第七章晶闸管和场效应管
场效应管工作原理与应用通用课件

增强型场效应管是在正常工作状态下需要加正向栅极电压才能导通,而耗尽型场效应管则是加反向电 压导通。
详细描述
增强型场效应管在无电压时,半导体中没有导电沟道,需要加正向栅极电压后才会形成导电沟道;而 耗尽型场效应管在无电压时,半导体中已经存在导电沟道,加反向电压后可调节导电沟道的宽度。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
1 2
根据电路需求选择合适的类型
根据电路的电压、电流和频率要求,选择合适的 场效应管类型,如N沟道或P沟道。
考虑导通电阻和开关性能
选择导通电阻较小、开关速度较快的场效应管, 以提高电路性能。
3
考虑最大工作电压和电流
根据电路的最大电压和电流,选择能够承受的场 效应管。
场效应管使用注意事项
正确连接电源和信号线
效应管。
导通不良
02
如果场效应管导通不良,会影响电路性能,需要检查驱动信号
是否正常,以及场效应管本身是否有问题。
噪声干扰
03
如果电路中存在噪声干扰,会影响场效应管的正常工作,需要
采取措施降低噪声干扰。
05
场效应管封装与测试
场效应管封装形式
金属封装
采用金属外壳作为场效应管的封装,具有良好的 散热性能和电气性能。
场效应管工作原理与应用通 用课件
contents
目录
• 场效应管简介 • 场效应管工作原理 • 场效应管应用 • 场效应管选型与使用注意事项 • 场效应管封装与测试
01
场效应管简介
场效应管定义
场效应管(Field-Effect Transistor ,FET):是一种利用电场效应控制 电流的半导体器件。
电场效应:是指外加电场对导体内部 的电荷分布和运动状态产生影响的现 象。
场效应管知识点

场效应管知识点场效应管是一种重要的电子器件,广泛应用于各个领域,如通信、计算机、电子设备等。
它的工作原理是基于电场的调控作用,通过电场的控制来控制电流的流动,实现信号放大、开关控制等功能。
本文将从场效应管的基本结构、工作原理和应用等方面进行详细介绍。
一、场效应管的基本结构场效应管由栅极、漏极、源极和沟道四部分组成。
其中栅极是控制电流的输入端,漏极是电流的输出端,源极是电流的输入端,而沟道则连接源极和漏极。
栅极与源极之间的电压可以控制沟道中的电场分布,从而控制电流的流动。
栅极与漏极之间的电压被称为栅极电压,而漏极与源极之间的电压被称为漏极电压。
二、场效应管的工作原理1. N沟道MOSFETN沟道MOSFET是一种常见的场效应管,其沟道为N型材料。
当栅极电压为0V时,沟道中没有电子流动,处于截止状态;当栅极电压为正值时,形成栅极-沟道电场,使沟道中的N型材料中的电子被推向漏极,形成漏-源电流,处于导通状态。
2. P沟道MOSFETP沟道MOSFET是另一种常见的场效应管,其沟道为P型材料。
当栅极电压为0V时,沟道中没有空穴流动,处于截止状态;当栅极电压为负值时,形成栅极-沟道电场,使沟道中的P型材料中的空穴被推向漏极,形成漏-源电流,处于导通状态。
三、场效应管的应用场效应管具有很多优点,如高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小、速度快等,因此在电子电路设计中有着广泛的应用。
以下是场效应管的几个常见应用场景。
1. 信号放大器场效应管可以通过控制栅极电压来调节漏极电流,从而实现信号的放大。
在放大器电路中,场效应管常常作为前置放大器,将输入信号放大后再输出给后续电路。
2. 开关控制场效应管可以作为开关来控制电流的通断。
当栅极电压为高电平时,场效应管处于导通状态,电流可以通过;当栅极电压为低电平时,场效应管处于截止状态,电流无法通过。
因此,场效应管常用于各种开关电路中。
3. 数字逻辑电路由于场效应管的特性,它可以作为数字逻辑门电路的基本单元。
《电子技术工艺基础》课件:检测晶闸管与场效应管

知识 2 认识场效应管
2. 绝缘栅型场效应管
图3-20所示为绝缘栅型场效应管的结构示意图。 在一块掺杂浓度较低的P型(或N型)硅片上,用扩 散的方法形成两个高掺杂的N型(或P型)区,然后 在其表面制作一层极薄的二氧化硅绝缘层,再分别 引出电极S、D、G,构成N(或P)沟道绝缘栅型场 效应管,亦称金属-氧化物-半导体场效应管,简称 MOS管。
7
二、 晶闸管的主要技术参数
3. 额定正向平均电流
额定正向平均电流是指在规定的环境温度(40℃以下)和 散热条件下,可以连续通过50 Hz正弦波半波电流的平均值。
通常说的5 A或10 A的晶闸管是指额定正向平均电流为5 A 或10 A。
4. 控制极触发电压
控制极触发电压是指在规定的环境温度下,阳极与阴极间加一定正 向电压,晶闸管从关断到导通时控制极所需的最小直流电压。小功率晶 闸管的触发电压为1 V左右,中功率以上的晶闸管的触发电压为几伏到几 十伏。
任务实施
实施2、场效应管的检测
三. 任务实施步骤
1.结型场效应管栅极的判别
判别结型场效应管栅极的具体操作步骤如下: (1)将万用表置于R×1k挡。 (2)将黑表笔接触场效应管的一个电极,红表 笔分别接触另外两个电极。 (3)根据测量结果进行分析。
将红表笔接触一个电极,黑表笔分别去接触另 外两个电极,若测得的阻值两次都很小,则红表笔 所接触的为栅极,是P沟道场效应管。在测量中, 若所测的两阻值相差太大,可改换电极重测,直到 出现两阻值都很小或都很大时为止。
也可以将红、黑表笔分别接触源极S、漏 极D,然后用手碰触栅极,若表针偏转较大, 表明场效应管良好;若表针不动,表明场效 应管已损坏或性能不良。
22
提示
此时所测阻值应很大。
场效应管和晶闸管

场效应管简介场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
由多数载流子参与导电,也称为单极性晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高(810Ω)、噪声小、10~9功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管的外形与普通晶体管一样,但工作原理不同。
普通晶体管是电流控制器件,通过控制积极电流达到控制集电极电流或发射级电流。
场效应管是电压控制器件,其输出电流决定于输入信号电压的大小,即管子的电流受控于栅极电压。
二次击穿:对于集电极电压超过V而引起的击穿,只要外电路限制击穿后CEO的电流,管子就不会损坏,如果此时电流继续增大,引发的不可逆的击穿,称为二次击穿。
种类和结构场效应管分为两类,一类是结型场效应管,简称JFET;另一类是绝缘栅型场效应管,简称IGFET。
目前广泛应用的绝缘栅型场效应管是金属-氧化物-半导体场效应管,简称MOSFET。
场效应管有三个电极:源级(S)、栅极(G)、漏极(D),且可分为P沟道型与N沟道型两种。
工作原理场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的D I ,用以栅极与沟道间的pn 结形成的反偏的栅极电压控制D I ”。
更正确地说,D I 流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn 结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在GS V =0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加DS V 的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流D I 流动。
从栅极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,D I 饱和。
将这种状态称为夹断。
这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。
但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与栅极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
晶闸管课件.

A2 ~
O
α
α
A1
+
G
uo
-
2
t
α
可关断晶闸管及其直流调压管相同。
不同之处在于:普通晶闸管在导通后,控制极不再
起作用,只有在阳极电压为零时,晶闸管才会关断
(截止)。而可关断晶闸管
在uA>0, uG>0时,由截止变为导通
A
,而在uA>0, uG<0时,即加负脉冲
A
形成正反馈过程
T1
R
G EG
T2
EA
+ _
K EA > 0、EG > 0
在极短时间内使两个 三极管均饱和导通,此 过程称触发导通。
晶闸管导电实验
(1)晶闸管截止时,
若uA>0, uG≤0,晶闸管 仍然 截止;
(2)晶闸管截止时,
若uA>0, uG>0,晶闸管由 截止变为导通;
+
EA
-
S
EG
-+
(3)晶闸管导通时,若uA>0, uG≤0,晶闸管仍然 导通;
(2) 有源逆变。有源逆变是指把直流电变换成与 电网同频率的交流电,并将电能返送给交流电源。例 如, 目前采用的高压输电工程,将三相交流电先变换 成高压直流电,再进行远距离的输送,到目的地后, 再利用有源逆变技术把直流电变成与当地电网同频率 的交流电供给用户。
(3) 交流调压。 交流调压是指把不变的交流电压 变换成大小可调的交流电压。例如,用于灯光控制、 温度控制及交流电动机的调压调速。
–
D2 –
3.工作波形
t
uO为一个 2O
π+α
α
不完整的全
波脉动电压,
t
它相当于从 O
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测教学提纲

❖ 6.2.1 晶闸管的分类
❖ 晶闸管有多种分类方法。晶闸管按关断、导通及控 制方式,可以分为单项晶闸管、双向晶闸管、逆导 晶闸管、门极关断(可关断)晶闸管(GTO)、 BTG晶闸管、温控晶闸管、快速晶闸管、逆导晶闸 管以及光控晶闸管等多种;按引脚极性可分为二极 晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管;按封装形式可 分为金属封装晶闸管、塑料晶闸管和陶瓷封装晶闸 管。
❖ 第二种命名方法采用字母“CS”+“XX﹟”的形式,其 中“CS”代表场效应管,“XX”以字代表型号的序号, “﹟”用字母代表同一型号中的不同规格,如CS16A、 CS55、 “VT”表示,在电路原理图中的符号如图所示.
❖ 6.1.3场效应管的识别
❖ (1)单向晶闸管极性的判断
❖ 单向晶闸管的三个引脚可用指针式万用表R×1K或R×100Ω 挡来判别。根据单向晶闸管的内部结构可知:G、K之间相 当一个二极管,G为二极管正极,K为负极,所以分别测量 各引脚之间的正反电阻。如果测得其中两引脚的电阻较大 (如90K),对调两表笔,再测这两个引脚之间的电阻,阻值 又较小(如2.5K),这时万用表黑表笔接的是G极,红表笔 接的是K极,剩下的一个是A 极。
❖ 6.1.4场效应管使用注意事项 ❖ 1.使用场效应管之前,必须首先搞清楚场效应管
的类型及它的电极,必要时应通过仪表进行测试。 结型场效应管的S、D极可互换,MOS场效应管的 S、D极一般也可互换,但有些产品S极与衬底连 在一起,这时S极与D极不能互换。 ❖ 2.在线路设计中,应根据电路的需要选择场效应 管的类型及参数,使用时不允许超过场效应管的 耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 ❖ 3.各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的 偏置接入电路中,要注意场效应管偏置的极性。 ❖ 4.在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避 免靠近发热元件;为了防止管子振动,安装时要 将管子紧固;管脚引线在弯曲时,应当大于管子 根部尺寸5mm以上处进行,以防止弯断管脚而引 起漏气。
场效应晶体管及晶闸管
输入阻抗高,噪声低,适用于高保真音频放大和高速数字逻 辑电路。
工作特性比较
• 开关速度较快,但不适用于大电流开关应 用。
工作特性比较
01
晶闸管
02
电流控制型器件,通过控制阳极电流来控制 阴极电流。
03
开关速度较快,适用于大电流开关应用,如 电机控制和电源开关。
04
输入阻抗较低,噪声较大,适用于简单控制 电路。
沿和下降沿的陡峭程度也会影响电路的性能。
晶闸管的制备与工艺
07
材料选择
硅材料
硅材料是最常用的半导体材料,具有稳定的物理和化学性质,适 合大规模生产。
掺杂剂
为了改变半导体的导电性能,需要掺入其他元素作为掺杂剂,如 磷、硼等。
绝缘材料
晶闸管中的绝缘材料通常采用二氧化硅,它具有高绝缘性和稳定 性。
制造工艺流程
应用领域比较
场效应晶体管
01
适用于高速数字逻辑电路和微处理器中的 逻辑门电路。
03
02
广泛应用于高保真音频放大器、无线通信、 计算机、消费电子等领域。
04
晶闸管
主要应用于大功率电机控制、不间断电源 、电力系统、工业自动化等领域。
05
06
在需要大电流开关的应用中具有优势,如 电焊机和电动机驱动。
发展前景比较
结构
由源极、栅极和漏极三个电极组成, 通过调整栅极电压来控制源极和漏极 之间的电流。
分类与应用
分类
根据结构和工作原理的不同,场效应晶体管可分为N沟道和P 沟道两种类型。
应用
在数字电路、模拟电路、通信电路等领域广泛应用,作为放 大器、开关管、稳压电源等电子器件。
场效应晶体管的特性Fra bibliotek03电学特性
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.2 晶闸管的识别与检测 晶闸管又叫可控硅,是一种大功率半导体器 件,具有体积小、重量轻、容量大、效率高、 控制灵敏等优点。晶闸管具有硅整流器件的 特性,能在高电压、大电流条件下工作,工 作过程可以控制,被广泛应用在可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等 电子电路中。
6.2.1 晶闸管的分类
6.1.4场效应管使用注意事项 1.使用场效应管之前,必须首先搞清楚场效应管 的类型及它的电极,必要时应通过仪表进行测试。 结型场效应管的S、D极可互换,MOS场效应管的 S、D极一般也可互换,但有些产品S极与衬底连 在一起,这时S极与D极不能互换。 2.在线路设计中,应根据电路的需要选择场效应 管的类型及参数,使用时不允许超过场效应管的 耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 3.各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的 偏置接入电路中,要注意场效应管偏置的极性。 4.在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避 免靠近发热元件;为了防止管子振动,安装时要 将管子紧固;管脚引线在弯曲时,应当大于管子 根部尺寸5mm以上处进行,以防止弯断管脚而引 起漏气。
(2)单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A~10A的晶闸管,可用万用表的R×1档,红表笔接A极,黑表笔 接K极,表针不动;然后使红表笔周与A极相接的情况下,同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小,指针停在几欧到十几欧处,晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开,仍保持红表笔接A极,黑表笔接K极,若晶闸管处于 导通状态不变,则表明晶闸管是好的;否则,晶闸管可能是损坏的。
6.3.3 单结晶体管的主要参数 (1)基极间电阻Rbb 。发射极开路时,基极b1、b2之间的 电阻,一般为2~10K ,其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性,阻值大小与温度有关。 (2)分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值,公式为:η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb,它由管 子内部结构决定的常数,一般为0.3~0.9。 (3)eb1间反向电压Vcb1 b2开路,在额定反向电压Vcb2 3 eb1 Vcb1 b2 Vcb2 下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。 (4)反向电流Ieo 。b1开路,在额定反向电压Vcb2下, eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大,则 表明PN结的单向特性差,单结晶体管有漏电现象。 (5)发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时, eb1间的压降。 (6)峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时,发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
常用场效应管及晶体管参数66681
常用场效应管及晶体管参数66681场效应管(Field-Effect Transistor,FET)和晶体管(Transistor)是现代电子学中最常用的两种电子元件。
它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。
本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。
1.场效应管的参数1.1耐压(VDSS):表示场效应管的最大耐受电压,单位为伏特(V)。
1.2额定电流(ID):表示场效应管的最大额定电流,单位为安培(A)。
1.3 漏极-源极导通电阻(RDS(on)): 表示在漏极-源极之间,当场效应管处于导通状态时的阻值,单位为欧姆(Ω)。
1.4 阈值电压(VGS(th)): 表示在栅极和源极之间,场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压,单位为伏特(V)。
1.5 输入电容(Ciss): 表示场效应管的输入电容,单位为法拉(F)。
1.6 输出电容(Coss): 表示场效应管的输出电容,单位为法拉(F)。
1.7 开关时间(ton、toff): 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间,单位为纳秒(ns)。
2.晶体管的参数2.1最大耐压(VCEO):表示晶体管的最大耐受电压,单位为伏特(V)。
2.2最大额定电流(IC):表示晶体管的最大额定电流,单位为安培(A)。
2.3 饱和压降(VCE(sat)): 表示晶体管在饱和区时,集电极和发射极之间的电压降,单位为伏特(V)。
2.4 开路电流放大倍数(hfe): 表示晶体管的直流电流放大倍数。
2.5 输入电阻(hie): 表示晶体管的输入电阻,单位为欧姆(Ω)。
2.6 输出电阻(hoe): 表示晶体管的输出电阻,单位为欧姆(Ω)。
2.7 动态电阻(rce、Rce): 表示晶体管在放大区时,集电极和发射极间的动态电阻,单位为欧姆(Ω)。
3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件,具有各自独特的特性和参数。
在实际应用中,我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管,并合理使用其参数进行设计和调整。
电力电子答案
电力电子技术练习及参考解答第一章1.如图1-1所示型号为KP100-3、维持电流I H =4mA 的晶闸管,在以下各电路中使用是否合理?为什么?(不考虑电压、电流安全裕量)答:晶闸管的型号为KP100-3,表明其额定电流I T(A V)=100A 、额定电压U Tn =300V 。
图(a ),由于负载电阻值太大,以致电流I A =100/50=2mA ,小于维持电流I H =4mA ,电路不能工作,所以不合理。
图(b ),由于晶闸管承受的最大反向压电压超过了其额定电压,即u Tm =2202=311V 大于U Tn =300V ,将导致晶闸管被反向击穿,所以不合理。
图(c ),晶闸管未被触发导通时,所承受的最大电压为u Tm =150V ,小于额定电压U Tn =300V .;晶闸管被触发导通后,电流为I T =150/1=150A ,而额定电流有效值为I Tn =1.57 I T(A V)=157A ,可见晶闸管可以正常使用,即如果不考虑电压、电流安全裕量,则是合理的。
2.图1-2中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,设最大值均为I m ,试计算各图中的电流平均值I d 和有效值I 。
解:图(a ) m mm d I I t td I I 477.0)211()(sin 13≈+==⎰πωωπππΩ50k Ω1Ω图1-1(a ) (b ) (c )I(a )图1-2II(c )m m m I I t d t I I 51.08331)()sin (132=-==⎰πωωπππ 图(b ) m m m dI I t td I I 24.0)211(2)(sin 213≈+==⎰πωωπππ m m m I I t d t I I 36.083312)()sin (2132=-==⎰πωωπππ 图(c ) 41)(2120m m d I t d I I ==⎰πωπm m I t d I I 21)(21202==⎰πωπ3.画出图1-3所示电路中负载电阻R d 上的电压波形。
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GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别:
(1)设计2较大,使晶体管VT2控制灵敏, 易于GTO关断。
(2)导通时1+2更接近1(1.05,普通
晶闸管1+21.15),导通时饱和不深, 接近临界饱和,有利门极控制关断,
但导通时管压降增大。
晶闸管的工作原理
(3)多元集成结构使GTO元阴极面积很小,门、阴极间距大为缩短,使 得P2基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流。
7.1 晶闸管
双向晶闸管的检测方法 判定T1极 由图可见, G 极与 T2 极靠近,距 T1 极较远。因此, G— T2之间的正、反向电阻都很小。在用 RXlK档测任意两脚之间 的电阻时,只有在G-T2之间呈现低阻,正、反向电阻仅几十 欧,而 T1-G 、 T2-T1 之间的正、反向电阻均为无穷大。这表 明,如果测出某脚和其他两脚都不通,就肯定是 T1极。另外, 采用 TO—220封装的双向晶闸管, T1 极通常与小散热板连通, 据此亦可确定T1极。
GTO的驱动电路 2.门极驱动电路实例1
右图是一种小容量的GTO门极驱 动电路。
当 u 0 时,由晶体管VT1、VT2组成 的复合管导通,对电容充电,形成
正向门极电流,触发GTO导通,电容 的极性为左(+)右(-);当 u 0时, C VT13、VT4饱和导通,电容通过电阻
R4、VD1和VT4放电,形成反向门极
结构:
与普通晶闸管的相同点: PNPN四层半导体结构,外部引 出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件, 内部包含数十个甚至数百个共阳极的小 GTO 元,这些 GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。
G
K
G
K
G
A
N2
P2 N1 P1 A
N2 G K
a) 图1-13
GTO的驱动电路
1. GTO对门极驱动电路的基本要求
GTO的门极驱动电路通常包括开通驱动电路、关断
驱动电路和门极反偏电路三部分
门极驱动电路结构示意图及理想的门极驱动电流波形
GTO的驱动电路
1) 门极开通
GTO触发导通要求触发脉冲信号具有前沿陡、幅度高、宽 度大、后沿缓的脉冲波形; 上升沿陡峭的门极电流脉冲有利于GTO的快速导通,且可 保证使所有的GTO元件几乎同时导通,且使电流分布趋于均 匀,通常要求脉冲前沿为 diGU / dt =5~10 A / s ; 脉冲幅度高可实现强触发,有利于缩短开通时间,减少开 通损耗,为此一般要求脉冲幅度为额定直流触发电流的4~ 10倍; 脉冲有足够的宽度可以保证阳极电流可靠建立,一般取脉 宽为10~60 s ; 脉冲后沿尽量平缓可以防止产生振荡,在开通脉冲的尾部 出现负的门极电流,不利于门极开通。
b)
c)
GTO的内部结构和电气图形符号
工作原理:
与普通晶闸管一样,可以用下图所示的双晶体管模型来分析。
晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管VT1、VT2分别具有共基极电流增
益α 1和α 2。 1+2=1是器件临界导通的条件。当1+2>1时,两个等效晶体管过 饱和而使器件导通;当1+2<1时,不能维持饱和导通而关断。
双向晶闸管的检测方法 区分G极和T2极 (1) 找出T1极之后,首先假定剩下两脚中某一脚为T2极,另一脚为G极。 (2) 把黑表笔接T2极,红表笔接T1极,电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T1与G短 路,给G极加上负触发信号,电阻值应为十欧左右,证明管子已经导通,导通方向 为 T2一 T1。再将红表笔尖与 G极脱开 (但仍接 T1),若电阻值保持不变,证明管子 在触发之后能维持导通状态。 (3) 把红表笔接T2极,黑表笔接T1极,然后使T1与G短路,给G极加上正触发信号, 电阻值仍为十欧左右,与 G极脱开后若阻值不变,则说明管子经触发后,在 T1一 T2方向上也能维持导通状态,因此具有双向触发性质。由此证明上述假定正确。 否则是假定与实际不符,需再作出假定,重复以上测量。显见, 在识别G、T2的 过程中,也就检查了双向晶闸管的触发能力。如果按哪种假定去测量,都不能使 双向晶闸管触发导通,证明管于巳损坏。对于lA的管子,亦可用RXl0档检测,对 于3A及3A以上的管子,应选RXlK档,否则难以维持导通状态。
四、晶闸管的种类
7.1 晶闸管
四、晶闸管的种类 1、双向晶闸管
双向晶闸管是由N-P-N-P-N五层半导体材料制成的,对外也引出三个电 极,其结构如图所示。双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联,但只 有一个控制极。 双向晶闸管与单向晶闸管一样,也具有触发控制特性。不过,它的触发 控制特性与单向晶闸管有很大的不同,这就是无论在阳极和阴极间接入何种 极性的电压,只要在它的控制极上加上一个触发脉冲,也不管这个脉冲是什 么极性的,都可以使双向晶闸管导通。 由于双向晶闸管在阳、阴极间接任何极性的工作电压都可以实现触发控 制,因此双向晶闸管的主电极也就没有阳极、阴极之分,通常把这两个主电 极称为T1电极和T2电极,将接在P型半导体材料上的主电极称为T1电极,将 接在N型半导体材料上的电极称为T2电极。 由于双向晶闸管的两个主电极没有正负之分,所以它的参数中也就没有 正向峰值电压与反向峰值电压之分,而只用一个最大峰值电压,双向晶闸管 的其他参数则和单向晶闸管相同。 由于双向晶闸管正、反特性具有对称性,所以它可在任何一个方向导通, 是一种理想的交流开关器件。
7.1 晶闸管
晶闸管又称可控硅,是一个P1N1P2N2四层,具有3 个PN结,并引出3个电极的半导体开关器件。它的三个电 极,分别是阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。
7.1 晶闸管
晶闸管又称可控硅,是一个P1N1P2N2四层,具有3 个PN结,并引出3个电极的半导体开关器件。它的三个电 极,分别是阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。 内部结构:
电流,使GTO关断。 门极驱动电路实例1
7.1 晶闸管
五、晶闸管型号的命名方法 第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管 第二部分用字母表示晶闸管的类别 第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值 第四部分用数字表示重复峰值电压级数
7.2 场效应管
场 效 应 晶 体 管 ( Field Effect Transistor 缩 写 (FET) )简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为 单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω )、噪声小、功耗 低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工 作区域宽等优点。 作用: 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输 入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用 电解电容器。 场效应管可以用作电子开关。 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常 用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 场效应管可以用作可变电阻。 场效应管可以方便地用作恒流源。
7.1 晶闸管
加上Ig→Ib2↑→ Ic2↑→ Ib1↑→ Ic1↑
IA
Ib1 P1N1P2 Ic1 IG Ib2 Ic2 N1P2N2
实验演示 一、晶闸管性质 1、导通晶闸管: 无论 A 、 K 极之间加什么电压,只要 G 、 K 极之间没有加正向 电压,晶闸管就无法导通。 只有 A 、 K 极之间加正向电压,并且 G 、 K 极之间也加一定的 正向电压,晶闸管才能导通。 给晶闸管G极提供电压,让IG电流流入G极,晶闸管A、K 极之间马上导通,这种现象称为晶闸管的触发导通。 晶闸管导通后,撤掉G、K极之间的正向电压后晶闸管仍继续 导通。 2、关闭晶闸管: 让流入晶闸管A极的电流减小到某一值IH(维持电流) 让A、K极之间的正向电压UAK减小到0或加反向电压
GTO的驱动电路
门极可关断晶闸管(GTO)的导通过程与普通晶闸 管相似,可以用正门极电流开通。但在关断过程中, GTO可以采用负的门极电流关断,这一点与普通晶闸管 完全不同。 影响关断的因素很多,例如阳极电流越大越难关断, 电感负载较电阻负载难以关断,工作频率越高、结温越 高越难以关断。 所以欲使GTO关断,往往需要具有特殊 的门极关断功能的门极驱动闸管的种类 2、门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO) 是晶闸管的一种派生器件,可以通过在门极施加负的脉冲电流 使其关断 GTO 的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而 在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用
GTO的驱动电路
3)门极反偏
与普通晶闸管相比,GTO由于结构原因使得其承受电
压上升率的能力较差,例如阳极电压上升率较高时可 能会引起误触发。 可以设置一个门极反偏电路,在GTO正向阻断期间于 门极上施加反偏电压,从而提高承受的能力。 但反偏电压的幅度必须小于门极反向雪崩电压,持 续时间可以是几十微秒和整个阻断状态所处的时间, 这样有利于GTO的安全运行。
7.2 场效应管
场效应管与三极管一样,具有放大能力。场效应管有 漏极(D)、栅极(G)和源极(S)。 实验演示
7.2 场效应管
一、结构与工作原理 1、结构 场效应管由P型半导体和N型半导体组成。
一、结构与工作原理 2、工作原理:场效应管在电路中主要用作放大信号电压。 当在D、S之间加上正向电压UDS,会有电流从D极流向S极 若在G、S极之间加上反向电压UGS(P型半导体接低电位,N型半导体 接高电位),场效应管内部的两个耗尽层变厚,沟道变窄,由D极流 向S极的电流ID就会变小,反向电压越高,沟道越窄,ID电流越小。 若在G、S极之间加上正向电压UGS(P型半导体接高电位,N型半 导体接低电位),场效应管内部的两个耗尽层导通,耗尽层消失, 不管如何增大 G 、 S极的电压,沟道宽度都不变, ID 电流也不变,即 无法控制ID电流。
GTO的驱动电路
2) 门极关断
已导通的 GTO 靠门极反向电流来关断,它是 GTO 应用中的