薄厚膜集成电路PPT课件
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集成电路基础知识培训课件(PPT 33页)

集成电路制造流程
1、掩膜版加工 2、晶圆加工
前工序
3、中测(切割、减薄、挑粒)
4、封装或绑定
后工序
5、成测
集成电路制造流程
掩膜版加工
在半导体制造的整个流程中,其中一部分就是从版图到wafer制造中 间的一个过程,即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关 键部分,是流程中造价最高的一部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。
引脚数≥00mil时,俗称宽体。
3、前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流 片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后, 其切割、封装等工序被称为后工序。
中测(硅片的测试)
中测(Wafer test)是半导体后道封装测试的第一站。 中测有很多个名称,比如针测、晶圆测试、CP(Circuit Probing)、 Wafer Sort、Wafer Probing等等。 中测的目的是将硅片中不良的芯片挑选出来,然后打上红点或者是黑点。
随着IC高度集成化、芯片和封装面积的增大、封装层的薄壳 化以及要求价格的进一步降低,对于模塑料提出了更高且综合性 的要求。
2、集成电路封装形式的简介
集成电路的封装形式有很多,按封装形式可分 三大类,即双列直插型、贴片型和功率型。
在选择器件封装形式应首先考虑其胶体尺寸和 脚间距这两点。胶体尺寸是指器件封装材料部分的 宽度(H),一般用英制mil来标注;脚间距是指器 件引脚间的距离(L),一般用公制mm来标注。
集成电路的英文是:Integrated Circuit 简称为IC
2、集成电路的分类
• 通用集成电路General IC 例如单片机、存储器等,通用都可以理解为一般常用的。
• 专用集成电路Application Specific Integrated Circuit 简称为ASIC ASIC是专门为了某一种或几种特定功能而设计的,它也 是相对于通用集成电路而言的,除通用的一些集成电路外, 都可称为专用集成电路。
半导体测试--薄层厚度测量 ppt课件

薄膜上下表面的两束 反射光产生干涉
图4.1
ppt课件
7
图4.2 颜色与厚度的对应关系
760nm
380nm
红橙 黄 绿 蓝 靛 紫
当镀膜变得越来越厚时,晶 圆的颜色就会按照一个特定顺 序变化,并且不断重复。我们 把每一个颜色的重复称为一个 顺序(0rder)。
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8
(二)干涉条纹法
1、在白光下观察
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11
2、膜厚仪
基于干涉原理,可自动实现膜厚测试。
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12
膜厚测量仪主要包括:宽带光源、高性能线阵CCD光谱仪、传
输光纤、样品测试台及测量分析软件。
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13
(三)椭偏仪测量法
1、方法简介
它应用极化光测量高吸收衬底上的介电薄膜,如硅衬底 上的二氧化硅层;能同时准确确定出薄层材料的折射率和 厚度,测量精度比干涉法高一个数量级以上,是目前已有 的厚度测量方法中最精确的方法之一。
ppt课件
25
(一)磨角染色法
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26
(二)红外光反射法
• 对于Si外延层/掺杂层的厚度测量,红外线(2.5~50μm) 不仅 能透过外延层,而且能在杂质浓度突变的外延层-衬底界面上发生 反射。这一反射与空气-外延层界面反射的红外线之间存在着光程差和相
位变化,因而形成干涉。
θ’
图4.7 红外光通过薄层时的反射和折射 连续改变红外光的波长可测出周期变 化的反射光的干涉强度。
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27
(三)扩展电阻分布测量法
过渡区 外延层
外延层厚度
衬底
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28
三、导电薄膜厚度测量
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29
《集成电路工艺》课件

集成电路工艺设备
薄膜制备设备
化学气相沉积设备
用于在硅片上沉积各种薄膜,如氧化硅、氮化硅 等。
物理气相沉积设备
用于沉积金属、合金等材料,如蒸发镀膜机。
化学束沉积设备
通过离子束或分子束技术,在硅片上形成高纯度 、高质量的薄膜。
光刻设备
01
02
03
投影式光刻机
将掩膜板上的图形投影到 硅片上,实现图形的复制 。
降低成本
集成电路工艺能够实现大规模生产,降低了单个电子 元件的成本。
促进技术进步
集成电路工艺的发展推动了半导体制造技术的进步, 促进了微电子产业的发展。
02
CATALOGUE
集成电路制造流程
薄膜制备
物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD )是最常用的两种沉积技术。
薄膜的厚度、均匀性和晶体结构等特性对集成电路的 性能和可靠性具有重要影响。
分类
按照制造工艺技术,集成电路可分为 薄膜集成电路和厚膜集成电路;按照 电路功能,集成电路可分为模拟集成 电路和数字集成电路。
集成电路工艺的发展历程
小规模阶段
20世纪60年代,晶体管被集成 在硅片上,形成了小规模集成 电路。
大规模阶段
20世纪80年代,微处理器和内 存被集成在硅片上,形成了大 规模集成电路。
02
它通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用,将硅片表面研磨得更
加平滑,减小表面粗糙度。
抛光液的成分、抛光压力和抛光时间等参数对抛光效果具有重
03
要影响。
03
CATALOGUE
集成电路工艺材料
硅片
硅片是集成电路制造中最主要的材料之一,其质量直 接影响集成电路的性能和可靠性。
薄膜制备设备
化学气相沉积设备
用于在硅片上沉积各种薄膜,如氧化硅、氮化硅 等。
物理气相沉积设备
用于沉积金属、合金等材料,如蒸发镀膜机。
化学束沉积设备
通过离子束或分子束技术,在硅片上形成高纯度 、高质量的薄膜。
光刻设备
01
02
03
投影式光刻机
将掩膜板上的图形投影到 硅片上,实现图形的复制 。
降低成本
集成电路工艺能够实现大规模生产,降低了单个电子 元件的成本。
促进技术进步
集成电路工艺的发展推动了半导体制造技术的进步, 促进了微电子产业的发展。
02
CATALOGUE
集成电路制造流程
薄膜制备
物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD )是最常用的两种沉积技术。
薄膜的厚度、均匀性和晶体结构等特性对集成电路的 性能和可靠性具有重要影响。
分类
按照制造工艺技术,集成电路可分为 薄膜集成电路和厚膜集成电路;按照 电路功能,集成电路可分为模拟集成 电路和数字集成电路。
集成电路工艺的发展历程
小规模阶段
20世纪60年代,晶体管被集成 在硅片上,形成了小规模集成 电路。
大规模阶段
20世纪80年代,微处理器和内 存被集成在硅片上,形成了大 规模集成电路。
02
它通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用,将硅片表面研磨得更
加平滑,减小表面粗糙度。
抛光液的成分、抛光压力和抛光时间等参数对抛光效果具有重
03
要影响。
03
CATALOGUE
集成电路工艺材料
硅片
硅片是集成电路制造中最主要的材料之一,其质量直 接影响集成电路的性能和可靠性。
《厚膜与薄膜技术》PPT课件

参数意义:浆料内颗粒尺寸分布和弥散的度量
测量工具:细度计
测量结果:能得到颗粒
的最大、最小和平均粒径
2021/5/28
超大规模集成电路硅衬底抛光
14
2021/5/28
固体粉末百分比含量
参数意义:有效物质与粘贴成分的质量与浆料总质量 的比值,一般为85%~92%〔质量百分比〕。
测量方法:取少量浆料样品称重,然后放在大约 400℃的炉子里直到所有的有机物烧尽,重新称量样 品。
2021/5/28
提供元器件与膜布线之间以及与更高一级组装的电互连。
提供端接区以连接厚膜电阻。
提供多层电路超导大规体模层集成之电间路硅的衬电底连抛光接。
19
2021/5/28
厚膜导体材料有三种根本类型:
可空气烧结:由不容易形成氧化物的贵金属制成的,主要 的金属是金和银,它们可以是纯态的,也可与钯或与铂存 在于合金化的形式。
印刷后,必须有足够的时间使浆料粘度增加到接近 静止粘度〔流平〕,如果在流平前把浆料置于烘干 工艺的条件下,那么浆料由于温度的升高而变得稀 薄,印出的图形将会丧失线条的清晰度。
浆料粘度的调节:
参加适当的溶剂可以很容易的降低粘度,当浆料罐 已开启屡次或把浆料从丝网返回罐中时,常常需要 这么做。
增加浆料的粘度是很困难的,需要参加更多的不挥
2021/5/28 更为困难。
超大规模集成电路硅衬底抛光
8
2021/5/28
〔2〕金属氧化物材料:一种纯金属例如Cu、Cd与浆料 的混合物
粘贴机理:纯金属在基板外表与氧原子反响形成氧化物, 金属与其氧化物粘接并通过烧结而结合在一起。属于 氧化物键合或分子键合。
特点:与玻璃料相比,这一类浆料改善了粘接性。但烧 结温度较高,一般在950~1000℃下烧结,加速了厚 膜烧结炉的损耗,炉体维护频率高。
测量工具:细度计
测量结果:能得到颗粒
的最大、最小和平均粒径
2021/5/28
超大规模集成电路硅衬底抛光
14
2021/5/28
固体粉末百分比含量
参数意义:有效物质与粘贴成分的质量与浆料总质量 的比值,一般为85%~92%〔质量百分比〕。
测量方法:取少量浆料样品称重,然后放在大约 400℃的炉子里直到所有的有机物烧尽,重新称量样 品。
2021/5/28
提供元器件与膜布线之间以及与更高一级组装的电互连。
提供端接区以连接厚膜电阻。
提供多层电路超导大规体模层集成之电间路硅的衬电底连抛光接。
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2021/5/28
厚膜导体材料有三种根本类型:
可空气烧结:由不容易形成氧化物的贵金属制成的,主要 的金属是金和银,它们可以是纯态的,也可与钯或与铂存 在于合金化的形式。
印刷后,必须有足够的时间使浆料粘度增加到接近 静止粘度〔流平〕,如果在流平前把浆料置于烘干 工艺的条件下,那么浆料由于温度的升高而变得稀 薄,印出的图形将会丧失线条的清晰度。
浆料粘度的调节:
参加适当的溶剂可以很容易的降低粘度,当浆料罐 已开启屡次或把浆料从丝网返回罐中时,常常需要 这么做。
增加浆料的粘度是很困难的,需要参加更多的不挥
2021/5/28 更为困难。
超大规模集成电路硅衬底抛光
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2021/5/28
〔2〕金属氧化物材料:一种纯金属例如Cu、Cd与浆料 的混合物
粘贴机理:纯金属在基板外表与氧原子反响形成氧化物, 金属与其氧化物粘接并通过烧结而结合在一起。属于 氧化物键合或分子键合。
特点:与玻璃料相比,这一类浆料改善了粘接性。但烧 结温度较高,一般在950~1000℃下烧结,加速了厚 膜烧结炉的损耗,炉体维护频率高。
厚膜混合集成电路 课件第1章

2
元件数 门数
SSI <102 <10
MSI 102 ~ 10 3 10 ~ 102
LSI 103 ~ 10 5 102 ~ 104
VLSI 105 ~ 10 7 104 ~ 106
ULSI 107 ~ 10 9 106 ~ 108
GSI >109 >108
厚膜技术的发展
厚膜技术起源于古代—唐三彩
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路:TI公司的Kilby,12个器件,Ge晶片
• 1964年人们提出了大规模集成电路的设想和 概念,并很快于1966年研制成功大规模集成 电路。 大规模集成电路在提高集成度、可靠性、工 作频率和电路工作速度等技术性能方面的一 系列重大成就,使电子设备和电子系统出现 了崭新的面貌,从而使电子技术的发展进入 了第四代。
2.难以把各种不同类型的、性能差异很大的 元器件集成在同一衬底上; 难以外贴组装上各种具有特殊性能的元器件;
因此很难制成各种多功能的复杂的模拟电路。
3.半导体衬底的绝缘性能不如陶瓷、玻璃、 蓝宝石等绝缘基板,因此其元器件之间的 隔离不够完善; ● 造成寄生效应大,这样就会使电路在高频 下难以稳定地工作; ● 难以制造大功率、大电流、高电压等各种 有特殊要求的电路;
• 1968年Dennard——单晶体管DRAM
• 1971年Intel公司微处理器——计算机的心脏
– 目前全世界微机总量约6亿台,在美国每年由计算机完成 的工作量超过4000亿人年工作量。美国欧特泰克公司认 为:微处理器、宽频道连接和智能软件将是21世纪改变 人类社会和经济的三大技术创新
微电子发展的规律 不断提高产品的性能价格比 是微电子技术发展的动力 集成电路芯片的集成度每三 年提高4倍,而加工特征尺 寸缩小 2 倍,这就是摩尔
第3章-厚薄膜电路PPT课件

其相反,化学蚀刻的速率在切线方向与法线方向
是相同的。因此,造成与薄膜厚度相等的钻蚀。
(2)由于不再需要用来蚀刻薄膜的烈性化学物
质,所以对人员的危害较小,而且没有污水处理
的问题。
2021/7/24
27
3.1.2 薄膜材料
薄膜材料分为四类:
①
②
③
④
导体材料—用于形成电路图形,提供电极及
电学连接。
电阻材料—用于形成电路中的电阻。
断开的氧键,促进氧化物界面的形成。溅射颗粒
的动能在它们与基板碰撞时转变成在基板上所产
生的余热,进一步增强了氧化物的形成。
2021/7/24
19
磁控溅射与反应溅射
磁控溅射:一般的三极真空管溅射是一个非常缓
慢的过程,需要几小时才能得到可使用的膜.在
关键的位置,通过使用磁场,可以使等离子体在
靶材附近聚集,大大的加速了淀积的过程。
阻挡层材料—形成某些导体与电阻之间的扩
散阻挡层
薄膜基板
2021/7/24
28
1、导体薄膜材料:微系统封装工程的一
般为金属薄膜。
功能:
主要用于半导体元器件或芯片之间的电
气连接。
例如:
2021/7/24
电阻器的端头连接、电容的上下电极、元件之间
的互连线;
高频电感、微带线、地线等。
29
对导体薄膜材料选择的基本要求:
6
蒸发淀积薄膜
当材料的蒸汽压超过周围压力时,材料就会
蒸发到周围环境中—蒸发的“本质”。
薄膜蒸发淀积工艺中,通过加热或电子束轰
击的方式,使被蒸镀物质在真空下受热或轰击
后蒸发气化,高温蒸发后的原子在温度较低基
是相同的。因此,造成与薄膜厚度相等的钻蚀。
(2)由于不再需要用来蚀刻薄膜的烈性化学物
质,所以对人员的危害较小,而且没有污水处理
的问题。
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3.1.2 薄膜材料
薄膜材料分为四类:
①
②
③
④
导体材料—用于形成电路图形,提供电极及
电学连接。
电阻材料—用于形成电路中的电阻。
断开的氧键,促进氧化物界面的形成。溅射颗粒
的动能在它们与基板碰撞时转变成在基板上所产
生的余热,进一步增强了氧化物的形成。
2021/7/24
19
磁控溅射与反应溅射
磁控溅射:一般的三极真空管溅射是一个非常缓
慢的过程,需要几小时才能得到可使用的膜.在
关键的位置,通过使用磁场,可以使等离子体在
靶材附近聚集,大大的加速了淀积的过程。
阻挡层材料—形成某些导体与电阻之间的扩
散阻挡层
薄膜基板
2021/7/24
28
1、导体薄膜材料:微系统封装工程的一
般为金属薄膜。
功能:
主要用于半导体元器件或芯片之间的电
气连接。
例如:
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电阻器的端头连接、电容的上下电极、元件之间
的互连线;
高频电感、微带线、地线等。
29
对导体薄膜材料选择的基本要求:
6
蒸发淀积薄膜
当材料的蒸汽压超过周围压力时,材料就会
蒸发到周围环境中—蒸发的“本质”。
薄膜蒸发淀积工艺中,通过加热或电子束轰
击的方式,使被蒸镀物质在真空下受热或轰击
后蒸发气化,高温蒸发后的原子在温度较低基
厚薄膜混合集成电路课件-4-5-6厚膜工艺

※ 4.1.7 低温共烧陶瓷(LTCC)
表4-3 低温共烧LTCC超过其他厚膜工艺的优点
超过HTCC的优点
较低的烧成温度(850-950℃对12001500℃)
标准的良好的烧成环境(空气对氢/氮气) 使用低电阻率的导体的能力(金、银和 铜对钨或钼) 不需要电镀
能共烧和集成无源元件(电阻、电容、 电感器)
※ 4.1.1 丝网印刷
丝网印刷所产生 的图形取决于使 用正的或负的原 图和已在丝网上 正的或负的光敏 乳胶
※4.1.1 丝网印刷
影响厚膜电路质量的因素
丝
流厚
网
性膜
本
和浆
身
流料
的
动的
质
性液
量
※4.1.1 丝网印刷
➢丝网是由贴到网框上的拉紧的网布,再加上光敏乳胶。 ➢丝网的目数:每英寸长的丝网布中的开口孔数,它决定了导体和电阻的 尺寸及它们的公差,导线之间的间隔和孔的尺寸。
气保护炉内烧成。 允许使用金、银等高导电率的导体浆料,适用于高速电路,如RF
电路; 无源器件能与陶瓷共烧,埋入单片结构中。 2)通过用LTCC将互连基片、封装和引线一体化的设计方法,能产生非常 扁薄的封装 3) 可产生复杂形状或三维电子线路和封装。
用LTCC工艺生产部件有如下缺点: 由于有高的玻璃含量(50%或更大),所以热传导率非常低(2-3 W/m∙K) 较低的结构强度,原因仍是由于高的玻璃含量; 当烧成时瓷带收缩。
低的介电常数
CTE与硅器件更匹配
更好的尺寸和翘曲度控制
超过顺序烧成厚膜工艺的优点 成批层压和共烧
做多层基片时层数可以做的更多 工艺步骤少,成本低
高密度互联基片能与密封封装集成 能形成空腔和特定形状的基片 能与埋入的无源器件共烧 导体有更大的附着力
集成电路芯片封装技术之厚膜技术PPT(25张)

氮气中烧结的有机载体必须发生分解和热解聚。
传统金属陶瓷厚膜浆料成分—溶剂或稀释剂
自然形态的有机粘结剂太粘稠不能进行丝网印刷, 需要使用溶剂或稀释剂,稀释剂比粘结剂较容易挥发, 在大约100℃以上就会迅速蒸发,典型材料是萜品醇、 丁醇和某些络合的乙醇;
溶剂或稀释剂用于烧结前的有机粘结剂的稀释, 烘干和烧结时挥发掉。
5、世上最美好的事是:我已经长大,父母还未老;我有能力报答,父母仍然健康。
•
6、没什么可怕的,大家都一样,在试探中不断前行。
•
7、时间就像一张网,你撒在哪里,你的收获就在哪里。纽扣第一颗就扣错了,可你扣到最后一颗才发现。有些事一开始就是错的,可只有到最后才不得不承认。
•
8、世上的事,只要肯用心去学,没有一件是太晚的。要始终保持敬畏之心,对阳光,对美,对痛楚。
厚膜印刷所用材料是一种特殊材料——浆料,而薄膜 技术则是采用镀膜、光刻和刻蚀等方法成膜。
厚膜电路特点及应用
较之普通PCB,厚膜电路在散热性和稳定性方面优 势明显;而且,比普通PCB能更适应环境。
由于汽车电子产品所处环境通常都比较苛刻(不 包括车内影音娱乐系统),比如动力控制系统和发动 系统,所处环境高温、高湿、大功率、高振动等。普 通PCB无法满足这些环境条件需求时,厚膜电路就会体 现出它的价值。基于厚膜电路在高温、高压、大功率 的应用中有极大的优势。一般主要应用在汽车电子、 通讯系统领域、航空航天及一些军工领域。
•
9、别再去抱怨身边人善变,多懂一些道理,明白一些事理,毕竟每个人都是越活越现实。
•
10、山有封顶,还有彼岸,慢慢长途,终有回转,余味苦涩,终有回甘。
•
11、人生就像是一个马尔可夫链,你的未来取决于你当下正在做的事,而无关于过去做完的事。
传统金属陶瓷厚膜浆料成分—溶剂或稀释剂
自然形态的有机粘结剂太粘稠不能进行丝网印刷, 需要使用溶剂或稀释剂,稀释剂比粘结剂较容易挥发, 在大约100℃以上就会迅速蒸发,典型材料是萜品醇、 丁醇和某些络合的乙醇;
溶剂或稀释剂用于烧结前的有机粘结剂的稀释, 烘干和烧结时挥发掉。
5、世上最美好的事是:我已经长大,父母还未老;我有能力报答,父母仍然健康。
•
6、没什么可怕的,大家都一样,在试探中不断前行。
•
7、时间就像一张网,你撒在哪里,你的收获就在哪里。纽扣第一颗就扣错了,可你扣到最后一颗才发现。有些事一开始就是错的,可只有到最后才不得不承认。
•
8、世上的事,只要肯用心去学,没有一件是太晚的。要始终保持敬畏之心,对阳光,对美,对痛楚。
厚膜印刷所用材料是一种特殊材料——浆料,而薄膜 技术则是采用镀膜、光刻和刻蚀等方法成膜。
厚膜电路特点及应用
较之普通PCB,厚膜电路在散热性和稳定性方面优 势明显;而且,比普通PCB能更适应环境。
由于汽车电子产品所处环境通常都比较苛刻(不 包括车内影音娱乐系统),比如动力控制系统和发动 系统,所处环境高温、高湿、大功率、高振动等。普 通PCB无法满足这些环境条件需求时,厚膜电路就会体 现出它的价值。基于厚膜电路在高温、高压、大功率 的应用中有极大的优势。一般主要应用在汽车电子、 通讯系统领域、航空航天及一些军工领域。
•
9、别再去抱怨身边人善变,多懂一些道理,明白一些事理,毕竟每个人都是越活越现实。
•
10、山有封顶,还有彼岸,慢慢长途,终有回转,余味苦涩,终有回甘。
•
11、人生就像是一个马尔可夫链,你的未来取决于你当下正在做的事,而无关于过去做完的事。
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➢ 广义来说,已封装好的元器件用锡焊焊到印 有互连导线的陶瓷基片上的电路也可认为是 混合电路。
1m.il=25.4 m =0.0254mm
12
薄/厚膜混合 集成电路:在 基片上用成膜 方法制作厚膜 或薄膜元件及 其互连线,并 在同一基片上 将分立的半导 体芯片、单片 集成电路或微 型元件混合组 装,再外加封 装而成。按照 制作互连基片 工艺的不同, 分为薄膜电路 与厚膜电路。
.
11
➢ 分立的片式元器件有晶体管、二极管、集成 电路、片电阻和电容器;成批制造的元器件 有导体、电阻器,有时还有电容器和电感器。
➢ 片式元器件是很小的没有包封的元器件。半 导体片式器件也叫裸芯片,尺寸范围从非常 小(12mil见方)的单个晶体管,到大至约 500mil见方高密度的集成电路(IC)
.
3
第一章 引言
混合集成电路(HIC)、半导体集成电 路(IC)与分立元器件电路
现代集成电路可分为半导体集成电路和 厚薄膜混合集成电路两大类,再加上散 装小型元器件的微型电路,统称为微电 子电路。
.
4
1.分立元器件电路
指电阻,电容,电感,晶体管等单一 特征元件实体按照一定的电路形式, 组成完成特定功能的实体。
分立元器件电路— 有源音箱
.
5
分立元器件电路——发射机
➢体积大,能耗高,故障率高。现主要用于实验、教学中。 ➢“用分立元件造P4的话,大概有国家大剧院那么大”
.
6
2.半导体集成电路(IC)
也叫单片集成电路(monolithic IC). 其电路构建在单晶基片上,电路中含 有有源器件(晶体管、二极管等)、 无源元件(电阻、电容等)及它们之 间的互连导线,几乎所有的电路元器 件都是通过诸如外延生长、掩模杂质 扩散、氧化物生长、氧化物刻蚀、定 义图形的光刻等这些工艺制造在基片 内。最后,内部接触用铝与1%-2%硅 和2%-4%铜的合金做成。
薄/厚膜 混合集成电路
.
1
参考教材:
1. 薄厚膜混合集成电路,国防工业出版社,1982,胡忠胥、 梁瑞林等
2. 厚薄膜混合微电子学手册,电子工业出版社,2005, Tapan K. Gupta
3. 混合微电路技术手册—材料、工艺、设计、试验和生产, 电子工业出版社,2004,James J.Licari, Leonard R.Enlow
MCM是混合微电路的延伸,差别只是在复 杂程度、密度和性能上有所不同。它实际上
是材料和工艺已被精炼和扩展从而使电性能 (如速度或密度)至少增加一个数量级的新 一代混合微电路
.
16
HIC, IC和分立元器件电路的优劣比较
1.HIC与分立元器件电路比较
➢ HIC比等效的分立元器件电路重量轻10倍, 体积小4~6倍
.
10
3. 混合集成电路(Hybrid IC)
混合集成电路是一种将各种功能 的片式器件在预先做好导体图案 或导体与阻容组合图案的绝缘基 片上进行电气互连的电路。之所 以叫“混合”电路是因为它在一 种结构内组合两种不同的工艺技 术:有源芯片器件(半导体器件) 和成批制造的无源器件(电阻器, 导体等)
.
13
➢ HIC可视为将厚薄膜技术、半导体技术和其 他分立元器件技术相结合的不同的微电子元 器件的互连封装技术
➢ 在分类中,按互连基片的工艺可以分为薄膜 和厚膜,但混合电路也可按它们的功能来分 类,如数字、模拟、射频微波功率电路
➢ HIC是将分立元器件组装在电路板上的传统 设计和单一单元或封装的单片集成电路的中 间物。它最大的优势在于能够选择和混合不 同技术从而最大限度的满足实际需要
➢ 由于电阻器在基片上成批烧出,混合电路需 要的互连较少,可靠性比分立元器件电路有 很大改善
➢ HIC电阻器可以静态或动态调整到精密的值, 故能制造出分立元器件电路不可能达到的高 精度电路
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SOI的作用——解决闩锁效应
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功能
数字集成电路(门电路、存储器、微处理器等)
模拟集成电路(运算放大器、直流稳压电源、模数)
➢由于集成电路体积小,使电子运动距离大幅 度缩小,因此速度极快且可靠性高,电子信 息产品的很多核心功能都是通过集成电路来 实现的。
➢IC电路的优势仅当与其他集成电路、电阻器、 电容器等以混合电路的形式实现集成时才能 最佳化。
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m
➢IC可以从不同角度分类
材料
Si 集成电路(〉95%) 绝缘体上硅(SOI) 锗硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)……
特征尺寸
0.25 m (深亚微米) 0.18 m (超深亚微米)
90 n m
65 n m 45 n m
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Moore定律:IC中晶体 管的数目每隔两年就翻 一番,芯片性能每18个 月翻一番。
➢ HIC代表了可以将IC与各种分立元器件在适
宜的基板上精密集成的先进分装理念
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4.多芯片模块MCM (Multi Chip Module )
MCM这一术语普遍被人们接受是在20世纪 90年代初。随着半导体集成电路技术的进展, 出现超高速元件。若采用传统单个芯片封装 的形式分别搭载在印制电路板上,则芯片之 间布线引起的电气信号传输延迟,跟芯片内 部的延迟相比已不能忽略。因此,要实现电 子设备系统整体性能的提高变得越来越困难。 而若将多块芯片同时搭载在陶瓷等高密度多 层基板上实现整体封装,则可以大大缩短芯 片间的布线长度,减小电气信号传输延迟, 这便是产生MCM的背景。
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将高集成度、高性能、高可靠性的集成电路
裸芯片在高密度多层互连基板上用表面安装 技术组装成为多种多样的电子组件、子系统 或系统,称为多芯上构成一个完整的部件
MCM还没有严格的定义,但由于MCM的魅 力,几乎每种电子模块都被吹嘘成MCM
4. 电子封装工程,清华大学出版社,2003,田民波编著
5. 电子产品制造技术,清华大学出版社,2005,王卫平主 编
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课程内容:
混合集成电路发展简史及应用实例 混合电路中常用数学模型及设计、布图规则 厚膜电路工艺原理、使用材料和制作流程 厚膜制造中的膜沉积技术 薄膜材料的性质及薄膜膜沉积技术 电阻器阻值调整技术 分立元器件组装技术 封装技术及不同封装材料的性能 多芯片模块介绍 混合电路可靠性试验及失效分析
1m.il=25.4 m =0.0254mm
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薄/厚膜混合 集成电路:在 基片上用成膜 方法制作厚膜 或薄膜元件及 其互连线,并 在同一基片上 将分立的半导 体芯片、单片 集成电路或微 型元件混合组 装,再外加封 装而成。按照 制作互连基片 工艺的不同, 分为薄膜电路 与厚膜电路。
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➢ 分立的片式元器件有晶体管、二极管、集成 电路、片电阻和电容器;成批制造的元器件 有导体、电阻器,有时还有电容器和电感器。
➢ 片式元器件是很小的没有包封的元器件。半 导体片式器件也叫裸芯片,尺寸范围从非常 小(12mil见方)的单个晶体管,到大至约 500mil见方高密度的集成电路(IC)
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第一章 引言
混合集成电路(HIC)、半导体集成电 路(IC)与分立元器件电路
现代集成电路可分为半导体集成电路和 厚薄膜混合集成电路两大类,再加上散 装小型元器件的微型电路,统称为微电 子电路。
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1.分立元器件电路
指电阻,电容,电感,晶体管等单一 特征元件实体按照一定的电路形式, 组成完成特定功能的实体。
分立元器件电路— 有源音箱
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5
分立元器件电路——发射机
➢体积大,能耗高,故障率高。现主要用于实验、教学中。 ➢“用分立元件造P4的话,大概有国家大剧院那么大”
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2.半导体集成电路(IC)
也叫单片集成电路(monolithic IC). 其电路构建在单晶基片上,电路中含 有有源器件(晶体管、二极管等)、 无源元件(电阻、电容等)及它们之 间的互连导线,几乎所有的电路元器 件都是通过诸如外延生长、掩模杂质 扩散、氧化物生长、氧化物刻蚀、定 义图形的光刻等这些工艺制造在基片 内。最后,内部接触用铝与1%-2%硅 和2%-4%铜的合金做成。
薄/厚膜 混合集成电路
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1
参考教材:
1. 薄厚膜混合集成电路,国防工业出版社,1982,胡忠胥、 梁瑞林等
2. 厚薄膜混合微电子学手册,电子工业出版社,2005, Tapan K. Gupta
3. 混合微电路技术手册—材料、工艺、设计、试验和生产, 电子工业出版社,2004,James J.Licari, Leonard R.Enlow
MCM是混合微电路的延伸,差别只是在复 杂程度、密度和性能上有所不同。它实际上
是材料和工艺已被精炼和扩展从而使电性能 (如速度或密度)至少增加一个数量级的新 一代混合微电路
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HIC, IC和分立元器件电路的优劣比较
1.HIC与分立元器件电路比较
➢ HIC比等效的分立元器件电路重量轻10倍, 体积小4~6倍
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3. 混合集成电路(Hybrid IC)
混合集成电路是一种将各种功能 的片式器件在预先做好导体图案 或导体与阻容组合图案的绝缘基 片上进行电气互连的电路。之所 以叫“混合”电路是因为它在一 种结构内组合两种不同的工艺技 术:有源芯片器件(半导体器件) 和成批制造的无源器件(电阻器, 导体等)
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➢ HIC可视为将厚薄膜技术、半导体技术和其 他分立元器件技术相结合的不同的微电子元 器件的互连封装技术
➢ 在分类中,按互连基片的工艺可以分为薄膜 和厚膜,但混合电路也可按它们的功能来分 类,如数字、模拟、射频微波功率电路
➢ HIC是将分立元器件组装在电路板上的传统 设计和单一单元或封装的单片集成电路的中 间物。它最大的优势在于能够选择和混合不 同技术从而最大限度的满足实际需要
➢ 由于电阻器在基片上成批烧出,混合电路需 要的互连较少,可靠性比分立元器件电路有 很大改善
➢ HIC电阻器可以静态或动态调整到精密的值, 故能制造出分立元器件电路不可能达到的高 精度电路
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SOI的作用——解决闩锁效应
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功能
数字集成电路(门电路、存储器、微处理器等)
模拟集成电路(运算放大器、直流稳压电源、模数)
➢由于集成电路体积小,使电子运动距离大幅 度缩小,因此速度极快且可靠性高,电子信 息产品的很多核心功能都是通过集成电路来 实现的。
➢IC电路的优势仅当与其他集成电路、电阻器、 电容器等以混合电路的形式实现集成时才能 最佳化。
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➢IC可以从不同角度分类
材料
Si 集成电路(〉95%) 绝缘体上硅(SOI) 锗硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)……
特征尺寸
0.25 m (深亚微米) 0.18 m (超深亚微米)
90 n m
65 n m 45 n m
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Moore定律:IC中晶体 管的数目每隔两年就翻 一番,芯片性能每18个 月翻一番。
➢ HIC代表了可以将IC与各种分立元器件在适
宜的基板上精密集成的先进分装理念
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4.多芯片模块MCM (Multi Chip Module )
MCM这一术语普遍被人们接受是在20世纪 90年代初。随着半导体集成电路技术的进展, 出现超高速元件。若采用传统单个芯片封装 的形式分别搭载在印制电路板上,则芯片之 间布线引起的电气信号传输延迟,跟芯片内 部的延迟相比已不能忽略。因此,要实现电 子设备系统整体性能的提高变得越来越困难。 而若将多块芯片同时搭载在陶瓷等高密度多 层基板上实现整体封装,则可以大大缩短芯 片间的布线长度,减小电气信号传输延迟, 这便是产生MCM的背景。
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将高集成度、高性能、高可靠性的集成电路
裸芯片在高密度多层互连基板上用表面安装 技术组装成为多种多样的电子组件、子系统 或系统,称为多芯上构成一个完整的部件
MCM还没有严格的定义,但由于MCM的魅 力,几乎每种电子模块都被吹嘘成MCM
4. 电子封装工程,清华大学出版社,2003,田民波编著
5. 电子产品制造技术,清华大学出版社,2005,王卫平主 编
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课程内容:
混合集成电路发展简史及应用实例 混合电路中常用数学模型及设计、布图规则 厚膜电路工艺原理、使用材料和制作流程 厚膜制造中的膜沉积技术 薄膜材料的性质及薄膜膜沉积技术 电阻器阻值调整技术 分立元器件组装技术 封装技术及不同封装材料的性能 多芯片模块介绍 混合电路可靠性试验及失效分析