US1J快恢复二极管

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US1D 快速恢复二极管原厂DCY品牌推荐

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20
100
AMBIENT TEMPERATURE / ℃
NUMBER OF CYCLES AT 60HZ
FIG. 5 -- TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
50Ω N.1. 10Ω N.1. (-) PULSE GENERATOR ( NOTE 2 ) 1Ω N.1. OSCILLOSCOPE ( NOTE ) (+) 1.0A 0.5A
trr
(+) 50 Vdc (APPROX) (-) NOTES:
D.U.T
0
0.25A
1. RISE TIME = 7n SEC MAX. INPUT IMPEDANCE = 1 MEGOHM. 22PF 2. RISE TIME = 10n SEC MAX. SOURCE IMPEDANCE = 50 OHM. SET TIME BASE FOR 15 ns / cm
CURRENT AMPERES
Single Phase Half Wave 60HZ Resistive or Inductive Load
1.0
Tj = 125 ℃ 8.3 ms Single Half Sing -Wave
15 10 5 0 1.0 2.0 10
0.5 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200
inch ( mm )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase. half wave. 60HZ. resistive or inductive load. For capacitive load. derate current by 20 % SYMBOL US1A Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current at TL = 110℃ Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half-sine-wave superimposed on rated Tj = 125℃ Maximum Forward Voltage at 1.0A DC Maximum Reverse Current TA = 25℃ at Rated DC Blocking Voltage T A = 100℃ Maximum reverse recovery time(Note 1) Typical Junction Capacitance ( Note 2 ) Typical Thermal Resistance ( Note 3 ) Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range NOTE: VF IR trr Cj RQJA Tj TSTG 50 17 60 55 to 150 55 to 150 1.0 10.0 50 75 1.7 V μA ns pF ℃/W ℃ ℃ IFSM 30 A VRRM VRMS VDC I(AV) 50 35 50 US1B 100 70 100 US1D 200 140 200 US1G 400 280 400 1.0 US1J 600 420 600 US1K 800 560 800 US1M 1000 700 1000 UNITS V V V A

肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管

肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管

肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管是现代电子元件中常见的三种二极管类型。

它们在电子设备中起着不同的作用,本文将分别介绍这三种类型的二极管的特点、应用和工作原理。

一、肖特基二极管1. 特点肖特基二极管,又称作劲步二极管,是一种具有非常快速反应时间和低逆向漏电流的二极管。

它采用了金属-半导体接触来代替传统的P-N 结,因此具有更快的开关速度和更低的开启电压。

2. 应用由于其快速开关特性和低漏电流,肖特基二极管广泛应用于高频开关电源、无线通信设备、医疗设备和汽车电子系统等领域。

3. 工作原理当正向电压施加到肖特基二极管上时,由于金属-半导体接触的特性,电子能够迅速地从金属电极注入到半导体中,使得二极管快速导通;在反向电压下,由于金属-半导体接触的势垒高,几乎没有反向漏电流,因此具有很高的反向击穿电压。

二、开关二极管1. 特点开关二极管是为了快速开关电路而设计的一种二极管,具有较快的反应时间和较低的导通压降。

它专门用于电路的开关控制,能够快速地打开和关闭。

2. 应用开关二极管广泛应用于开关电源、逆变器、直流-直流变换器等高频开关电路中,可以实现高效率和快速响应。

3. 工作原理开关二极管的工作原理和普通二极管相似,但它被优化设计,以实现更快的反应时间和更低的导通压降,从而适合高频开关电路的应用。

三、快恢复二极管1. 特点快恢复二极管是一种具有快速恢复时间和低反向漏电流的二极管。

它采用特殊的工艺和材料设计,在高频开关电路中表现出色良好的性能。

2. 应用快恢复二极管广泛应用于开关电源、逆变器、变频器、汽车电子系统等需要高速开关和快速反应的电路中。

3. 工作原理快恢复二极管的工作原理是通过优化材料和工艺,降低二极管的存储电荷和开关时间,从而实现更快的反应速度和更低的反向漏电流。

以上就是对肖特基二极管、开关二极管、快恢复二极管的介绍,这三种二极管在现代电子设备中扮演着重要的角色,在不同的领域发挥着关键作用。

随着电子技术的不断发展,相信这些二极管类型也会不断得到改进和优化,为电子设备的性能提升和功耗降低做出更大的贡献。

快恢复二极管

快恢复二极管

快恢复二极管:
可理解为快速二极管,高频二极管,通常用在开关电源做整流二极管,逆变电路做续流、反压吸收二极管。

二极管是单PN结半导体器件,具有单向导电特性,当施加正向电压时导通、反向电压时截止。

当电压翻转,二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成,这段时间称为反向恢复时间。

根据芯片工艺不同,反向恢复时间也不同,通常分为四大类:
1、普通整流二极管,反向恢复时间大于500nS(纳秒);
2、快恢复整流二极管,反向恢复时间150-500nS(纳秒);
3、高效率整流二极管,反向恢复时间50-100nS(纳秒);
4、超快速整流二极管,反向恢复时间15-35nS(纳秒);
5、肖特基整流二极管,理论上无反向恢复时间,实际小于10nS(纳秒)。

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什么是快速恢复二极管和超快恢复二极管

什么是快速恢复二极管和超快恢复二极管

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什么是快速恢复二极管和超快恢复二极管
快速恢复二极管(FRD)
能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管,称为快恢复二极管,这种二极管的特点是反向恢复时间短,典型的200v/30 A快恢复二极管,其trr<1μs。

超快恢复二极管(UFRD)
超快恢复二极管的反向恢复时间更短,一般trr=50ns(不同电流和电压规格的UFRD,其trr是不同的)。

PN结式UFRD的优点是:正向导通损耗小,结电容小,工作温度可以较高。


例如,型号为IN6620~IN6631的高电压超快恢复二极管(PIV≈1000 V):trr为35ns或50ns,并且在高温下反向电流小、正向恢复电压低,适用于高电压输出(要求PIV为600V)的PWM开关转换器。

型号为 1N5802~1N5816,1N6304~1N6306的UFRD:PIV≤400V,可以用于20V或48V输出(要求二极管的反向额定电压分别为 150V和400V)的PWM开关转换器。

快恢复二极管名词解释

快恢复二极管名词解释

快恢复二极管名词解释
快恢复二极管是一种半导体器件,也称为快恢复肖特基二极管(FRD),它是肖特基二极管的一种改进型式。

与常规的肖特基二极管相比,快恢复二极管具有更快的恢复速度和更低的反向恢复电荷。

它广泛应用于开关电源、电磁炉、高频电路等各种电子设备中。

快恢复二极管的主要特点是具有快速的恢复时间和低的反向恢
复电荷,这使得它在高频电路和开关电源中得到了广泛应用。

它的结构与肖特基二极管类似,但是它在PN结的两侧分别添加了掺杂浓度不同的扩散区,以减少反向恢复电荷的大小,从而提高了电路的效率。

除了快速恢复时间和低反向恢复电荷外,快恢复二极管还具有较高的反向电压和较低的正向电压降,因此在高压、高频和高温环境下表现出色。

此外,它还可以通过控制扩散区的厚度和掺杂浓度来改变其特性,以满足不同应用的需求。

总之,快恢复二极管是一种高性能的半导体器件,在电子设备中的应用越来越广泛。

随着技术的进步和需求的增加,快恢复二极管的研究和应用前景也将越来越广阔。

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US1B超快恢复整流SMA(DO-214AC)二极管规格书

US1B超快恢复整流SMA(DO-214AC)二极管规格书

1Surface Mount Ultrafast RectifierUS1A thru US1M FEATURES•Low profile package•Ideal for automated placement •Glass passivated chip junction •Ultrafast reverse recovery time •Low switching losses, high efficiency •High forward surge capability•Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C•Compliant to RoH S Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definitionTYPICAL APPLICATIONSFor use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer, and telecommunication.MECHANICAL DATACase: DO-214AC (SMA)Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoH S compliant, and commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Color band denotes cathode endPRIMARY CHARACTERISTICSIF(AV) 1.0 A V RRM 50 V to 1000 VI FSM 30 A t rr 50 ns, 75 ns V F 1.0 V, 1.7 V T J max.150 °CDO-214AC (S MA)MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOLUS1AUS1BUS1DUS1GUS1JUS1KUS1MUNITMaximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltageV DC 501002004006008001000V Maximum average forward rectified current at T L = 110 °C I F(AV) 1.0A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated loadI FSM 30A Operating and storage temperature rangeT J , T STG- 55 to + 150°C2Note(1)Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycleNote(1)PCB mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areaRATINGS AND CHARACTERSITICS CURVES(T A = 25 °C unless otherwise noted)Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERTEST CONDITIONS SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Maximum instantaneous forward voltage1.0 AV F (1) 1.01.7V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage T A = 25 °C I R 10μAT A = 100 °C50Maximum reverse recovery timeI F = 0.5 A, I R = 1.0 A,I rr = 0.25 A t rr 5075ns Typical junction capacitance4.0 V, 1 MHzC J1510pFTHERMAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOL US1AUS1BUS1DUS1G US1JUS1KUS1MUNIT Maximum thermal resistanceR θJA (1)75°C/WR θJL (1)27ORDERING INFORMATION (Example)PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g)PREFERRED PACKAGE CODEBASE QUANTITYDELIVERY MODEUS1J-M3/61T 0.06461T 18007" diameter plastic tape and reel US1J-M3/5AT0.0645AT750013" diameter plastic tape and reelFig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 4 - Typical Reverse Leakage CharacteristicsFig. 5 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 6 - Typical Reverse Leakage Characteristics Fig. 7 - Typical Junction CapacitanceFig. 8 - Typical Transient Thermal Impedance3PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)4。

us1j二极管参数

us1j二极管参数

us1j二极管参数一、引言二极管是一种常见的电子元器件,广泛应用于电路中,具有单向导电性质。

在使用二极管时,需要了解其参数,以确保电路的正常工作。

本文将详细介绍us1j二极管的参数。

二、us1j二极管概述us1j是一种高效率整流器二极管,其正向电压为1.2V,最大反向电压为1000V。

该二极管具有快速恢复时间和低反向漏电流等特点,在高频率和高温环境下仍能保持稳定的性能。

三、us1j二极管参数详解1. 正向峰值电压(VF)正向峰值电压指在正向工作时,二极管两端的最大电压值。

us1j二极管的VF为1.2V。

2. 最大反向工作电压(VR)最大反向工作电压指在反向工作时,允许施加到二极管两端的最大电压值。

us1j二极管的VR为1000V。

3. 反向漏电流(IR)反向漏电流指在反向工作时,通过二极管的微小漏电流。

us1j二极管的IR小于5μA。

4. 最大正向工作电流(IF)最大正向工作电流指在正向工作时,二极管允许通过的最大电流值。

us1j二极管的IF为1A。

5. 最大反向峰值电流(IRM)最大反向峰值电流指在反向工作时,允许通过二极管的最大反向峰值电流。

us1j二极管的IRM为30A。

6. 快速恢复时间(TRR)快速恢复时间指在从正向导通到反向截止再到正向导通的过程中,二极管恢复到初始状态所需的时间。

us1j二极管的TRR小于150ns。

7. 热阻(θJA)热阻指单位功率下元器件温度升高与环境温度升高之间的比值。

us1j 二极管的θJA为50℃/W。

8. 工作温度范围(TJ)工作温度范围指元器件可安全使用的环境温度范围。

us1j二极管的TJ 为-55℃~+150℃。

四、结语本文详细介绍了us1j二极管常用参数,包括正向峰值电压、最大反向工作电压、反向漏电流、最大正向工作电流、最大反向峰值电流、快速恢复时间、热阻和工作温度范围。

了解这些参数有助于正确选择二极管并确保电路正常工作。

us1d二极管参数

us1d二极管参数

US1D二极管参数1. 引言二极管是一种常见的电子元件,具有正向导通和反向截止的特性。

US1D二极管是一款常见的快恢复二极管,本文将对其参数进行详细介绍和解释。

2. 二极管基本原理在讨论US1D二极管参数之前,我们先来了解一下二极管的基本原理。

二极管由P型半导体和N型半导体组成。

当P型半导体连接到正电压,N型半导体连接到负电压时,形成了一个正向偏置。

在这种情况下,电流可以从P端流向N端,二极管处于导通状态。

当P型半导体连接到负电压,N型半导体连接到正电压时,形成了一个反向偏置。

在这种情况下,电流无法从P端流向N端,二极管处于截止状态。

3. US1D二极管参数US1D是一款快恢复二极管,具有以下主要参数:3.1 最大可逆工作电压(VRRM)最大可逆工作电压指的是二极管能够承受的最大反向偏置电压。

对于US1D二极管来说,其最大可逆工作电压一般为1000V。

3.2 最大平均整流电流(IO)最大平均整流电流指的是二极管能够承受的最大平均正向电流。

对于US1D二极管来说,其最大平均整流电流一般为1A。

3.3 最大峰值反向电压(VRM)最大峰值反向电压指的是二极管能够承受的瞬间最大反向偏置电压。

对于US1D二极管来说,其最大峰值反向电压一般为1200V。

3.4 最大正向导通压降(VF)最大正向导通压降指的是二极管在正向导通状态下的电压降。

对于US1D二极管来说,其最大正向导通压降一般为1.3V。

3.5 快恢复时间(Trr)快恢复时间指的是从截止状态到完全恢复正常导通状态所需的时间。

对于US1D二极管来说,其快恢复时间一般为75ns。

4. US1D二极管应用由于US1D具有快速恢复特性,因此广泛应用于以下领域:•电源供应•开关电源•逆变器•高频电路在这些应用中,US1D二极管能够有效地防止反向电压冲击和高频开关过程中的功耗。

5. 结论US1D二极管是一款常见的快恢复二极管,具有较高的最大可逆工作电压、最大平均整流电流和最大峰值反向电压。

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US 1A 50 35 50
US 1B 100 70 100
US 1D 200 140 200
US 1G 400 280 400
US 1J 600 420 600
US US UNITS 1K 1M 800 1000 V 560 700 V 800 1000 V
A A 1.7 V µA µA nS pF
Dimensions in inches and (illimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated, for capacitive load, derate current by 20%)
TECHNICAL SPECIFICATION
SMA/DO-214AC
B A C D F G
A B MAX. .110(2.79) .177(4.50) MIN. .100(2.54) .157(3.99) E F MAX. .208(5.28) .090(2.29) MIN. .194(4.93) .078(1.98)
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
US1A THRU US1M
SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A
FEATURES
• Ideal for surface mount pick and place application • Low profile package • Built-in strain relief • High surge capability • Glass passivated chip • Ultra fast recovery for high efficiency • High temperature soldering guaranteed: 260oC/10sec/at terminal
RATINGS
SYMBOL
VRRM Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRMS Maximum RMS Voltage VDC Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current IF(AV) 1.0 (TL=100oC) Peak Forward Surge Current (8.3ms single IFSM 30 half sine-wave superimposed on rated load) Maximum Instantaneous Forward Voltage VF 1.0 1.4 (at rated forward current) 5.0 Maximum DC Reverse Current Ta=25oC IR o 200 (at rated DC blocking voltage) Ta=100 C 50 Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) trr 20 CJ Typical Junction Capacitance (Note 2) 32 Rθ(ja) Typical Thermal Resistance (Note 3) -50 to +150 TSTG,TJ Storage and Operation Junction Temperature Note: 1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A. 2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc 3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm co012(0.305) .052(1.32) .006(0.152) G H .008(0.203) .060(1.52) .004(0.102) .030(0.76)
MECHANICAL DATA
• Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E, method 208C • Case: Molded with UL-94 Class V-O recognized flame retardant epoxy • Polarity: Color band denotes cathode
o
75 10
C/W o C
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