可控硅好坏如何测量
万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法
万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法可控硅极性和好坏可以用指针万用表或数字万用表进行推断，下面电工学习网我分别介绍这两种万用表在可控硅极性和好坏测量过程中的使用方法。
1、使用指针万用表检查可控硅极性和好坏方法依据PN结原理，可控硅三个极之间的电阻值，可用欧姆挡“R×10”或“R×100”挡测量来判别好坏。
可控硅的掌握极G与阴极K之间是一个PN结，在正常状况下，它的正向电阻在几十欧到几百欧之间，一般反向电阻比正向电阻要大。
有时测得掌握极反向电阻较小，不肯定说明掌握极特性差，主要应看其是否符合PN结的特点。
2、使用数字万用表检查可控硅极性和好坏方法推断可控硅的电极数字万用表拨至二极管挡，红表笔接某一电极，黑表笔分别接触另外两个电极。
假如其中有一次显示电压为零点几伏，则此时红表笔接的是掌握极G，黑表笔接的是阴极K，余下的则是阳极A。
假如两次都显示溢出，说明红表笔接的不是掌握极，需更换电极重测。
测试可控硅的触发力量数字万用表拨至PNP挡，此时hFE插口上的两个E孔带正电，C孔带负电，电压为2.8V。
可控硅的三个电极各用一根导线引出，阳极A、阴极K引线分别插人E孔和C孔，掌握极G悬空。
此时可控硅关断，阳极电流为零，将显示000。
把掌握极G插人另一个E孔。
显示值将从000开头快速增加，直到显示溢出符号后，马上又变成000，然后再次从000变到溢出，这样周而复始。
采纳此法可确定可控硅的触发是否牢靠。
但这样的测试由于电流较大，应尽量缩短测试时间。
必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的爱护电阻。
假如使用NPN挡，可控硅阳极A应接C孔，阴极K接E孔，以保证所加的是正向电压。
检查触发力量时，掌握极不要插人B孔，因B 孔的电压较低，可控硅无法导通。
怎么测试可控硅整流器的好坏？
怎么测试可控硅整流器的好坏？快速鉴别可控硅三个极也就是引脚的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。
可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。
另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明该元件已损坏。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。
单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。
且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。
若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。
再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1～6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。
可控硅好坏的判断
B.感应线圈部分，电容部分，主回路各连接铜排螺丝松动打火
检修：紧固螺丝
C.逆变可控硅有一只（两只）损坏
逆变可控硅损坏一只（两只）后从表头观察角度（逆变引前角）大于或等于2，直流电流和直流电压的比值比正常大很多
检修：更换可控硅
D逆变引前角调节过大
检修：重新调整逆变引前角，应该为( 1.5 )
A将正在运行的电源关机后（需关掉电源内部的总空开），用手触摸（有可能烫手）逆变阻容吸收的无感电阻，温度是基本一致的,若发现：
A.1有无感电阻温度比其它无感电阻温度高很多，则说明：和该无感电阻相串联的电容漏电
A.2有无感电阻温度很低或不热，则说明：a和该电阻相串联的电容容量减小或开路.b电阻，电容，可控硅三者之间的接线开路或可控硅损坏（指串硅）
E逆变阻容吸收部分故障，参阅第8项逆变阻容吸收的检查
4 OC(过流)灯亮
原因：
A感应器部分，电容部分及其连接铜排有短路
B逆变可控硅有两只（4只）损坏
C逆变硅质量不高
5 OV/OC同时灯亮
原因：
检修时以过压现象为主
6 LV(主控板欠压)灯亮
原因：
A 17V电源变压器损坏
B主控板上的滤电容漏电或失效
6.3逆变阻容吸收的检查
2.定期检查水管接头扎结是否牢固，使用自来水井水作为装置的冷却水源时，易积存水垢，影响冷却效果在塑料水管老化产生裂纹时，应及时更换装置在夏天运行时采用自来水井水冷却往往容易发生凝露现象应该考虑使用循环水系统，凝露严重时应该停止运行
3.定期对装置进行检修，对装置各部的螺栓螺母压接进行检查和紧固接触器继电器的触头有松动或接触不良，均应及时修理更换，不要免强使用，防止引起更大事故
如何用数字万用表测量单向或双向可控硅的好坏
如何用数字万用表测量单向或双向可控硅的好坏可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
双向可控硅的检测：用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
可控硅的测量方法
可控硅的测量方法
可控硅（也称为晶闸管）是一种常见的电子器件，广泛应用于电力电子控制和调节领域。
为了确保可控硅的正常工作，需要准确测量其关键参数。
下面将介绍几种可控硅的测量方法。
1. 电流测量：可控硅的最重要参数之一是最大额定电流。
为了测量可控硅的电流，可以使用电流表或电流传感器。
通过将电流表或电流传感器与可控硅并联，可以直接测量通过可控硅的电流。
2. 电压测量：另一个重要参数是最大额定电压。
为了测量可控硅的电压，可以使用电压表或电压传感器。
通过将电压表或电压传感器与可控硅串联，可以直接测量可控硅的电压。
3. 触发电流测量：可控硅的触发电流是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电流。
为了测量可控硅的触发电流，可以使用特定的触发电流测量电路。
该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电流来确定触发电流的大小。
4. 触发电压测量：可控硅的触发电压是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电压。
为了测量可控硅的触发电压，可以使用触发电压测量电路。
该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电压来确定触发电压的大小。
5. 温度测量：可控硅在工作过程中会产生一定的发热量，因此温度测量是必要的。
可以使用温度传感器来测量可控硅的温度。
将温度传感器与可控硅连接，并通过读取传感器输出来确定可控硅的温度。
上述方法是常用的可控硅测量方法，可以帮助工程师评估可控硅的性能和健康状态。
通过准确测量可控硅的参数，可以确保其在电力电子应用中的可靠性和稳定性。
检查可控硅的好坏方法
检查双向晶闸管（可控硅）的好坏方法:（六祖故乡人编）一、双向晶闸管作电子开关使用，能控制交流负载（例如白炽灯）的通断，根据白炽灯的亮灭情况，可判断双向晶闸管的好坏。
电路如图1所示。
将220V交流电源的任意一端接T2，另一端经过220V、100W白炽灯接T1。
触发电路由开关S和门极限流电阻R组成。
S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。
R的阻值取100～330Ω，R值取得过大，会减小导通角。
下面个绍检查步骤：第一步，先将S断开，此时双向晶闸管关断，灯泡应熄灭。
若灯泡正常发光，则说明双向晶闸管T1- T2极间短路，管子报废；如果灯泡轻微发光，表明T1-T2漏电流太大，管子的性能很差。
出现上述两种情况，应停止试验。
第二步：闭合S，因为门极上有触发信号，所以只需经过几微秒的时间，双向晶闸管即导通通，白炽灯上有交流电流通过而正常发光。
具体工作过程分析如下：在交流电的正半周，设Ua＞Ub，则T2为正，T1为负，G相对于T2也为负，双向晶闸管按照T2-T1的方向导通。
在交流电的负半周，设Ua＜Ub，则T2为负，T1为正，G相对于T2也为正，双向晶闸管沿着T1→T2的方向导通。
综上所述，仅当S闭合时灯泡才能正常发光，说明双向晶闸管质量良好。
如果闭合时灯泡仍不发光，证明门极已损坏。
（六祖故乡人编）注意事项：（1）本方法只能检查耐压在400V以下的双向晶闸管。
对于耐压值为100V、200V的双向晶闸管，需借助自耦调压器把220V交流电压降到器件耐压值以下。
（2）T1和T2的位置不得接反，否则不能触发双向晶闸管。
（3）具体到Ua、Ub中的哪一端接火线（相线），哪端接零线，可任选。
（4）利用双向晶闸管作电子开关比机械开关更加优越。
因为只需很低的控制功率，就能控制相当大的电流，它不存在触点抖动问题，动作速度极快，在关断时也不会出现电弧现象。
实际应用时，图5.9.14中的开关S可用固态继电器、干簧继电器、光电继电器等代替。
如何判断可控硅模块的好坏？
如何判断可控硅模块的好坏？可控硅又称晶闸管（晶体闸流管），是一种常用的功率型半导体器件，其最主要的功能是功率控制。
可控硅可分为单向可控硅、双向可控硅、可关断可控硅等。
可控硅的特点是具有可控的单向导电性，以小电流控制大电流，以低电压控制高电压。
可控硅可以用万用表进行检测。
一、检测单向可控硅单向可控硅是PNPN四层结构，形成3个PN结，具有3个外电极：阳极A、阴极K、控制极G。
单向可控硅的引脚如下图所示。
检测时，万用表置于“Rx10Ω”档，黑表笔（表内电池正极）接单向可控硅的控制极G，红表笔（表内电池负极）接单向可控硅的阴极K，这时测量的是单向可控硅PN结的正向电阻，应有较小的阻值。
如下图所示。
对调两表笔后，测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。
万用表黑表笔仍接单向可控硅控制极G，红表笔改接单向可控硅的阳极A，阻值应为无穷大，如下图所示。
对调两表笔后，再测，阻值仍应为无穷大。
这是因为G、A间为两个PN结反向串联，正常情况下其正、反向阻值均为无穷大。
二、检测单向晶闸管导通特性万用表置于Rx1Ω档，黑表笔接单向可控硅阳极A，红表笔接单向可控硅阴极K，表针应指示为无穷大。
这是用金属导体将控制极G与阳极A短接一下（短接后马上断开），表针应向右偏并保持在十几欧姆位置，如下图所示，否则说明单向可控硅已损坏。
三、检测双向可控硅双向可控硅是一种交流型功率控制器件。
双向可控硅的3个引脚分别是控制极G，主电极T1和主电极T2，如下图所示。
由于双向可控硅的两个主电极是对称的，因此使用中可以任意互换。
检测时，万用表置于Rx1Ω档，先用两表笔测量双向可控硅的控制极G与主电极T1之间的正、反向电阻，均应为较小阻值。
如下图所示。
再用万用表两表笔测量双向可控硅的控制极G与主电极T2之间的正、反向电阻，均应为无穷大，如下图所示。
四、检测双向可控硅的导通特性万用表置于Rx1Ω档，黑表笔接双向可控硅主电极T1，红表笔接主电极T2，表针指示应为无穷大，这是将控制极G与主电极T2短接一下，表针应向右偏转并保持在十几欧姆位置，如下图所示。
万用表如何判断可控硅好与坏
一、怎样判断可控硅的好坏普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
4.中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。
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可控硅好坏如何测量 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】
一、可控硅的特性
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
二、可控硅的管脚判别
晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。
再将万用表置于
R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
三、单向可控硅的检测
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、双向可控硅的检测
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间
再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节干电池，以提高触发电压。