tlp521驱动_应用电路_光耦参数
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摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
tlp521光耦参数
tlp521光耦参数
TLP521是一种可编程场效应晶体管（FET）光耦，其主要用途是将输入信号转换为输出信号并进行隔离。
本文将详细介绍TLP521的参数和特性。
1. 输入电流
TLP521的最大输入电流为50mA，这是光耦工作的关键参数之一。
输入电流过大可能会导致光电元件过热或损坏，因此需要在使用时仔细控制。
2. 工作温度
TLP521光耦的工作温度范围为-55℃到100℃。
正常情况下，光耦应该在其指定的工作温度范围内运行，以免影响性能或寿命。
3. 灵敏度
TLP521的最小发光电流（IFLH）为5mA，这是光耦的灵敏度的关键参数。
发光电流越低，光耦的灵敏度就越高。
因此，TLP521是相对较敏感的光耦。
4. 输出电压
TLP521的最大输出电压为80V，这是光耦输出电信号的关键参数。
如果需要更高的输出电压，可以考虑其他光耦型号。
5. 响应时间
TLP521的最大响应时间为4微秒，这也是光耦的关键参数之一。
响应时间越短，光耦的应用范围就越广。
6. 绝缘电阻
TLP521的最小绝缘电阻为10^10欧姆，这是光耦进行隔离的关键参数之一。
绝缘电阻越高，光耦进行隔离的效果就越好。
总之，TLP521是一种功能强大的光耦，适用于许多应用，包括自动化控制、通信、电力等领域。
了解TLP521的参数和特性有助于更好地选择和使用这种光耦。
(整理)TLP521中文资料.
摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
卓 睿 CYTLP521 可控制光电藕合器件说明书
概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
四引脚封装，三种形式（DIP 、DIP-M 、SMD ）特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （I F =5mA ,V CE =5V ） ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80V ∙ UL 和cUL 认证（NO.:E497745） ∙符合EU REACH 和RoHSApplications光电特性 (Ta=25 C)Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit 正向电压 V F1 I F =10mA 1.0 - 1.3 V 正向电压V F2 I F =20mA 1.1 - 1.4 V 反向电流 I R V R =5V - - 10 µA 输入终端电容 C t V=0, f=1kHz - 30 250 pF 集电极暗电流I CEO V CE =50V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BV CEO I C =0.1mA, I F =0 80 - - V 输出发射极-集电极击穿电压 BV ECO I E =10µA, I F =0 7 - - V 电流转换比 CTR I F =5mA, V CE =5V 130 - 600 % 隔离电阻V CE(sat) I F =2mA, I C =5mA - 0.25 0.8 V 集电极-发射极饱和压降 R ISO DC500V, 40~60%R.H. 1x1012 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 传输特性截止频率 Fc V CE =5V, I C =2mA, R L =100Ω, -3dB - 80 - kHz 上升时间 Tr - 2 - µs 下降时间 Tf - 3 - µs 开启时间Ton - 3 - µs 关断时间 Toff V CE =10V, I C =2mA,R L =100Ω- 3 - µs 开启时间 Ton - 2 - µs 存储时间Ts - 15 - µs 开关时间关断时间ToffR L = 1.9 kΩV CC = 5 V, I F = 16 mA-25-µs* CTR=I C /I F x 100%CTR 分级表电流转换率(%)(I C /I F )IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C 型号 分级标准MinMax标志分类A 50 600 Rank Y50 150 Rank GR 100 300 Rank BL 200 600 CYTLP521 Rank GB100600外形尺寸回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25℃包装■ 汇总表 封装形式 包装方式 盘/管 数量 盒数量 箱数量静电袋 盒规格 箱规格备注SMD-4 卷盘 (ϕ330m 蓝盘)2千只/盘 2 盘/盒 10 盒 /箱 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少200mm min. DIP-4 管装(500*12*11mm) 100只 /管 60 管/盒 6 盒 /箱NA 525*128*56mm 535*275*300 mm DIP-4(M)管装 (500*13*11mm)100只 /管60 管/盒 6盒 /箱 NA525*136*58mm 535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装1) 每箱数量：36000只 2) 内包装：i. 每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。
(完整版)TPL521中文资料 光耦
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。
TLP521-4中文说明
TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−(Ta≥50℃)−(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−−mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围Topr−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−−mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, .≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
p521光耦参数
p521光耦参数P521光耦是一种用于连接不同电子设备的光耦，是一种光学性能优异的元件，在汽车、通信设备和消费电子产品中应用广泛，能够传输高速数据。
P521光耦是一种外壳和外壳尺寸相同，内部由相干光发射器和接收器组成的光电耦合器，主要由前端电路板、后端电路板、支架以及连接支架等组成，其中前端电路板由激光光源、TOSA/ROSA/TOD、滤波器等构成，而后端电路板由APD、放大器、光电耦合器等构成。
这种结构使得P521光耦具有良好的阻抗匹配性，稳定的电压和电流，并且具有较强的抗电磁干扰能力，此外，其封装结构防水性好，可用于恶劣环境中，非常适用于汽车、通信设备和消费电子设备中的应用。
P521光耦参数分包括常规参数和主要参数，其中常规参数包括：发射器工作电压、接收器工作电压、发射器发射电流、接收器接收电流、发射器输出功率、频率特性以及输入阻抗、输出阻抗等；主要参数则包括：输入端真实光功率、输出端真实光功率、噪声比、调制带宽、回传响应时间、温度特性和抗电磁干扰能力等。
根据现有的行业标准，P521光耦要求其发射器最大输出功率必须大于或等于3dBm，接收器最大接收电流要求大于或等于20mA，除此之外，还需要保证输入端真实光功率大于或等于-20dBm，输出端真实光功率大于或等于-10dBm，噪声比大于或等于6dB，传输网络延迟小于或等于20μs，调制带宽大于或等于2.5GHz，带宽传输时延小于或等于0.4ns，抗电磁干扰能力大于或等于50dB，安装位置的温度环境温度要求为0°C-85°C。
综上所述，P521光耦是一种高效、高稳定性的行业标准电子元件，主要由激光光源、TOSA/ROSA/TOD、滤波器、APD、放大器、光电耦合器等构成，并且具有良好的阻抗匹配性、稳定的电压和电流、较强的抗电磁干扰能力以及防水性，在汽车、通信设备和消费电子产品中应用广泛，能够传输高速数据，可用于恶劣环境中。
同时，P521光耦参数也有明确的标准，必须符合具体的要求才能得到满足，例如输入端真实光功率必须大于或等于-20dBm，输出端真实光功率大于或等于-10dBm，噪声比大于或等于6dB，抗电磁干扰能力大于或等于50dB等。
P521光耦详细解答
光耦pc817应用电路P c817是常用的线性光藕，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器 件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。
〈光耦pc817应用电路图〉当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导 通，产生光电流从输岀端输出，从而实现了 “电-光-电”的转换。
普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。
线性光 电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信 号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敬晶体管的导 通程度也不同，输岀的电压或电流也随之不同。
PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。
厦4.29 PC81 7 &射极电压V 你三二槻管正向电流If 关系极极射电— Ic=( 1. 5mA二 — ——- —— 一—■ IrnA 3 mA —— — bmA 7mA阳阴发集5 43 2发光二极管正向电流If(mA )\当输入端加电信号时，发光器发出光线，照射在受光器上，受光器接受光线后导通，产生光电流从输出端输出，从而实现了“电-光-电”的转换。
普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。
线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件，能够传输连续变化的模拟电压或电流信号，这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号，从而使光敬晶体管的导通程度也不同，输出的电压或电流也随之不同。
PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。
光耦的测量：用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚，其中仅且仅有一次导通的，红表笔接的为阳极，黑表笔接的为阴极（指针表相反）。
且这两脚为低压端，也就是反馈信号引入端。
在正向测试低压端时，再用列一块万用表测试列外高压端两只脚，接通时，红表笔所接为C极，黑表笔接为E极。
当断开低压端的表笔时，高压端的所接万用表读数应为无穷大。
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High Isolation V oltage (5.3kV RMS ,7.5kV PK ) High BV CEO ( 55Vmin ) TLP521GB, TLP521-2GB, TLP521-4GB, TLP521, TLP521-2, TLP521-4 TLP521XGB, TLP521-2XGB, TLP521-4XGB TLP521X, TLP521-2X, TLP521-4X
HIGH DENSITY MOUNTING
PHOTOTRANSISTOR
OPTICALLY COUPLED ISOLATORS APPROVALS
● UL recognised, File No. E91231
TLP521
2.54
Dimensions in mm
'X'SPECIFICATIONAPPROVALS ● VDE 0884 in 3 available lead form : -
- STD - G form
1.2
7.0 6.0
1 2
4 3
- SMD approved to CECC 00802
●
BSI approved - Certificate No. 8001
5.08 4.08
4.0 3.0 7.62
DESCRIPTION
0.5
13° Max
The TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages.
3.0 TLP521-2
0.5
2.54
3.35
0.26
1 8
2 7 FEATURES ● Options :-
7.0 6.0
3 4
6 5
10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. ● High Current Transfer Ratio ( 50% min) ● ● ● All electrical parameters 100% tested ● Custom electrical selections available
APPLICATIONS ● Computer terminals 1.2
3.0
TLP521-4
10.16 9.16
0.5
4.0 3.0 3.35
0.5
7.62
0.26
1 2
13° Max
16 15
● Industrial systems controllers 3
14 ● Measuring instruments ● Signal transmission between systems of
different potentials and impedances
2.54
7.0 4 13 5 12 6 11
OPTION SM SURFACE MOUNT
OPTION G
7.62
1.2
6.0
7 8
10 9
20.32 19.32
4.0 3.0
7.62
0.6 0.1 1.25 0.75
10.46 9.86
0.26 10.16
0.5 3.35
0.5
0.26
13° Max
7/
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (25°C unless otherwise specified)
INPUT DIODE
Forward Current 50mA Reverse Voltage 6V Power Dissipation
70mW
OUTPUT TRANSISTOR
Collector-emitter Voltage BV CEO 55V Emitter-collector Voltage BV ECO 6V Power Dissipation
150mW
POWER DISSIPATION
Total Power Dissipation
200mW
(derate linearly 2.67mW/°C above 25°C)
Note 1 Measured with input leads shorted together and output leads shorted together. Note 2
Special Selections are available on request. Please consult the factory.
7/4/03
DB92546m-AAS/A3
C o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )
C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )
C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )
F o r w a r d c u r r e n t I F (m A )
C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o C T R (%)
C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e V C E (S A T )(V )
Collector Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Collector Current vs. Low Collector-emitter Voltage
200
150
100
50
25
20
15
10
5
T A = 25°C
50 40 30 20 10 5
I F = 2mA
-30 0 25 50
75 100 125
Ambient temperature T A ( °C )
Forward Current vs. Ambient Temperature
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Collector-emitter voltage V CE ( V )
Collector Current vs. Collector-emitter Voltage
60
50
50
T A = 25°C
50
40 40 30 20
15
30
20
10 30
20
10
10
I F = 5mA
0.28
-30 0 25 50 75 100 125 Ambient temperature T A ( °C ) Collector-emitter Saturation Voltage vs. Ambient Temperature
0 2 4 6 8 10 Collector-emitter voltage V CE ( V )
Current Transfer Ratio vs. Forward Current 320 0.24
0.20
0.16
280 240
200 160 0.12 120 0.08
0.04 80 40
7/4/03
-30 0 25 50 75 100
Ambient temperature T A ( °C )
125102050
Forward current I F (mA)
DB92546m-AAS/A3
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