先进微电子封装工艺技术

先进微电子封装工艺技术
先进微电子封装工艺技术

先进微电子封装工艺技术培训

培训目的:

1、详细分析集成电路封装产业发展趋势;

2、整合工程师把握最先进的IC封装工艺技术;

3、详细讲述微电子封装工艺流程及先进封装形式;

4、讲述微电子封装可靠性测试技术;

5、微电子封装与制造企业以及设计公司的关系;

6、实际案例分析。

参加对象:

1、大中专院校微电子专业教师、研究生;;

2、集成电路制造企业工程师,整机制造企业工程师;

3、微电子封装测试、失效分析、质量控制、相关软件研发、市场销售人员;

4、微电子封装工艺设计、制程和研发人员;

5、微电子封装材料和设备销售工程师及其应用的所有人员;

6、微电子封装科研机构和电子信息园区等从业人员

【主办单位】中国电子标准协会培训中心

【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司

课程提纲(内容):

Flip Chip Technology and Low Cost Bumping Method

l What is Flip Chip

l Why Use Flip Chip

l Flip Chip Trend

l Flip Chip Boding Technology

l Why Underfill

l No Flow Underfill

l Other Key Issues

Wafer Level Packaging

l What is IC packaging?

l Trend of IC packaging

l Definition and Classification of CSP

l What is wafer level packaging?

l Overview Technology Options

—Wafer level High Density Interconnections

—Wafer level Integration

—Wafer Level towards 3D

l WLP toward 3D

l Wafer level Challenges

l Conclusion

讲师简介:

罗乐(Le Luo)教授

罗教授1982年于南京大学获物理学学士学位,1988年于中科院上海微系统与信息技术研究所获工学博士学位。1990年在超导研究中取得重大突破被破格晋升为副研究员,1991—199

2德国达姆斯达特工业大学博士后,1993年破格晋升为研究员。1982—1994年间主要研究金属及化合物中的缺陷,低温及高温超导材料,1994年起转入电子材料、电子器件封装及可靠性研究,先后任上海微系统与信息技术—德国戴姆勒、奔驰集团电子器件封装联合研究实验室副主任,Daimlerchrysler SIM 公司电子器件封装部经理,其间在德、中两地开展过多次合作研究。

封装与微组装

摘要:近年来,封装与微组装技术进入了超高速发展时期,新的封装和组装形式不断涌现,而其标准化工作已经严重滞后,导致概念上的模糊,这必然会对该技术的发展造成影响。力求将具有电子行业特点的封装与微组装技术的内涵和特点加以诠释,并对其发展提出见解和建议,以促进该技术的发展。 关键字:封装、微组装、发展、BGA、SOP、FC、CSP、MCM、集成电路、系统级封装 正文: 一、电子产品技术概述 第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管,它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。五十年代末期,世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路,从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。 随着电子元器件向小型化、复合化、轻量化、多功能、高可靠、长寿命的方向变革,从而相继出现了各种类型的片式电子元器件(SMC/SMD),导致了第四代组装技术即表面组装技术(SMT)的出现,在世界上引发了一场电子组装技术的新革命。在国际上,片式电子元器件应用于电子整机,始于用年代,当时美国IBM公司首先把片式电子元器件用于微机。 目前世界上发达国家已广泛采用表面贴装技术,片式元器件已成为电子元器件的主体,其中片式电容、片式电阻、片式电感以及片式敏感元件的需求量约占片式元件的90%,世界上发达国家电子元器件片式化率己高达80%以上,全世界平均亦在40%,而我国仅为约30%,可以预见,加入WTO后,片式元件产业的市场竞争将更趋激烈。实现了批量生产全系列片式电容器、片式电阻器、片式电感器,开始摆脱一代代重复引进的被动局面,并逐步走上自主发展的道路。2001年片式电容器、片式电阻器、片式电感器等片式元件市场低迷,价格普遍下调15%~20%,对国内元件生产企业造成了一定的影响。 二、集成电路与微电子封装技术 集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于硅的集成电路)和罗伯特·诺伊思(基于锗的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

微电子封装技术的发展现状

Welding Technology Vol.38No.11Nov.2009·专题综述·微电子封装技术的发展现状 张 满 (淮阴工学院机械系,江苏淮安223001) 摘要:论述了微电子封装技术的发展历程、发展现状及发展趋势,主要介绍了微电子封装技术中的芯片级互联技术与微电子装联技术。芯片级互联技术包括引线键合技术、载带自动焊技术、倒装芯片技术。倒装芯片技术是目前半导体封装的主流技术。微电子装联技术包括波峰焊和再流焊。再流焊技术有可能取代波峰焊技术,成为板级电路组装焊接技术的主流。从微电子封装技术的发展历程可以看出,IC 芯片与微电子封装技术是相互促进、协调发展、密不可分的,微电子封装技术将向小型化、高性能并满足环保要求的方向发展。关键词:微电子封装;倒装芯片;再流焊;发展现状中图分类号:TN6;TG454 文献标志码:A 收稿日期:2009-06-04 文章编号:1002-025X (2009)11-0001-05 0前言 上世纪90年代以来,以“3C ”,即计算机 (computer )、通信(communication )和家用电器等消费类电子产品(consumer electronics )为代表的IT 产业得到迅猛发展[1]。微电子产业已经成为当今世界第一大产业,也是我国国民经济的支柱产业。现代微电子产业逐渐演变为设计、制造和封装三个独立产业[2]。微电子封装技术是支持IT 产业发展的关键技术,作为微电子产业的一部分,近年来发展迅速。微电子封装是将数十万乃至数百万个半导体元件(即集成电路芯片)组装成一个紧凑的封装体,由外界提供电源,并与外界进行信息交流。微电子封装可以保证IC 在处理过程中芯片免受机械应力、环境应力(例如潮气和污染)以及静电破坏。封装必须满足器件的各种性能要求,例如在电学(电感、电容、串扰)、热学(功率耗散、结温)、质量、可靠性以及成本控制方面的各项性能指标要求。 现代电子产品高性能的普遍要求、计算机技术的高速发展和LSI ,VLSI ,ULSI 的普及应用,对PCB 的依赖性越来越大,要求越来越高。PCB 制作工艺中的高密度、多层化、细线路等技术的应用越来越广 泛。微电子封装越来越受到人们的重视。目前,表面 贴装技术(SMT )是微电子连接技术发展的主流,而表面贴装器件、设备及生产工艺技术是SMT 的三大要素。SMT 元器件及其装配技术也正快速进入各种电子产品,并将替代现行的PCB 通孔基板插装方法,成为新的PCB 制作支柱工艺而推广到整个电子行业。 1微电子封装的发展历程 IC 封装的引线和安装类型有很多种,按封装安 装到电路板上的方式可分为通孔插入式(TH )和表面安装式(SM ),或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为3个阶段: 第1阶段,上世纪70年代以插装型封装为主, 70年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP )可 应用于模塑料、模压陶瓷和层压陶瓷3种封装技术中,可以用于I /O 数从8~64的器件,这类封装所使用的印刷线路板PWB 成本很高。与DIP 相比,面阵列封装(如针栅阵列PGA )可以增加TH 类封装的引线数,同时显著减小PWB 的面积。PGA 系列可以应用于层压的塑料和陶瓷两类技术,其引线可超过1 000。值得注意的是,DIP 和PGA 等TH 封装由于引 线节距的限制无法实现高密度封装。 第2阶段,上世纪80年代早期引入了表面安装 1

微电子封装必备答案

微电子封装答案 微电子封装 第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么?发展趋势怎样?(P8、9页) 答:特点: (1)微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵排列发展。 (2)微电子封装向表面安装式封装发展,以适合表面安装技术。 (3)从陶瓷封装向塑料封装发展。 (4)从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势: (1)微电子封装具有的I/O引脚数将更多。 (2)微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 (3)微电子封装将更轻、更薄、更小。 (4)微电子封装将更便于安装、使用和返修。 (5)微电子封装的可靠性会更高。 (6)微电子封装的性能价格比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次(级别)?并简单说明其内容。(P15~18页)答:(1)一级微电子封装技术 把IC芯片封装起来,同时用芯片互连技术连接起来,成为电子元器件或组件。 (2)二级微电子封装技术 这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。 (3)三级微电子封装技术 由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成,是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能?(P19页) 答:1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类?粘接的介质有何不同(成分)?。(P12页) 答:(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分:芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。 (2)Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分:芯片背面用Au层或Ni层均可,基板导体除Au、Pd-Ag外,也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分:导电胶(含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。) (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分:有机树脂基(低应力且要必须去除α粒子) 5、简述共晶型芯片固晶机(粘片机)主要组成部分及其功能。 答:系统组成部分: 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别(PR)系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比,点浆型芯片固晶机(粘片机)在各组成部分及其功能的主要不同在哪里?答: 名词解释:取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶

微电子封装

晶圆:由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片 微电子封装技术特点: 1:向高密度及高I/O引脚数发展,引脚由四边引出趋向面阵引出发展 2:向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装(SMT)技术及生产要求 3:向高频率及大功率封装发展 4:从陶瓷封装向塑料封装发展 5:从单芯片封装(SCP)向多芯片封装(MCP)发展 6:从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术 微电子封装的定义:是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片,并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳 狭义的电子封装技术定义:是指利用膜技术及微细连接技术,将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接,引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。(最基本的) 广义的电子封装技术定义:是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能,转变为能适用于设备或系统的形式,并使之为人类社会服务的科学与技术。(功能性的) 微电子封装的功能: 1:提供机械支撑及环境保护; 2:提供电流通路; 3:提供信号的输入和输出通路; 4:提供热通路。 微电子封装的要点: 1:电源分配; 2:信号分配; 3:机械支撑; 4:散热通道; 5:环境保护。 零级封装:是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路;更确切地应该叫未加封装的裸芯片。 一级封装:是指采用合适的材料(金属、陶瓷或塑料)将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装,同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合(wire bonding,WB)、载带自动焊(tape automated bonding,TAB)、倒装片键合(flip chip bonding,FCB)三种互联技术连接,使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。 二级封装技术:实际上是一种多芯片和多元件的组装,即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。

电子封装技术介绍

电子封装技术介绍 电子封装就是安装集成电路内置芯片外用的管壳,起着安放固定密封,保护集成电路内置芯片,增强环境适应的能力,并且集成电路芯片上的铆点也就是接点,是焊接到封装管壳的引脚上的。 电子封装发展随着电子技术的飞速发展,封装的小型化和组装的高密度化以及各种新型封装技术的不断涌现,对电子组装质量的要求也越来越高。所以电子封装的新型产业也出现了,叫电子封装测试行业。可对不可见焊点进行检测。还可对检测结果进行定性分析,及早发现故障。现今在电子封装测试行业中一般常用的有人工目检,在线测试,功能测试,自动光学检测等,其人工目检相对来说有局限性,因为是用肉眼检查的方法,但是也是最简单的。只能检察器件有无漏装、型号正误、桥连以及部分虚焊。自动光学检测是近几年兴起一种检测方法。它是经过计算机的处理分析比较来判断缺陷和故障的,优点是检测速度快,编程时间短,可以放到生产线中的不同位置,便于及时发现故障和缺陷,使生产、检测合二为一。可缩短发现故障和缺陷时间,及时找出故障和缺陷的成因。所以它是现在普遍采用的一种检测手段。 电子封装应用电子封装系统地介绍了电子产品的主要制造技术。内容包括电子制造技术概述、集成电路基础、集成电路制造技术、元器件封装工艺流程、元器件封装形式及材料、光电器件制造与封装、太阳能光伏技术、印制电路板技术以及电子组装技术。书中简要介绍了电子制造的基本理论基础,重点介绍了半导体制造工艺、电子封装与组装技术、光电技术及器件的制造与封装,系统介绍了相关制造工艺、相关材料及应用等。现在很多电子封装材料用的都是陶瓷,玻璃以及金属。但是现在出来一种新型密封质料,环氧树脂材料,用环氧树脂纯胶体封装,相对其他材料来说,密封性能更好,并且对于一些特

先进微电子封装工艺技术

先进微电子封装工艺技术培训 培训目的: 1、详细分析集成电路封装产业发展趋势; 2、整合工程师把握最先进的IC封装工艺技术; 3、详细讲述微电子封装工艺流程及先进封装形式; 4、讲述微电子封装可靠性测试技术; 5、微电子封装与制造企业以及设计公司的关系; 6、实际案例分析。 参加对象: 1、大中专院校微电子专业教师、研究生;; 2、集成电路制造企业工程师,整机制造企业工程师; 3、微电子封装测试、失效分析、质量控制、相关软件研发、市场销售人员; 4、微电子封装工艺设计、制程和研发人员; 5、微电子封装材料和设备销售工程师及其应用的所有人员; 6、微电子封装科研机构和电子信息园区等从业人员 【主办单位】中国电子标准协会培训中心 【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 课程提纲(内容): Flip Chip Technology and Low Cost Bumping Method l What is Flip Chip l Why Use Flip Chip

l Flip Chip Trend l Flip Chip Boding Technology l Why Underfill l No Flow Underfill l Other Key Issues Wafer Level Packaging l What is IC packaging? l Trend of IC packaging l Definition and Classification of CSP l What is wafer level packaging? l Overview Technology Options —Wafer level High Density Interconnections —Wafer level Integration —Wafer Level towards 3D l WLP toward 3D l Wafer level Challenges l Conclusion 讲师简介: 罗乐(Le Luo)教授 罗教授1982年于南京大学获物理学学士学位,1988年于中科院上海微系统与信息技术研究所获工学博士学位。1990年在超导研究中取得重大突破被破格晋升为副研究员,1991—199

微电子封装技术论文范文

微电子封装技术论文范文 微电子封装技术是90年代以来在半导体集成电路技术、混合集成电路技术和表面组装技术(SMT)的基础上发展起来的新一代电子组装技术。下面是由 ___的微电子封装技术,谢谢你的阅读。 微电子封装技术的发展趋势 【摘要】本文论述了微电子封装技术的发展历程,发展现状和发展趋势,主要介绍了几种重要的微电子封装技术,包括:BGA 封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术、3D封装技术、MCM封装技术等。 【关键词】微电子技术;封装 1.微电子封装的发展历程 IC 封装的引线和安装类型有很多种,按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式(TH)和表面安装式(SM),或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为三个阶段: 第一阶段:上世纪70 年代以插装型封装为主,70 年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP)。

第二阶段:上世纪80 年代早期引入了表面安装(SM)封装。比较成熟的类型有模塑封装的小外形(SO)和PLCC 型封装、模压陶瓷中的CERQUAD、层压陶瓷中的无引线式载体(LLCC)和有引线片式载体(LDCC)。PLCC,CERQUAD,LLCC和LDCC都是四周排列类封装,其引线排列在封装的所有四边。 第三阶段:上世纪90 年代,随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用,LSI,VLSI,ULSI相继出现,对集成电路封装要求更加严格,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,因此,集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展,出现了球栅阵列封装(BGA),并很快成为主流产品。 2.新型微电子封装技术 2.1焊球阵列封装(BGA) 阵列封装(BGA)是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是:I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和

微电子封装技术作业(一)

第一次作业 1 写出下列缩写的英文全称和中文名称 DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装 BGA: ball grid array, 球状矩阵排列 QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列 WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装 CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装 LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列 PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体 SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序 PGA: pin grid array, 引脚阵列封装 MCM: multiple chip module, 多片模块 SIP: System in a Package, 系统封装 COB: Chip on Board, 板上芯片 DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装,同COB MEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统 2 简述芯片封装实现的四种主要功能,除此之外LED封装功能。 芯片功能 (1)信号分配;(2)电源分配;(3)热耗散:使结温处于控制范围之内;(4)防护:对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护 LED器件 (2)LED器件:光转化、取光和一次配光。 3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。 微电子封装技术的技术层次 第一层次:零级封装-芯片互连级(CLP) 第二层次:一级封装SCM 与MCM(Single/Multi Chip Module) 第三层次:二级封装组装成SubsystemCOB(Chip on Board)和元器件安装在基板上 第三层次:三级微电子封装,电子整机系统构建 相对应的产品如图(1)所示:

微电子封装技术

第一章绪论 1、封装技术发展特点、趋势。(P8) 发展特点:①、微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向引出向面阵列排列发展;②、微电子封装向表面安装式封装(SMP)发展,以适合表面安装技术(SMT);③、从陶瓷封装向塑料封装发展;④、从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势:①、微电子封装具有的I/O引脚数将更多;②、应具有更高的电性能和热性能;③、将更轻、更薄、更小;④、将更便于安装、使用和返修;⑤、可靠性会更高;⑥、性价比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。 2、封装的功能(P19) 电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护。 3、封装技术的分级(P12) 零级封装:芯片互连级。 一级封装:将一个或多个IC芯片用适宜的材料(金属、陶瓷、塑料或它们的组合)封装起来,同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用如上三种芯片互连方法(WB、TAB、FCB)连接起来使之成为有实用功能的电子元器件或组件。 二级封转:组装。将上一级各种微电子封装产品、各种类型的元器件及板上芯片(COB)一同安装到PWB或其它基板上。 三级封装:由二级组装的各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上构成的,立体组装。4、芯片粘接的方法(P12) 只将IC芯片固定安装在基板上:Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有机树脂基粘接法。 芯片互连技术:主要三种是引线键合(WB)、载带自动焊(TAB)和倒装焊(FCB)。早期有梁式引线结构焊接,另外还有埋置芯片互连技术。 第二章芯片互连技术(超级重点章节) 1、芯片互连技术各自特点及应用 引线键合:①、热压焊:通过加热加压力是焊区金属发生塑性形变,同时破坏压焊界面上的氧化层使压焊的金属丝和焊区金属接触面的原子间达到原子引力范围,从而使原子间产生引力达到键合。两金属界面不平整,加热加压可使上下金属相互镶嵌;加热温度高,容易使焊丝和焊区形成氧化层,容易损坏芯片并形成异质金属间化合物影响期间可靠性和寿命;由于这种焊头焊接时金属丝因变形过大而受损,焊点键合拉力小(<0.05N/点),使用越来越少。②、超声焊:利用超声波发生器产生的能量和施加在劈刀上的压力两者结合使劈刀带动Al丝在被焊区的金属化层表明迅速摩擦,使Al丝和Al膜表面产生塑性形变来实现原子间键合。与热压焊相比能充分去除焊接界面的金属氧化层,可提高焊接质量,焊接强度高于热压焊;不需要加热,在常温下进行,因此对芯片性能无损害;可根据不同需要随时调节 键合能量,改变键合条件来焊接粗细不等的Al 丝或宽的Al带;AL-AL超声键合不产生任何化合 物,有利于器件的可靠性和长期使用寿命。③、 金丝球焊:球焊时,衬底加热,压焊时加超声。 操作方便、灵活、焊点牢固,压点面积大,又无 方向性,故可实现微机控制下的高速自动化焊接; 现代的金丝球焊机还带有超声功能,从而具有超 声焊的优点;由于是Au-Al接触超声焊,尽管加 热温度低,仍有Au-Al中间化合物生成。球焊用 于各类温度较低、功率较小的IC和中、小功率晶 体管的焊接。 载带自动焊:TAB结构轻、薄、短、小,封装高 度不足1mm;TAB的电极尺寸、电极与焊区节距均 比WB大为减小;相应可容纳更高的I/O引脚数, 提高了TAB的安装密度;TAB的引线电阻、电容 和电感均比WB小得多,这使TAB互连的LSI、VLSI 具有更优良的高速高频电性能;采用TAB互连可 对各类IC芯片进行筛选和测试,确保器件是优质 芯片,大大提高电子组装的成品率,降低电子产 品成本;TAB采用Cu箔引线,导热导电性能好, 机械强度高;TAB的键合拉力比WB高3~10倍, 可提高芯片互连的可靠性;TAB使用标准化的卷 轴长度,对芯片实行自动化多点一次焊接,同时 安装及外引线焊接可实现自动化,可进行工业化 规模生产,提高电子产品的生产效率,降低产品 成本。TAB广泛应用于电子领域,主要应用与低 成本、大规模生产的电子产品,在先进封装BGA、 CSP和3D封装中,TAB也广泛应用。 倒装焊:FCB芯片面朝下,芯片上的焊区直接与 基板上的焊区互连,因此FCB的互连线非常短, 互连产生的杂散电容、互连电阻和电感均比WB 和TAB小的多,适于高频高速的电子产品应用; FCB的芯片焊区可面阵布局,更适于搞I/O数的 LSI、VLSI芯片使用;芯片的安装互连同时进行, 大大简化了安装互连工艺,快速省时,适于使用 先进的SMT进行工业化大批量生产;不足之处如 芯片面朝下安装互连给工艺操作带来一定难度, 焊点检查困难;在芯片焊区一般要制作凸点增加 了芯片的制作工艺流程和成本;此外FCB同各材 料间的匹配产生的应力问题也需要很好地解决 等。 2、WB特点、类型、工作原理(略)、金丝球焊主 要工艺、材料(P24) 金丝球焊主要工艺数据:直径25μm的金丝焊接 强度一般为0.07~0.09N/点,压点面积为金丝直 径的2.5~3倍,焊接速度可达14点/秒以上,加 热温度一般为100℃,压焊压力一般为0.5N/点。 材料:热压焊、金丝球焊主要选用金丝,超声焊 主要用铝丝和Si-Al丝,还有少量Cu-Al丝和 Cu-Si-Al丝等。 3、TAB关键材料与技术(P29) 关键材料:基带材料、Cu箔引线材料和芯片凸点 金属材料。 关键技术:①芯片凸点制作技术②TAB载带制作 技术③载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术和 载带外引线的焊接技术。 4、TAB内外引线焊接技术(P37) ①内引线焊接(与芯片焊区的金属互连):芯片凸 点为Au或Ni-Au、Cu-Au等金属,载带Cu箔引线 也镀这类金属时用热压焊(焊接温度高压力大); 载带Cu箔引线镀0.5μm厚的Pb-Sn或者芯片凸 点具有Pb-Sn时用热压再流焊(温度较低压力较 小)。 焊接过程:对位→焊接→抬起→芯片传送 焊接条件:主要由焊接温度(T)、压力(P)、时 间(t)确定,其它包括焊头平整度、平行度、焊 接时的倾斜度及界面的侵润性,凸点高度的一致 性和载带内引线厚度的一致性也影响。 T=450~500℃,P≈0.5N/点,t=0.5~1s 焊接后焊点和芯片的保护:涂覆薄薄的一层环氧 树脂。环氧树脂要求粘度低、流动性好、应力小 切Cl离子和α粒子含量小,涂覆后需经固化。 筛选测试:加热筛选在设定温度的烘箱或在具有 N2保护的设备中进行;电老化测试。 ②外引线焊接(与封装外壳引线及各类基板的金 属化层互连):供片→冲压和焊接→回位。 5、FCB特点、优缺点(略,同1) 6、UBM含义概念、结构、相关材料(P46) UBM(凸点下金属化):粘附层-阻挡层-导电层。 粘附层一般为数十纳米厚度的Cr、Ti、Ni等;阻 挡层为数十至数百纳米厚度的Pt、W、Pd、Mo、 Cu、Ni等;导电层金属Au、Cu、Ni、In、Pb-Sn 等。 7、凸点主要制作方法(P47—P58) 蒸发/溅射凸点制作法、电镀凸点制作法、化学镀 凸点制作法、打球(钉头)凸点制作法、置球及 模板印刷制作焊料凸点、激光凸点制作法、移置 凸点制作法、柔性凸点制作法、叠层凸点制作法、 喷射Pb-Sn焊料凸点制作法。 8、FCB技术及可靠性(P70—P75) 热压FCB可靠性、C4技术可靠性、环氧树脂光固 化FCB可靠性、各向异性导电胶FCB可靠性、柔 性凸点FCB可靠性 9、C4焊接技术特点(P61) C4技术,再流FCB法即可控塌陷芯片连接特点: ①、C4除具有一般凸点芯片FCB优点外还可整个 芯片面阵分布,再流时能弥补基板的凹凸不平或 扭曲等;②、C4芯片凸点采用高熔点焊料,倒装 再流焊时C4凸点不变形,只有低熔点的焊料熔 化,这就可以弥补PWB基板的缺陷产生的焊接不 均匀问题;③、倒装焊时Pb-Sn焊料熔化再流时 较高的表面张力会产生“自对准”效果,这使对 C4芯片倒装焊时的对准精度要求大为宽松。 10、底封胶作用(P67) 保护芯片免受环境如湿气、离子等污染,利于芯

微电子封装技术的发展趋势

微电子封装技术的发展趋势 陆逢 (中国矿业大学材料学院,221116) 【摘要】 :论述了微电子封装的发展历程,发展现状和发展趋势,主要介绍了几种重要的微电子封装技术(BGA封装技术.CSP封装技术。MCM封装技术. 3D封装技术.SIP封装技术等)。封装技术的进步满足了人们的需求,促进了电子产业的发展. 【关键词】:微电子技术;封装;BGA; MCM ;3D封装 ; SIP 0引言 电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展[9],这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求,单位体积信息的提高和单位时间处理速度的提高成为促进微电子封装技术发展的重要因素。 封装承接承接集成电路的制作,是电子产品制造过程的重要环节,它保护芯片,并提供元器件之间的信号传递。人们对电子产品的要求逐步提高,因而对PCB的依赖性越来越大。PCB的制作逐步向高密度。多层化。细线路发展,电子产品也趋于轻.薄。密.小,推动了封装小型化[1]。 1 微电子封装的发展历程 集成电路封装的引线和安装类型有很多,按安装到电路板的方式可分通孔插入式和表面安装式,目前的电子封装主要采用表面贴装方式,通孔插入的方式已经很少使用,只用在在个别部件.集成电路封装的历史,其发展主要划分为三个阶段。 第一阶段,在二十世纪七十年代之前,以插装型封装为主。包括最初的金属圆形(TO型)封装,后来的陶瓷双列直插封装、陶瓷—玻璃双列直插封装和塑料双列直插封装(PDIP)。尤其是PDIP,由于性能优良、成本低廉又能批量生产而成为主流产品。 第二阶段,在二十世纪八十年代以后,以表面安装类型的四边引线封装为主。当时,表面安装技术被称作电子封装领域的一场革命,得到迅猛发展。与之相适应,一批适应表面安装技术的封装形式,如塑料有引线片式裁体、塑料四边引线扁平封装、塑料小外形封装以及无引线四边扁平封装等封装形式应运而生,迅速发展.由于密度高、引线节距小、成本低并适于表面安装,使PQFP 成为这一时期的主导产品。 第三阶段,在二十世纪九十年代以后,以面阵列封装形式为主。二十世纪九十年代初,集成电路发展到了超大规模阶段,要求集成电路封装向更高密度和更高速度发展[1]。 一般说来,微电子封装分为三级[14]。所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后,将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来,并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB)、载带自动键合(TAB)和倒装芯片键合(FCB)连接起来,使之成为有实用功能的电子元器件或组件.一级封装包括单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)两大类.应该说,一级封装包含了从圆片裂片到电路测试的整个工艺过程,即我们常说的后道封装,还要包含单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的设计和制作,以及各种封装材料如引线键合丝、引线框架、装片胶和环氧模塑料等内容。这一级也称芯片级封装。

电子封装技术

电子封装技术专业本科学生毕业后动向及出路分析 080214S:电子封装技术专业 专业级别:本科所属专业门类:材料类报读热度:★★★ 培养目标: 培养适应科学技术、工业技术发展和人民生活水平提高的需要,具有优良的思想品质、科学素养和人文素质,具有宽厚的基础理论和先进合理的专业知识,具有良好的分析、表达和解决工程技术问题能力,具有较强的自学能力、创新能力、实践能力、组织协调能力,爱国敬业、诚信务实、身心健康的复合型专业人才,使其具备电子封装制造领域的基础知识及其应用能力,毕业后可在通信设备、计算机、网络设备、军事电子设备、视讯设备等的器件和系统制造厂家和研究机构从事科学研究、技术开发、设计、生产及经营管理等工作,并为学生进入研究生阶段学习打好基础。 专业培养要求: 本专业学生主要学习自然科学基础、技术科学基础和本专业领域及相关专业的基本理论和基本知识,接受现代工程师的基本训练,具有分析和解决实际问题及开发软件等方面的基本能力,因此,要求本专业毕业生应具备以下几个方面的知识和能力: 1.具有坚实的自然科学基础,较好的人文、艺术和社会科学基础知识及正确运用本国语言和文字表达能力; 2.具有较强的计算机和外语应用能力; 3.较系统地掌握本专业领域的理论基础知识,掌握封装布线设计、电磁性能分析与设计、传热设计、封装材料和封装结构、封装工艺、互连技术、封装制造与质量、封装的可靠性理论与工程等方面的基本知识与技能,了解本学科前沿及最新发展动态; 4.获得本专业领域的工程实践训练,具有较强的分析解决问题的能力及实践技能,具有初步从事与本专业有关的产品研究、设计、开发及组织管理的能力,具有创新意识和独立获取知识的能力。 专业主干课程: 1.微电子制造科学与工程概论

微电子封装复习题

一、填空题: 1.锡膏印刷时,所需准备的材料及工具:焊膏、模板、刮刀、擦拭纸、无尘纸、清洗剂、搅拌刀。 2.Chip 元件常用的公制规格主要有 0402 、 0603 、 1005 、 1608 、 3216 、3225 。 3.锡膏中主要成份分为两大部分合金焊料粉末和助焊剂。 4.SMB板上的Mark标记点主要有基准标记(fiducial Mark)和 IC Mark 两种。 5.QC七大手法有调查表、数据分层法、散布图、因果图、控制图、直方图、排列图等。6.静电电荷产生的种类有摩擦、感应、分离、静电传导等,静电防护的基本思想为对可能产生静电的地方要防止静电荷的产生、对已产生的静电要及时将其清除。 7.助焊剂按固体含量来分类,主要可分为低固含量、中固含量、高固含量。 9.SMT的PCB定位方式有:针定位边针加边。 10.目前SMT最常使用的无铅锡膏Sn和Ag和Cu比例为 96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu 。 11.常见料带宽为8mm的纸带料盘送料间距通常为 4mm 。 二、SMT专业英语中英文互换 1.SMD:表面安装器件2.PGBA:塑料球栅阵列封装3.ESD:静电放电现象4.回流焊:reflow(soldering) 5.SPC:统计过程控制6.QFP:四方扁平封装7.自动光学检测仪:AOI 8.3D-MCM:三维立体封装多芯片组件9.Stick::棒状包装10.Tray::托盘包装11.Test:测试12.Black Belt:黑带13.Tg:玻璃化转变温度 14.热膨胀系数:CTE15.过程能力指数:CPK16.表面贴装组件:(SMA)(surface mount assemblys)17.波峰焊:wave soldering18.焊膏:solder paste 19.固化:curing 20.印刷机:printer 21.贴片机:placement equipment 22.高速贴片机:high placement equipment 25.返修: reworking 23.多功能贴片机:multi-function placement equipment 24.热风回流焊:hot air reflow soldering 三、画出PCB板设计中,一般通孔、盲孔和埋孔的结构图

新型微电子封装技术

新型微电子封装技术 高尚通 杨克武 摘 要: 本论文综述了自;十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。 关键词: 微电子封装;BGA;CSP;WLP;3D封装;SIP;三级封装 1 前言 集成电路产业已成为国民经济发展的关键,而集成电路设计、制造和封装测试是集成电路产业发展的三大产业之柱。这已是各级领导和业界的共识。微电子封装不但直接影响着集成电路本身的电性能、机械性能、光性能和热性能,影响其可靠性和成本,还在很大程度上决定着电子整机系统的小型化、多功能化、可靠性和成本,微电子封装越来越受到人们的普遍重视,在国际和国内正处于蓬勃发展阶段。本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术,包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。介绍它们的发展状况和技术特点。同时,叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。 2 微电子三级封装 谈到微电子封装,首先我们要叙述一下三级封装的概念。一般说来,微电子封装分为三级,如图1所示。所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后,将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来,并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB)、载带自动键合(TAB)和倒装芯片键合(FCB)连接起来,使之成为有实用功能的电子元器件或组件。一级封装包括单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)两大类。应该说,一级封装包含了从圆片裂片到电路测试的整个工艺过程,即我们常说的后道封装,还要包含单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的设计和制作,以及各种封装材料如引线键合丝、引线框架、装片胶和环氧模塑料等内容。这一级也称芯片级封装。二级封装就是将一级微电子封装产品连同无源元件一同安装到印制板或其它基板上,成为部件或整机。这一级所采用的安装技术包括通孔安装技术(THT)、表面安装技术(SMT)和芯片直接安装技术(DCA)。二级封装还应该包括双层、多层印制板、柔性电路板和各种基板的材料、设计和制作技术。这一级也称板级封装。三级封装就是将二级封装的产品通过选层、互连插座或柔性电路板与母板连结起来,形成三维立体封装,构成完整的整机系统,这一级封装应包括连接器、迭层组装和柔性电路板等相关材料、设计和组装技术。这一级也称系统级封装。所谓微电子封装是个整体的概念,包括了从一极封装到三极封装的全部技术内容。在国际上,微电子封装是一个很广泛的概念,包含组装和封装的多项内容。微电子封装所包含的范围应包括单芯片封装(SCP)设计和制造、多芯片封装(MCM)设计和制造、芯片后封装工艺、各种封装基板设计和制造、芯片互连与组装、封装总体电性能、机械性能、热性能和可靠性设计、封装材料、封装工模夹具以及绿色封装等多项内容。有人说,微电子封装就是封装外壳;又有人说微电子封装不过是无源元件,不可能是有源;还有人说,微电子封装不过是个包封体,可有可无,等等。这些看法都是片面的,不正确的。我们应该把现有的认识纳入国际微电子封装的轨道,这样既有利于我国微电子封装界与国外的技术交流,也有利于我国微电子封装自身的发展。 1

2021年微电子封装技术发展趋势

微电子封装技术发展趋势 欧阳光明(2021.03.07) 电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展,这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求,单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。 片式元件:小型化、高性能 片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器,这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。 随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求,对电子电路性能不断地提出新的要求,片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。在铝电解电容和钽电解电容片式化后,现在高Q值、耐高温、低失真的高性能MLCC 已投放市场;介质厚度为10um的电容器已商品化,层数高达100层之多;出现了片式多层压敏和热敏电阻,片式多层电感器,片式多层扼流线圈,片式多层变压器和各种片式多层复合元件;在小型化方面,规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展,目前最新出现的是0603(长0.6mm,宽0.3mm),体积缩小为原来的 0.88%。集成化是片式元件未来的另一个发展趋势,它能减少

组装焊点数目和提高组装密度,集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上,并能有效地提高电路性能。由于不在电路板上安装大量的分立元件,从而可极大地解决焊点失效引起的问题。 芯片封装技术:追随IC的发展而发展 数十年来,芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展,一代IC就有相应一代的封装技术相配合,而SMT的发展,更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。 六七十年代的中、小规模IC,曾大量使用TO型封装,后来又开发出DIP、PDIP,并成为这个时期的主导产品形式。八十年代出现了SMT,相应的IC封装形式开发出适于表面贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。在此基础上,经十多年研制开发的QFP不但解决了LSI的封装问题,而且适于使用SMT 在PCB或其他基板上表面贴装,使QFP终于成为SMT主导电子产品并延续至今。为了适应电路组装密度的进一步提高,QFP的引脚间距目前已从1.27mm发展到了 0.3mm 。由于引脚间距不断缩小,I/O数不断增加,封装体积也不断加大,给电路组装生产带来了许多困难,导致成品率下降和组装成本的提高。另一方面由于受器件引脚框架加工精度等制造技术的限制0.3mm已是QFP 引脚间距的极限,这都限制了组装密度的提高。于是一种先进的芯片封装BGA(Ball Grid Array)应运而生,BGA是球栅阵列的英文缩写,它的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装

光电子封装技术的研究

本设计主要阐述了国内外的新型封转技术,包括电子封转技术以及光电子封装技术在现阶段的发展和未来的发展方向和趋势。光电子封装在光通信系统下的不同类级别的封装,从而更快的传输速率,更高的性能指标、更小的外形尺寸和增加光电集成的水平和低成本的封装工艺技术。使得光电子封装系统拥有高效、稳定、自动化程度高的特点,从而适合市场的变换跟需求。 关键词光电子封装光通信系统高性能低成本高效自动化

摘要 (2) 绪言 (4) 一.新型封装技术 (5) 1.1电子封装技术 (5) 1.2光电子封装技术 (6) 二.光电子封装技术的现状 (6) 三.光电子器件封装技术 (7) 四.光电子封装在未来的生产中的发展前景 (9) 五.国内外光电子封装设备厂家 (10) 参考文献11

绪言 光电子封装是把光电器件芯片与相关的功能器件和电路经过组装和电互连集成在一个特制的管壳内,通过管壳内部的光学系统与外部实现光连接。光电子封装是继微电子封装之后的一项迅猛发展起来的综合高科技产业,光电子封装不但要求将机械的、热的及环境稳定性等因素在更高层次结合在一起,以发挥电和光的功能;同时需要成本低、投放市场快。随着电子技术的飞速发展,封装的小型化和组装的高密度化以及各种新型封装技术的不断涌现,对电子组装质量的要求也越来越高。所以电子封装的新型产业也出现了,叫电子封装测试行业。可对不可见焊点进行检测。还可对检测结果进行定性分析,及早发现故障。现今在电子封装测试行业中一般常用的有人工目检,在线测试,功能测试,自动光学检测等,其人工目检相对来说有局限性,因为是用肉眼检查的方法,但是也是最简单的。电子封装的主要制造技术,内容包括电子制造技术概述、集成电路基础、集成电路制造技术、元器件封装工艺流程、元器件封装形式及材料、光电器件制造与封装、太阳能光伏技术、印制电路板技术以及电子组装技术。使用光电子封装,对于产品的有效性使用,及保养性,都是具有十分重要的意义的。

微电子封装技术

《微电子封装技术》复习提纲 第一章绪论 ●微电子封装技术的发展特点是什么?发展趋势怎样? 特点: 1.向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵排列发展 2.向表面安装式封装(smp)发展,以适合表面安装技术(SMT) 3.从陶瓷封装向塑料封装发展 4.从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移 趋势: 1.具有的I/O引脚数将更多 2.应具有更高的电性能和热性能 3.将更轻、更薄、更小 4.将更便于安装、使用和返修 5.可靠性会更高 6.性能价格比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。 ●微电子封装可以分为哪三个层次(级别)?并简单说明其内容。 零级(晶片级的连接) 一级(单晶片或多个晶片组件或元件) 二级(印制电路板级的封装) 三级(整机的组装) 1.一级封装:用封装外壳将芯片封装成单芯片组件(Single Chip Module,简称SCM)和多 芯片组件(MCM) 2.二级封装:一级封装和其他组件一同组装到印刷电路板(PWB)(或其他基板)上 3.三级封装:将二级封装插装到母板(Mother-Board)上。 4.零级封装(包括:芯片粘接、互连):在这里,硅圆片虽然不作为一封装层次,但却是微 电子封装的出发点和核心。在IC芯片与各级封装之间,必须通过互连技术将IC芯片焊区与各级封装的焊区连接起来才可形成功能,也有的将这种芯片互连级称为芯片的零级封装。 ●微电子封装有哪些功能? 通常有五种功能,即电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护 ●芯片粘接方法分为哪几类?粘接的介质有何不同(成分)?。 (1)Au-Si合金法(共晶型) (2)Pb-Sn合金片焊接法(点锡丝型) (3)导电胶粘接法(点浆/胶型)环氧树脂 (4)有机树脂基粘接法(点浆/胶型)高分子化合物 ●简述共晶型芯片固晶机(粘片机)主要组成部分及其功能。 作业本 ●和共晶型相比,点浆型芯片固晶机(粘片机)在各组成部分及其功能的主要不同在 哪里? ●名词解释:取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶 取晶:以化学腐蚀的方法将晶粒(die)从封装中取出,以利下一步拍照评估,层次去除或其他分析的进行。

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