国家半导体激光标准规范
半导体所质量体系标准目录
GB/T15498-1995
1995
1版
1
国家技术监督局
75
企业标准体系
技术标准体系的构成和要求
GB/T15497-1995
1995
1版
1
国家技术监督局
76
企业标准体系表编制指南
GB/T13017-1995
1996
1版
1
国家技术监督局
77
关键件和重要件的质量控制
GJB909-90
SJ20642/7-2000
2001
1版
1
中华人民共和国
信息产业部
38
半导体材料术语
GB/T14264-93
1
国家技术监督局
39
半导体材料牌号表示方法
GB/T14844-93
1
国家技术监督局
40
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555-1997
代替GB1555-79
代替GB1556-79
代替GB5254-85
1
国防科学技术
工业委员会
94
军用激光测距仪通用规范
SJ20793-2000
2001
1版
1
中华人民共和国
信息产业部
95
印制板总规范
GB/T16261-1996
IEC/PQC88：1990
1997
1版
1
国家技术监督局
96
成套技术资料质量管理要求
GJB906-90
1991
1版
1
国防科学技术
工业委员会
97
红外发射二极管总规范
1
国防科学技术
半导体激光治疗仪的激光安全等级标准分类
半导体激光治疗仪的激光安全等级标准分类根据激光对人体的危险度分类，在光束内观察对眼睛的MPE(maximal possible effect最大可能的影响)做基准，可分为一到四级。
激光产品厂商应该把Class II, III 和IV的警示标签贴到相应的激光产品上。
Class I：低输出激光(功率小于0.4mW)，不论何种条件下对眼睛和皮肤，都不会超过MPE值，甚至通过光学系统聚焦后也不会超过MPE值。
可以保证设计上的安全，不必特别管理。
典型应用如CD播放机，CD-ROM设备，地质勘探设备和实验室分析仪器等。
Class II：低输出的可视激光(功率0.4mW-1mW)，人闭合眼睛的反应时间为0.25秒，用这段时间算出的曝光量不可以超过MPE值。
通常1mW以下的激光，会导致晕眩无法思考，用闭合眼睛来保护，不能说完全安全，不要直接在光束内观察，也不要用Class II激光直接照射别人的眼睛，避免用远望设备观察Class II激光。
典型应用如课堂演示，激光教鞭，瞄准设备和测距仪等。
Class III：中输出激光，光束若直接射入眼睛，会产生伤害，基于某些安全的理由，进一步分为IIIA和IIIB级。
IIIA级为可见光的连续激光，输出为1-5mW 的激光束，光束的能量密度不要超过25W/m﹣m，避免用远望设备观察IIIA激光，这样可能增大危险。
IIIA的典型应用和Class II级有很多相同之处，如激光教鞭，激光扫描仪等。
III B 级为5-500mW的连续激光，直接在光束内观察有危险。
但最小照射距离为13cm，最大照射时间十秒以下为安全。
IIIB激光的典型应用如光谱测定和娱乐灯光表演等。
Class IV：高输出连续激光(大于500mW)，高过第三级，有火灾的危险，扩散反射也有危险。
典型应用如外科手术，研究，切割，焊接和显微机械加工等。
激光处理上的安全对策：像一般家庭或办公室激光唱盘或激光打印机等的应用机器，为激光光不会射出外部的构造形成，能够保证安全。
半导体激光器国家标准(二)
半导体激光器国家标准（二）3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。
3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。
3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W 热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
激光治疗设备半导体激光鼻腔内照射治疗仪
激光治疗设备半导体激光鼻腔内照射治疗仪1 范围本标准规定了半导体激光鼻腔内照射治疗仪的产品组成和基本参数、技术要求、试验方法。
本标准适用于采用峰值波长在630nm～670nm的半导体激光, 用于照射人体鼻腔内粘膜的治疗仪。
治疗仪利用弱激光与人体组织的光生物作用机理，达到辅助治疗的目的。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件，凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB 7247.1 激光产品的安全第1部分：设备分类、要求GB 9706.1 医用电气设备第1部分: 安全通用要求GB/T 14233.1 医用输液、输血、注射器具检验方法第1部分：化学分析方法GB/T 14710 医用电器环境要求及试验方法GB/T 16886.1 医疗器械生物学评价第1部分：风险管理过程中的评价与试验GB/T 26599.1 激光和激光相关设备激光光束宽度、发散角和光束传输比的试验方法第1部分：无像散和简单像散光束《中华人民共和国药典》2015年版四部3产品组成和基本参数3.1 治疗仪的组成部分：a)半导体激光器；b)电源和控制系统；c)导光部件。
3.2 基本参数：a)输出激光峰值波长；b)激光输出功率；c)激光终端光束发散角；d）脉冲调制频率和脉冲宽度（若有调制脉冲的工作方式时）。
3.3 激光辐射安全类别：按GB 7247.1有关要求规定激光辐射类别。
4 技术要求4.1正常工作条件——环境温度10℃～40℃；——相对湿度不大于80%RH；——大气压力86.0 kPa ～106.0 kPa；——电源：电网电源（～220V，50Hz）和/或内部电源。
4.2 治疗仪激光输出性能4.2.1 激光峰值波长制造商应给出激光峰值波长的标称值，允差为±5nm。
4.2.2 激光最大输出功率制造商应给出标称值，允差为±20%。
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准可能包括以下内容：
1. 治疗波长：半导体激光治疗仪使用的激光波长应符合相关国家或行业标准，例如在医疗领域常用的激光波长为650纳米至1000纳米。
2. 激光功率和能量密度：治疗仪的激光功率和能量密度应符合安全标准，并能够满足不同治疗需求，例如在医疗领域通常要求功率在几毫瓦至几十瓦的范围内。
3. 光斑大小和均匀性：治疗仪的光斑大小和均匀性应满足治疗需求，例如在医疗领域通常要求光斑直径在几毫米至几厘米的范围内，而且应具有均匀的能量分布。
4. 工作模式和治疗参数：治疗仪应支持不同的工作模式，例如连续输出模式和脉冲输出模式，并且应允许用户调整治疗参数，如激光功率、脉冲频率等。
5. 安全性能：治疗仪应具备相应的安全性能，包括但不限于过热保护、过载保护、电磁辐射等。
6. 使用界面和操作方式：治疗仪的使用界面应简洁明了，操作方式应方便易懂，以提高操作者的使用体验和效率。
7. 质量和可靠性：治疗仪应具备良好的质量和可靠性，能够稳定可靠地工作，并且应符合相关国家或地区的质量认证标准。
8. 兼容性：治疗仪应具备一定的兼容性，能够与其他相关设备或系统进行连接和通信，以便实现数据传输和管理。
以上仅为一般性的技术标准，具体的半导体激光治疗仪技术标准可能还会因不同的应用领域和行业而有所区别。
半导体激光器 国家政策
半导体激光器国家政策半导体激光器国家政策近年来，半导体激光器作为一种重要的光电子器件，已经在通信、医疗、材料加工等领域发挥着重要作用。
为了推动我国半导体激光器产业的发展，国家制定了一系列政策措施，以促进技术创新、提高产业竞争力。
首先，国家政策鼓励科研机构和企业加大对半导体激光器技术的研发投入。
通过资金支持和税收优惠等方式，鼓励企业加大科研投入，提高技术创新能力。
同时，国家还鼓励科研机构与企业之间建立紧密的合作关系，促进科技成果转化和产业化。
其次，国家政策支持半导体激光器产业链的完善和优化。
通过引导企业加大对关键材料、设备和工艺的研发投入，提高产业链自主创新能力。
同时，国家还鼓励企业加强合作与交流，在共同攻关中提高整个产业链的竞争力。
此外，国家政策还鼓励企业加大对人才的培养和引进。
通过设立专项资金，支持高校和科研机构培养半导体激光器领域的人才。
同时，国家还鼓励企业与高校、科研机构建立联合实验室和工程中心，共同培养高素质的技术人才。
最后，国家政策还鼓励企业加强国际合作与交流。
通过参与国际标准制定、技术交流会议等方式，提高我国半导体激光器产业在全球市场的竞争力。
同时，国家还鼓励企业积极参与国际合作项目，共同推动半导体激光器技术的发展。
总之，半导体激光器作为一种重要的光电子器件，在我国产业发展中具有重要地位。
通过一系列政策措施的支持和引导，我国半导体激光器产业得到了快速发展，并取得了一系列重要成果。
相信在未来，我国半导体激光器产业将继续保持良好发展势头，并为推动我国经济发展和科技进步做出更大贡献。
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪技术标准
半导体激光治疗仪是一种应用于医疗领域的设备，使用半导体激光器发射出的特定波长的激光光束，对人体进行治疗和康复。
以下是一些半导体激光治疗仪的常见技术标准：
1. 波长范围：半导体激光治疗仪通常具有特定的波长范围，常见的波长包括650纳米、808纳米、980纳米等。
不同波长的光能在治疗过程中具有不同的作用和效果。
2. 输出功率：输出功率是指激光器每秒钟发射的激光能量，通常以瓦特（W）为单位。
输出功率的大小会影响治疗的深度和强度。
3. 能量密度：能量密度是指激光能量在单位面积上的分布情况，通常以焦耳/平方厘米（J/cm²）为单位。
适当的能量密度可以确保治疗效果，并避免对组织造成损伤。
4. 脉冲模式：半导体激光治疗仪可能支持不同的脉冲模式，如连续波、脉冲和调制等。
不同脉冲模式可以适应不同的治疗需求。
5. 治疗模式：半导体激光治疗仪可以提供多种治疗模式，如单点照射、扫描治疗、面板照射等。
不同的治疗模式适用于不同的治疗场景和部位。
6. 安全性：半导体激光治疗仪需要符合相关的安全标准和规定，确保在使用过程中对患者和操作人员的安全。
7. 制造质量：半导体激光治疗仪的制造商应符合相关的质量管理体系和认证要求，如ISO 13485标准等，以确保产品的质量和可靠性。
请注意，具体的技术标准可能因不同的产品和厂家而有所差异。
在购买半导体激光治疗仪时，建议与厂家沟通，并了解其具体的技术规格和性能参数。
半导体激光器热阻测试标准
半导体激光器热阻测试标准
半导体激光器的热阻测试标准主要涉及温度与激光器性能之间的关系。
一般来说，热阻是描述半导体激光器在有电流注入时温度升高的难易程度，而热阻越小表示散热性能越好。
具体标准可能会根据不同的应用和设备而有所不同，但通常会涉及到以下几个关键参数：
1. 温度系数：表示当温度变化1℃时，半导体激光器的性能变化多少。
这通常需要测量在一定的温度范围内，激光器的输出功率、光谱特性等随温度的变化情况。
2. 最大允许工作温度：半导体激光器能够正常工作的最高温度。
超过这个温度，激光器可能会损坏或者性能严重下降。
3. 热阻：衡量激光器散热性能的参数。
热阻越小，表示散热性能越好，激光器在有电流注入时温度升高的越慢。
这些标准对于评估半导体激光器的性能和可靠性非常重要。
在进行热阻测试时，需要使用专业的测试设备和方法，以确保结果的准确性和可靠性。
同时，也需要考虑到不同半导体激光器的特性和应用场景，以及测试环境的影响因素等。
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国家半导体激光标准规范1 远场光强分布在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布 Near field intensity distribution 激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。
3.1.34 近场非线性 Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振 Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。
3.1.36 热阻 Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。
2波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率 Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3 光功率-电流曲线扭折 Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
4光输出饱和 Optical output saturation光输出饱和是指理想的线性响应光输出的跌落，表征激光器光输出效率下降。
3.1.41 FP 腔 Fabry-Perot cavity以激光器两平行腔面((高反射面HR或部分反射面PR面))形成的具有光增益反馈作用的谐振腔。
5分布反馈半导体激光器 DFB distributed feed-back semiconductor laser 分布反馈是指激光器增益区材料具有特殊结构，可以形成周期性光反馈。
具有这种结构的半导体激光器称为分布反馈半导体激光器。
6 分布布拉格反射式半导体激光器DBR Distributed bragg reflector semiconductor laser分布布拉格反射镜（DBR）又称为光栅反射器，通常设于半导体激光器增益介质外部，对满足布拉格光栅选择条件的波长具有最大的反射率。
具有该结构的半导体激光器称为分布布拉格反射式半导体激光器。
7 直接调制半导体激光器DML Direct modulation semiconductor laser通过直接调制驱动电流来控制激光器工作方式的半导体激光器称为直接调制半导体激光器。
8电吸收调制半导体激光器EML Electro-absorption modulation semiconductor laser 电吸收调制是利用外加电压对半导体材料能带结构的影响从而产生光吸收的原理，对单纵模工作激光器输出光强度进行外部调制的一种方式。
把分布反馈半导体激光器和电吸收调制器集成在一起形成的半导体激光器称为电吸收调制半导体激光器。
3.1.46 可调谐半导体激光器 Tunable semiconductor laser输出光波长可按工作要求进行调节的半导体激光器称为可调谐半导体激光器。
3.1.47 光谱宽度 Spectral width半导体激光器的光谱谱宽有几种不同的定义：均方根谱宽（RMS）、-3dB谱宽（FWHM）以及-20dB谱宽。
9 均方根谱宽光谱包络分布用高斯函数P(λ)来近似，若σrms为均方根谱宽值 3.1.49 边模抑制比 Side mode suppression ratio激光器光谱峰值波长的辐射强度与第二高峰值的辐射强度的比值，边模抑制比为Pm0/Pm1 。
10眼图 Eyes diagram根据光纤通信电信号调制码型，半导体激光器响应输出的光信号在一定采样频率下叠加形成的图形称为眼图。
眼图用于表征通信系统中传输信号的质量。
3.1.51 截止频率 Cut off frequency 给半导体激光器施加直流偏置电流，并叠加交流正弦调制电流。
保持交流调制电流恒定，增加调制频率，直到激光器响应输出的光信号幅度下降3dB，此时所对应的调制频率为截止频率。
11导体激光器在数字信号传输中，逻辑"1"高电平时的输出光功率P1与逻辑"0"低电平时的输出光功率P0之比的对数，即： ER=10Lg（P1/P0）（3） 3.1.53 上升-下降时间 Rise-fall time 上升-下降时间是指半导体激光器输出功率的脉冲响应时间。
从额定光功率的10%上升到90%所需的时间称为上升时间；从额定光功率的90%下降到10%所需的时间称为下降时间。
12偏置电流 Bias current 适用于通信类半导体激光器，按照光通信系统传输要求，系统工作时给半导体激光器提供的一个恒定电流。
13 调制电流 Modulation current 适用于通信类半导体激光器，加于半导体激光器偏置电流之上的、与传输信号相关的控制电流(Imod)。
14 光功率-驱动电流线性度 Optical power-driving current linearity光功率-驱动电流线性度定义为，在10% Imod处的光功率（P1）至100% Imod处的光功率（P0）范围内，实际输出光功率（P实际）与拟合线性光功率（P线性）的最大偏差（△P），与拟合线性光功率（P线性）的比值LP1，即：LP1=（P实际- P线性）/ P线性=△P/P线性（4） 3.1.57 幅度调制 Amplitude modulation 适用于通信类半导体激光器，幅度调制是指用电调制信号去控制光信号的幅度，使光信号随调制信号相应变化。
3.1.58 相对强度噪声Relative intensity noise 适用于通信类半导体激光器，由于伴随激光辐射时的自发发射和非均匀激射、反射等原因，输出光功率会产生随机波动。
这种随机波动可用相对强度噪声（RIN(w)）来表示，即光强度随机波动的均方根值与平均光强度之比。
3.1.59 跟踪误差 Tracking error适用于通信类半导体激光器，指在不同温度下半导体激光器出光/背光的变化。
定义为，在背光监控光电流相同，管壳温度不同（T1、T2）时激光器所发射并耦合输出的光功率（P1、P2）比的对数，即：TE =10lg(P1@T1/P2@T2) （5）3.1.60 二阶失真 Compoite second order 适用于通信类半导体激光器，指落入一个频道中的其它频道载波所产生的二阶互调产物的总功率与该频道载波功率之比。
3.1.61 三阶失真 Compoite triple beat 适用于通信类半导体激光器，指落入一个频道中的其它频道载波所产生的三阶互调产物和三阶差拍产物的总功率与该频道载波功率之比。
3.1.62 光波分复用 Wavelength division multiplexing（WDM）适用于通信类半导体激光器，WDM是一种光纤数据传输技术，是指在同一光纤中传输多个不同波长光信号的技术。
3.1.63 中值寿命 Median life中值寿命是指半导体激光器在加速寿命试验过程中，50%的样品发生失效时对应的时间。
3.1.64 随机失效率 Random failure rate 适用于通信类半导体激光器，随机失效率是指半导体激光器工作到某时刻尚未失效的激光器，在该时刻后单位时间内发生失效的概率，单位FIT。
3.1.65 背光探测器 monitor photodiode对激光器背面光功率进行测试监控所使用的的探测器称为背光监测探测器。
3.1.66 背光监测电流 monitor current 激光器工作过程中，背光探测器通过监测激光器背光功率所生成的电流称为背光监测电流。
3.1.67 背光探测器暗电流 dark current of monitor photodiode在无光照的情况下，在规定反向电压时背光探测器的反向电流。
3.1.68 背光探测器电容 capacitance of monitor photodiode在无光照的情况下，在规定反向电压下，背光探测器两端的电容。
3.1.69 散射参数（S 参数） scattering parameter在超高频和微波领域，一般不使用电流、电压、开路、短路等概念，而用"波"和"场"的概念来定义、测量和分析网络参数或特性。
通常采用的网络参数是散射参数，即S参数，它分为S11、S21、S12和S22，能直接地反映出网络的传输特性和反射特性。
S11定义为，4端口网络的输出端口匹配时，输入端口的反射系数；S21定义为，4端口网络的输出端口匹配时，输入端口至输出端口的传输系数； S12定义为，4端口网络的输入端口匹配时，输出端口至输入端口的传输系数； S22定义为，4端口网络的输入端口匹配时，输出端口的反射系数。
3.1.70 啁啾参数 chirp parameter单纵模半导体激光器在高速调制时电流急剧变化，将导致激光器有源层中的载流子浓度急剧变化和激光器的有效腔长变化，从而导致激光器发射波长的瞬时动态偏移。
这种波长的瞬时动态偏移（即频率的瞬时动态偏移）称为频率啁啾。
频率啁啾可用啁啾因子a来衡量，其定义为：其中Ф为光信号的相位，P为光功率。
3.1.71 频响平坦度 frequency respond flatness 在规定的频率范围内，最大响应值和最小响应值相对两者平均响应值的正负偏差，单位dB。
3.2 符号和单位 4 分类4.1 按用途分类非通信类半导体激光器、通信类半导体激光器。
4.2 按激光芯片结构分类边发射半导体激光器、垂直腔面发射激光器。
4.3 按封装方式分类开放式半导体激光器、带尾纤半导体激光器、带光窗半导体激光器。
4.4 按工作方式分类连续半导体激光器、准连续半导体激光器、脉冲半导体激光器。
4.5 按冷却方式传导冷却型半导体激光器，液体冷却型半导体激光器。
5 技术要求5.1 外观质量要求所有激光器的外观质量应符合以下规定。
生产商对以下外观检查项目应制定相应的检验规范并保存可追溯的记录。