模电主要章节知识点归总
大一模电的主要知识点概括
大一模电的主要知识点概括模电，即模拟电子技术，是电子工程学科中的重要分支。
在大一阶段学习模电，主要涉及到模电的基本原理、电路分析和设计等相关内容。
本文将对大一模电的主要知识点进行概括，帮助读者对该学科有一个整体的了解。
一、模拟电子技术概述模拟电子技术是指对非数字信号进行处理、传输和控制的一种技术。
它与数字电子技术相对，主要应用于模拟信号的处理、模拟电路的设计与分析等领域。
二、电路基础知识1. 电压、电流和电阻：电压是指电荷在电路中传输时的电势差，电流是指单位时间内通过导体的电荷流动量，电阻是指材料对电流流动的阻碍程度。
2. 电路元件：电阻、电容和电感是电路中常见的三种基本元件。
电阻用于限制电流，电容用于存储电荷，电感用于存储磁能。
3. 基本电路：串联电路和并联电路是最基本的电路连接方式。
串联电路中电流相同，电压之和等于总电压；并联电路中电压相同，电流之和等于总电流。
三、放大器1. 放大器的基本原理：放大器将输入信号进行放大，使其输出信号具有更高的幅度。
常用的放大器有运算放大器、差分放大器等。
2. 放大器的分类：按放大器的工作频率可以分为低频放大器和高频放大器；按放大器的工作方式可以分为共射放大器、共基放大器等。
四、操作放大器1. 操作放大器的基本特性：操作放大器是一种基础的电路元件，在模电中应用广泛。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗、大增益等特性。
2. 基本运算电路：比较器、积分器、微分器是操作放大器的基本运算电路。
比较器常用于判断信号的高低电平，积分器和微分器用于信号的积分或微分处理。
五、滤波器1. 滤波器的作用：滤波器用于对信号进行滤波处理，分离出所需的频率成分。
2. 滤波器的类型：根据滤波器的频率响应特征，可以将其分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
六、振荡器振荡器是一种能够产生周期性输出信号的电路。
在模电中，常用的振荡器有正弦波振荡器、方波振荡器等。
七、电源管理1. 稳压电路：稳压电路用于保持输出电压的稳定性，常用的稳压电路有三端稳压电压、集成稳压电路等。
模电总结知识点复习资料大全
模电总结知识点复习资料大全第一章节半导体二极管的基本原理一.半导体的基础知识讲解1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性定理*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析算法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路算法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电各章节主要知识点总结
（2）若是开环（无反馈），或正反馈，则放大器处于饱和状态 2、理想运放条件： Ri ,由此得到虚断， i i 0
Avo ,由此得到虚短， v v
3、虚短和虚断：
RO 0 KCMRR
各种运算（比例，加减法，积分微分电路等）中，
i i 0,说明两个输入端无电流 ； v v,说明两个输入端等电位
2
Rb2
VCC
,
VE
VB
VBE
IE
VE RE
IC
VCE
VCC
IC (RC
RE )
（2）图解分析方法：
要求： （a）用图解分析方法，判断什么情况下会发生截止和饱和失真现象，如何解决？ （b）对于共射极放大器，用直流负载线和交流负载线求解最大不失真输出电压幅度
Vom VCEQ VCES ,以及ICQ RL ' 二者取最小的，即为最大不失真输出电压幅度。
Feedback Amplifier
反 馈 判 一、反馈性质判断（瞬时极性） 断 总 结 ： 下图是常见器件的瞬时极性，务必掌握！
输入
-
+
+
+
输入 +
输入
+
+
+
输入
二、输入端的链接方式（串联还是并联）
并联负反馈
(+) X i
(-) X f
串联负反馈
X(+i) (+) X f
并联负反馈
(+)
1、K1、K3闭合，K2断开； 2、K2、K3闭合，K1断开； 3、K1、K2闭合，K3断开； 4、K1、K2、K3闭合。
模电内容总结
第一章1本征半导体里面掺+5 价元素构成N 型半导体，掺 +3价元素构成P 型半导体. 2半导体里面有（2）种载流子：（电子和空穴） 3PN 结的主要特性：单向导电性4半导体/PN 结里面内电场的方向是：从N 区到P 区5描绘PN 结电流和电压关系的表达式：i=is(e 的（vd/vt ）次方-1) 6稳压管正常工作时应该怎么接电源：N 区接正，P 区接负 第二章1在三极管中有几个区（3）分别是（发射区基区集电区） 体积大小从大到小是：集电区>发射区>基区 杂质密度从大到小：发射区>集电区>基区2三极管工作在放大区的条件：发射结正偏，集电结反偏 三极管工作在截止区的条件：发射结反偏，集电结反偏 三极管工作在饱和区的条件：发射结正偏，集电结正偏 三极管输入端的伏安特性曲线：（三个变量IbVBE VCE ）三极管工作在输出端的伏安特性曲线：（三个变量ic iB VCE ）3 在三极管放大电路里面，输入电阻越大越好，输出电阻越小越好 设置Q 点过低，造成截止失真 设置Q 点过高，造成饱和失真最好设置在放大区的中间，此时的放大幅度最大(V)BE u i C CE (V)(mA)=60uAI B u 1V4复合管----达林顿管同类型的三极管：发射极和基极连接 不同类型的三极管：集电极和基极连接 第四章功率放大电路1甲类乙类甲乙类功率放大电路的导通角分别是360°180° 180到360 理想的甲类功放最大的放大效率是 25%乙类双电源互补对称放大电路在理想的情况下的最大效率是 78.5% 2 乙类双电源互补对称电路中三极管功耗最大的时候V om =0.6V CC 最大功耗Pmax静态功耗是：0（在静态当中没有电流）第五章集成运放电路1 集成运放由四部分构成：输入级差动放大电路组成，中间级是电压放大极，输出极是功率放大极，还有一部分是直流偏置，直流偏置用电流源来实现2 电流源的两种作用，作直流偏置电路，用作有源负载 电流源的特点：直流电阻小、交流电阻大3 集成运放第一级为什么用差动放大电路：抑制温漂（零点漂移，也叫零漂） 第六章负反馈放大电路2CCC1maxomL0.20.22V P P R ≈=22CC CES CC OML L()22V V V P R R -=≈2要加大输出电阻，引入电流反馈减小输出电阻，引入电压反馈 加大输入电阻，引入串联反馈 减小输入电阻，引入并联反馈7在深度负反馈的时候，闭环增益约等于反馈系数的倒数，F 分之一 8 对于负反馈放大电路，牺牲了增益，改变了电路的性能 第七章信号运算1集成运放理想情况下增益是无穷大的，认为有好几级是互相乘的关系，增益一大以后，他的线性区间趋近于0，要想增大线性区间，应该引入负反馈，即负反馈可以降低增益，增益减小那么线性区间就变大了 第八章信号产生电路正弦波信号怎么产生Rc 是咱们学的 （一） 自激振荡的条件1：振幅平衡条件A*F=1A 是基本放大电路的增益，F 是反馈放大电路的增益 （原因是什么请去看课件）2：相位平衡条件：比如在基本放大电路里面有一个相位仪移动了90度，ΨA=90度 幅值放大了五倍，为了保持一致，ΨF =-90度货真ΨF =270度，A*F=1，这个时候幅值和相位就都一样了（二） 自激振荡的意思是：一开始给你一个信号，开始工作，回头我把信号撤掉，自己激励自己开始工作，电路里面有一个Vcc 提供能源，信号是从输出端反馈回来的，要求一个值和一个值相等，所以是A*F=1，一个放大了五倍，另外一个就要反馈五分之一（振幅平衡条件哦）（三） 正弦波放大电路由四部分构成基本放大选频正反馈增幅稳幅o id X A X ∙∙=。
模电知识体系总结
模电知识体系总结第一章：常用半导体器件1.1半导体基础器件1.1.1本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素。
在常温下，仅有极少数的价电子由于热运动(热激发)获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
与此同时，在共价键中留下一个空位置，称为空穴。
运载电荷的粒子称为载流子。
导体导电只有一种载流子，即自由电子导电;而本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电，这是半导体导电的特殊性质。
半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。
自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，故达到动态平衡。
换言之，在定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
当环境温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多，即载流子的浓度升高，因而必然使得导电性能增强。
反之，若环境温度降低，则载流子的浓度降低，因而导电性能变差。
本征半导体的导电性能很差，且与环境温度密切相关。
半导体材料性能对温度的这种敏感性，既可以用来制作热敏和光敏器件【好处】，又是造成半导体器件温度稳定性差的原因【劣势】。
1.1.2杂质半导体一、N型半导体在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
N为Negative(负)的字头，由于电子带负电，故得此名。
N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;简称前者为多子，后者为少子，由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。
N型半导体主要靠自由电子导电，掺人的杂质越多，多子(自由电子)的浓度就越高，导电性能也就越强。
二、P型半导体在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。
模电重点知识总结(1-3章)
分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ 分析方法：图解法、估算法、大信号等效 分析指标： rbe、gm、rce、ib、ic
交流分析法
分析方法：图解法、小信号等效电路法
图解分析法
图解法 直流分析 利用三极管的输入、输出特性曲线与管外电路所 确定的负载线，通过作图的方法进行求解 优点：便于直接观察 Q 点位置是否合适，输出信号 波形是否会产生失真 要求：已知三极管特性曲线和管外电路元件参数
共发射极
IC
电路模型 IB IC
C B
直流简化电路模型
IB 0
CBLeabharlann IC 0CIB
B E
T
E
VBE
E
+ -
E
E
E
混合 型小信号电路模型
若考虑rbb、忽略rbc影响，整理后即可得出混合 型电 路模型。 ib r c b c ic
b IEQ过大rbe过小 时，才考虑rbb
bb
3kΩ
V2 + 9V D1 A
VAO O
V1 + 6V
3kΩ V2 +
+ VAO -
VAO也等于 - V1= - 6V
9V -
O
例2.在0≤t≤10ms内，画出图中所示电路输出电压vO（t） 的波形。①二极管是理想的②使用恒压模型
R1 200Ω D 5V
vI + （ t） -
①将D两端断开,求vD R2 v I + vD 5 0.2v I 5 R1 R2 R2 vO （t） v <0V,0.2V -5<0时,V <25V,D截 50Ω -
vI
（t） -
-
模拟电路各章知识点总结
模拟电路各章知识点总结第一章：电路基础1.1 电路的基本概念电路是由电气元件（例如电阻、电容、电感等）连接而成的网络。
电路中电流和电压是基本的参数，描述了其中元件之间的相互作用。
电路按照其两个端点的特性可以分为单端口电路和双端口电路。
1.2 电路的基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律以及其他电路定律描述了电路中电流和电压之间的关系。
其中欧姆定律描述了电阻元件电流和电压之间的关系，而基尔霍夫定律描述了电路中电流和电压的分布和流动规律。
1.3 电路的等效变换电路中电气元件可以通过等效电路进行简化处理。
例如将若干电阻串并联为一个等效电阻等。
第二章：基本电路元件2.1 电阻电阻是电路中最基本的元件之一，它的作用是阻碍电流的流动。
在电路中，电阻可以通过串联和并联的方式连接。
电阻的阻值与其材料、长度和横截面积有关系。
2.2 电容电容是电路中用来存储电荷的元件，它在电路中具有很多重要的应用。
电容的存储能量与其带电电压和电容量有关。
2.3 电感电感是电路中具有电磁感应作用的元件，其具有对电流变化的响应。
电感的存储能量与其感抗和电流有关。
2.4 理想电源理想电源是电路中常用的元件，可以提供恒定的电压或电流。
其特点是内部阻抗为零或者无穷大。
第三章：基本电路分析方法3.1 直流电路分析直流电路是电路分析中最简单的一种情况。
在直流电路中，电源提供的是恒定电压或电流，不会发生周期性或者随时间改变的变化。
3.2 交流电路分析交流电路分析是在电路中考虑电压和电流随时间变化的情况。
常见的交流电路分析包括使用复数形式进行计算。
3.3 电路的参数测量方法电路中常用的参数测量方法有欧姆表、万用表等。
它们可以测量电阻的阻值、电压的大小以及电流的大小等参数。
第四章：模拟电路设计4.1 放大器设计放大器是模拟电路中广泛应用的电路元件，可以放大电压或者电流的幅值。
常见的放大器有运放放大器、差分放大器等。
4.2 滤波器设计滤波器是可以去除特定频率成分的电路，可以用于信号处理、通信和音频等领域。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
PN结V-I 特性表达式
iD=IS(evD/VT 1)
其中
IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量
且在常温下（T=300K）
VT
=
kT=0.026V=26mV q
PN结的伏安特性
3.2.4 PN结的反向击穿
当PN结的反向电压 增加到一定数值时，反 向电流突然快速增加， 此现象称为PN结的反向 击穿。
形成：向本征半导体中掺入少量的 5 价元素
特点：（a）含有大量的电子——多数载流子 （b）含有少量的空穴——少数载流子
(2) P 型半导体（空穴型半导体）
形成：向本征半导体中掺入少量的 3 价元素
特点：（a）含有大量的空穴——多数载流子 （b）含有少量的电子——少数载流子
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
放大状态下BJT中载流子的传输过程
2. 电流分配关系
又设= 1
根据 IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
= I nC IE
且令 ICEO= (1+ ) ICBO （穿透电流）
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
rd
=VT ID
=
26(mV) ID(mA)
（a）V-I特性 （b）电路模型
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
（一）稳压二极管
I/mA
(1) 结构：面接触型硅二极管
(2) 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
一般 >> 1 。
பைடு நூலகம்
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电 流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现 的。
实现这一传输过程的两个条件是：
根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器 可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。
（1）电压放大倍数定义为: （2）电流放大倍数定义为: （3）互阻增益定义为: （4）互导增益定义为:
AU=UO/UI
AI=IO/II
Ar=UO/II Ag=IO/UI
2. 输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电 阻，决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。
4.3.1 图解分析法
1. 静态工作点的图解分析
• 在输入特性曲线上，作出直线 vBE=VBB iBRb，两线的交点 即是Q点，得到IBQ。
流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏 集电结反偏
由于三极管内有两种载流子(自由 电子和空穴)参与导电，故称为双极 型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区：发射载流子
集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
（以NPN为例）
IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO
o
u+ - u-
-Uo(sat)
理想运算放大器
理想运放及其分析依据
1）开环电压放大倍数 Auo→∞ 理想化条件： 2）差模输入电阻 rid→∞
3）开环输出电阻 ro→0 4）共模抑制比 KCMRR→∞
＋
＋
Vp
－
－
vN
＋
－
＋
Avo(vp-vN)
－
vo
理想运算放大器的特性
理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性， 这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为 了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。
RS ii
uS
ui
信号源 输入端
Ri
Au
输出端
输入电阻：
Ri=ui / ii
一般来说， Ri越大越好。 （1）Ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。 （2）当信号源有内阻时， Ri越大， ui就越接近uS。
3. 输出电阻Ro——从放大电路输出端看进 去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。
f
通频带： fBW=fH–fL
第二章 运算放大器
主讲: 胡仕刚
湖南科技大学信息与电气工程学院
开环电压放大倍数高(104-107)； 输入电阻高（约几百KΩ）； 输出电阻低（约几百Ω）； 漂移小、可靠性高、体积小、重量轻、价格低 。
电压传输特性 Vo=Avo(vp-vN)
+Uo(sat)
理想特性 实际特性
小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。
过Q点的切线可以等 效成一个微变电阻
即
rd
=
vD iD
根据 iD=IS(evD/VT 1)
得Q点处的微变电导
（a）V-I特性 （b）电路模型
gd
=
diD dvD
Q
= IS VT
evD /VT
Q
iD VT
Q
= ID VT
则
rd
=
1 gd
=
VT ID
常温下（T=300K）
集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。
此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。
模拟电路知识体系
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主 线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压 放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应 用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外 部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号 源产生等展开。
截止区：iC接近零的区域，相当iB=0
的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。
放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲
线基本平行等距。此时，发射结正偏， 集电结反偏。
4.1.4 BJT的主要参数
极限参数
(1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM
PCM= ICVCE
• V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。
第一章 绪 论
主讲: 胡仕刚
湖南科技大学信息与电气工程学院
1.2 放大电路基本知识
一、放大电路的表示方法
放大电路主要用于放大微弱的电信号，输出电压或电流 在幅度上得到了放大。放大电路为双口网络，即一个信号 输入口和一个信号输出口。
1.3 放大电路的主要技术性能指 标
1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反 向偏置。
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
1. 输入特性曲线
（以共射极放大电路为例）
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收
返 回 下一节
上一页
18 下一页
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动： 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态。 在一定范围内，反向击穿 具有可逆性。
Uz (a) 图形符号
0
U/V
Izmin
Izmax
(b) 伏安特性
（3）主要参数 稳定电压：Uz 最小稳定电流：Izmin
最大稳定电流：Izmax
返回
上一节 下一节
上一页
31 下一页
第四章 三极管及放大电路基础
︱V(BR) ︱> ︱V︱ > 0 iD = IS < 0.1 A(硅)几十 A (锗) ︱V︱> ︱U(BR) ︱ 反向电流急剧增大 (反向击穿)
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化，得到二极管特性的 等效模型。 （1）理想模型
二、二极管的伏安特性
0 V Vth iD = 0
iD /mA
V (BR) IS
反 向
反向特性 O
正向特性 Vth uD /V
Vth = 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管)
V Vth
iD 急剧上升
击 穿
死区 电压
VD(on) = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V (0.2 0.4) V 锗管 0.3 V
输出端
uS ~
Au
Ro
输出端
u’o
输出电阻的定义：
.
Ro
=
U’o
.
I’o
RL =∞ ,