逆变器的驱动

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[最新]正弦波逆变器驱动芯片介绍

[最新]正弦波逆变器驱动芯片介绍

[最新]正弦波逆变器驱动芯片介绍光伏逆变器600W正弦波逆变器制作详解自从公布了1KW正弦波逆变器的制作过程后,有不少朋友来信息,提这样那样的问题,很多都是象我这样的初学者。

为此,我又花了近一个月的时间,制作了这台600W的正弦波逆变器,该机有如下特点:1.SPWM的驱动核心采用了单片机SPWM芯片,TDS2285,所以,SPWM驱动部分相对纯硬件来讲,比较简单,制作完成后要调试的东西很少,所以,比较容易成功。

2.所有的PCB全部采用了单面板,便于大家制作,因为,很多爱好者都会自已做单面的PCB,有的用感光法,有点用热转印法,等等,这样,就不用麻烦PCB厂家了,自已在家里就可以做出来,当然,主要的目的是省钱,现在的PCB厂家太牛了,有点若不起(我是万不得已才去找PCB厂家的)。

3.该机所有的元件及材料都可以在淘宝网上买到,有了网购真的很方便,快递送到家,你要什么有什么。

如果PCB没有做错,如果元器件没有问题,如果你对逆变器有一定的基础,我老寿包你制作成功,当然,里面有很多东西要自已动手做的,可以尽享自已动手的乐趣。

4.功率只有600W,一般说来,功率小点容易成功,既可以做实验也有一定的实用性。

下面是样机的照片和工作波形:一、电路原理:该逆变器分为四大部分,每一部分做一块PCB板。

分别是“功率主板”;“SPWM驱动板”;“DC-DC驱动板”;“保护板”。

1.功率主板:功率主板包括了DC-DC推挽升压和H桥逆变两大部分。

该机的BT电压为12V,满功率时,前级工作电流可以达到55A以上,DC-DC升压部分用了一对190N08,这种247封装的牛管,只要散热做到位,一对就可以输出600W,也可以用IRFP2907Z,输出能力差不多,价格也差不多。

主变压器用了EE55的磁芯,其实,就600W而言,用EE42也足够了,我是为了绕制方便,加上EE55是现存有的,就用了EE55。

关于主变压器的绕制,下面再详细介绍。

逆变器后级驱动原理

逆变器后级驱动原理

哎呀,逆变器后级驱动原理,这话题听起来挺技术性的,不过我尽量用大白话给你讲讲,希望能让你听明白。

首先,逆变器这玩意儿,简单来说,就是把直流电(DC)转换成交流电(AC)的设备。

你想想,咱们家里用的电,不都是交流电嘛,但是太阳能板啊、电池啊这些发出的电是直流电,所以就需要逆变器来转换一下。

逆变器后级驱动,就是逆变器里面负责把直流电转换成交流电的那部分。

这个过程,就像是把一桶水倒进一个漏斗里,然后让水流出来变成一个漂亮的喷泉。

这个喷泉,就是我们想要的交流电。

具体来说,逆变器后级驱动的原理,可以想象成是三个“泵”,这三个泵分别对应交流电的三个相位。

这三个泵,我们叫它们“半桥”或者“全桥”。

它们就像是三个开关,不停地开开关关,控制电流的流动。

比如说,全桥逆变器,它有四个开关,这四个开关轮流工作,就像是四个人轮流推一个秋千。

当一个人推的时候,秋千向前摆,另一个人推的时候,秋千向后摆。

这样,秋千就能不停地摆动,产生连续的力。

全桥逆变器也是这样,通过控制四个开关的开合,就能产生连续的交流电。

这个过程,需要一个控制器来指挥。

这个控制器,就像是乐队的指挥,它要根据音乐的节奏,来指挥四个开关的开合。

这个节奏,就是PWM(脉冲宽度调制),它决定了交流电的频率和电压。

所以,逆变器后级驱动的原理,就是通过PWM控制四个开关的开合,让直流电转换成交流电。

这个过程,需要精确的控制,才能保证交流电的稳定性和质量。

哎呀,这个话题确实有点复杂,我尽量用大白话给你解释了。

希望这个比喻能让你对逆变器后级驱动原理有个直观的理解。

如果还有什么不明白的,咱们再聊聊。

逆变器的电路结构及组成说明

逆变器的电路结构及组成说明

逆变器的电路结构及组成说明逆变器主要由半导体功率器件和逆变器驱动、控制电路两大部分组成。

随着微电子技术与电力电子技术的迅速发展,新型大功率半导体开关器件和驱动控制电路的出现促进了逆变器的快速发展和技术完善。

目前的逆变器多数采用功率场效应晶体管(VMOSFET)、绝缘栅极品体管(IGBT)、可关断晶体管(GTO)、MOS控制晶体管(MGT)、MOS控制品闸管(MCT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)以及智能型功率模块(IPM)等多种先进且易于控制的大功率器件,控制逆变驱动电路也从模拟集成电路发展到单片机控制,甚至采用数字信号处理器(DSP)控制,使逆变器向着高频化、节能化、全控化、集成化和多功能化方向发展。

1.逆变器的电路构成逆变器的基本电路构成如图6-3所示。

由输入电路、输出电路、主逆变开关电路(简称主逆变电路)、控制电路、辅助电路和保护电路等构成。

各电路作用如下所示。

图6-3 逆变器的基本电路构成(1)输入电路。

输入电路的主要作用就是为主逆变电路提供可确保其正常工作的直流工作电压。

(2)主逆变电路。

主逆变电路是逆变电路的核心,它的主要作用是通过半导体开关器件的导通和关断完成逆变的功能。

逆变电路分为隔离式和非隔离式两大类。

(3)输出电路。

输出电路主要是对主逆变电路输出的交流电的波形、频率、电压、电流的幅值相位等进行修正、补偿、调理,使之能满足使用需求。

(4)控制电路。

控制电路主要是为主逆变电路提供一系列的拄制脉冲来控制逆变开关器件的导通与关断,配合主逆变电路完成逆变功能。

(5)辅助电路。

辅助电路主要是将输入电压变换成适合控制电路工作的直流电压。

辅助电路还包含了多种检测电路。

(6)保护电路。

保护电路主要包括输入过压、欠压保护,输出过压、欠压保护,过载保护,过流和短路保护,过热保护等。

2.逆变器的主要元器件(1)半导体功率开关器件。

主要有可控硅(晶闸管)、大功率晶体管、功率场效应管及功率模块等。

EGS001正弦波逆变器驱动板用户手册

EGS001正弦波逆变器驱动板用户手册

EGS001正弦波逆变器驱动板用户手册
EGS001正弦波逆变器驱动板用户手册
EGS001 是一款专门用于单相纯正弦波逆变器的驱动板。

采用单相纯正弦波逆变器专用芯片EG8010 为控制芯片,驱动芯片采用IR2110S。

驱动板上集成了电压、电流、温度保护功能,LED 告警显示功能及风扇控制功能,并可通过跳线设置50/60Hz 输出,软启动功能及死区大小。

EG8010 是一款数字化的、功能很完善的自带死区控制的纯正弦波逆变发生器芯片,应用于DC-DC-AC 两级功率变换架构或DC-AC 单级工频变压器升压变换架构,外接12MHz 晶体振荡器,能实现高精度、失真和谐波都很小的纯正弦波50Hz 或60Hz 逆变器专用芯片。

该芯片采用CMOS 工艺,内部集成SPWM 正弦发生器、死区时间控制电路、幅度因子乘法器、软启动电路、保护电路、RS232 串行通讯接口和12832 串行液晶驱动模块等功能。

SG3525与TDS2285驱动的正弦波2000W逆变器

SG3525与TDS2285驱动的正弦波2000W逆变器

这个机器,BT是12V,也可以是24V,12V时我的目标是800W,力争1000W,整体结构是学习了钟工的3000W机器,也是下面一个大散热板,上面是一块和散热板一样大小的功率主板,长228MM,宽140MM。

升压部分的4个功率管,H桥的4个功率管及4个TO220封装的快速二极管直接拧在散热板;DC-DC升压电路的驱动板和SPWM的驱动板直插在功率主板上。

因为电流较大,所以用了三对6平方的软线直接焊在功率板上:http://www.gzyoutong. com/http:/ //吸取了以前的教训:以前因为PCB设计得不好,打了很多样,花了很多冤枉钱,常常是P CB打样回来了,装了一片就发现了问题,其它的板子就这样废弃了。

所以这次画PCB时,我充分考虑到板子的灵活性,尽可能一板多用,这样可以省下不少钱,哈哈。

http:/ //如上图:在板子上预留了一个储能电感的位置,一般情况用准开环,不装储能电感,就直接搭通,如果要用闭环稳压,就可以在这个位置装一个EC35的电感。

上图红色的东西,是一个0.6W的取样变压器,如果用差分取样,这个位置可以装二个200 K的降压电阻,取样变压器的左边,一个小变压器样子的是预留的电流互感器的位置,这次因为不用电流反馈,所以没有装互感器,PCB下面直接搭通。

上面是SPWM驱动板的接口,4个圆孔下面是装H桥的4个大功率管,那个白色的东西是0. 1R电流取样电阻。

二个直径40的铁硅铝磁绕的滤波电感,是用1.18的线每个绕90圈,电感量约1MH,磁环初始导磁率为90。

上图是DC-DC升压电路的驱动板,用的是KA3525。

这次共装了二板这样的板,一块频率是27K,用于普通变压器驱动,还有一块是16K,想试试非晶磁环做变压器效果。

这是SPWM驱动板的PCB,本方案用的是张工提供的单片机SPWM芯片TDS2285,输出部分还是用250光藕进行驱动,因为这样比较可靠。

也是为了可靠起见,这次二个上管没有用自举供电,而是老老实实地用了三组隔离电源对光藕进行供电。

逆变器逻辑控制原理

逆变器逻辑控制原理

逆变器逻辑控制原理1. 逆变器的基本原理逆变器是一种将直流电能转换为交流电能的电力转换装置。

它通常由直流输入电源、逆变器电路和输出滤波电路组成。

逆变器的逻辑控制原理是通过控制逆变器电路中的开关器件(如晶体管、MOSFET等)的开关状态,实现直流电能向交流电能的转换。

逆变器的基本原理是利用开关器件的开关状态,将直流输入电压按照一定的规律切换成交流输出电压。

逆变器的输入电压通常是一个固定的直流电源,而输出电压则是一个可变的交流电压。

逆变器的输出电压可以是单相交流电,也可以是三相交流电。

2. 逆变器的控制方式逆变器的控制方式有两种:PWM控制和谐振控制。

2.1 PWM控制PWM(Pulse Width Modulation)控制是一种通过改变开关器件的开关频率和占空比来控制逆变器输出电压的方法。

PWM控制通过调节开关器件的开关频率和占空比,可以实现对输出电压的精确控制。

PWM控制的原理是将直流输入电压按照一定的频率进行开关,通过改变开关器件的开关占空比,可以控制输出电压的大小。

当开关器件处于导通状态时,直流输入电压通过逆变器电路输出;当开关器件处于关断状态时,逆变器电路断开,输出电压为0。

通过不断地调节开关器件的开关频率和占空比,可以实现对输出电压的精确控制。

2.2 谐振控制谐振控制是一种通过谐振电路来控制逆变器输出电压的方法。

谐振控制通过调节谐振电路的参数,可以实现对输出电压的调节。

谐振控制的原理是利用谐振电路的谐振频率与逆变器输出频率相匹配的特点,使得逆变器输出电压接近所需的频率。

通过调节谐振电路的参数,可以改变谐振频率,从而改变逆变器输出电压的频率。

谐振控制通常适用于输出频率较高的逆变器。

3. 逆变器的逻辑控制原理逆变器的逻辑控制原理是通过控制逆变器电路中的开关器件的开关状态,实现对输出电压的控制。

逆变器的逻辑控制通常由控制电路和开关驱动电路组成。

3.1 控制电路控制电路是逆变器的核心部分,它负责根据输入信号和控制策略生成控制信号,控制开关器件的开关状态。

逆变器的驱动

逆变器的驱动
器件。 ◆为快速建立驱动电压,要求驱动电
路具有较小的输出电阻。 ◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱
动电压一般取10~15V,使IGBT开通的栅 射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。
◆关断时施加一定幅值的负驱动电压 (一般取 -5 ~ -15V)有利于减小关断时 间和关断损耗。
◆在栅极串入一只低值电阻(数十欧
图中C1、VD1 分别为自 举电容和二极管,C2 为 VCC 的滤波电容。
假定在S1 关断期间C1 已 充到足够的电压 (VC1≈VCC)。当HIN 为高电平时VM1 开通, VM2 关断,VC1 加到S1 的门极和发射极之间,C1 通过VM1,Rg1 和S1 门 极栅极电容Cgc1 放电, Cgc1 被充电。此时VC1 可等效为一个电压源。当 HIN 为低电平时,VM2 开 通,VM1 断开,S1 栅电 荷经Rg1、VM2 迅速释放, S1 关断。经短暂的死区 时间(td)之后,LIN 为 高电平,S2 开通,VCC 经VD1,S2 给C1 充电, 迅速为C1 补充能量。如 此循环反复。
左右)可以减小寄生振荡,该电阻阻值 应随被驱动器件电流额定值的增大而减 小。
◆电力MOSFET ☞包括电气隔离和晶体管放大电路
两部分;当无输入信号时高速放大器A 输出负电平,V3导通输出负驱动电压, 当有输入信号时A输出正电平,V2导通 输出正驱动电压。
驱动电路
电力MOSFET的一种驱动电路
5、MOSFET和IGBT的集成驱动芯片
在三相桥式逆变电路中,驱动6个开关管至少 需要4路独立电源。
IR2130的内部结构图:
IR2130输入输出真值表:
HIN
LIN
HO
LO
1
1
0
0

逆变器驱动板工作原理

逆变器驱动板工作原理

逆变器驱动板工作原理
逆变器驱动板是逆变器系统中的一个重要组成部分,它主要用于控制逆变器的开关管,实现直流电源向交流电源的转换。

逆变器驱动板的工作原理是通过控制开关管的导通和截止,来实现电压的逆变和输出。

下面将详细介绍逆变器驱动板的工作原理。

首先,逆变器驱动板中的控制电路接收来自控制器的指令信号,根据指令信号控制开关管的导通和截止。

当需要输出交流电压时,控制电路会使得逆变器驱动板中的开关管按照一定的规律进行导通和截止,从而实现交流电压的输出。

其次,逆变器驱动板中的保护电路起到了保护逆变器系统的作用。

当逆变器系统出现过载、短路等异常情况时,保护电路会及时切断开关管的导通,从而保护逆变器系统不受损坏。

另外,逆变器驱动板中的反馈电路可以实现对输出电压和电流的监测,通过监测结果来调节开关管的导通和截止,从而实现对输出电压和电流的控制。

最后,逆变器驱动板中的驱动电路会根据控制电路的指令信号来提供开关管所需的驱动电压和电流,保证开关管能够快速、准确地进行导通和截止。

总的来说,逆变器驱动板的工作原理是通过控制电路、保护电路、反馈电路和驱动电路的协同作用,实现对逆变器开关管的精准控制,从而实现直流电源向交流电源的转换。

逆变器驱动板在逆变器系统中起着至关重要的作用,它的工作原理的稳定性和可靠性直接影响着逆变器系统的性能和安全性。

因此,在设计和应用逆变器驱动板时,需要充分考虑其工作原理,确保其能够稳定可靠地工作。

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IR2130的内部结构图:
IR2130输入输出真值表:
HIN 1 1 0 0
LIN 1 0 1 0
HO 0 0 1 0
LO 0 1 0 0
IR2110的管脚定义: VB1~VB3:是悬浮电源连接端,通过自举电容为3个上桥


臂功率管的驱动器提供内部悬浮电源,VS1~VS3是其对应 的悬浮电源地端。 HIN1~HIN3、LIN1~LIN3:逆变器上桥 臂和下桥臂功率管的驱动信号输入端,低电平有效。 ITRIP:过流信号检测输入端,可通过输入电流信号来完成 过流或直通保护。 CA-、CAO、Vso:内部放大器的反相端、输出端和同相端, 可用来完成电流信号检测。 H01~H03、L01~L03:逆变器上下桥臂功率开关器件驱动 器信号输出端。 FAULT:过流、直通短路、过压、欠压保护输出端,该端提 供一个故障保护的指示信号。它在芯片内部是漏极开路输出 端,低电平有效。 Vcc、Vss:芯片供电电源连接端,Vcc接正电源,而Vss接 电源地。
下课了,再见! 谢谢观看!
TLP250的内部结构图及管脚定义如下:
TLP250的原理:
TLP250组成的驱动电路原理:
7、集成芯片IR2110的原理
IR2110是国际整流器(IR)公司生产的高压芯片,
一片IR2110可以同时驱动一个桥臂的两个全控型电 力电子器件(MOSFET或IGBT),只需要一路输 入电源。
驱动电路
■电压驱动型器件的驱动电路 ◆电力MOSFET和IGBT是电压驱动型 器件。 ◆为快速建立驱动电压,要求驱动电 路具有较小的输出电阻。 ◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱 动电压一般取10~15V,使IGBT开通的栅 射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。 ◆关断时施加一定幅值的负驱动电压 (一般取 -5 ~ -15V)有利于减小关断时 间和关断损耗。 ◆在栅极串入一只低值电阻(数十欧 左右)可以减小寄生振荡,该电阻阻值 应随被驱动器件电流额定值的增大而减 小。 ◆电力MOSFET ☞包括电气隔离和晶体管放大电路 两部分;当无输入信号时高速放大器A 输出负电平,V3导通输出负驱动电压, 当有输入信号时A输出正电平,V2导通 输出正驱动电压。
1、驱动电路的基本任务
驱动电路是主电路与控制电路之间的接口电路。驱
动电路的基本任务是将信息电子电路传来的信号转 换为加在器件控制回路中的电压或者电流。
驱动电路
2、驱动电路的要求
具有一定的功率,使器件能够可靠地开通或

关断。 具有尽可能短的开关时间和尽可能小的开关 损耗。 具有电气隔离环节,一般采用光隔离或磁隔 离。 工作可靠。 具有较低的成本。
3、驱动电路的分类
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公
共端之间信号的性质,可以将电力电子器件 分为电流驱动型和电压驱动型两类。 驱动电路具体形式可为分立元件的,但目前 的趋势是采用专用集成驱动电路。 驱动电路常称为触发电路。
4、典型全控型器件的驱动电路
输入正负电源
VCC; 电气隔离环节: 光耦; 电压放大环节: 运算放大器A; 功率放大环节: 推挽电路V2、 V3;
IR2110的内部结构图:
IR2110的管脚定义:
LO(引脚1)低端输出; COM(引脚2)公共端; Vcc(引脚3)低端固定 VDD(引脚9)逻辑电

电源电压; Nc(引脚4)空端; Vs(引脚5)高端浮置 电源偏移电压; VB (引脚6) 高端浮置电 源电压; HO(引脚7)高端输出; Nc(引脚8) 空端;
逆变器的驱动
本讲主要内容:
(1)逆变器驱动电路的基本任务; (2)逆变器驱动电路的要求; (3)逆变器驱动电路的原理; (4)常用逆变器驱动芯片的使用方法;
本讲要求:
(1)掌握逆变器驱动电路的作用; (2)掌握逆变器驱动电路的要求; (3)掌握逆变器驱动电路的基本原理; (4)掌握TLP250、 IR2110、 IR2130三种驱动 芯片的原理及使用方法;
IR2130的驱动原理: IR2130基于自举技术设计,只
需单电源就可同时驱动一个桥臂的两个开关管。
9、逆变器的辅助电源
在桥式逆变电路中,一个桥臂上下两个开关
管的电源应该各自独立,两个桥臂的上桥臂 开关管没有共地点,下桥臂的开关管可以共 地。因此,驱动一个全桥电路(四个开关管) 时,至少需要3路独立电源。 在三相桥式逆变电路中,驱动6个开关管至少 需要4路独立电源。

源电压; HIN(引脚10)逻辑高 端输入; SD(引脚11)关断; LIN(引脚12)逻辑低 端输入; Vss(引脚13)逻辑电 路地电位端,其值可 以为0V; Nc(引脚14)空端
IR2110的驱动原理: IR2110基于自举技术设计,只
需单电源就可同时驱动一个桥臂的两个开关管。
图中C1、VD1 分别为自 举电容和二极管,C2 为 VCC 的滤波电容。 假定在S1 关断期间C1 已 充到足够的电压 (VC1≈VCC)。当HIN 为高电平时VM1 开通, VM2 关断,VC1 加到S1 的门极和发射极之间,C1 通过VM1,Rg1 和S1 门 极栅极电容Cgc1 放电, Cgc1 被充电。此时VC1 可等效为一个电压源。当 HIN 为低电平时,VM2 开 通,VM1 断开,S1 栅电 荷经Rg1、VM2 迅速释放, S1 关断。经短暂的死区 时间(td)之后,LIN 为 高电平,S2 开通,VCC 经VD1,S2 给C1 充电, 迅速为C1 补充能量。如 此循环反复。
驱动电路
电力MOSFET的一种驱动电路
5、MOSFET和IGBT的集成驱动芯片
TLP250;
IR2110; IR2130
HCPL-316;
EXB841;
中国落木源电子的系公司生产的光电耦合器,它是
具有驱动能力的快速光耦,可以驱动50A的 IGBT或MOSFET。 TLP250的最大输入电流为20mA,最大输出 电流为1.5A,芯片的工作电压为10V~35V, 一般取20V。

8、集成芯片IR2130的原理
IR2130是国际整流器(IR)公司生产的高压
芯片,一片IR2130可以直接驱动一个中小容 量的6个全控型电力电子器件(MOSFET或 IGBT),并且也只需要一路输入电源。 IR2130实质上就是内部有三片IR2110芯片, 其原理与IR2110相同。 IR2130可输出的最大正向峰值驱动电流为 250mA,而反向峰值驱动电流为500mA;
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