SRe石英晶体振汤器介绍-Y100520
石英晶体振荡器的主要参数
石英晶体振荡器的主要参数
晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。
不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。
如常用一般晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，对于特别要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。
负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部全部有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同打算振荡器的振荡频率不同。
标称频率相同的晶振，负载电容不肯定相同。
由于石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以，标称频率相同的晶振互换时还必需要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
频率精度和频率稳定度：由于一般晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设备还需要有肯定的频率精度和频率稳定度。
频率精度从10^(-4)量级到10^(-10)量级不等。
稳定度从±1到±100ppm不等。
这要依据详细的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。
因此，晶振的参数打算了晶振的品质和性能。
在实际应用中要依据详细要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高价格也越贵，一般选择只要满意要求即可。
1。
石英晶体振荡器的分类与常用的检测方法介绍
石英晶体振荡器的分类与常用的检测方法介绍 石英晶体振荡器简称石英晶体，俗称为晶振，它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。
这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反应。
利用这种特性，就可以用来稳定频率和选择频率，取代LC（线圈和电容）谐振回路、滤波器等。
石英晶体振荡器是一种高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设各产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
石英谐振器因具有极高的频率稳定性，故主要用在要求频率十分稳定的振荡电路中作谐振元件或频率基准（将石英晶体作为振荡回路组件，组成晶体振荡器，产生时钟信号基频的器件），如彩电的色副载波振荡器、电子钟表的时基振荡器及游戏机中的时钟脉冲振荡器等。
石英晶体成本较高，故在要求不太高的电路中一般采用陶瓷谐振元件。
1 石英晶体振荡器的分类 石英晶体振荡器按精度（或频率稳定度）可分为普通石英晶体振荡器、精密石英晶体振荡器、中精密石英晶体振荡器和高精密石英晶体振荡器；按封装结构及外形可分为金属外壳晶体振荡器、玻璃外壳晶体振荡器、胶木壳晶体振荡器和塑料外壳晶体振荡器，金属外壳封装的石英晶体振荡器又有锡焊、冷压焊和电阻焊三种；按引出电极数目可分为双电极（二端）型晶体振荡器、三电极（三端）型晶体振荡器和四电极（四端）型晶体振荡器；按用途可分为彩色电视机用晶体振荡器、影碟机用晶体振荡器、无线通信用晶体振荡器、电子钟表用晶体振荡器等多种类型；按基本谐振电路可分为并联晶体振荡器和串联晶体振荡器两种类型。
常见石英晶体振荡外形如图1所示。
图1 常见石英晶体振荡器外形 2 石英晶体振荡器的检测 检测石英晶体，首先从外观上检查，正常石英晶体表面整洁，无裂纹，引脚牢固可靠，电阻值为无穷大。
若用万用表测时的电阻很小甚至接近于零，则说明被测晶体漏电或击穿，已经损坏。
石英晶体振荡电路.pptx
+VOH
vI
VT-
O VT+
-VOL
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通过上述几种电压比较器的分析，可得出如下结论：
（1）用于电压比较器的运放，通常工作在开环或正反馈状态和非线性区，其输出电 压只有高电平VOH和低电VOL两种情况。
（2）一般用电压传输特性来描述输出电压与输入电压的函数关系。
（3）电压传输特性的关键要素 输出电压的高电平VOH和低电平VOL 门限电压 输出电压的跳变方向
振荡周期
O
T4R4CU om4R1R4C
t
UZ
R2
Vom
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9.8.3 锯齿波产生电路
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一、电路组成
充放电时间常数 不同
第28页/共32页
二、工作原理
vO1
VZ
T2
T1
O t
VZ vO
Vom
O t
Vom
T
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三、输出幅度和振荡周期
Uom
R1 R2
voVZvo 3 vo0时vo3V Z 29V vo0时vo3V Z 29V VT 9V33V VT -9V33V
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• 集成电压比较器
• 集成电压比较器比集成运算放大器的开环增益低、 失调电压大、共模抑制比小，因而它的灵敏度往往 不如用集成运算放大器构成的比较器高，但由于集 成电压比较器通常工作在两种状态之一，因此不需 要频率补偿电容，也就不存在像集成运算放大器那 样因加入补偿电容引起转换速率受限。
UZ
uO1
UZ
T2
T1
T1
2R1RW C R2
O
UZ
石英晶体振荡器
Ｏｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ ＺＨＡＮＧ Ｄｅ．．ｙｉｎ
（Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ，Ｘｉｎｇｔａｉ Ｃｏｌｌｅｇｅ，Ｘｉｎｇｔａｉ，Ｈｅｂｅｉ，０５４００１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｑｕａｒｔｚ ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ ｉｓ ａ ｎｅｗ—ｔｙｐｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ，ｗｈｏｓｅ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｃａｌｌ ｂｅ ａｓ ｈｉ｝ｇｈ ａｓ １０。６－－１０。１１ ａｎｄ Ｑ—ｖａｌｕｅ ｉｓ ａｂｏｖｅ １０５．Ｉｔｓ ｈｉｇｈ ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｅｎｓｕｒｅｓ ｉｔ ｔｏ ｂｅ ｗｉｄｅｌｙ ｕｓｅｄ ｉｎ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ ａｎｄ ｏｔｈｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ ｔｈａｔ ｒｅｑｕｉｒｅ ｈｉｇｈ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ． Ｋｅｙ Ｗｏｒｄｓ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔｙ ｓｙｎｔｏｎｙ；ｑｕａｒｔｚ ｓｙｎｔｏｎｉｚｅｒ；ｑｕａｒｔｚ ｃｒｙｓｔａｌ ｏｓｃｉＭａｔｏｒ
㈡石英晶体振荡器 石英晶体振荡器，就是把石英晶体作为一个选频元件 或电感元件，接到电路中，组成串联型或并联型振荡电路。
ｉ—ｌ ６８０Ｕ Ｏ．０３ Ｐ’＇＋１２Ｖ
１
Ｃ． Ｌ＿
Ｉ
Ｒ．
一
图６
图５是由石英晶体组成的三点式并联振荡型其中两种 形式的交流等效电路。图６是图５ ｂ中共基极振荡电路的 交流等效电路。当毛＜ｆ＜‘时，晶体呈感性，相当电感Ｌ ＋与Ｃ。、Ｑ组成电容三点式振荡电路。若令ＣＬ＝ｃ。Ｇ／（ｃ。＋ Ｇ），则回路谐振频率
石英晶体振荡电路石英谐振器
6.8 k
C1 120 p 200 (a )
C4为微调电容， 用来改变振荡 频率，不过频 率调节范围是 很小的。
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石英谐振器
2.串联型晶体振荡电路
电路结构
等效电路
注：晶体相当于短路元件，常串接在正反馈支路中。
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石英谐振器
二、石英晶体振荡电路
石英晶体在电路中可以起三种作用：
一是充当等效电感，晶体工作在接近于并联谐振频率 fp
的狭窄的感性区域内， 这类振荡器称为并联谐振型石英晶体 振荡器；
二是石英晶体充当短路元件，并将它串接在反馈支路内， 用以控制反馈系数，它工作在石英晶体的串联谐振频率fq上， 称为串联谐振型石英晶体振荡器； 三是充当等效电容，使用较少。
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石英谐振器
(4)恒温控制式晶体谐振器(OCXO)：将晶体和振荡电路置 于恒温槽中，以消除环境温度变化对频率的影响。OCXO频 率精度是10-7～10-8量级，对某些特殊应用甚至达到更高。主 要用于移动通信基地站、国防、导航、频率计数器、频谱和 网络分析仪等设备、仪表中。
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石英谐振器
目前发展中的还有数字补偿 式晶体振荡器(DCXO)微机补偿
电 感 三点式
电 容 三点式 石英晶 体
10-2～10-4
10-3～10-4 10-5～10-11
差
好 好
几千赫～几十兆 赫
几兆赫～几百兆 赫 几百千赫～一百 兆赫
可在较宽范围内调节频率
只能在小范围内调节频率 （适用于固定频率） 只能在极小范围内微调频 率（适用于固定频率）
易起振，输出振 幅大
石英晶体谐振器的功能有哪些
石英晶体谐振器的功能有哪些石英晶体谐振器的功能有哪些1、石英晶体谐振器成品上标有一个标称频率，当电路工作在这个标称频率时，频率稳定度最高。
这个标称频率通常是在成品出厂前，在石英晶体上并接一定的负载电容条件下测定的。
在实际组成石英晶体振荡器时必须在石英晶体两端并接负载电容，且负载电容必须符合石英晶体技术条件中所规定的数值，这个电容大都采用微调电容，以便调整。
规定的负载电容值载于厂家的产品说明书中，通常为30pF(高频晶体)，或为100pF(低频晶体)，还有32.768KHz普通晶体对应的12.5PF （最普通常见的一种负载电容）或标示为田(这是指无需外接负载电容，通常用在串联晶体振荡器中)。
2、石英晶体谐振器的激励电平应在规定范围内。
石英晶体谐振器在振荡器中被激励时，要通过激励电流，要消耗一定的激励功率。
在实际应用时，应使输入石英晶体的激励功率不超过额定值。
过高的激励功率会使石英谐振器内部温度升高，使石英晶片的老化效应和频率漂移增大；极强的激励功率会使石英晶片的机械振动过于剧烈而损坏。
3、在并联石英晶体振荡器中，石英晶体只能工作在感性区，而不能工作在容性区。
因为若把晶体当作容性元件使用，一旦压电效应失效，它仍呈容性，此时振荡器仍可能维持振荡，但石英晶体已失去稳频作用。
4、由于石英谐振器在一定的温度范围内才具有很高的频率稳定度，当对频率稳定度要求很高时，可以考虑采用恒温设备或温度补偿措施。
5、晶振在振荡电路中起振时等效为感性，负载电容与晶振的等效电感形成谐振，决定振荡器的振荡频率。
负载电容值不同，振荡器的振荡频率也不一样，改变负载电容的大小，就可以改变振荡频率。
因此，通过适度调整负载电容，一般可以将振荡器的振荡频率精确地调整到标准值。
在晶振资料主要参数中提供的负载电容是一个测试条件，也是一个不容忽视的使用条件，忽略这个负载电容参数，会使振荡频率偏离标准值，偏离过大时会使振荡器起振困难造成停振。
6、晶振的负载电容有高、低两类之别。
石英晶体振荡器工作原理和应用
石英晶体振荡器工作原理和应用首先咱们来简单的了解下什么是石英谐振器，石英谐振器简称为晶振，它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。
这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反应。
本文要给大家介绍下关于石英晶体振荡器的工作原理和应用。
石英晶体振荡器工作原理计算机都有个计时电路，尽管一般使用“时钟”这个词来表示这些设备，但它们实际上并不是通常意义的时钟，把它们称为计时器(timer)可能更恰当一点。
计算机的计时器通常是一个精密加工过的石英晶体，石英晶体在其张力限度内以一定的频率振荡，这种频率取决于晶体本身如何切割及其受到张力的大小。
有两个寄存器与每个石英晶体相关联，一个计数器(counter)和一个保持寄存器(holdingregister)。
石英晶体的每次振荡使计数器减1。
当计数器减为0时，产生一个中断，计数器从保持计数器中重新装入初始值。
这种方法使得对一个计时器进行编程，令其每秒产生60次中断(或者以任何其它希望的频率产生中断)成为可能。
每次中断称为一个时钟嘀嗒(clocktick)。
晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变。
石英晶体谐振器参数
石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动。
实际上，石英晶体谐振器可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。
这个回路包括L1、C1，同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路，与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。
(见图1)石英晶体作为谐振器在使用时，要求其谐振频率在温度发生变化时保持稳定。
温频特性与切割角有关，每个石英晶体具有结晶轴，晶体切割是按其振动模式沿垂直于结晶轴的角度切割的。
典型的晶体切割和温频特性。
(见图2)AT型石英晶体谐振器的温度特性目前大多用三次曲线表示(见图3)。
一个石英晶片在所需要的频率范围已满足的情况下在某一角度被切割，以达到要求的工作温度范围。
当然，实际上，即使在成功的操作中，也会有一些由于切割和磨光精确性不够而造成的角度散布，由此，操作的精确度需要提高。
在图4中可以看到频率公差和生产难度等级的关系。
所有石英谐振器均有寄生（在主频率之外的不期望出现的）振荡响应。
他们在等效电路图中表现为附加的以R1、L1、C1形成的响应回路。
寄生响应的阻抗R NW与主谐振波的阻抗Rr的比例通常以衰减常数dB来表示,并被定义为寄生衰减a NW=-20 · lg对于振荡用晶体,3至6dB是完全足够的.对于滤波用晶体,通常的要求是超过40dB. 这一规格要求只有通过特殊设计工艺并使用数值非常小的动态电容方能达到.可达到的衰减随着频率的上升和泛音次数的增加而减小. 通常的平面石英晶片谐振器比平凸或双面凸晶片谐振器的寄生衰减要良好. 在确定寄生响应参数时,应同时确定一个可接受的寄生衰减水平以及寄生频率与主振频率的相对关系.在AT切型中,对于平面晶片,"不和谐的响应"只存在于主响应的+40至+150KHZ之间,对于平凸或双面凸的晶片,寄生则在+200至+400KHZ之间.在以上的测量方法中,寄生响应衰减至20至30dB时是可以测量的,对于再高一些的衰减.C0的补偿是必需的.石英振荡器的机械振动的振幅会随着电流的振幅成正比例地上升. 功率与响应阻抗的关系为Pc=12q R1, 高激励功率会导致共振的破坏或蒸镀电极的蒸发,最高允许的功率不应超过10mV.由于L1和C1电抗性的功率振荡,存在Q c=Q x P c. 若P c=1mV, Q=100.000, Q c则相当于100W. 由于低的Pc功率会导致振荡幅度的超过,最终导致晶体的频率上移.随着晶体泛音次数的增加, 对于激励功率的依赖性更加显著.上图显示了典型的结果, 但是精确的预期结果还是要受到包括晶体设计和加工,机械性晶片参数,电极大小,点胶情况等的影响.可以看出, 激励功率必须被谨慎地确定,以使晶体在生产中和使用中保持良好的关系.当今,一个半导体振荡回路的激励功率一般为0.1mV,故在生产晶体时也一般按0.1mV进行.一个品质良好的晶体可以容易地起振,其频率在自1nW逐步增加时均能保持稳定.现在, 晶体两端的功率很低的半导体回路也可以在很低的功率的情况下工作良好.上图显示了一个对激励功率有或无依赖性的晶体的工作曲线的比较.晶体存在蒸镀电极不良,晶片表面洁净度不足, 都会存在如图所示的在低功率时出现高阻抗的情况, 这一影响称为激励功率依赖性(DLD). 通常生产中测试DLD是用1~10mV测试后再用1mV 测试, 发生的阻抗变化可作为测试的标准. 很显然, 在增加测试内容会相当大的提高晶体生产的成本.利用适当的测试仪器可以很快地进行DLD极限值的测定,但是只能进行合格/不合格的测试.IEC草案248覆盖了根4结构特性解剖日本生产的这种石英谐振器可见，外壳为干净、无凹隐、无污渍的HC－49/U型锌铂铜外壳，印字清晰完整。
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石英晶體振盪器介紹Prepared by :Alan YangIndex1)石英晶片(Quartz)振盪原理2)Crystal & Oscillator 種類與構造3)基本波與倍頻(Fundamental & 3rd Overtone)4)Crystal / Oscillator 種類與應用5)Crystal & Oscillator 參數解析6)振盪迴路搭配分析7)Q & APage.21) 石英晶片(Quartz)振盪原理Page.3Page.4Crystallized quartzmaterial •石英是由矽原子和氧原子組合而成的二氧化矽（Silicon Dioxide, SiO2），以六角柱形式的單結晶結構存在。
(如附圖)•由於石英本身具有壓電效應特性，石英晶體振盪器就是利用此特性製成。
•運用壓電效應可使石英產生振盪，廣泛的運用在電腦、手機等通訊產品及時鐘等等產品上。
石英晶體•正壓電效應•當機械應力加入於一壓電材料時，材料的兩端會伴隨著產生一個與應力大小成比例的電荷(或電壓) ; 當應力方向相反時，電荷的極性(亦即壓電的極性)也隨之逆反。
Page.5•逆壓電效應•當一電位加在晶片表面時, 它就會產生變形或振動現象，掌握這種振動現象，並控制其發生頻率的快慢，以及精確程度，就是水晶震盪器的設計與應用原理。
Page.6石英的切割角度•根據不同的應用及工作溫度需求，搭配不同的石英切割角度種類。
例如AT-, BT-, CT-, DT-, NT, GT…..等Cutting Method & AnglePage.7Page.8•不同的石英切割角度種類，將得到不同的溫度曲線。
•目前最常用的為AT 切割。
(下圖圈選為AT 切割溫度特性)Cutting method & angle V.S. Temp. characteristics•AT切割其頻率對溫度變化為一元三次方曲線(如圖)，在相當寬廣的溫度範圍下, 其頻率對正、負溫度的變化最為對稱。
AT cut Frequency V.S. TemperaturePage.9Page.10•經由不同的石英切割方式，石英晶片展現了各種不同的振動模態。
•下圖為一般常見的振動模態，在實際應用中，石英晶片並不一定祇有單一種振動模態，而有可能存在多種模態於同一石英晶片中；良好的設計，可以壓制其他不希望產生的振動模態(unwanted mode)，來達到主要振動模態的最佳化。
石英的切割角度與振動模態厚度剪切模態thickness shear mode AT / BT 伸縮模態extension mode +5°X / -18.5°X 面剪切模態face shear mode DT / CT / SL 彎曲模態flexure modeXY / NT振盪摸態與石英切割方式2) Crystal & Oscillator 種類與構造Page.11•依產品應用區分為Crystal 與Oscillator兩大類English Japanese ChineseCrystal(X’tal)水晶振動子晶振Oscillator (CXO)水晶發振器鐘振Taiwan石英晶體石英振盪器Page.12Page.13•依產品使用焊接方式區分為SMD 與Dip 兩大類1) SMD Type(Surface Mount Device 表面黏著元件)2) Dip Type(Dual in-line package 雙內線包裝)•SMD Type依其焊封型態又分為Seam 與Glass兩種型式1) SEAM Type2) Glass TypePage.14Crystal 結構(Dip Type)1. BASE (基座)2. SUPPORT (支架)3. BLANK 水晶片4. 電極5. 導電性接著劑6. CAN (封蓋)126345Page.15Page.16Crystal 結構(SMD Type)S a R o n i x -e CE R A 40.000■0823ASolder padsElectrodeLidCeramic BasePage.17CXO 結構(SMD Type)S a R o ni x -e CE R A125M 000■0823ASolder padsElectrodeLidQuartz BlankCeramic BaseICSRe Crystal / Oscillator 產品線SRe SMD石英元件產品線–•Glass Crystal (X’tal)•Seam Crystal (X’tal)•Seam Oscillator (CXO)•Seam Voltage Controlled Oscillator (VCXO)•High Precision CXO•LVPECL/LVDS/HCSLPage.183) 基本波與倍頻Fundamental & 3rd OvertonePage.19Crystal 的等效迴路•Crystal’s Equivalent Circuit：•Crystal SymbolR1L1C1C0•R1：Series Resistance 等效串列電阻(Equivalent series resistance)•L1：Motional Inductance 等效串列電感(Equivalent series inductance)•C1：Motional Capacitance 等效串列電容(Equivalent series capacitance)•C0：Shunt Capacitance (並列靜態電容)Page.20Page.21•3rd Overtone 石英晶片的形成及特性:當外加功率於石英晶片上產生逆壓電效應，即會形成Fundamental ，3rd Overtone…等奇數次諧振頻率，如下圖示:石英晶片厚度越厚(低頻率)越難振盪，倍頻越多越難振盪。
基頻基頻(Fund)(Fund)(Fund)與三倍頻與三倍頻與三倍頻(3rd Overtone)(3rd Overtone)Page.22•厚度振盪模態在石英晶體共振時，除了基本波頻率振盪之外，會同時存在倍頻共振於石英晶體的電極區域之間。
石英基本波與倍頻振盪Quartz blankElectrode 180 °Fundamental 3rd Overtone5rd OvertoneCrystal resonatorElectrode 0°/ 360°Page.23•Fundamental Mode-因為以厚度-剪變振盪石英晶片，所以基本波阻抗會較好。
•3rd Overtone 在倍頻時以厚度-剪變+輪廓+屈曲振盪石英晶片，所以阻抗會較差。
•3rd Overtone 通常為石英晶片加工難以達到的高頻率使用(晶片越薄，頻率越高)。
•低頻率本身阻抗即較中、高頻率阻抗高，振盪3rd Overtone 後阻抗會更難達到要求，通常3rd Overtone 阻抗會是同頻率Fundamental 的2~4倍。
基頻基頻(Fund)(Fund)(Fund)與三倍頻與三倍頻與三倍頻(3rd Overtone)(3rd Overtone)Page.24• A Standard Oscillation circuit ：Fundamental基頻(Fund)振盪迴路•Rf : Feedback Resistance •Rd : Damping Resistance •Cg, Cd : External Capacitance (Gate, Drain capacitor)•CL value is consisted of CL= [(Cd x Cg) / (Cd + Cg)] + Cs (pF)RfRdCg CdX’tal Inverter Fundamental mode ‧Cs ：Stray Capacitance 一般2~6pFPage.25• A Standard Oscillation circuit ：3rd Overtone •通常諧振頻率所讀取的會是信號最強的fundamental ，若要讀取3rdOvertone 的信號則在振盪迴路中需多加一組電容及電感以做高通濾波，將主信號(fundamental)衰減，如附圖：Rf Rd Cg Cd X’tal InverterCL•The table below shows the match values of L, C for 3rd overtone mode by various frequency:3rd Overtone C,L 不同頻段參考值Page.26Page.27•三倍頻線路設計和基本波的線路設計大致相同，但回饋電阻( Feedback resistor) 一般會較小。
由電阻產生的感應通道(Inductive admittance)會大於基本波。
負載電容所產生的感應通道，因此壓抑了基本波的振盪。
•fundamental 及3rd Overtone 如何選擇 一般頻率的應用範圍:＊基本波應用範圍: 40MHz 以下＊三倍頻應用範圍: 因考量石英晶片機械加工的困難度通常40MHz 以上使用。
以上為一般準則，但在小size 及特殊要求情況，也有製作基本波40MHz 以上的頻點。
基頻基頻(Fund)(Fund)(Fund)與三倍頻與三倍頻與三倍頻(3rd Overtone)(3rd Overtone)4) Crystal / Oscillator 種類與應用Page.28Crystal / Oscillator應用Page.29Page.30Crystal / Oscillator 主要應用區分•時脈/計時功能(如:Timing,Reset…)•資料傳輸(如:USB,硬碟存取,讀卡機…)•頻率源(如:手機傳輸,藍芽傳輸,GPS…)Crystal 與Oscillator主要搭配應用 主要搭配應用行動電話數位相機 無線網卡 路由器振盪線路隨身碟筆記型電腦Page.31Crystal 與Oscillator應用上的差異 應用上的差異 • Crystal 與 Oscillator產品應用功能上的不同ICPage.32Crystal 與Oscillator應用上的差異 應用上的差異 • Crystal 必須接上適合的振盪電路才會振盪優點：價格低。
體積小。
設計彈性大。
缺點：震盪受外界零件影響較大。
EMC對策: 金屬外殼接地。
接線要短、四周要有地作 屏蔽。
• Oscillator 上電即可振盪，再搭配應用電路優點：無需震盪電路。