ic半导体测试基础(中文版)
IC测试基础知识
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种类1. DIP
(dual in-line package)
• 双列直插式封装。插装型封装之一，引 脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和 陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封 装， 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到 64。
4.什么是IC测试？
什么是IC测试？
IC测试就是用相关的电子仪器（如万用表、示波器、直流电 源，ATE等）将IC所具备的电路功能、电气性能参数测试出 来。测试的项目一般有：直流参数（电压、电流）、交流参 数（THD、频率）、功能测试等。
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IC测试基础知识
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本章要点
1. 2. 3. 4. 5. 6. 什么叫IC ? IC制作流程 IC的封装 什么是IC测试？ 为什么要进行IC测试？ 如何进行IC测试？
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五，BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一BGA 的引脚(凸 点)中心距一般为1.5mm，引脚数为225。
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IC测试培训一
IC测试培训第一章IC测试基础知识By Chiphomer Technology Ltd本章要点z1.1什么是IC测试？z1.2为什么要进行IC测试？z1.3如何进行IC测试？2 Chiphomer Technology LtdChiphomer Technology Ltd3z 什么是IC？IC:集成电路（integrated circuit ）是一种微型电子器件或部件。
采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
z什么是IC测试？IC测试就是用相关的电子仪器（如万用表、示波器、直流电源，ATE等）将IC所具备的电路功能、电气性能参数测试出来。
测试的项目一般有：直流参数（电压、电流）、交流参数（THD、频率）、功能测试等。
4 Chiphomer Technology LtdChiphomer Technology Ltd51.1什么是IC 测试？z IC 测试的分类1、量产测试应用测试机、probe 、handler 、loadboard 等设备及硬件，对IC 的主要性能参数进行大批量的生产测试，其目的主要是将好坏IC 分开。
2、评估测试使用特定测试评估板（demo ），对几颗或几十颗IC 进行全面的电气性能评价测试，其目的主要是为了验证IC 是否满足设计指标，以及是否存在缺陷，为设计优化提供依据，其测试数据是编写芯片手册的主要依据。
3、老化测试使用极限的测试条件，极限的温度等恶劣环境下，考察IC 可用性及可靠性的测试。
4、失效分析测试针对已经失效的芯片，通过各种的测试工具，测试方法，测试条件，查出失效原因的测试。
Chiphomer Technology Ltd61.2为什么要进行IC 测试？z 为什么要进行IC 测试？IC 测试是为了检测IC 在设计和制造过程中，由于设计不完善、制造工艺偏差、晶圆质量、环境污染等因素，造成IC 功能失效、性能降低等缺陷。
半导体基本测试原理资料
半导体基本测试原理资料1.测试原理半导体器件的测试原理主要包括以下几个方面：(1)电性能测试：电性能测试主要是通过对器件进行电流-电压（I-V）特性测试来评估器件的电气性能。
通过在不同电压下测量器件的电流来得到I-V曲线，从而确定器件的关键参数，如导通电压、截止电压、饱和电流等。
(2)高频特性测试：高频特性测试主要是通过对器件进行射频（RF）信号测试来评估其在高频工作状态下的性能。
常用的高频特性测试参数包括功率增益、频率响应、噪声系数等。
(3)温度特性测试：温度特性测试主要是通过对器件在不同温度条件下的测试来评估其温度稳定性和性能。
常用的测试方法包括恒流源和恒压源测试。
(4)故障分析测试：故障分析测试主要是通过对器件进行故障分析来确定其故障原因和解决方案。
常用的故障分析测试方法包括失效分析、电子显微镜观察和射线析出测试等。
2.测试方法半导体器件的测试方法主要包括以下几个方面：(1)DC测试：DC测试主要是通过对器件进行直流电流和电压的测试来评估其静态电性能。
常用的测试设备包括直流电源和数字电压表。
(2)RF测试：RF测试主要是通过对器件进行射频信号的测试来评估其高频性能。
常用的测试设备包括频谱分析仪、信号源和功率计。
(3)功能测试：功能测试主要是通过对器件进行各种功能的测试来评估其功能性能。
常用的测试方法包括逻辑分析仪和模拟信号源。
(4)温度测试：温度测试主要是通过对器件在不同温度条件下的测试来评估其温度性能。
常用的测试设备包括热电偶和恒温槽。
3.数据分析半导体器件的测试结果需要进行数据分析和处理，以得到结果的可靠性和准确性。
常用的数据分析方法包括统计分析、故障分析和回归分析等。
(1)统计分析：统计分析主要是通过对测试结果进行统计和分布分析来评估器件的性能和可靠性。
常用的统计方法包括平均值、标准偏差和散点图等。
(2)故障分析：故障分析主要是通过对测试结果中的异常数据进行分析来确定故障原因和解决方案。
半导体测试与表征技术基础[详细讲解]
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半导体测试与表征技术基础第一章概述（编写人陆晓东）第一节半导体测试与表征技术概述主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用第二节半导体测试与表征技术分类及特点主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。
第三节半导体测试与表征技术的发展趋势主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。
第二章半导体工艺质量测试技术第一节杂质浓度分布测试技术（编写人：吕航）主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层电阻（探针法测试电阻率的基本原理、四探针法的测试设备、样品制备及测试过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、扩展电阻法测量浅结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。
第二节少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏）主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：非平衡载流子的产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流子寿命的测试。
以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移法。
第三节表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航）主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。
第四节杂质补偿度的测量（编写人：钟敏）包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测试的样品结构、霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量第五节氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏）包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。
《The-Fundamentals-Of-Digital-Semiconductor-Testing》-中文版C
图 2-1.通用测试系统内部结构
DC 子系统包含有 DPS（Device Power Supplies，器件供电单元） 、RVS（Reference Voltage Supplies，参考电压源） 、PMU（Precision Measurement Unit，精密测量单元） 。DPS 为被测器件 的电源管脚提供电压和电流；RVS 为系统内部管脚测试单元的驱动和比较电路提供逻辑 0 和逻 辑 1 电平提供参考电压，这些电压设置包括：VIL、VIH、VOL 和 VOH。性能稍逊的或者老一 点的测试系统只有有限的 RVS，因而同一时间测试程序只能提供少量的输入和输出电平。这里 先提及一个概念， “tester pin” ，也叫做“tester channel” ，它是一种探针，和 Loadboard 背面的 Pad 接触为被测器件的管脚提供信号。当测试机的 pins 共享某一资源，比如 RVS，则此资源称 为“Shared Resource” 。一些测试系统称拥有“per pin”的结构，就是说它们可以为每一个 pin 独立地设置输入及输出信号的电平和时序。 DC 子系统还包含 PMU（精密测量单元，Precision Measurement Unit）电路以进行精确的 DC 参数测试，一些系统的 PMU 也是 per pin 结构，安装在测试头（Test Head）中。 （PMU 我们 将在后面进行单独的讲解） 每个测试系统都有高速的存储器——称为“pattern memory”或“vector memory”——去存 储测试向量（vector 或 pattern） 。Test pattern（注：本人驽钝，一直不知道这个 pattern 的准确翻 译，很多译者将其直译为“模式” ，我认为有点欠妥，实际上它就是一个二维的真值表；将“test pattern”翻译成“测试向量”吧，那“vector”又如何区别？呵呵，还想听听大家意见）描绘了 器件设计所期望的一系列逻辑功能的输入输出的状态，测试系统从 pattern memory 中读取输入 信号或者叫驱动信号（Drive）的 pattern 状态，通过 tester pin 输送给待测器件的相应管脚；再 从器件输出管脚读取相应信号的状态，与 pattern 中相应的输出信号或者叫期望（Expect）信号 进行比较。进行功能测试时，pattern 为待测器件提供激励并监测器件的输出，如果器件输入与 期望不相符，则一个功能失效产生了。有两种类型的测试向量——并行向量和扫描向量，大多 数测试系统都支持以上两种向量。 Timing 分区存储有功能测试需要用到的格式、掩盖（mask）和时序设置等数据和信息，信 号格式（波形）和时间沿标识定义了输入信号的格式和对输出信号进行采样的时间点。Timing 分区从 pattern memory 那里接收激励状态（ “0”或者“1” ） ，结合时序及信号格式等信息，生成 格式化的数据送给电路的驱动部分，进而输送给待测器件。 Special Tester Options 部分包含一些可配置的特殊功能，如向量生成器、存储器测试，或者 模拟电路测试所需要的特殊的硬件结构。 The Systen Clocks 为测试系统提供同步的时钟信号，这些信号通常运行在比功能测试要高 得多的频率范围；这部分还包括许多测试系统都包含的时钟校验电路。 其他的小模块这里不再赘述，大家基本上可以望文生义，呵呵。
ic半导体测试基础(中文版)
本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。
一．测试目的Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。
测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。
Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。
另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。
二．测试方法Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。
基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。
首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。
大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N 结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。
既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。
Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。
串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。
集成电路晶圆测试基础共83页文档
26、机遇对于有准备的头脑有特别的 亲和力 。 27、自信是人格的核心。
28、目标的坚定是性格中最必要的力 量泉源 之一， 也是成 功的利 器之一 。没有 它，天 才也会 在矛盾 无定的 迷径中 ，徒劳 无功。- -查士 德斐尔 爵士。 29、困难就是机遇。--温斯顿．丘吉 尔。 30、我奋斗，所以我快乐。--格林斯 潘。
6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂，怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿
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本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。
一．测试目的Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。
测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。
Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。
另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。
二．测试方法Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。
基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。
首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。
大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。
既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。
Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。
串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。
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本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。
一．测试目的Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。
测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。
Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。
另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。
二．测试方法Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。
基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。
首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。
大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。
既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。
Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。
串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。
缺点在于，从测试时间上考虑，会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。
对于拥有PPPMU结构的测试系统来说，这个缺点就不存在了。
当然，Open-Short也可以使用功能测试（Functional Test）来进行，我会在后面相应的章节提及。
图3-1.对地二极管的测试测试下方连接到地的二极管，用PMU抽取大约-100uA的反向电流；设置电压下限为-1.5V，低于-1.5V（如-3V）为开路；设置电压上限为-0.2V，高于-0.2V（如-0.1V）为短路。
此方法仅限于测试信号管脚（输入、输出及IO口），不能应用于电源管脚如VDD 和VSS.图3-2.对电源二极管的测试测试上方连接到电源的二极管，用PMU驱动大约100uA的正向电流；设置电压上限为1.5V，高于1.5V（如3V）为开路；设置电压下限为0.2V，低于0.2V（如0.1V）为短路。
此方法仅限于测试信号管脚（输入、输出及IO口），不能应用于电源管脚如VDD 和VSS.电源类管脚结构和信号类管脚不一样，无法照搬上述测试方法。
不过也可以测试其开路情形，如遵循已知的良品的测量值，直接去设置上下限。
第四章.DC参数测试（1）摘要本章节我们来说说DC参数测试，大致有以下内容，欧姆定律等基础知识DC测试的各种方法各种DC测试的实现各类测试方法的优缺点基本术语在大家看DC测试部分之前，有几个术语大家还是应该知道的，如下：Hot Switching热切换，即我们常说的带电操作，在这里和relay（继电器）有关，指在有电流的情况下断开relay或闭合relay的瞬间就有电流流过（如：闭合前relay两端的电位不等）。
热切换会减少relay的使用寿命，甚至直接损坏relay，好的程序应避免使用热切换。
Latch-up闩锁效应，由于在信号、电源或地等管脚上施加了错误的电压，在CMOS器件内部引起了大电流，造成局部电路受损甚至烧毁，导致器件寿命缩短或潜在失效等灾难性的后果。
BinningBinning（我很苦恼这玩意汉语怎么说——译者）是一个按照芯片测试结果进行自动分类的过程。
在测试程序中，通常有两种Binning的方式——hard binning和soft binning. Hard binning控制物理硬件实体（如机械手）将测试后的芯片放到实际的位置中去，这些位置通常放着包装管或者托盘。
Soft binning控制软件计数器记录良品的种类和不良品的类型，便于测试中确定芯片的失效类别。
Hard binning的数目受到外部自动设备的制约，而Soft binning的数目原则上没有限制。
下面是一个Binning的例子：Bin#类别01100MHz下良品0275MHz下良品10Open-Short测试不良品11整体IDD测试不良品12整体功能测试不良品1375MHz功能测试不良品14功能测试VIL/VIH不良品15DC测试VOL/VOH不良品16动态/静态IDD测试不良品17IIL/IIH漏电流测试不良品从上面简单的例子中我们可以看到，Hard bin 0，Soft bin 01-02是良品，是我们常说的GoodBin；而Hard bin 1,Soft bin 10-17是不良品，也就是我们常说的FailedBin。
测试程序必须通过硬件接口提供必要的Binning信息给handler，当handler接收到一个器件的测试结果，它会去判读其Binning的信息，根据信息将器件放置到相应位置的托盘或管带中。
第四章.DC参数测试（2）Program Flow测试程序流程中的各个测试项之间的关系对DC测试来说是重要的，很多DC 测试要求前提条件，如器件的逻辑必须达到规定的逻辑状态要求，因此，在DC测试实施之前，通常功能测试需要被验证无误。
如果器件的功能不正确，则后面的DC测试结果是没有意义的。
图4-1的测试流程图图解了一个典型的测试流程，我们可以看到Gross Functional Test在DC Test之前实施了，这将保证所有的器件功能都已经完全实现，并且DC测试所有的前提条件都是满足要求的。
我们在制定测试程序中的测试流程时要考虑的因素不少，最重要的是测试流程对生产测试效率的影响。
一个好的流程会将基本的测试放在前面，尽可能早的发现可能出现的失效，以提升测试效率，缩短测试时间。
其它需要考虑的因素可能有：测试中的信息收集、良品等级区分等，确保你的测试流程满足所有的要求。
图4-1.测试流程生产测试进行一段时间后，测试工程师应该去看看测试记录，决定是否需要对测试流程进行优化——出现不良品频率较高的测试项应该放到流程的前面去。
Test Summary测试概要提供了表明测试结果的统计信息，它是为良率分析提供依据的，因此需要尽可能多地包含相关的信息，最少应该包含总测试量、总的良品数、总的不良品数以及相应的每个子分类的不良品数等。
在生产测试进行的时候，经常地去看一下Test Summary 可以实时地去监控测试状态。
图4-2显示的是一个Summary的实例。
个规则。
了解了这个信息，我们可以通过欧姆定律去计算器件管脚上拥有的输出电阻，看它是否满足设计要求。
通过定律公式R=V/I我们可以知道，器件设计时，其输出电阻不能高于50ohm，但是我们在规格书上看不到“输出电阻”字样，取而代之的是VOL和IOL这些信息。
注：很多情况下我们可以用电阻代替待测器件去验证整个测试相关环节的正确性，它能排除DUT以外的错误，如程序的错误或负载板的问题，是非常有效的调试手段。
图4-3.VOH测试阻抗计算VOH测试检验了器件当输出逻辑1时输出管脚输送电流的能力，另一种检验这种能力的途径则是测量逻辑1状态时输出端口的阻抗。
如图4-4，施加在等效电路中电阻上的压降为E=4.75-2.4=2.35V，I=5.2mA，则R=E/I=452ohm，那么此输出端口的阻抗低于452ohm时，器件合格。
在调试、分析过程中将管脚电路合理替换为等效电路可以帮助我们简化思路，是个不错的方法。
试阻抗计算VOL测试检验了器件当输出逻辑0时输出管脚吸收电流的能力，另一种检验这种能力的途径则是测量逻辑0状态时输出端口的阻抗。
如图4-6，施加在等效电路中电阻上的压降为E=VOL-VSS=0.4V，I=8mA，则R=E/I=50ohm，那么此输出端口的阻抗低于50ohm 时，器件合格。
图4-6.等效电路故障寻找开始Trouble Shooting前，打开dataloger纪录测量结果，如果待测器件有自己的标准，测试并纪录测量结果后，所得结果不外乎以下三种情况：1.VOL电压正常，测试通过；2.在正确输出逻辑0条件下，VOL电压测量值高于最大限定，测试不通过；3.在错误的输出条件下，如逻辑1，VOL电压测量值远高于最大限定，测试不通过。
这种情况下，datalog中将显示程序中设定的钳制电压值。
当故障（failure）发生时，我们需要观察datalog中的电压测量值以确定故障类型，是上述的第2种情况？还是第3种？Datalog of:VOL/IOLSerial/Static test using the PMUPin Force/rng Meas/rng Min Max Result PIN112.0mA/20mA130mV/8V400mV PASSPIN212.0mA/20mA421mV/8V400mV FAILPIN3 4.0mA/10mA125mV/8V400mV PASSPIN4 4.0mA/10mA90mV/8V400mV PASSPIN58.0mA/10mA205mV/8V400mV PASSPIN68.0mA/10mA 5.52V/8V400mV FAIL图4-10.静态电流测试阻抗计算静态电流测试实际上测量的也是器件VDD和GND之间的阻抗，当VDD电压定义在5.25V、IDD上限定义在22uA，根据欧姆定律我们能得到可接受的最小阻抗，如图4-11，最小的阻抗应该是238.636欧姆。
图4-11.等效电路故障寻找图4-10.静态电流测试阻抗计算静态电流测试实际上测量的也是器件VDD和GND之间的阻抗，当VDD电压定义在5.25V、IDD上限定义在22uA，根据欧姆定律我们能得到可接受的最小阻抗，如图4-11，最小的阻抗应该是238.636欧姆。
图4-11.等效电路故障寻找静态电流测试的故障寻找和Gross IDD大同小异，datalog中的测试结果也无非三种：1.电流在正常范围，测试通过；2.电流高于上限，测试不通过；3.电流低于下限，测试不通过。