硅集成电路基本工艺流程简介
集成电路典型工艺流程
集成电路典型工艺流程（1）晶圆晶圆（Wafer）的生产由二氧化硅开始，经电弧炉提炼还原成冶炼级的硅，再经盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，通过慢速分解过程，制成棒状或粒状的“多晶硅”。
一般晶圆制造厂，将多晶硅熔化后，再利用“籽晶”慢慢拉出单晶硅棒。
经研磨、拋光、切片后，即成为集成电路芯片生产的原料—晶圆片。
（2）光刻光刻是在光刻胶上经过曝光和显影的工序，把掩模版上的图形转换到光刻胶下面的薄膜层或硅晶上。
光刻主要包含了匀胶、烘烤、光罩对准、曝光和显影等工序。
由于光学上的需要，这段工序的照明采用偏黄色的可见光，因此俗称此区域为黄光区。
（3）干法刻蚀在半导体工艺中，刻蚀被用来将某种材质自晶圆表面上除去。
干法刻蚀是目前最常用的刻蚀方式，以气体作为主要的刻蚀媒介，并凭借等离子体能量来驱动反应。
（4）化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition，CVD）化学气相淀积是制造微电子器件时用来淀积出某种薄膜（film）的技术，所淀积出的薄膜可能是介电材料（绝缘体，dielectrics）、导体或半导体。
（5）物理气相淀积（Physical Vapor Deposition，PVD）物理气相淀积主要包括蒸发和溅射。
如其名称所示，物理气相淀积主要是一种物理变化的工艺而非化学工艺。
这种技术一般使用氩气等惰性气体，凭借在高真空中將氩离子加速以撞击靶材后，可将靶材原子一个个溅射出来，并使被溅射出来的材质（通常为铝、钛或其合金）淀积在晶圆表面。
反应室內部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再通过光刻与刻蚀，来得到所要的导电电路。
（6）氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续淀积氮化硅薄膜时产生的应力（stress），氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与规晶圆间的应力。
（7）离子注入离子注入工艺可将掺杂物质以离子形式注入半导体元件的特定区域上，以获得精确的电特性。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程集成电路是指将几个或者几十个电子器件（例如晶体管、电阻器、电容器等）以薄膜结构整合在一块小小的硅晶片上，并连接成电子功能电路。
其制造工艺流程是一个复杂而精密的过程，下面将对其进行详细介绍。
首先，整个工艺流程可以分为前端工艺和后端工艺两个主要阶段。
前端工艺是指IC芯片中最基本的晶体管、电阻器等器件的制作，而后端工艺则是将这些器件通过金属线材和电介质材料连接起来，形成电子功能电路。
在前端工艺阶段，首先需要准备好硅晶片。
硅晶片通过切割和抛光等工艺进行精细处理，形成平整的硅表面。
然后，通过光刻工艺将掩模上的图形投射到硅表面，形成各种不同的器件结构。
接下来，通过注入掺杂剂和热退火工艺来调节硅晶片的电特性，从而形成晶体管等元器件。
在后端工艺阶段，首先需要在硅晶片上进行电路层间绝缘处理，即通过沉积电介质材料形成绝缘层，以防止电气短路。
接下来，通过刻蚀和蚀刻等工艺将电介质材料开口，并注入金属线材，形成连接器件的导线结构。
随后，通过电镀工艺给金属线材镀上一层保护层，以保护导线不受外界环境的影响。
除了这些基本的工艺步骤外，集成电路制造还需要进行许多附加工艺，如薄膜制备、掩膜、清洗等。
其中，薄膜制备是指通过物理蒸发、溅射等工艺在硅表面形成一层非常薄的材料，用于改变器件的表面特性。
掩膜则是通过光刻工艺在硅表面形成一层光刻胶，以便进行后续的刻蚀工艺。
清洗则是在集成电路制造过程中，通过溶液等方法将硅表面的杂质去除，以保证器件的电特性。
在整个制造工艺的过程中，需要严格控制各个工艺步骤的条件和参数，以确保最终制得的集成电路具有良好的性能和稳定性。
诸如工艺参数、工艺流程等的微小变化都可能影响到整个工艺的成功与否。
综上所述，集成电路的制造工艺流程是一个复杂而精密的过程，涉及到多个工艺步骤和参数的控制。
通过前端工艺和后端工艺的协同作用，可以将晶体管、电阻器等元器件整合在一片硅晶片上，并形成电子功能电路。
这些制备出的集成电路，被广泛应用于计算机、通信、嵌入式等各个领域，推动了现代科技的发展。
集成电路制造工艺
集成电路制造工艺集成电路制造工艺是一项高度复杂和精细的技术过程，它涉及到多个步骤和环节。
下面将介绍一般的集成电路制造工艺流程。
首先是晶圆制备。
晶圆是集成电路的基础材料，通常由硅材料制成。
制备晶圆需要精确的工艺和设备，包括材料分析、芯片设计、晶圆选择和切割等步骤。
在制备过程中，要保证晶圆的纯度和质量，确保芯片的正常运行。
接下来是晶圆上的图案制作。
这一步主要是通过光刻技术将芯片设计上的图案转移到晶圆上。
光刻是一种利用紫外线照射光刻胶，然后通过化学处理来形成芯片图案的技术。
在这一步中，制造工程师需要控制光刻机的参数和条件，以确保图案的精确度和清晰度。
接着是雕刻。
雕刻是将光刻后形成的图案转移到晶圆上的过程。
这里使用的是化学气相沉积或离子束雕刻等技术。
制造工程师需要精确控制雕刻机的参数，使得雕刻过程能够准确地复制芯片设计上的图案。
接下来是金属沉积。
这一步是为芯片的导线和电极等部分进行金属沉积，以连接芯片上的不同元件。
金属沉积通常使用物理气相沉积或化学气相沉积技术。
制造工程师需要控制沉积的厚度和均匀性，以确保导线和电极的电性能和连接质量。
然后是化学机械抛光。
抛光是为了平整化晶圆表面，以便进行下一步的工艺步骤。
抛光是利用机械研磨和化学反应溶解的技术，在控制条件下去除晶圆表面的不平坦部分。
最后是芯片封装和测试。
在封装过程中，芯片被放置在封装材料中，并进行焊接和封装工艺。
然后芯片需要经过严格的测试，以确保其功能和品质。
测试包括功能测试、可靠性测试和环境适应性测试等。
总的来说，集成电路制造工艺是一个复杂而精细的过程，需要多个步骤和环节的精确控制。
通过不断的技术创新和工艺改进，集成电路制造工艺不断提高，为我们提供了更加先进和高效的电子产品。
集成电路制造工艺是现代电子工业的重要基础，它的高度复杂和精细使得集成电路成为了现代科技的核心。
随着科技的飞速发展，集成电路的制造工艺也在不断地进步和创新。
本文将具体介绍集成电路制造工艺的一些关键步骤和技术。
集成电路技术工艺
集成电路技术工艺集成电路技术工艺是指在硅基片上制造微小电子元件的过程，也是集成电路制造的核心环节。
它涉及到多个步骤和工艺，包括掩膜制备、光刻、蚀刻、沉积、扩散、离子注入、金属化等。
掩膜制备是集成电路制造的第一步，也是最基础的步骤之一。
掩膜是用于定义电路图案的工具，通常由光刻胶制成。
在掩膜制备过程中，需要根据设计要求将电路图案绘制在掩膜上，这就需要使用到光刻技术。
光刻技术是一种使用光照射的方法，将掩膜上的电路图案转移到硅基片上。
在光刻过程中，首先将光刻胶涂覆在硅基片上，然后将掩膜放置在光刻机上。
通过光源的照射，光刻胶在掩膜图案的作用下发生化学反应，形成光刻胶薄膜的图案。
接着，使用蚀刻技术将不需要的部分去除，留下需要的电路图案。
蚀刻是指将硅基片表面的材料减少或去除的过程。
蚀刻技术可以通过湿法或干法来实现。
湿法蚀刻是指将硅基片浸泡在特定的溶液中，使其受到化学反应而被蚀刻掉。
干法蚀刻则是使用等离子体或化学气相沉积来去除硅基片表面的材料。
通过蚀刻技术，可以将硅基片上的电路图案逐渐形成。
沉积是指在硅基片上沉积一层薄膜材料，用于隔离电路之间或与其他材料的接触。
常见的沉积技术有化学气相沉积和物理气相沉积。
化学气相沉积是指将气体中的材料通过化学反应的方式沉积在硅基片上。
物理气相沉积则是通过热蒸发或激发气体分子的方式，将材料沉积在硅基片上。
扩散是指在硅基片上引入掺杂物，改变硅基片的导电性能。
扩散过程中，掺杂物被加热使其在硅基片中扩散，并与硅基片原有的材料形成新的电子能级。
通过控制扩散过程，可以在硅基片上形成不同的电子器件，如二极管、晶体管等。
离子注入是一种改变硅基片电学性能的技术。
离子注入是指将高速离子注入到硅基片上，使其与硅基片原有的材料发生反应，形成新的电子能级。
离子注入可以改变硅基片的导电性能，用于制造电子器件。
金属化是将金属材料沉积在硅基片上，用于连接电子器件。
金属化技术可以通过物理气相沉积、电镀等方式实现。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程概述集成电路（Integrated Circuit, IC）是由几千个甚至是数十亿个离散电子元件，如晶体管、电容、电阻等构成的电路，在特定的芯片上进行集成制造。
IC制造工艺流程主要包括晶圆制备、晶圆加工、芯片制造、封装测试等几个环节，是一个非常严谨、复杂的过程。
晶圆制备晶圆制备是IC制造的第一步。
晶圆是用硅单晶或其他半导体材料制成的薄片，作为IC芯片的基础材料。
以下是晶圆制备的流程：1.单晶生长：使用气态物质的沉积和结晶方法，使单晶硅的原料在加热、冷却的过程中逐渐成为一整块的单晶硅材料。
2.切片：将生长好的单晶硅棒利用切割机械进行切片，制成形状规整的圆片，称为晶圆。
3.抛光：将晶圆表面进行机械研磨和高温氧化处理，使表面达到极高的光滑度。
4.清洗：用去离子水等高纯度溶剂进行清洗，清除晶圆表面的污染物，确保晶圆的纯度和光洁度。
晶圆加工晶圆加工是IC制造的关键环节之一，也是最为复杂的过程。
在晶圆加工过程中，需要通过一系列的步骤将原始的晶圆加工为完成的IC芯片。
以下为晶圆加工的流程：1.光刻：通过光刻机将芯片图案转移到光刻胶上，然后使用酸洗、去除光刻胶，暴露出芯片的表面。
2.蚀刻：利用化学蚀刻技术，在IC芯片表面形成电路图案。
3.离子注入：向芯片进行掺杂，改变材料的电学性质。
4.热处理：对芯片进行高温、低温处理，使其达到设计要求的电学性能。
5.金属沉积：在芯片表面沉积一层金属，用于连接芯片各个元件。
芯片制造芯片制造是最为核心的IC制造环节，主要将晶圆加工后的芯片进行裁剪、测试、绑定等操作，使其具备实际的电学性能。
以下是IC芯片制造的流程：1.芯片测试：对芯片的性能进行测试，找出不合格的芯片并予以淘汰。
2.芯片切割：将晶圆上的芯片根据需求进行切割。
3.接线：在芯片表面安装金线，用于连接各个器件。
4.包装：将芯片放入封装盒中，并与引线焊接，形成成品IC芯片。
封装测试封装测试是IC制造的最后一步。
硅集成电路工艺基础：Chap.10 工艺集成
CMOS工艺中的基本模块及对器件性能的影响
CMOS IC中的阱: 定义:在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬
底相反的区域。 ❖ 单阱（Single Well）分为n阱和p阱 ❖ 双阱（Twin Well ）在同一衬底上形成n
阱和p阱的称为双阱 ❖ 自对准双阱（Self-aligned Twin Well） ❖ 阱的掺杂浓度比衬底高
天津工业大学
改进的LOCOS工艺
❖ （1）回刻的LOCOS工艺：减小鸟嘴并获得较为平坦的表面的有效 方法。利用回刻除去部分氧化层，使表面变平坦并恢复被鸟嘴占去 的有源区。
❖ （2）侧墙掩蔽的隔离工艺：无鸟嘴的隔离工艺，较复杂。 ❖ （3）多晶硅缓冲层的LOCOS工艺（PBL），由于鸟嘴的形成与二
氧化硅缓冲层密切相关，所以减薄二氧化硅缓冲层可以减小鸟嘴尺 寸，通常利用多ห้องสมุดไป่ตู้硅层与二氧化硅叠层代替单一的二氧化硅层。
天津工业大学
❖ SBC双极集成电路工艺流程：衬底制备-埋层制备-外延层生长隔离区形成-深收集极接触的制备-基区的形成-发射区的形成-金 属接触和互联-后部封装工艺
❖ 部分先进双极集成电路工艺介绍 ❖ 先进的隔离技术（深槽隔离DTI代替pn结隔离，减少隔离面积，
增加集成度） ❖ 多晶硅发射极（减少发射区表面复合速率，改善晶体管电流增
多晶硅栅替代铝栅，源漏自对准结构； 离子注入技术提高沟道和源漏区掺杂的控制能力 ❖ 80年代之后，CMOS工艺成为IC主流技术： 带侧墙的源漏轻掺杂结构；自对准硅化物技术；浅槽 隔离技术；氮化二 氧化硅栅介质材料；晕环技术；双 掺杂多晶硅技术；化学机械抛光（CMP）；大马士革 镶嵌工艺和铜互连技术 ❖ 今后发展趋势： 超薄SOI CMOS器件，纳米硅器件，多栅器件等
硅材料集成电路中的应用及其相关工艺
二氧化硅在集成电路制作过程中，可以阻止杂质 扩散，这就提供了选择扩散的可能，例如在硅片 上生成一层完整的二氧化硅后，再利用光刻的办 法，有选择地刻蚀掉某些部分的二氧化硅，然后 的高温下掺杂（例如掺硼）使没有二氧化硅保护 的区域有硼扩散进去，这里因此变成了P型区（通 常是基区）。 另外二氧化硅是良好的绝缘体，在集成电路制作 过程最后要将分散的二极管，三极管，电阻等元 件用铝条连接起来，有些地方需要连，也有些地 方不要连，不要连的地方，用二氧化硅盖起来， 而需要连的地方则用光刻的办法，有选择地刻蚀 掉。
随着全球科技竞争愈演愈烈，集成电路除向 更高集成度发展外，也正在向着大功率、线 性、高频电路和模拟电路方面发展。 近年来，我国的集成电路产业已受到政府和 国家领导人的高度重视。经过广大从业人员 的努力，我国集成电路技术水平有了长足进 步，但和国外相比仍有较大差距。国际上， 硅集成电路技术和产业发展迅速，新一轮硅 发展周期即将到来。先进的新技术和产业的 发展经验将成为我们很好的借鉴。
硅片抛光
经切片加工后的硅 片在经过机械或者 化学处理后，使硅 片表面呈现镜面， 发亮的状态。
新的切片中要掺入一些物质而使之成为 真正的半导体材料，而后在其上刻划代 表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入 的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼 此之间发生原子力的作用，从而使得硅 原料具有半导体的特性。今天的半导体 制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化 物半导体)。多数情况下，切片被掺入 化学物质而形成P型衬底 。
对比：Si和Ge
用Si的最大优点就是能够采用氧化、光 刻、扩散等平面工艺来制作出微小的、 性能优良的元器件，从而可以实现集成 电路，并进而做出大规模集成电路。
Ge片上不能获得很好的氧化膜，则不便 采用平面工艺，故难以做出集成电路 （最多只能实现小规模集成），更难以 做出大规模集成电路。
硅集成电路制造工艺绪论
硅集成电路制造工艺绪论引言硅集成电路制造工艺是现代电子工程领域中的重要基础，它涉及到芯片的设计、制造和封装等多个环节。
本文将对硅集成电路制造工艺进行绪论的介绍，包括其定义、发展历程、应用领域等内容。
定义硅集成电路制造工艺，简称IC制造工艺，是指在硅基片上通过一系列的工艺步骤，将电路图案和器件结构逐步形成，并且将各个器件连接起来，最终形成一个完整的集成电路芯片的过程。
发展历程硅集成电路制造工艺起源于20世纪50年代，当时半导体技术刚刚起步。
最早的集成电路制造工艺是通过手工方式逐个添加器件，由于工艺复杂、成本高昂，导致了生产效率低下。
随着科技的发展，人们逐渐采用自动化的方式来完成集成电路制造工艺，大大提高了生产效率和产品质量。
在20世纪70年代，随着计算机技术的快速发展，对集成电路的需求急剧增加。
这导致集成电路制造工艺的研究进一步深化，出现了许多新的制造工艺和技术。
在20世纪80年代，随着微电子技术的成熟，集成电路制造工艺实现了更大的进步。
新的材料和制造工艺的引入使得集成电路芯片的功能更加强大，尺寸更小，性能更稳定。
到了21世纪，随着半导体技术的进一步革新，硅集成电路制造工艺越发成熟。
同时，新兴的技术如三维集成技术、纳米制造技术等也开始应用于集成电路制造领域，为未来的发展奠定了基础。
应用领域硅集成电路制造工艺在现代社会中广泛应用于各个领域，如通信、计算机、消费电子、工业控制等。
以下是一些常见的应用领域：通信集成电路在通信领域的应用非常广泛。
例如，手机中的处理器、无线模块、芯片组等都是通过硅集成电路制造工艺制造的。
同时，基站设备中的射频芯片、基带处理器等也是通过集成电路制造工艺制造的。
计算机计算机中的各个部件，如处理器、内存、硬盘控制器等，均使用集成电路制造工艺制造。
这使得计算机性能得到了大幅提升，同时体积也得到了显著缩小。
消费电子消费电子产品中广泛使用了集成电路制造工艺制造的芯片，如电视、音响、游戏机等。
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硅集成电路基本工艺流程简介
近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术、新工艺也在不断地产生，然而，无论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。
以下是关于这些基本工艺的简单介绍。
IC制造工艺的基本原理和过程
IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。
一、硅片制备（切、磨、抛）
1、晶体的生长（单晶硅材料的制备）：
1) 粗硅制备: SiO2+2H2=Si+2H2O99％
经过提纯:>99.999999%
2) 提拉法
基本原理是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体.
2、晶体切片：切成厚度约几百微米的薄片
二、晶圆处理制程
主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件，是整个集成电路制造过程中所需技术最复杂、资金投入最多的过程。
功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩
其工艺流程如下：
1、表面清洗
晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
2、初次氧化
有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力
氧化技术
干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固)
湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2
3、CVD法沉积一层Si3N4。
CVD法通常分为常压CVD、低压CVD 、热CVD、电浆增强CVD及外延生长法（LPE）。
着重介绍外延生长法（LPE）：该法可以在平面或非平面衬底上生长出十分完善的和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜的结构。
在外延工艺中，可根据需要控制外延层的导电类型、电阻率、厚度，而且这些参数不依赖于衬底情况。
4、图形转换（光刻与刻蚀）
光刻是将设计在掩模版上的图形转移到半导体晶片上，是整个集成电路制造流程中的关键工序，着重介绍如下：
1）目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线。
2）原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复印在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗蚀剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂融解。
然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，然后在SiO2层或金属蒸发层得到与掩模板(用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600 800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高)相对应的图形。
3）现主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术，步骤如下：涂胶、前烘、曝光、显影、坚模、腐蚀、去胶。
4）光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。
在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。
湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。
干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。
5) 掺杂工艺（扩散、离子注入与退火）
掺杂是根据设计的需要，将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻欧姆接触，通过掺杂可以在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。
掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的三价元素，如硼，或五价元素，如磷、砷等掺入半导体衬底，掺杂方法有两种：
1）扩散法。
将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法，分为替位式扩散和间隙式扩散。
其优点是批量生产，获得高浓度掺杂，共有两道工序：预扩散和主扩散。
2）离子注入法。
利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法，该法可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布，也可分为两个步骤：离子注入和退火再分布。
其优点有：掺杂的均匀性好、温度低、可以精确控制杂质分布、可以注入各种各样的元素、横向扩展比扩散要小得多、可以对化合物半导体进行掺杂。
退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。
根据注入的杂质数量不同，退火温度一般在450~950℃之间。
退火作用有激活杂质、消除损伤，退火方式主要包括炉退火、快速退火。
6、制膜
氧化，制备SiO2层，制作各种材料的薄膜。
氧化工艺是一种热处理工艺。
在集成电路制造技术中，热处理工艺除了氧化工艺外，还包括前面介绍的退火工艺、再分布工艺，以及回流工艺等。
SiO2是一种十分理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟酸发生化学反应。
SiO2的制备方法有：热氧化法（干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、干湿干氧化法、氢氧合成氧化）、化学气相淀积法、热分解淀积法、溅射法。
二氧化硅层的主要作用有：
①在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，是MOS器件的组成部分
②扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层
③作为集成电路的隔离介质材料
④作为电容器的绝缘介质材料
⑤作为多层金属互连层之间的介质材料
⑥作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料
三、后部封装（在另外厂房）
分别经过以下流程以完成后期的封装工作（具体不做赘述）:
背面减薄、划片、掰片、粘片、压焊、切筋、整形、封装、沾锡、老化、成测、打字、包装
至此，整个集成电路基本工艺流程介绍完毕，具体部件应具体分析，因为不同的元器件掺杂过程会有不同的掺法。
在其中晶圆制作过程中，某些工序如离子注入、光刻氧化需重复二三十次，而光刻及刻蚀是整个制造过程中最为关键的工序，在制作过程中应格外小心。
此外，整个制造过程的环境都应保持高度清洁，这是因为整个工艺都是在纳米数量级上进行的，操作员都应有专有的操作服以达到这一目的。
微电子器件制造是一个稍显复杂的过程，需要先进的技术及设备支持。
随着经济不断地飞速发展，相信我们的制造工艺会越来越好，最终取得长足的进步！。