BAT54SLT1G双向肖特基二极管规格书
BAT54S BAT54肖特基二极管参数
℃
TJ
Operating Junction Temperature工作结温
-55 to +150
℃
电气特性：
符号
Parameter参数
Conditions测试条件
最小
最大
单位
VR
Breakdown Voltage击穿电压
IR30-Fra bibliotekVVF
Forward Voltage正向电压
IF = 0.1mA
IF = IR = 10mA, IRR = 1.0mA,
RL = 100Ω
-
5.0
nS
BAT54封装外型及引脚图
BAT54
BAT54A
BAT54C
BAT54S
BAT54FILM
BAT54AFILM
BAT54CFILM
BAT54SFILM
BAT54S BAT54肖特基二极管参数
来源：|时间：2010年05月02日
三端贴片肖特基二极管BAT54/BAT54A/BAT54C/BAT54S
特点：
极小传导损耗
开关损耗可以忽略不计
低正向压降
表面贴装器件
肖特基势垒二极管封装采用SOT-23
绝对最大额定值：
Symbol符号
Parameter参数
Value数值
Unit单位
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage最大重复反向电压
30
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current平均正向电流整流
200
mA
IFSM
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
DIODES SOT523肖特基二极管BAT54T选型手册
May 2018
© Diodes Incorporated
CT, TOTAL CAPACITANCE (pF) PD, POWER DISSIPATION (mW)
12 10
8
6 4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
VR, DC REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Lead-Free Plating Polarity: See Diagrams Below Weight: 0.002 grams (Approximate)
Top View
BAT54T
BAT54AT
BAT54CT
BAT54ST
Ordering Information (Note 4)
Notes:
Part Number
Case
Packaging
BAT54T-7-F
SOT523
3,000/Tape & Reel
BAT54AT-7-F
SOT523
3,000/Tape & Reel
BAT54CT-7-F
SOT523
1
100
IF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
10 0.1
1 0.01
0.1
0.001 0.01
0.0001 0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
肖特基二极管规格书
以下是一个典型的肖特基二极管规格书包含的信息：
产品名称和型号：如1N5817等。
电气特性：
正向电压（VF）：指二极管在正向工作时的电压，通常在0.2至1.5伏之间。
反向电压（VR）：指二极管在反向工作时的最大电压，通常在20至200伏之间。
正向电流（IF）：指二极管在正向工作时的最大电流，通常在1至10安培之间。
反向漏电流（IR）：指二极管在反向工作时的最大漏电流，通常在数微安至数毫安之间。
瞬态响应时间：指二极管在电压或电流瞬间变化时从低电平到高电平的响应时间，通常在数纳秒至数微秒之间。
封装类型：肖特基二极管常见的封装类型有DO-41、TO-220等。
温度特性：二极管的电气特性会受到温度的影响，因此规格书中会标明温度特性，如最大工作温度等。
应用范围：肖特基二极管常用于开关电源、电机驱动、逆变器等电路中，规格书中会标明适用的应用范围。
BAT54 打标KL1肖特基二极管选型手册
BAT54/A/C/S
REVERSE CURRENT IR (uA)
FORWARD CURRENT IF (mA)
Forward Characteristics
1000
100
oC
T
=100
a
10
oC
=2 5
T a
1
0.1
Reverse Characteristics
100
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BA T54/A/C/S SCHOTTKY BARRIER DIODE
B,Jul,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
联系资料
电话：
南京南山半导体有限公司－样品申请单
技术支持：
Hale Waihona Puke 传真：电邮：Service@
客户基本资料
公司名称
联系方式
电话：
收货地址
主要产品
联络人
姓名：
电话：
传真：
职务： 手机：
FEATURES z Extremely Fast Switching Speed
SOT-23
BAT54 MARKING: KL1
BAT54A MARKING: KL2
BAT54C MARKING: KL3
BAT54S MARKING: KL4
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter Peak Repetitive Peak Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage Forward Continuous Current Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Junction temperature Storage Temperature
TBAT54,LM(T肖特基二极管东芝最新资料
3
2016-05-12 Rev.1.0
TBAT54,TBAT54A,TBAT54C,TBAT54S
Package Dimensions
Unit: mm
Weight: 0.0125 g (typ.)
Package Name(s) TOSHIBA: 2-3AB1A Nickname: SOT23
©2016 Toshiba Corporation
TBAT54,TBAT54A,TBAT54C,TBAT54S
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
TBAT54,TBAT54A,TBAT54C,TBAT54S
1. Applications
• Ultra-High-Speed Switching
2. Packaging
5. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )
Characteristics Peak reverse voltage Reverse voltage Average rectified current Peak forward current Non-repetitive peak forward surge current Power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VRM VR IO IFM IFSM PD Tj Tstg (Note 3) (Note 3) (Note 1), (Note 3) (Note 2), (Note 3) Note Rating 35 30 200 300 1 320 150 -55 to 150 A mW mA Unit V
bat54用法范文
bat54用法范文BAT54是一种双向肖特基二极管，常用于电子设备中的电流整形、电压修整、信号滤波等应用。
本文将详细介绍BAT54的结构、特性、使用场景以及使用注意事项，以便读者更好地了解和使用BAT54一、产品结构和特性BAT54由两个PN结组成，其中一个结为高频PN结，另一个结为正向PN结。
该结构使得BAT54具有以下特点：1.高速开关特性：BAT54具有较高的开关速度，能够快速反应输入信号的变化，并输出相应的结果。
2.低反向电流：BAT54的反向电流非常小，可以降低功耗，提高系统效率。
3.低正向电压：BAT54的正向电压损失较小，可以降低功率消耗，提高电路性能。
4.低串联电容：BAT54的串联电容较小，有利于高速信号传输和频率响应。
二、BAT54的使用场景BAT54常用于以下几个方面的电路中：1.电流整形：BAT54可以将输入信号的波形进行整形，将不规则的波形转换为规则的方波。
2.电压修整：BAT54可以将输入电压进行修整，降低电压峰值，保护后级电路。
3.信号滤波：BAT54可以将输入信号中的杂散噪声去除，提高信号质量。
4.快速开关：BAT54的高速开关特性使其可以用于快速开关电路，如开关电源、数码电路等。
三、BAT54的使用注意事项在使用BAT54时，需要注意以下几点：1.极性注意：BAT54是一种双向二极管，具有正向和反向两个极性。
在使用前要仔细查看产品数据手册，确保正确连接。
2.最大额定电流：BAT54的最大额定电流是有限制的，过高的电流可能导致器件损坏。
在设计电路时，应该根据实际需求选择合适的电流。
3.温度特性：BAT54的工作温度范围也是有限制的，过高的温度可能导致器件性能下降甚至损坏。
应尽量保持在指定的温度范围内使用。
4.储存和包装条件：BAT54应存放在干燥、无腐蚀性气体的环境中，避免接触湿气和化学物质。
在搬运和使用时要避免碰撞和振动，防止器件损坏。
5.正确焊接：在焊接BAT54时，要保证焊接温度和时间的控制，避免过高温度和过长时间对器件造成伤害。
肖特基二极管参数
肖特基二极管参数
肖特基二极管是一种特殊的二极管，由德国科学家沃爾夫冈·肖特基
在20世纪20年代开发出来。
它与普通PN结二极管相比具有更高的速度
和更低的反向漏电流。
肖特基二极管的参数包括导通压降、正向电阻、反
向漏电流、速度、能耗和可靠性等。
首先，肖特基二极管的导通压降通常比普通PN结二极管低。
这意味
着在正向偏置时，肖特基二极管可以更快速地导通，从而减小开关时间和
功耗。
其次，肖特基二极管的正向电阻相对较小。
这意味着在正向偏置时，
肖特基二极管可以更快速地通过电流，从而减小电压损失和功耗。
同时，肖特基二极管的反向漏电流相对较低。
这意味着在反向偏置时，肖特基二极管的漏电流很小，可以减小功耗和热损耗。
另外，肖特基二极管还具有较高的速度。
这是由于它的PN结处没有
扩散区域，从而减小了载流子的传输时间，提高了开关速度。
此外，肖特基二极管的能耗相对较低。
这是由于它的导通压降和正向
电阻较小，从而减小了功耗和热损耗。
最后，肖特基二极管在高温环境下也有很好的可靠性。
这是由于其结
构和材料的特性使得它具有较好的热稳定性和长寿命。
总之，肖特基二极管的参数使得它在许多领域中得到了广泛应用，例
如高速开关电路、功率电子、时钟和数字电路等。
它的高速度、低能耗、
低反向漏电流以及较高的可靠性都使得它成为了现代电子器件中重要的组
成部分之一。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Dual Series Schottky Barrier Diodes
BAT54SLT1G
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 µA) Total Capacitance (VR = 1.0 V, f = 1.0 MHz) Reverse Leakage (VR = 25 V)
V(BR)R
30
—
CT
—
—
IR
@ TA = 25°C
PD
Derate above 25°C
Forward Current (DC)
IF
Junction Temperature
TJ
Storage Temperature Range
Tstg
Value 30
225 1.8 200 Max 125 Max – 55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
• Extremely Fast Switching Speed
• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc • We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Figure 4. Total Capacitance
Rev.A 2/3
BAT54SLT1G
SOT-23
A L
3
BS
1
2
V
G
C
D
H
K
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M,1982
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
INCHES
MILLIMETERS
MIN
MAX MIN MAX
A
0.1102 0.1197 2.80
3.04
B
0.0472 0.0551 1.20
1.40
C
0.0350 0.0440 0.89
1.11
D
0.0150 0.0200 0.37
0.50
G
0.0701 0.0807 1.78
2.04
H
SOT-23 (TO-236AB)
ANODE 1
CATHODE 2
3 CATHODE/ANODE
MAXIMUM RATINGS (TJ = 125°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Reverse Voltage
VR
Forward Power Dissipation
100
10
1 50°C
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit 1000 TA = 150°C 100
10
TA = 125°C
1 25°C 1.0
85°C 25°C
– 40°C – 55°C
0.10.00.10.20.30.4
0.5
0.6
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) Figure 2. Forward Voltage
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
ORDERING INFORMATION
Device
Marking
BAT54SLT1G
LD3
BAT54SLT3G
LD3
Shipping 3000/Tape&Reel 10000/Tape&Reel
VF
—
0.52
trr
—
—
Forward Voltage (IF = 1.0 mAdc) Forward Voltage (IF = 10 mAdc)
VF
—
0.29
VF
—
0.35
Forward Current (DC) Repetitive Peak Forward Current Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)
IF
—
—
IFRM
—
—
IFSM
—
—
Unit Volts
mW mW/°C
mA °C °C
Max
Unit
—
Volts
10
pF
2.0
µAdc
0.24
Vdc
0.5
Vdc
1.0
Vdc
5.0
ns
0.32
Vdc
0.40
Vdc
200
mAdc
300
mAdc
600
mAdc
Rev.A 1/3
IF, FORWARD CURRENT (mA) IR, REVERSE CURRENT (µA)
1.0
0.1
0.01
0.001 0
TA = 85°C
TA = 25°C
5
10
15
20
25
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Leakage Current
CT , TOTAL CAPACITANCE (pF)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
820 Ω
+10 V
2k 100 µH IF 0.1 µF
0.1 µF
tr
tp
t
IF
10%
BAT54SLT1G
trr
t
50 Ω OUTPUT PULSE
GENERATOR
DUT
50 Ω INPUT
90%
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
VR
INPUT SIGNAL
0.035 0.9
0.037 0.95
0.079 2.0
0.031 0.8
inches mm
Rev.A 3/3
iR(REC) = 1 mA IR
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured at iR(REC) = 1 mA)
Notes: 1. A 2.0 kΩ variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA. Notes: 3. tp » trr
0.0005 0.0040 0.013 0.100
J
0.0034 0.0070 0.085 0.177
K
0.0140 0.0285 0.35
0.69
L
0.0350 0.0401 0.89
1.02
S
0.0830 0.1039 2.10
2.64
V
0.0177 0.0236 0.45
0.60
0.037 0.95
—
0.5
Forward Voltage (IF = 0.1 mAdc) Forward Voltage (IF = 30 mAdc)
VF
—
0.22
VF
—
0.41
Forward Voltage (IF = 100 mAdc)
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) Figure 1