可以通过光刻方法一次性制备栅极和源、漏电极，在工艺制备上可以实现简化。
而且对于有机传感器来说，需要半导体层无覆盖地暴露在测试环境中，此时利用底结构就有较大的优势。
而底接触由于半导体层与金属电极之间有较大的接触电阻，导致载流子注入效率降低从而影响到其性能。
目前这方面缺陷也有改进，如使用镀上聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸款( PEDOT：PSS)材料的金电极可以减少与有机半导体并五苯材料之间的接触电阻。
二者之间载流子注入的阻力由0.85 eV直接降到0. 14 eV，导致场迁移率从0. 031 cm2 / (V·s)增加到0. 218 cm2 / ( V·s) 。
图1 (c) , (d)为顶栅结构，即首先在衬底上制作有机半导体层，然后制作源、漏电极，随后再制作绝缘层，最后在绝缘层上面制作栅极。
这两种栅极位于最顶部的顶栅结构在文献报道中并不是很多。
图2是垂直沟道OFET结构，是以缩短沟道长度为目的的一类新型场效应晶体管。
它以半导体层为沟道长度，依次蒸镀漏-源-珊电极，通过改变栅电压来控制源、漏电极的电流变化。
图2 垂直沟道OFET结构这种结构的主要特点是：沟道长度由微米量级降低至纳米量级，极大的提高了器件的工作电流，降低了器件的开启电压。
这类晶体管的不足之处在于漏-源-栅极在同一竖直面内，彼此间寄生电容的存在使得零点电流发生漂移，一般通过放电处理后可以避免这种现象。
1. 2工作原理以P型有机场效应0体管(见图3)为例来说明OFET的工作原理。
图3 p型OFET工作原理图有机场效应晶体管在结构上类似一个电容器，源、漏电极和有机半导体薄膜的导电沟道相当于一个极板，栅极相当于另一个极板。
当在栅、源之间加上负电压从V GS后，就会在绝缘层附近的半导体层中感应出带正电的空穴，栅极处会积祟带负电的电子。
此时在源、漏电极之间再加上一个负电压V DS，就会在源漏电极之间产生电流I DS通过调节V GS和V ns可以调节绝缘层中的电场强度，而随着电场强度的不同，感应电荷的密度也不同。
因而，源、漏极之间的导电通道的宽窄也就不同，进而源、漏极之间的电流也就会改变。
由此，通过调节绝缘层中的电场强度就可以达到调节源漏极之间电流的目的。
保持V DS不变，当V GS较小时I DS很小，称为“关”态；当V GS较大时，I DS达到一个饱和值，称为“开”态。
1. 3主要性能指标对有机半导体层的要求主要有以下几个方面：第一，具有稳定的电化学特性和良好的π共扼体系，只有这样才有利于载流子的传输，获得较高迁移率；第二，本征电导率必须较低，这是为了尽可能降低器件的漏电流，从而提高器件的开关比。
此外，OFET半导体材料还应满足下列要求：单分子的最低未占分子轨道(LUMO )或最高已占分子轨道(HOMO)能级有利于电子或空穴注入；固态晶体结构应提供足够分子轨道重叠，保证电荷在相邻分子间迁移时无过高能垒。
因此，评价OFET的性能指标主要有迁移率、开—关电流比、阈值电压3个参数。
场迁移率是单位电场下电荷载流子的平均漂移速度，它反映了在不同电场下空穴或电子在半导体中的迁移能力；开—关电流比定义为在“开”状态和“关”状态时一的漏电流之比，它反映了在一定栅极电压下器件开关性能的优劣。
为了实现商业应用，OFET的迁移率一般要求达到0. O1 cm2 / ( V·s)，开—关比大于10。
对于阈值电压，要求尽量低。
OFET发展至今，电压由最初的几十甚至上百伏下降到5 V甚至更低。
开关电流比由102~103提高到109，器件载流子迁移率也由最初的10-5 cm2 / (V·s)提高到了15.4 cm2/(V •s)。
器件性能通常用输出特性曲线和转移特性曲线来表征。
图4是以聚合物PDTT为半导体材料的顶结构OFET输出特性曲线(a)和转移特性曲线(b)图。
从图4 ( a)可以看出漏电流I D在V D绝对值小于20 V范围内随V D绝对值的增大而增大。
图4 (b)中，I D随着V G负电压绝对值的增大而增大。
最终计算出该器件的迁移率为2. 2x10 3 cm2 / ( V·s)。
图4顶结构OFET输出特性曲线及转移特性曲线图2有机半导体材料目前研究较多的是单极性有机场效应晶体管，根据有机半导体层材料的不同可将其分为p型材料和n型材料两大类。
2.1 p-沟道有机半导体材料p型半导体材料又称空穴型半导体材料，即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体材料，p型有机材料又分为p型高聚物、p型低聚物、p型小分子3类。
常见的p型有机半导体材料结构见图5。
图 5 典型p 型有机半导体材料化学结构2.1.1 p沟道高聚物高分子聚合物(如烷基取代的聚噻吩等)优势在于可使用涂膜甩膜、LB膜等方法制备。
这些制备方法优点是工艺简单、成木低廉，缺点是有机材料难于提纯且有序度较低，从而导致了高分子材料较低的迁移率。
聚噻吩( PTh)经过真空干燥后作为活性材料空穴迁移率为0. 25 cm2/ ( V·S)。
基于噻吩的聚合物，poly (3-hexylthiophene) (P3HT)被广泛的研究。
烷基可以通过头-尾(H-T)相连和头-头(H-H)相连两种方式被引入聚噻吩链。
引入烷基的聚噻吩链与基底接触展不了高度有序的自适应薄膜结构。
经H-T方式引入烷基的P3HT迁移率接近0. 2 cm2 / ( V •s)，开关电流比接近106。
使用LB成膜技术的P3HT迁移率为0.02cm2 / ( V•s)。
Takashi Kushida等人对(P3HT)材料做了进一步的研究，他们通过旋涂的方法制成的OFET迁移率仅有1. 3x10-4cm2 / ( V·s)，通过改变成膜方法，采用微接触打印技术之后，得到1. 6x10-2 cm2 /(V•s)的迁移率，比旋涂成膜方法提高了两个数量级。
性能的提高归因于微接触打印方法生成的P3HT薄膜表面高度有序，有利于载流子的横向传输。
2.1.2 p-沟道低聚物常见的低聚物有噻嗯齐聚物和噻吩齐聚物等，与高分子聚合物相比，低聚物用于OFET有许多优点，如可通过调整分子的结构和长度来控制载流子的传输等。
相关报道表明，星形低聚噻吩迁移率为2x10-4 cm2 / ( V•s)，开关电流比达到102。
一系列星形低聚噻吩衍生物也可作为OFET材料。
如通过氯仿溶液旋涂得到薄膜，场迁移率达到1.03x10-3cm2/ (V•s)，开关电流比103。
以三基化胺为中心以π共扼噻吩为分支的混合材料也被合成出来，其空穴迁移率为0. 011 cm2 / ( V•s)。
2.1.3 p-沟道小分子有机小分子拥有聚合物无法比拟的优点：易于提纯，减少杂质对晶体完整性的破坏，达到器件所要求的纯度；一定的平面结构大大降低了分子势垒，有利于载流子高速迁移；易形成自组装多晶膜，降低晶格缺陷，提高有效重叠；较容易得到单晶，极大地提高了场效应迁移率。
金属酞菁小分子因具有以上优点而被广泛研究，近几年取得了很大进展。
2005年Yasuda等用Ca做电极制备的CuPc(酞菁铜)FET显示出电子和空穴两种载流子传输性质。
2007年Opitz等人又提出用酞菁铜和富勒烯混合膜制备OFET的思想，并讨论了两种化合物不同的混合比率所对应的各种迁移率和阈值电压。
利用5，50-bis-( 7-dodecyl-9H-fluoren-2-yl ) -2，20-hithiophene(DDFTTF)作为活性材料制成的OTFT器件空穴迁移率为0. 11 cm2 / ( V •s)，开关电流比为3. 1x106cm2 / ( V •s)，具有很高的灵敏度，可用于传感器材料研究。
晶态并苯化合物的禁带宽度随着芳环数目的增加而降低，有很强的电荷注入能力，表现出很高的载流子迁移率。
载流子的传输效率随着分子的有序调整或者晶体取向的改善而提高。
并苯小分子表现出很好的性能也一直是研究的热点，尤其是并五苯材料。
2008年中科院化学所采用20 nm厚的聚乙烯基咔唑( PVK)薄膜作为缓冲层，修饰并五苯与SiO2：的界面，制备了并五苯OFETs。