模拟电子技术习题2及答案
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案

七、
1.电容C的位置错,可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路:
微变等效电路:
九、解:
1. 、 、
2.交流负载线:过Q点,与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ;到截止区的最大 。因此这道题要出现失真,应该是饱和失真,答同时出现也可以。
二、选择题
1.B,A,A2.B,A3.A,B,C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是:
观察放大电路的波特图。当 时,若幅频响应曲线在零点以下,则电路稳定;否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入C
(2)为了实现电流-电压转换,应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力,应引入A
(4)为了实现电流放大,应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈?
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈?
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路

第二章半导体二极管及其基本电路2-1.填空(1)N型半导体是在本征半导体中掺入;P型半导体是在本征半导体中掺入。
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会。
(3)PN结的结电容包括和。
(4)晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中,晶体管通常工作在区。
(5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅-源间所加电压应该。
(正偏、反偏)答案:(1)五价元素;三价元素;(2)增大;(3)势垒电容和扩散电容;(4)放大区、截止区和饱和区;放大区;(5)反偏。
2-2.判断下列说法正确与否。
(1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
()(2)P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()(3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。
()(4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
()(5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
()(6)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()(7)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()(8)若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零,则其输入电阻会明显减小。
()答案:(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和空穴的数量始终是相等的。
(2)错;对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时,处于电中性的状态。
(3)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。
(4)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
(5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。
(6)对;N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。
(7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。
模拟电子技术应用(二)复习题及答案

模拟电子技术应用(二)复习题与答案1.设图中VD 为普通硅二极管,正向压降为 0.7V ,试判断VD 是否导通,并计算U O 的值。
5V5V( a )( b )(a )设VD 断开,求得U O ≈-0.45V ,小于硅二极管的死区电压,所以VD 截止,U O ≈-0.45V(b )VD 导通,U O =2.3V2.计算下图电路中二极管上流过的电流I D 。
设二极管的正向导通压降为0.7V ,反向电流等于零。
( a )V ( b )(a )V 1D -=U ,VD 截止,0D =I (b ) 2.75mA m A 37.0527.010D=⎪⎭⎫⎝⎛--+-=I3.电路如图所示,VD 为理想二极管,画出各电路的电压传输特性()(I O u f u =曲线),并标明转折点坐标值。
( a )( b )( a )( b )4.已知电路中,)V ( Sin 5i t u ω=,二极管正向压降为0.7V ,画出各电路中u O1、u O2波形,并注明其电压幅值。
uu ( a )( b )--5.在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1=6.3V , VD Z2的稳定电压U Z2=7.7V ,它们的正向导通电压U D 均为0.7V ,U I 和R 的取值合理,U I 的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。
填空: U O1=V ,U O2=V ,U O3=V ,U O4=V 。
U IU IU U O1U O2U O3U O414 , 7,-0.7,-6.36.从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。
(A .放大, B .饱和, C .截止, D .损坏) ⑴;⑵;⑶;⑷;⑸。
( 1 )( 3 )( 2 )( 5 )+9V +12V--12V0V+2.3V( 4 )(1)C (2)A (3)C (4)B (5)D7. 从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C 、D 填空。
电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。
2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。
(b)VD截止,U AB=-12 V。
(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。
(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。
图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
新版模拟电子技术 部分参考答案(二)

习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示,已知1250ββ==,BEQ 0.7V U =,指出每级各是什么组态的电路,并计算电路的输入电阻i R 。
u S图5.1 习题5.1电路图解: 第一级为共集放大电路,第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示,设两管的β=100,U BEQ =0.7V ,求:(1)I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2;(2)A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。
u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解: (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===,u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示,设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
模拟电子技术基础 第二章练习题

注意:答案仅供参考! 一、填空题1。
半导体三极管属于 电流 控制器件,而场效应管属于 电压 控制器件。
2。
放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ;若负载电阻R L 变小时,其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ;产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6。
静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真;Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7。
对于下图所示电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =0.7V ,V CE(sat )=0.3V ,当β=50,静态电流I BQ = 22μA ,I CQ = 1.1mA ,管压降V CEQ = 3。
2V ;若换上一个当β=80,静态电流I BQ = 22μA ,I CQ = 1.46mA ,管压降V CEQ = 0.3V ,三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =0。
7V ,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = 282。
5 k Ω ,R C = 4 k Ω 。
9。
对于下图所示电路,已知V CC =12V ,R b1=27 k Ω,R c =2 k Ω,R e =1 k Ω,V BE =0。
7V,现要求静态电流I CQ =3mA ,则R b2= 12 k Ω .10.已知图示的放大电路中的三级管β=40,V BE =0。
7V,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流I BQ = 0.275mA ,I CQ = 11mA ,管压降V CEQ = 3V 。
11。
当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小 。
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习题2 解答选择正确答案填入空内。
(1)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的情况下,测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 ( )。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(2)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一理想电压源信号进行放大。
在连接相同负载的情况下,测得电路A 的输出电压小。
这说明电路A 的 ( )。
A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(3)在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点,电压增益比中频区增益下降3dB ,这时在相同输入电压条件下,与中频区比较,输出电压下降为( )倍。
A .1B .10C .D .(4)当负载电阻R L = 1k Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%,该放大电路的输出电阻R o 为( )。
A .0.25 k ΩB .0.5 k ΩC .1 k ΩD .1.5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设:(5)电路如题图所示,放大电路的输出端直接与输入端相连,则输出电阻R o ( )。
A .R 1B .(1+β)R 1C .R 1/ 1+βD .R 1/ βE .0(6)差模输入信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。
A.差 B.和 C.平均值答案 (1)B (2)C (3)D (4)A (5)E (6)AC_o& s V &将正确答案填入空内。
(1)在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5 mV ,它们的相位相同;此时,输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V ,则该放大电路的电压增益A v 等于 ,电流增益A i 等于 ,功率增益Ap 等于 。
(2)一电压放大电路输出端接1k Ω负载电阻时,输出电压为1V ;负载电阻断开时,输出电压上升到,则该放大电路的输出电阻R o 为 ;(3)某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500 mV ,它的互阻增益是 。
答案: (1)1V /5mV =200 1/2k Ω/5μA =100 20000 (2) Ω (3) 5×1010在括号内用“?”或“×”表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( ) (4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) (6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( ) (7)运放的2个输入信号可以分解为差模输入信号和共模输入信号。
( )解:(1)× (2)√ (3)× (4)× (5)√ (6)× (7)√题图所示电路用来测量放大电路的输入电阻和输出电阻,当开关K 1合上时,电压表V 1=50mV ;当K 1断开时,电压表V 1=100mV ,求R i 的值。
解:Ω==-=-=+=k R R V V R R V R R R V s sis s i ssi ii11501001&&&& 题图所示电路用来测量放大电路的输入电阻和输出电阻,当开关K 1和K 2合上时,电压表V 2=4 V ;当K 1合上、K 2断开时,电压表V 2=5 V ,求R o 的值。
_题图s V & 4k Ω解:(1)1oo L oooo L L ooVR V V R R k R R V ==-=Ω+&&&&某放大电路输入电阻为R i =10kΩ,如果用有效值为1μA 的电流源驱动,放大电路短路输出电流有效值为10 mA ,开路输出电压有效值为10V 。
求该放大电路接4 k Ω负载电阻时的电压增益A v ,电流增益A i 和功率增益A p ,并分别转换成dB 数表示。
解:222622101011000601011090959() 1.610110o vo Lv vo L oooLo o L L o p i i i i iV VR k A dB mA A k R A A dBR R V R P I R R R A dB P I R I R μ==Ω===⨯Ω===++====⨯≈ 互阻放大电路题图所示,试求电路的电压增益i o v v v A =和电流增益so i i iA =的表达式。
解:ro io L L i i iro oL Li o v A R R R R i R i A R R R v v A )(+=+==ro i o L i s ro i o L L L i s is i L o s o i A R R R R R A R R R R R R R R R v R v i i A )(//)(/////+=+===有以下三种放大电路备用:(1)高输入电阻型:R i1 =1MΩ,A VO1 = 10,R O1 = 10kΩ; (2)高增益型:R i2 =10kΩ,A VO2 = 100,R O2 = 1kΩ; (3)低输出电阻型:R i3 =10kΩ,A VO3 = 1,R O3 = 20Ω;用这三种放大电路组合,设计一个能在100Ω负载电阻上提供至少功率的放大器(用等效模型表示)。
已知信号源开路电压有效值为30 mV ,内阻为R S = MΩ。
解:三个放大器按题图级联可实现题意要求,参数计算如下:题图R LiWR V P V V A V R R A R R R A R R R A R R R R A A A R R R v v v v v v v v v v A Lo o S V o o L vo L o i vo i o i vo i s i i v v v si i s i i o o o o o s o v 57.05.72522322323121211321111122=====++++=⋅⋅⋅+===题图某电唱机拾音头内阻为1MΩ,开路输出电压有效值为1V ,如果直接将它与10Ω扬声器相连,扬声器上的电压和功率各为多少如果在拾音头和扬声器之间接入一个放大电路,设放大电路的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,开路电压增益为10。
试求这时扬声器上的电压和功率。
解:拾音头直接与扬声器相连,扬声器上的电压和功率分别为:0100011101022===≈⨯Ω+ΩΩ=+=L oo s s L L o R V P VV M V R R R V拾音头经放大器再与扬声器相连,扬声器上的电压和功率分别为:WR V P VVV M M M V R R A R R R R V L o o s o L vo L s i i o 625.0105.25.211010101011122===≈⨯Ω+Ω⨯Ω⨯Ω+ΩΩ=++=已知一个集成运放的开环差模增益A d 为100dB ,输出正饱和电压-峰值V o s a t +=+14V 和负饱和电压V o s a t -=-14V ,分别计算差模输入电压v I D (即v I P -v I N )为10μV 、100μV 、1mV 、1V 和-10μV 、-100μV 、-1mV 、-1V 时的输出电压v O 。
解:510010d A dB ==如果osat d id osat V A v V -+<<,则运放工作在线性区,o d id v A v =;否则,工作在非线性区。
计算结果如下表:R LV S高输入电阻型 高增益型 低输出电阻型运放电路如题图所示,已知R id =500k Ω,Ro=1k Ω,R 1=10k Ω,R 2=100k Ω,运放开路电压增益A do 趋于无穷大。
试求电压增益ov sv A v =、输入电阻Ri 和输出电阻Ro 。
解:如果开路电压增益A do 趋于无穷大,则()0,==0v v v v +-+--→即,R id 上的电流也为0。
故2110100o v s i v RA v R R R R ==-=-=→运放电路如题图所示,已知R id =500k Ω,Ro=1k Ω,R 1=10k Ω,R 2=100k Ω,运放开路电压增益A do 趋于无穷大。
试求电压增益ov sv A v =、输入电阻Ri 和输出电阻Ro 。
解:如果开路电压增益A do 趋于无穷大,则()0,==i v v v v v +-+--→即,R id 上的电流也为0。
故题图题图12111o v s v R R A v R +=== 00i R R →∞→运放电路如题图所示,已知R id =500k Ω,Ro=1k Ω,R 1=10k Ω,R 2=100k Ω,运放开路电压增益A do 趋于无穷大。
试求运放同相端电压v ip 和输出电压v o 。
题图解:v ip =1V ,v o=14V。