【CN110047911A】一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910324533.8(22)申请日 2019.04.22(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人 周云鹏 郭万里 胡杏 黄宇恒 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人 党丽 王宝筠(51)Int.Cl.H01L 29/06(2006.01)H01L 23/544(2006.01)H01L 21/18(2006.01)
(54)发明名称一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法(57)摘要本发明提供一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法，该半导体晶圆将与其他晶圆进行晶圆级键合，在该晶圆中，在顶层覆盖层中形成有与互连结构电连接的键合垫，同时，在该顶层覆盖层中形成有键合对准图形，该键合对准图形的图案由设置于顶层覆盖层中的点阵组成。这样，由于键合对准图形设置于顶层覆盖层中，顶层覆盖层之上将不再覆盖其他的材料层，提升键合设备对键合对准图形的识别能力，增大了键合制程工艺对准窗口，同时，键合对准图形的图案由点阵组成，更易于键合孔工艺集成，且避免制造工艺
中碟陷等缺陷的产生。
权利要求书1页 说明书6页 附图2页CN 110047911 A2019.07.23
CN 110047911
A1.一种半导体晶圆，其特征在于，包括：半导体衬底；衬底上的器件结构，以及所述器件结构的互连结构；覆盖所述互连结构的顶层覆盖层；设置于所述顶层覆盖层中且与所述互连结构接触连接的键合垫；设置于所述顶层覆盖层中的键合对准图形，所述键合对准图形的图案由设置于顶层覆盖层中的点阵组成。2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述键合对准图形的图案由多个子图形组成，且所述键合对准图形为中心对称图形。3.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，多个所述子图形中的一部分构成环绕图案，另一部分构成内置图案，所述内置图案设置于环绕图案中。4.根据权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述环绕图案为一个多边形的子图形。5.根据权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述环绕图案为多个条形子图形构成的多边形图案。6.根据权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述键合对准图形包括多个区域，相邻区域中的子图形具有不同的延伸方向。7.根据权利要求1-6中任一项所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆包括阵列排布的芯片区，所述器件结构形成于所述芯片区，所述键合对准图形形成于所述芯片区之间的切割道上。8.根据权利要求1-6中任一项所述的晶圆，其特征在于，所述点阵中的各点为圆形柱、椭圆形柱或方形柱。9.一种键合结构，其特征在于，包括多个晶圆，所述多个晶圆沿垂直于晶圆方向键合在一起，所述多个晶圆中的至少一个为权利要求1-8中任一项所述的晶圆。10.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括：提供待键合晶圆，所述待键合晶圆为如权利要求1-8中任一项所述的半导体晶圆；利用所述待键合晶圆中的键合对准图形进行对准；
进行待键合晶圆与另一晶圆的键合。权 利 要 求 书1/1页
2CN 110047911 A
【CN110047799A】半导体器件的制造方法及半导体器件【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910347411.0(22)申请日 2019.04.28(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人 邹永金 顾文斌 曹秀亮 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237代理人 屈蘅(51)Int.Cl.H01L 21/768(2006.01)H01L 23/532(2006.01)
(54)发明名称半导体器件的制造方法及半导体器件(57)摘要本发明提供了半导体器件的制造方法，制造半导体器件的步骤包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有插塞，然后在所述介质层上形成互连线，最后形成保护膜层。本发明提供的保护膜层不仅减少了制造保护膜层所需的原料成本，而且可靠地保护了顶层互连线，从而避免了半导体器件发生刮伤的可能性，
提高了产品良率。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 110047799 A2019.07.23
CN 110047799
A1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有插塞；在所述介质层上形成互连线，所述互连线与所述插塞电性连接；以及形成保护膜层，所述保护膜层覆盖所述互连线和所述介质层，所述保护膜层包括：依次堆叠的第一氧化硅层及氮化硅层。2.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护膜层还包括：覆盖所述氮化硅层的第二氧化硅层。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述第一氧化硅层。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度介于之间。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺沉积所述氮化硅层。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用高密度等离子体增强化学气相沉积工艺沉积所述氮化硅层。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度介于之间。8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用紫外光化学气相沉积工艺沉积所述氮化硅层。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度介于之间。10.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有插塞；互连线，所述互连线位于所述介质层表面；以及，保护膜层，所述保护膜层覆盖所述互连线及所述介质层，所述保护膜层包括：依次堆叠
poi 晶圆键合
POI晶圆键合一般指的是使用POI作为衬底进行晶圆键合的过程。POI是一种具有高阻硅基底、中层为氧化物氧化层，顶部是单晶压电材料的材料组合。这种结构使得POI晶圆键合在射频和微波应用中具有优异性能。
晶圆键合是半导体制造过程中的一种重要技术，主要用于将两个晶圆或芯片连接在一起。这种技术的主要优点是可以在不改变原有晶圆或芯片结构的情况下，将它们连接在一起形成新的功能。晶圆键合技术的种类很多，包括直接晶圆键合、阳极晶圆键接、粘合剂晶圆接合、玻璃料晶圆接合、共晶晶圆键接等。其中，POI晶圆键接是一种特殊的晶圆键合技术，它利用POI材料的特性，在射频和微波领域具有优异的性能。
在实际的晶圆键合过程中，POI晶圆的制造过程通常包括以下步骤：首先，通过化学和物理方法将POI材料沉积在硅基底上；然后，在POI材料的中间层形成氧化物氧化层；最后，在氧化物氧化层上形成单晶压电膜。整个过程需要严格控制温度、压力和化学物质的浓度，以确保POI晶圆的质量和性能。
值得注意的是，POI晶圆在制造过程中需要特殊的设备和工艺条件，例如高温、高压、强酸、强碱等环境，因此在实际应用中需要考虑设备的耐久性和稳定性。
总的来说,POI晶圆键接技术是一种在射频和微波半导体领域应用广泛的晶圆键合方法,具有优良的性能和可靠性。
晶圆级键和技术
- 1 - 晶圆级键和技术
晶圆级键（wafer-levelbonding）是指将两个或多个晶圆直接键合在一起形成一个整体的技术。它具有高精度、高可靠性、高集成度等优点，被广泛应用于微机电系统（MEMS）、光电子器件、生物芯片等领域。
晶圆级键技术主要分为直接键合和间接键合两种。直接键合是指两个晶圆表面直接接触形成键合，间接键合则是通过中介层将两个晶圆键合在一起。常用的中介层包括金属、有机物和无机物等。
直接键合技术有黏着键合和焊接键合两种方法。黏着键合是指利用化学键合或物理吸附等原理将晶圆表面固定在一起，常用的黏着剂有聚酰亚胺（PI）、环氧树脂等。焊接键合则是通过热压或激光加热等方法将晶圆表面熔化并形成键合。
间接键合技术中，金属键合是最常见的方法。金属键合可以利用金属之间的化学键合或金属之间的金属-金属键合进行。在金属键合中，常用的中介层材料包括金、铜、钛等。
晶圆级键合技术能够实现多种功能的集成，例如将传感器、驱动器和电路集成在一起。此外，晶圆级键合技术还可以实现不同材料的键合，从而扩大了材料选择的范围。
总之，晶圆级键合技术是一种非常重要的集成技术，可以实现高精度、高可靠性、高集成度的器件制造。随着技术的不断进步和应用领域的扩大，晶圆级键合技术将会得到更广泛的应用。
晶圆键合工艺分类表
晶圆键合工艺可以分为多种类型，以下是一些常见的分类方式：
1. 根据键合机制分类：
直接晶圆键合：两个晶圆之间通过分子间的化学键合实现紧密连接，通常在高温下进行热退火处理以增强键合强度。
阳极晶圆键合：利用阳极氧化和电场作用，在两个晶圆之间形成氧化层，并通过电场诱导的离子迁移实现键合。
粘合剂晶圆键合：使用粘合剂作为中间层，将两个晶圆粘合在一起，形成临时或永久性的键合。
玻璃料晶圆键合：利用玻璃料作为中间层，在高温下熔化玻璃料以实现晶圆键合。
共晶晶圆键合：在两个晶圆之间形成共晶层，通过共晶层的熔化实现晶圆键合。
瞬态液相（TLP）晶圆键合：在高温下使中间层材料熔化，形成液相，然后通过控制温度和压力实现晶圆键合。
金属热压晶圆键合：利用金属作为中间层，在高温和压力下实现晶圆键合。
2. 根据是否需要中间层辅助分类：
无中间层键合工艺：直接晶圆键合、阳极晶圆键合、表面活化晶圆键合等。
有中间层键合工艺：粘合剂晶圆键合、玻璃料晶圆键合、共晶晶圆键合、瞬态液相（TLP）晶圆键合、金属热压晶圆键合等。
这些分类方式并不是完全独立的，有些工艺可能同时具有多种分类特征。不同的晶圆键合工艺具有不同的优缺点，需要根据具体的应用需求和工艺条件选择合适的工艺方法。
晶圆键合技术(两篇)
晶圆键合技术（二）
引言概述：
晶圆键合技术作为半导体封装工艺中的重要环节，主要用于将芯片与封装基板进行可靠连接。本文将深入探讨晶圆键合技术的相关原理、材料选择、工艺流程和性能优化等方面的内容，旨在帮助读者更好地理解晶圆键合技术的应用和发展。
正文内容：
一、晶圆键合技术的原理
1.1清晰定义晶圆键合技术
1.2晶圆键合技术的工作原理
1.3晶圆键合技术的分类
二、晶圆键合技术的材料选择
2.1金属键合线材料的选择
2.2键合界面材料的选择
2.3辅助材料的选择
三、晶圆键合技术的工艺流程
3.1准备工作
3.2清洗与去膜处理
3.3手工键合和自动化键合的工艺流程比较 3.4键合机器的选择和调试
3.5键合过程中的关键控制参数
四、晶圆键合技术的性能优化
4.1键合强度的测试与评估
4.2键合质量的表征方法
4.3键合界面的界面形态与界面能量的分析
4.4键合过程中的热效应及其对键合性能的影响
4.5键合参数的优化方法
五、晶圆键合技术的应用和发展
5.1晶圆键合技术在封装工艺中的应用
5.2晶圆键合技术的发展趋势与挑战
5.3晶圆键合技术与其他封装技术的比较
5.4晶圆键合技术在未来封装工艺中的展望
总结：
晶圆键合技术作为半导体封装工艺中至关重要的一环，在现代电子产业中具有广泛的应用前景。通过对晶圆键合技术的原理、材料选择、工艺流程、性能优化及应用发展等方面的深入探讨，我们不仅能更好地理解和掌握这一技术，还能为其进一步优化提供有力的支撑。随着科技的不断进步和应用领域的扩展，相信晶圆键合技术将能在未来的封装工艺中发挥更为重要的作用，并为电子产业的发展带来新的动力和机遇。
晶圆键合技术
引言：
晶圆键合技术是一种用于集成电路制造的关键技术。它是将两个或多个晶圆通过键合工艺连接在一起，形成复合结构，实现功能的增强或功能的扩展。在集成电路制造过程中，晶圆键合技术起着重要的作用。本文将就晶圆键合技术进行详细的介绍和分析，包括其基本原理、材料选择、关键工艺、应用领域以及未来发展方向等。
晶圆键合工艺
晶圆键合工艺
晶圆键合工艺是一种将两个或多个晶圆通过键合技术粘接在一起的技术。它是半导体封装中的重要工艺之一，广泛应用于微电子器件、传感器和MEMS等领域。
晶圆键合工艺的基本原理是利用金属或非金属材料，将两个晶圆粘接在一起。其中一个晶圆作为底部基板，另一个晶圆则成为顶部覆盖层，通过键合技术将其固定在底部基板上。这样可以实现不同功能的器件集成在同一芯片上，提高了芯片的集成度和性能。
晶圆键合工艺主要分为直接键合和间接键合两种方式。直接键合是指将两个晶圆直接粘接在一起，而间接键合则需要使用中介层来连接两个晶圆。直接键合通常采用金属键合或焊锡键合技术，而间接键合则使用聚酰亚胺（PI）等高分子材料作为中介层。
直接金属键合是最常用的一种方式。它利用金属材料（如铜、铝等）在高温下烧结，将两个晶圆直接粘接在一起。这种方式具有键合强度高、导电性好等优点，但需要高温处理，容易对器件产生损害。
焊锡键合是另一种常用的直接键合方式。它利用焊锡材料，在高温下熔化并固化，将两个晶圆粘接在一起。与金属键合相比，焊锡键合不需要高温处理，对器件损伤较小。但焊锡材料的膨胀系数较大，容易引起键合后的晶圆变形。
间接聚酰亚胺（PI）键合是一种常用的间接键合方式。它利用聚酰亚胺材料作为中介层，在高温下热压将两个晶圆粘接在一起。这种方式具有良好的绝缘性和机械性能，并且可以实现不同材料之间的键合。但由于聚酰亚胺材料本身具有较大的膨胀系数，在键合过程中容易引起晶圆变形和应力集中等问题。
除了以上几种常见的键合方式外，还有一些新型的键合技术正在发展中。例如超声波键合、激光键合等，这些技术具有高精度、无损伤等优点，正在逐渐被应用于半导体封装领域。
总之，晶圆键合工艺是半导体封装中的重要工艺之一。它可以实现不同功能的器件集成在同一芯片上，提高了芯片的集成度和性能。目前，各种不同的键合技术正在逐渐发展和完善中，将会为半导体封装领域带来更多的创新和进步。
led 晶圆键合
led 晶圆键合
LED晶圆键合
LED晶圆键合是指将发光二极管（LED）芯片与支撑基底（通常为硅晶圆）键合在一起的工艺过程。LED晶圆键合技术在LED芯片制造中起着至关重要的作用，它不仅决定了LED的性能和可靠性，还直接影响到LED的成本和生产效率。
LED晶圆键合的过程通常包括以下几个关键步骤：芯片抓取、对准、键合、固化和测试。首先，LED芯片通过吸盘或真空吸取的方式从晶圆上抓取下来。然后，将LED芯片与支撑基底进行对准，确保二者的位置和方向正确无误。接下来，利用键合机器将芯片与基底进行键合，常用的键合方法有金线键合和球形键合。在键合过程中，金线或球形金属导线被用来连接芯片的电极与基底的电极。键合完成后，需要进行固化，在高温或高压的环境下，使键合部分的金属导线或球形金属固化，以确保键合的牢固性和稳定性。最后，对键合完成的LED芯片进行测试，确保其性能符合要求。
LED晶圆键合技术的发展经历了多个阶段。早期的LED晶圆键合主要采用金线键合技术，即利用金属线将芯片与基底进行连接。金线键合技术具有成本低、可靠性高的优点，但由于金线材料的限制，其导电性和导热性相对较差，且容易受到外界环境的影响，导致键合的可靠性和稳定性存在一定的问题。随着LED技术的不断发展，球形键合技术逐渐取代了金线键合技术，成为目前主流的LED晶圆键合方法。球形键合技术利用球形金属导线代替金线进行键合，相比金线键合，球形键合具有导电性和导热性好、可靠性高、成本低等优势，能够更好地满足高亮度、高功率LED的制造需求。
LED晶圆键合技术的发展不仅改善了LED的性能和可靠性，还提高了LED的生产效率和降低了成本。通过自动化的键合机器和精密的键合工艺，可以实现对LED芯片的高速、高质量的键合，大大提高了生产效率。同时，由于新型材料的应用和工艺的改进，LED晶圆键合的成本也得到了有效的控制，使LED的制造成本进一步降低。
然而，LED晶圆键合技术仍然面临一些挑战和改进空间。首先，随着LED芯片尺寸的不断缩小和功率的提高，键合工艺需要更高的精度和稳定性。其次，键合过程中的金属导线或球形金属的材料选择和质量控制对键合的可靠性和性能起着至关重要的作用。此外，键合过程中的温度、压力和时间等参数的控制也需要更加精准和稳定。因此，LED晶圆键合技术仍需要不断的研发和改进，以满足LED产业快速发展的需求。
晶圆直接键合及室温键合技术研究进展
晶圆直接键合及室温键合技术研究进展
晶圆（Wafer）是生产集成电路所用的载体，由于其形状为圆形，故由此而得名，又被称为晶片或圆片。自1958年第一块集成电路诞生以来，硅工艺在集成电路的生产中占主导地位，硅晶圆是制造半导体芯片的基本材料。随着对集成电路要求的不断提高，其他半导体材料的应用也越来越多，如锗、砷化镓、碳化硅等。键合（Bonding）可以将两个或多个材料（或结构）结合成为一体，是半导体制造过程中不可缺少的重要环节。晶圆直接键合（一般简称为“晶圆键合”或“直接键合”），可以使经过抛光的半导体晶圆在不使用粘结剂的情况下结合在一起，在集成电路制造、微机电系统（MEMS）封装和多功能芯片集成等领域具有广泛的应用。为了尽可能减小传统的高温硅熔键合（800~1000）℃所引发的多种材料、结构间的热膨胀和热应力，如何在较低退火温度条件下实现半导体晶圆键合是研究者们关注的问题。美国电化学学会以晶圆键合科学与技术为主题，每两年举办一次国际学术研讨会。近年来低温键合(<200 ) ℃工艺被认为是发展的主流，其相关研究已在美国、欧洲和日本等诸多大学和研究机构中广泛开展。其中无需加热的室温键合（约25 ℃）技术更被视为下一代制造工艺的备选，半导体制造的相关厂商也均投入大量研究经费，开发室温键合方法及工艺，因此开展室温晶圆直接键合研究，对于推动半导体产业的进步具有重要的科学意义与现实要求。
文中将首先介绍传统的高温硅熔键合方法，而后针对两类室温键合方法（真空环境和大气环境中的键合）的研究进展分别进行归纳和总结，并给出利用含氟等离子体表面活化在室温晶圆键合方面取得的最新进展。
1.硅熔键合
硅晶圆直接键合技术诞生于20世纪80年代，由美国IBM公司的Lasky和日本东芝公司的Shimbo等人所提出[3—4]。该技术是把两片镜面抛光硅晶圆片（氧化或未氧化均可）经表面清洗，在室温下直接贴合，再经过退火处理提高键合强度，将两片晶圆结合成为一个整体的技术。为获得足够高的硅-硅晶圆键合强度，往往需要施加较高的退火温度（800~1000） ℃，与硅材料的熔点（1410） ℃ 较为接近，因此该方法又常被称为硅熔键合或热键合法（Fusion
金刚石晶圆 键合 工艺
金刚石晶圆 键合 工艺
哎呀，说起金刚石晶圆键合工艺，这可真是个技术活儿，得慢慢道来。你可别小看这玩意儿，它可是半导体工业里的“硬核”角色。金刚石，这玩意儿硬得跟石头一样，但晶圆，你懂的，就是那种薄薄的、圆圆的半导体材料，把它们俩结合起来，那可是一门大学问。
先说说金刚石晶圆吧，这玩意儿可不简单。金刚石，那可是自然界中最硬的材料，硬度杠杠的。但是，你别以为它就是那种普通的钻石，咱们这儿说的是工业用的金刚石，它可是经过特殊处理的，纯度和晶体结构都得达到一定的标准。晶圆呢，就是半导体芯片的基础，你手机里的芯片，就是从这玩意儿上切割下来的。
好了，现在咱们聊聊键合工艺。这可是个精细活儿，得小心翼翼的。首先，你得把金刚石晶圆和半导体晶圆对准，这可是个技术活儿，得用到高精度的对准设备。对准之后，就是键合了。键合，说白了就是把它们俩粘在一起。但是，这可不是用胶水那么简单，得用到特殊的化学键合技术。
这个过程中，你得控制好温度和压力，还得用到一些特殊的化学试剂。这些化学试剂，就像是媒婆一样，帮助金刚石晶圆和半导体晶圆“相亲相爱”。但是，这个过程得非常小心，因为一不小心，这俩就可能“分手”，那可就前功尽弃了。
我记得有一次，我们实验室里有个哥们儿在做这个实验。他小心翼翼地把金刚石晶圆和半导体晶圆对准，然后开始键合。我们都在旁边看着，紧张得跟什么似的。结果，就在键合快要完成的时候，他手一抖，晶圆稍微偏了那么一点点。这下可好，整个实验都得重来。我们当时那个哥们儿，脸都绿了，我们在旁边也是哭笑不得。
不过，这事儿也给我们上了一课，做这种精细活儿，得有耐心，还得细心。毕竟，这可是关系到半导体芯片质量的大事儿，一点儿都不能马虎。
最后，当金刚石晶圆和半导体晶圆成功键合在一起，那成就感，别提多爽了。你看着那完美的结合，心里那个美啊，就跟自己亲手种的花终于开了一样。
所以啊，金刚石晶圆键合工艺，这事儿虽然复杂，但只要你细心、耐心，再加上点儿技术，那也不是什么难事儿。毕竟，这可是科技的力量，能让我们的世界变得更美好。
晶圆键合技术
晶圆键合技术
1. 简介
晶圆键合技术是微电子封装工艺中的一种关键技术，用于将芯片（晶圆）与封装基板（或其他器件）进行可靠连接。晶圆键合技术的发展不仅极大地推动了芯片封装工艺的进步，也在很大程度上决定了设备的性能和可靠性。
晶圆键合技术主要包括金属键合和焊接键合两种方式。金属键合是通过高温和压力，将芯片上的引线与基板上的引线进行永久性连接；焊接键合则是利用熔化焊锡将芯片和基板焊接在一起。
2. 金属键合技术
2.1 金线键合
金线键合是金属键合技术中的一种常见方式，主要适用于封装基板与芯片之间的连接。
金线键合的过程可以分为几个步骤：首先，在芯片和基板上分别形成金属化层，并利用历程刻蚀等工艺形成金属引线；然后，在携带有金线的键合头和芯片/基板之间施加适当的压力，同时通过高频感应电流使金线加热，实现金线与芯片/基板引线的焊接。
金线键合可以使用很多种金属线材，如金、铜、铝等。具体的选择要视工艺和应用需求而定。金属线材的选择和键合参数的优化对键合质量和可靠性有着重要影响。
2.2 管芯键合
管芯键合是金属键合技术的另一种常见方式，主要适用于封装器件内部的连结。
管芯键合的过程相对简单，首先在芯片和基板上形成金属化层，然后将一根细小的金属导管（通常是金或铜）放置在芯片和基板之间的对应位置，再利用连接头施加适当的压力和温度，将导管键合在芯片和基板上。
管芯键合的优点在于可以实现器件之间非常细小的连接，提供了更高的连接密度和更好的电性能。 3. 焊接键合技术
焊接键合技术通过熔化焊锡将芯片和基板焊接在一起，是封装工艺中另一种常用的连接方式。
焊接键合技术主要分为球栅键合和波峰焊键合两种方式。
3.1 球栅键合
球栅键合是一种适用于封装球栅阵列型（BGA）芯片的焊接方式。
具体的焊接过程为：首先，在芯片和基板上涂覆焊锡球粘合剂；然后，在每个芯片焊盘上放置一个焊锡球；接着，通过热源加热焊锡球，使其熔化并与基板焊盘进行键合。