(整理完)电子技术专科网上作业题及参考答案20121114(电气专业)
电工电子技术测试题(含答案)
电工电子技术测试题（含答案）一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.在有线广播中的扬声器多数是采用( )扬声器。
A、号筒式高音B、电动纸盆式C、舌簧D、压电正确答案：A2.视频信号画面的像素数量D1指( )A、352 X 288B、704 X 576C、720 X 576D、1280 X 720正确答案：C3.属于集中控制方式的网络拓朴结构是( )。
A、树型结构B、总线结构C、环型结构D、星型结构正确答案：D4.以下数字码型中,不具备一定的检测差错能力码为( )。
A、NRZ码B、CMI码C、AMI码D、HDB3码正确答案：A5.100W扩音机输出阻抗是( )。
A、50欧B、36欧C、30欧D、60欧正确答案：B6.在设备ZXR路由2842路由器时COM口的速率应设置为( )A、6400B、9200C、57600D、115200正确答案：B7.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。
A、10分钟B、2分钟C、3分钟D、5分钟正确答案：D8.(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。
A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C9.视频会议终端设备的视频源切换属于( )检查项目。
A、月B、半年C、旬D、季正确答案：D10.扩音机开关置窄带时适用播放( )。
A、音乐B、语言C、录音D、扩音正确答案：B11.软件环回有( )。
A、外环回B、外环回,内环回C、设备环D、硬件环回正确答案：B12.路由器运行于OSI模型的( )。
A、传输层B、网络层C、应用层D、数据链路层正确答案：B13.在下列各网络结构中,共享资源能力最差的是( )。
A、总线结构B、网状结构C、星型结构D、树型结构正确答案：C14.MP板为系统主处理板,M灯亮表示此板为( )。
大学生电子技术考试试题及答案
（－）填空题：将正确的答案填在横线空白处。
（43分）1、无图像，只有带回扫线的亮光栅一般是显像管加速极电压（）造成的，重调行输出变压器“SCREEN”旋钮。
2、在某一色调的彩色光中掺入白光，会使彩色光的饱和度()，掺入的白光越强，彩色光的饱和度就()。
3、自然界中出现的各种彩色，几乎都可以用某三种单色光以不同比例混合而得到。
具有这种特性的三个单色光叫()，这三种颜色叫()。
4、白平衡不良所引起的故障现象是（）色，但并不（）色。
5、红色十青色＝（）色绿色十紫色＝（）色蓝色十黄色＝（）色6、彩色电视技术中，实现相加混色的方法有()法和()法。
7、根据色差信号的不同传送方式，彩色电视广播分为（）制、（）制及（）制三种制式。
我国采用（）制。
8、在无偏转情况下的会聚称为（）会聚，偏转过程中的会聚称为（）会聚。
9、安装在电视机面板上的遥控接收器，用于接收_______________发出的红外光，并将________________转换成_____信号，再经____________________、_____________________、_________________和___________________后送入中央控制器。
10、静会静是通过调整（）极磁环与（）极磁环来实现的。
11、通常采用的消磁方法是用逐渐减小的（）磁场来消除铁制部件的剩磁。
12、彩色电视机中都安装有（）电路。
在每次开机时，自动消除所有不需要的剩余磁场。
13、对于彩色光可以用()、()和()三个物理量来描述。
亮度、色调和色饱和度称为彩色的三要素。
亮度是光作用于人眼时所引起的()的感觉。
亮度与()的强弱和()的长短有关。
14、色调和饱和度又合称为()，它既说明彩色光的颜色类别，又说明颜色的深浅程度。
15、微处理器对遥控接收器和本机有关电路送来的信号进行译码，按照指令要求，依照预先设置的运行程序，对_______________的数据进行处理，并输出相应的信号去控制电视机工作于_______________状态，如_____________________、_____________________和_______________________等。
(整理完)电子技术本科电气化专业网上作业题参考答案20121204
东北农业大学网络教育学院电子技术本科网上作业题半导体器件参考答案一、判断题1．×2．×3．×4．×5．√6．√7．×8．×9．√10．√11．×12．×13．×14．√15．×16．√17．×18．√19．×20．√21．×22．×23．×24．√25．×26．√27．√28．×29．√30．×31．×32．×33．√34．×二、选择题1．A 2．B 3．C 4．B 5．C 6．B 7．B 8．A 9．B 10．B11．B 12．A 13．C 14．B 15．C 16．B 17．B 18．C 19．C 20．B21．B，A，C 22．B 23．B 24．B 25．B 26．C，D三、填空题1．导体，绝缘体2．自由电子，空穴3．单向导电，大，小4．正，负5．正向，反向，0.7V，0.3V6．电子，空穴7．发射，基，集电，E、B、C8．正向，反向9．集电结，发射结10．PNP，NPN，NPN，PNP11．发射，集电12．I E＝I B+I C，交流电流放大系数，β13．0.3V，0.1V14．0.7V，0.3V15．反向，零16．输入特性，输出特性17．减小，不稳定18．放大，饱和，截止19．0.3V，0.7V半20．N，N，P21．0.12mA22．锗，低，硅，高23．正向电流—电压，U BE的增量，I B的增量24．反向击穿25．R＝U／I，减小26．r=ΔU／ΔI，也要改变27．集电极，发射极，少数载流子，而增大28．U CE ，最大，而减小29．最大，一半30．负，正31．击穿，稳压32．发射，集电33．集电极电流，基极电流，βI B，恒流34．栅极，源极，漏极，很大35．电子，空穴四、计算题1．二极管V反偏截止I V＝0mA根据KVL得10＝I V R十U VU V＝10V2．R＝U／I＝1／0.04＝25Ωr＝ΔU／ΔI＝0.8／0.02＝40Ω3．(a)二极管反偏截止，回路电流为零，3kΩ电阻上无压降，U AB＝6V (b)二极管正偏导通，理想二极管的正向管压降为零，U AB＝6V4．V1、V2导通，V3截止R AB＝(R1// R3)十R4十R5＝5Ω5．I B＝I E－I C＝2.02－2＝0.02mAβ＝I E/I B＝1006．V1和V2正偏导通，管压降0.7VV B＝V A十2×0.7＝2.3十1.4＝3.7VU AB＝V A一V B＝2.3一3.7＝一1.4V7．(a)V导通，V O＝—3V(b)V截止，V O＝—6V(c)V1导通，V O＝0V 0，V2截止(d)V2优先导通，V O＝—3V，V1截止五、作图题1．见答图2．见答图3．见答图4．见答图5．见答图6．见答图单级交流放大电路答案一、解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× 二、 1、解：（a ）不能。
(完整)电子技术试题及答案,推荐文档
21.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
22.当温度升高时，晶体三极管集电极电流I c变大，发射结压降变小23. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变2mA，那么它的β约为1．在半导体中，两种基本载流子是自由电子和空穴。
2.要使三极管具有放大作用，发射结应＿正偏＿＿，集电结应＿反偏＿＿。
3．某基本放大电路，若电路原来没有失真，后换了一个β值大的晶体管后，发生了失真，那么这是＿饱和＿＿失真。
4. 温度升高时，三级管的共射输入特性曲线将＿左移＿＿，输出特性曲线将＿上移＿＿，而且输出特性曲线之间的间隔将＿增大＿＿。
5.小功率稳压电路由电源变压器、整流电路、＿滤波电路＿＿和稳压电路组成。
6．(9A)16=( 10011010 )2=( 232 )8=( 154 )10。
7．三态门的三个状态分别是＿高电平（1）＿、＿低电平（0）＿、＿高阻态＿。
8. 组合逻辑电路的特点是＿没有＿记忆功能；时序逻辑电路的特点是＿具有＿记忆功能。
9. 编码器有10个输入，则输出应有＿4＿位。
10. D触发器的次态方程是Q1 n=＿＿。
11. 欲将一个存放在移位寄存器中的二进制数乘以16，需要＿4＿个移位脉冲。
二、选择题1、用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有 0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管（B）。
（A）工作正常（B）接反（C）处于击穿状态（D）以上各项都不是2、晶体管工作在放大区时的偏置状态为（C ）。
（A） b与e极，b与 c极间均正向偏置（B）b与e极，b与 c极间均反偏（C） b与e极间正偏，b与c极间反偏（D）b与e极间反偏，b与c极间正偏3、单相半波整流电路，如果电变压器副边电压V2=100V，则负载电压 Vo将是(B)。
（A）100V （B）45V （C）90V （D）60V4、直流负反馈是指（C）。
（A）直接耦合放大电路中所引入的负反馈（B）只有放大直流信号时才有的负反馈（C）在直流通路中的负反馈（D）以上各项都不是(B)6.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（C）。
大专电工电子技术考试试题及答案
大专电工电子技术考试试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 以下哪个元件是电流的通路？A. 开关B. 电阻C. 电感D. 电容答案：A2. 在交流电路中，电流和电压的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 正交D. 随机答案：C3. 欧姆定律的公式是：A. V = IRB. V = I/RC. I = V/RD. I = VR答案：C4. 以下哪个不是半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C5. 晶体管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 栅极答案：B6. 整流电路的作用是将交流电转换为：A. 直流电B. 交流电C. 脉冲电D. 正弦波答案：A7. 以下哪个不是电磁波的传播方式？A. 反射B. 折射C. 衍射D. 吸收答案：D8. 以下哪个是数字信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 线性变化D. 非线性变化答案：B9. 以下哪个是模拟信号的特点？A. 离散变化B. 连续变化C. 线性变化D. 非线性变化答案：B10. 以下哪个不是电子电路的组成元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 电池答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是电磁波的特性？A. 反射B. 折射C. 衍射D. 吸收答案：ABCD2. 以下哪些是数字电路的基本逻辑门？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：ABCD3. 以下哪些是模拟电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：ABC4. 以下哪些是晶体管的类型？A. NPNB. PNPC. N型D. P型答案：AB5. 以下哪些是整流电路的类型？A. 半波整流B. 全波整流C. 桥式整流D. 倍压整流答案：ABCD三、判断题（每题1分，共10分）1. 电流的方向是从正极流向负极。
（对）2. 欧姆定律适用于直流电路和交流电路。
（错）3. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
(整理完)电子技术专科网上作业题及参考答案(电气专业)
东北农业大学网络教育学院电子技术专科网上作业题半导体器件一、判断题1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。
( )2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
( )3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
( )4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。
( )5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。
( )6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。
( )7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。
( )8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。
( )9．常温下，硅晶体管的U BE＝0．7V，且随温度升高U BE增加。
( )10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。
（）11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
( )12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
( )13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
( )14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
( )15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
( )16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。
( )17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。
( )18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且U CE小于BU CEO时，晶体管就能安全工作。
电子技术及实训模拟题(附参考答案)
电气设备及主系统判断模拟练习题与参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1、直流电弧电压中，端部靠近触头的区段，导电率高，电位梯度大。
（）A、正确B、错误正确答案：B2、开关电器包括断路器、隔离开关、负荷开关和电抗器等。
（）A、正确B、错误正确答案：B3、计算电流互感器二次侧负荷容量时，应考虑二次负载电阻、二次导线电阻、接触电阻等所有电阻。
（）A、正确B、错误正确答案：A4、带有接地闸刀的隔离开关操作时必须先闭合隔离开关，后断开接地闸刀；先闭合接地闸刀，后断开隔离开关。
（）A、正确B、错误正确答案：B5、当电气设备一相绝缘损坏而与外壳相碰发生接地短路时，接地电流可以通过接地体向大地四周流散，形成半球形的电流场。
（）A、正确B、错误正确答案：A6、间隔将设备故障的影响限制在最小的范围内，以免波及相邻的电气回路。
（）A、正确B、错误正确答案：A7、单母接线的可靠性比双母接线高。
（）A、正确B、错误正确答案：B8、导体的对流散热量和导体的比热容有关。
（）A、正确B、错误正确答案：B9、分裂电抗器正常运行时，要求两臂母线的电压波动不大于母线额定电压的5%。
（）A、正确B、错误正确答案：A10、目前，核电站主要是利用核裂变反应释放能量来发电。
（）A、正确B、错误正确答案：A11、一般发电厂中都是用事故保安电源兼做备用电源。
（）A、正确B、错误正确答案：B12、除另有规定外，由发电厂、变电所区域内引出的铁路轨道不需要接地。
（）A、正确B、错误正确答案：A13、无母线接线形式的进出线一般比较多。
（）A、正确B、错误正确答案：B14、发电机断路器应具有开断非对称短路电流的能力、关合额定短路电流的能力和开断失步电流的能力。
（）A、正确B、错误正确答案：A15、110kV及以上的裸导体，应按晴天不发生全面电晕的条件校验，裸导体的临界电晕电压U。
应不高于最高工作电压。
（）A、正确正确答案：B16、为满足机械强度要求，电流互感器二次侧导线，一般要求铜线截面不得小于1.5mm²；铝线截面不得小于2.5mm²。
电子技术考试题和答案
电子技术考试题和答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，最基本的逻辑运算是（）。
A. 与运算B. 或运算C. 非运算D. 异或运算答案：C2. 一个触发器具有（）个稳定状态。
A. 1B. 2C. 3D. 4答案：B3. 以下哪个不是半导体材料（）。
A. 硅B. 锗C. 砷化镓D. 铜答案：D4. 在模拟电路中，放大器的主要功能是（）。
A. 改变电压B. 改变电流C. 改变电阻D. 改变电容答案：A5. 以下哪个不是数字电路的特点（）。
A. 抗干扰能力强B. 运算速度快C. 功耗低D. 信号容易传输答案：C6. 一个完整的数字系统包括（）。
A. 硬件和软件B. 输入和输出C. 逻辑和存储D. 所有以上选项答案：D7. 以下哪个不是模拟信号的特点（）。
A. 连续变化B. 可以数字化C. 容易受到噪声干扰D. 带宽有限答案：D8. 在数字电路中，逻辑门的输出状态取决于（）。
A. 输入电压B. 输入电流C. 输入信号的逻辑状态D. 门电路的温度答案：C9. 以下哪个不是集成电路的优点（）。
A. 体积小B. 功耗低C. 成本高答案：C10. 在电子电路中，二极管的主要功能是（）。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 振荡答案：B二、多项选择题（每题3分，共15分）11. 以下哪些是数字电路的基本组成元素（）。
A. 电阻B. 电容C. 逻辑门答案：C12. 在模拟电路中，以下哪些是放大器的类型（）。
A. 运算放大器B. 功率放大器C. 信号放大器D. 所有以上选项答案：D13. 以下哪些是半导体二极管的特性（）。
A. 单向导电性B. 整流作用C. 稳压作用D. 所有以上选项答案：D14. 在数字电路中，以下哪些是触发器的类型（）。
A. RS触发器B. JK触发器C. D触发器D. T触发器答案：D15. 以下哪些是集成电路的分类（）。
A. 数字集成电路B. 模拟集成电路C. 混合信号集成电路D. 所有以上选项答案：D三、填空题（每题2分，共20分）16. 在数字电路中，逻辑“与”运算的符号是________。
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东北农业大学网络教育学院电子技术专科网上作业题半导体器件一、判断题1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。
( )2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
( )3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
( )4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。
( )5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。
( )6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。
( )7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。
( )8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。
( )9．常温下，硅晶体管的U BE＝0．7V，且随温度升高U BE增加。
( )10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。
（）11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
( )12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
( )13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
( )14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
( )15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
( )16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。
( )17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。
( )18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且U CE小于BU CEO时，晶体管就能安全工作。
( ) 19．晶体管的电流放大系数β值越大，说明该管的电流控制能力越强。
所以晶体管的β值越大越好。
( )20．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。
( )21．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。
( )22．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。
( ) 23．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。
( )24．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。
( ) 25．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。
（）26．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，I B愈小，输入电阻愈小。
( )27．晶体管的集电极—发射极击穿电压BU CEO的值同工作温度有关，温度越高，BU CEO越大。
( ) 28．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，R BE、r be都减小。
( )二、选择题1．如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管( )。
A．正常B．已被击穿C．内部断路2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于( )。
A．饱和状态B．放大状态 C.截止状态3．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。
A．饱和状态B．放大状态C．截止状态4．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，U B＝0．7V，U E＝0V，则该晶体管的工作状态是( )A．饱和B．正常放大C．截止5．当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。
A．增大B．减小C．不变6．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。
A．大电阻B．接通的开关C．断开的开关7．用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是：U B＝4．7V，U C＝4．3V，U E ＝4V，则该晶体管的工作状态是( )。
A．饱和状态B．放大状态C．截止状态8．点接触型二极管比较适用于( )A．大功率整流B．小信号检波C．大电流开关9．用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R xl k挡B．R×1Ω挡C．R×10kΩ挡10．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( )半导体。
A．N型B．P型C．本征11．N型半导体( )，P型半导体( )。
A．带正电B．带负电C．呈中性12．对PN结加反偏电压时，参与导电的是( )。
A．多数载流子B．少数载流子C．既有多数载流子，也有少数载流子13．当晶体管饱和时会发生( )。
A．I C随I B变B．I C不随I B变C．I C随U be变D．Ic随β变14．两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( )。
A．二种B．三种C．四种D．五种15．场效应管G—S之间的电阻比晶体管B—E之间的电阻( )。
A．大B．小C．差不多16．场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。
A．栅极电流B．栅源电压C．源极电压D．源极电流17．下列半导体材料中热敏性突出（导电性受温度影响最大）的材料是( )。
A．本征半导体B．N型半导体C．P型半导体18．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( )。
A．温度B．杂质浓度C．原本征半导体的纯度19．P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。
A．正电B．负电C．电中性20．PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( )。
A．变窄B．变宽C．不变21．使晶体管具有放大作用的外部条件是( )。
A．发射结正偏B．发射结反偏C．集电结正偏D．集电结反偏22．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( )A．电流放大系数βB．反向饱和电流I CBO C．反向击穿电压B U CEO D．耗散功率P CM三、填空题1．半导体按导电类型分为（）型半导体与（）半导体。
2．N型半导体主要靠（）来导电，P型半导体主要靠（）来导电。
3．二极管按所用材料可分为（）和（）两类，按PN结的结构特点可分为（）型和（）型两种。
4．PN结的正向接法是P型区接电源的（）极，N型区接电源的（）极。
5．P型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
6．N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
7．晶体管的三个电极分别称为（）极、（）极和（）极，它们分别用字母（）、（）和（）来表示。
8．由晶体管的输出特性可知，它可分为（）区、（）区和（）区三个区域。
9．晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做（），另一个叫做（）。
10．晶体管具有电流放大作用的内部条件是：（）区的多数载流子浓度高；（）结的面积大；（）区尽可能地薄；（）结正向偏置；（）结反向偏置。
11．晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（）结正向偏置；（）结反向偏置。
12．晶体管的电流放大作用，是通过改变（）电流来控制（）电流的，其实质是以（）电流控制（）电流。
13．硅晶体管的饱和电压降为（），锗晶体管的饱和电压降为（）。
14．硅晶体管发射结的导通电压约为（），锗晶体管发射结的导通电压约为（）。
15．当晶体管处于饱和状态时，它的发射结必定加（）电压，集电结必定加（）电压或（）电压。
16．当晶体管的U CE一定时，基极与发射极间的电压U BE与基极电流I B之间的关系曲线称为（）曲线；当基极电流I B一定时，集电极与发射极间的电压U CE与集电极电流I C的关系曲线称为（）曲线。
17．晶体管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管（），所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。
18．晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在（）状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在（）状态和（）状态。
19．PN结中的内电场会阻止多数载流子的（）运动。
促使少数载流子的（）运动。
20．NPN型晶体管的发射区是（）型半导体，集电区是（）型半导体，基区是（）型半导体。
21．有一个晶体管继电器电路，其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。
若晶体管的电流放大系数β＝50，要使继电器开始动作，晶体管的基极电流至少应为（）。
22．点接触型二极管因其结电容（），可用于（）和（）的场合；面接触型二极管因其接触面积大，可用于（）的场合。
23．晶体管的输入特性曲线和二极管的（）关系特性相似，晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是（）和（）的比值。
24．晶体管的输出特性是指（）为常数时，（）与（）之间的函数关系。
25．二极管的直流电阻(即静态电阻)定义表达式为（），如果工作点上移，直流电阻值将（）。
26．二极管的结电容包含两部分：（）电容和（）电容，一般（）电容占主要地位。
27．晶体管的穿透电流I CEO是在基极开路时，由（）流向（）的电流。
它是由—（）产生的，随温度的增高（）。
28．晶体管的集电极发射极击穿电压BU CEO是指基极开路时（）的（）允许电压值，BU CEO随温度的增高（）。
29．半导体中的总电流是（）与（）的代数和。
30．在半导体中，自由电子带（）电，空穴带（）电。
31．理想二极管正向导通时，其压降为（）V；反向截止时，其电流为（）μA。
32．使晶体管处于放大状态的偏置状况是：（）结正偏，（）结反偏。
33．场效应管分（）和（）两大类。
34．场效应管的三个管脚分别称为（）、（）和（）。
它的输入电阻（），这是晶体管与之无法比拟的特点。
35．场效应管中参与导电的载流子，只能是电子或空穴中的一种，NMOS管的载流子是（），PMOS 管的载流子是（）。
四、计算题1．如图所示，设二极管的正向电压降为0．5V，求U A分别为十5V、—5V、0V时，U B的值。
2．某二极管的正向电压为1V时电流为40mA，这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0．8V时的电流变化为20mA，则二极管的交流内阻是多少?3．在如图所示电路中，当U A＝十10V、U B＝0V时，试求输出端电压U F及各元件中通过的电流。
(设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大)4．在如图所示电路中，V1、V2、V3均为理想二极管。
A、B两端的等效电阻及R AB应为多少?5．某人测量一只3DG6型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态?(1) U BE＝0.7V，U BC＝0.4V，U CE＝0.3V；(2) U BE＝0.7V，U BC＝-6V，U CE＝6.7V；(3) U BE＝0V，U BC＝-12V，U CE＝12V。
6．在如图所示电路中，已知V A＝2.3V，V1、V2为硅管，其管压降为0.7V，试估计V B等于几伏?U AB等于几伏?五、作图题1．如图所示电路中，已知u i为幅值8V的正弦波，画出u o波形，其中二极管设为理想二极管。