第二章模拟电路(康华光)课后习题答案
模拟电子技术课后习题答案康华光等编

模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压(2)求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时,则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即~。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,VAO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为-6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
解图a:将D断开,以“地”为电位参考点,这时有D被反偏而截止。
图b:将D断开,以“地”为参考点,有D被反偏而截止。
图c:将D断开,以“地”为参考点,有D被正偏而导通。
,D2为硅二极管,当 vi= 6 sinωtV时,试用恒压降模型和折线模型(Vth = V,rD=200Ω)分析输出电压 vo的波形。
解(1)恒压降等效电路法当0<|Vi |<时,D1、D2均截止,vo=vi;当vi≥时;D1导通,D2截止,vo=0.7V;当vi ≤时,D2导通,D1截止,vo=-0.7V。
vi与voth =0.5V,rD=200Ω。
当0<|Vi|<0.5 V时,D1,D2均截止,vo=vi; vi≥0.5V时,D 1导通,D2截止。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编

模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压(2)求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时,则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即~。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,VAO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为-6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有D 被反偏而截止。
图b :将D 断开,以“地”为参考点,有D被反偏而截止。
图c:将D断开,以“地”为参考点,有D被正偏而导通。
,D2为硅二极管,当 v i= 6 sinωtV时,试用恒压降模型和折线模型(V th= V,r D=200Ω)分析输出电压 v o的波形。
解(1)恒压降等效电路法当0<|V i|<时,D1、D2均截止,v o=v i;当v i≥时;D1导通,D2截止,v o=0.7V;当v i≤时,D2导通,D1截止,v o=-0.7V。
v i与v o=0.5V,r D=200Ω。
当0<|V i|<0.5 V时,D1,D 2均截止,v o=v i; v i≥0.5V th时,D1导通,D2截止。
数电课后答案康华光

数电课后答案康华光第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 (ms)解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4(2)127 (4)2.718解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43 (3)254.25解:(43)D=(01000011)BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28(1)+ (2)@ (3)you (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非, (b)为同或非,即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3)A B AB AB ⊕=+(A ⊕B )=AB+AB由最右边2栏可知,A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
模拟电子技能技术总结 课后习题答案 康华光等编

精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压 (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1T =300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b :图c 15V ,故D 2图d -6V .故2.4.4解图a D 图b :将D 图c D 2.4.71,解(1当0<|V i 0. 7V (2D 2均截止,v o=v i ;v i ≥0.5V 时,D 1导通,D 2截止。
v i ≤-0.5V 时,D 2导通,D 1截止。
因此,当v i ≥0.5V 时有 同理,v i ≤-0.5V 时,可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2.4.7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2.4.8a 所示,设输入电压v I (t )波形如图b 所示,在0<t <5ms 的时间间隔内,试绘出v o (t )的波形,设二极管是理想的。
解v I (t )<6V 时,D 截止,v o (t )=6V ;v I (t )≥6V 时,D 导通 电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。
(a )画出它的传输特性;(b )若输入电压v I =v i =20sin ωtV ,试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解(a )画传输特性0<v I <12V 时,D 1,D 2均截止,v o =v I ; v I ≥12V 时,D 1导通,D 2截止-10V <v I <0时,D 1,D 2均截止,v o =v I ; v I ≤-10V 时,D 2导通,D 1截止传输特性如图解2.413中a 所示。
(b )当v o =v I =20sin ωtV 时,v o 波形如图解2.4.13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2.5.2所示,假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
模拟电子技术习题解答(康华光版)

3. C位置:发射结反偏,截止,IC=0。
习题3.3.2
• (a):放大。 • (b):放大。 • (c):饱和。 • (d):截止。 • (e):饱和。
习题3.3.6
2. AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω
3. Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV
习题3.7.1
1. |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz
2. f=fH=fL时,|AVM|=57db
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=-9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈,,但使整r体if提性高能,下降, 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接,到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能,因为是正反馈,应交 换运放正负极。
• (b):不能,应交换R 和RL
1. VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V;
2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K), RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
模拟电路第二章课后习题答案word精品

第二章习题与思考题♦题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。
EP2-1解:(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏) ;(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏) ;(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏) ;(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置;(i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。
本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理U1♦题2-2试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设电路中的电容均足够大, 变压器为理想变压器解:-O +v ccRA営&本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。
(c)+交紇诵聲十W白浙!SAOO1卩a浦诵踣I交说通路(1 •:)1BQ1CQ♦题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变, 分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的 I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。
① 增大Rb;②增大VCC ③增大3。
解:①Rb =■ 1 BQ■ 1 CQ ■ ~ U CEQ② V cc = 1BQ = 1 CQ = UCEQ ( =V CC- R c 1 CQ )不疋I BQ 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对 Q 点的影响♦题2-4在图2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其他参数不变,分别改1BQCQ BQ■I B QUCEQ — V CC - 1 CQ R C1CQ=V cc变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的 I BQ 、 I CQ 、U CEQ 、「be 和| A u|将增大、减小还是不变。
模拟电路第二章课后习题答案

第二章习题与思考题◆题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。
解:(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏);(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏);(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏);(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置;(i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。
本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。
◆题2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。
解:本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。
◆题2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。
①增大Rb ;②增大VCC ;③增大β。
解:①CEQCQBQb UI I R ②不定)(CQc CCCEQ CQBQCCI R V U I I V ③CCCQBQ V I I 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。
◆题2-4 在图 2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 、r be 和||u A 将增大、减小还是不变。
①增大R b1;②增大R b2;③增大Re ;④增大β。
解:bCC bCCbBEQCCBQR V R V R U V I 7.0BQBQ CQ I I I CCQ CC CEQR I V UCC b b b BQV R R R U211eBEQBQeEQEQCQ R U UR UI I )(e CCQ CCe EQ C CQ CC CEQR R I V R I R I V UCQBQI IbeLc io ur R R UU A //EQbb beI mV r r )(26)1('①||1u beCEQBQEQCQ EQBQb A r UI I I UUR ②||2u beCEQBQEQCQEQBQb A r U III UUR ③||u beCEQBQEQCQ e A r UI I I R ④基本不变或略增大基本不变基本不变||u beCEQBQEQCQA r UI II 本题的意图是理解分压式稳定Q 放大电路中各种参数变化时对Q 点和电压放大倍数的影响。
模电课后(康华光版)习题答案2

第二章部分习题解答2.4.6 加减运算电路如图题8.1.3所求,求输出电压v o 的表达式。
解 : 方法一:应用虚短概念和叠加原理。
令 v s3=v s4=0,则212211245s s s f s f ov v v R R v R R v --=--='再令v s1=v s2=0,则4343534533543541131165.7205.71210124||||||||s s s s s p v v v v vs R R R R R v R R R R R v +=+++=+++=434321445122511131164.15501||1s s s s pf o v v v v v R R R v +=⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=''图题8.1.3将ov '和o v ''叠加便得到总的输出电压432144512251245s s s s o o o v v v v v v v ++--=''+'= 方法二:用虚断列节点方程54433221R v R v v R v v R v v R v v R v v p ps ps f o N N s N st =-+--=-+-令v p =v N联立求解上述方程,结果与方法一相同。
2.4.2 图题8.1.7为一增益线性调节运放电路,试推导该电路的电压增益)(21I I oV v v v A -=的表达式。
解: A 1、A 2是电压跟随器,有2211,I o I o v v v v ==图题8.1.7利用虚短和虚断概念,有⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧=-=-=-=-3343424313223131p N oo o p p o N N o v v v R R v R v v R v v R v R v v将上述方程组联立求解,得oo o v R R R v R v R ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=-4312212,故314221R R R R v v v A I I o V -=-=2.4.1 一高输入电阻的桥式放大电路如图题8.1.8所示,试写出v o =f(δ)的表达式⎪⎭⎫ ⎝⎛∆=R R δ。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
模拟电路(康光华)第二章课后习题答案2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
图b :将D 断开,以“地”为参考点,有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=⨯Ω+Ω+-⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
图c :将D 断开,以“地”为参考点,有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.015)525(520)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω-=D 被正偏而导通。
2.4.7电路如图题2.4.7所示,D 1,D 2为硅二极管,当 v i = 6 sin ωtV 时,试用恒压降模型和 折线模型(V th =0.5 V ,r D =200Ω)分析输出电压 v o 的波形。
解 (1)恒压降等效电路法当0<|V i |<0.7V 时,D 1、D 2均截止,v o =v i ;当v i ≥0.7V 时;D 1导通,D 2截止,v o = 0. 7V ;当v i ≤0.7V 时,D 2导通,D 1截止,v o =-0.7V 。
v i 与v o 波形如图解2.4.7a 所示。
(2)折线等效电路如图解2.4.7b 所示,图中V th =0.5V ,r D =200Ω。
当0<|V i |<0.5 V 时,D 1,D 2均截止,v o=v i ; v i ≥0.5V 时,D 1导通,D 2截止。
v i ≤-0.5 V 时,D 2导通,D 1 截止。
因此,当v i ≥0.5V 时有th D Dthi O V r r R V V v ++-=V V VV om 42.15.0200)2001000()5.06(≈+⨯Ω+-=同理,v i ≤-0.5V 时,可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2.4.7c 所示。
2.4.8 二极管电路如图题 2.4.8a 所示,设输入电压v I (t )波形如图 b 所示,在 0<t <5ms 的时间间隔内,试绘出v o (t )的波形,设二极管是理想的。
解 v I (t )<6V 时,D 截止,v o (t )=6V ;v I (t )≥6V 时,D 导通V t v V V t v t v I I O 3)(216200)200200(6)()(+=+⨯Ω+-=2.4.13 电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。
(a )画出它的传输特性;(b )若输入电压v I =v i =20 sin ωt V ,试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o 的波形。
解 (a )画传输特性0<v I <12 V 时,D 1,D 2均截止,v o =v I ; v I ≥12 V 时,D 1导通,D 2截止V v V k k v k k v I I O 43212)126(6)126(12+=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=-10V <v I <0时,D 1,D 2均截止,v o =v I ;v I ≤-10 V 时,D 2导通,D 1 截止31032)10()126(6)126(12-=-⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=I I O v V k k v k k v传输特性如图解 2.4 13中 a 所示。
(b )当v o =v I =20 sin ωt V 时,v o 波形如图解2.4.13b 所示。
2.5.2 两只全同的稳压管组成的电路如图题2.5.2所示,假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
试绘出它的传输特性。
解 当| v I |<(Vz +V th )时,D zl 、D Z2均截止,v o =v I ; | v I |≥(Vz +V th )时,D zl 、D Z2均导通th Z d dthZ I O V V r r R V V v v ++⋅+--=传输特性如图解2.5.2所示。
第三章3.1.1 测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为 V A =-9 V ,V B =一6 V ,Vc =6.2 V ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ,并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。
解 由于锗BJT 的|V BE |≈0.2V ,硅BJT 的|V BE |≈0.7V ,已知用BJT 的电极B 的V B =一6V ,电极C 的Vc =–6.2 V ,电极A 的V A =-9 V ,故电极A 是集电极。
又根据BJT 工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电极B 是发射极,电极C 是基极,且此BJT 为PNP 管。
3.2.1试分析图题3.2.1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。
并简述理由。
(设各电容的容抗可忽略)解 图题3.2.la 无放大作用。
因R b =0,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏管子;另一方面使输人信号v i 被短路。
图题3.2.1b 有交流放大作用,电路偏置正常,且交流信号能够传输。
图题3.2.lc 无交流放大作用,因电容C bl 隔断了基极的直流通路。
图题3.2.id 无交流放大作用,因电源 V cc 的极性接反。
3.3.2 测量某硅BJT 各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。
(a )V C =6 V V B =0.7 V V E =0 V (b )V C =6 V V B =2 V V E =1.3 V (c )V C =6 V V B =6V V E =5.4 V (d )V C =6 V V B =4V V E =3.6 V (。
)V C =3.6 V V B =4 V V E =3. 4 V 解(a )放大区,因发射结正偏,集电结反偏。
(b )放大区,V BE =(2—l .3)V =0.7 V ,V CB =(6-2)V =4 V ,发射结正偏,集电结反偏。
(C )饱和区。
(d )截止区。
(e )饱和区。
3.3.5 设输出特性如图题 3.3.1所示的 BJT 接成图题 3.3.3所示的电路,具基极端上接V BB =3.2 V 与电阻R b =20 k Ω相串联,而 Vcc =6 V ,R C =200Ω,求电路中的 I B 、I C 和 V CE 的值,设 V BE =0.7 V 。
解 mA R V V I bBEBB B 125.0=-==由题3.3.1已求得β=200,故 mA mA I I B C 25125.0200=⨯==βV I V V CC CE 1R C C =-=3.3.6 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求: (1)电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值;(2)电阻R b 、R C 的值;(3)输出电压的最大不失真幅度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?解 (1)由图3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc 值的大小,故Vcc= 6 V 。
由Q 点的位置可知,I B =20µA ,I C =1 mA ,V CE =3 V 。
(2)由基极回路得: Ω=≈k I V R BCCb 300 由集-射极回路得 Ω=-==k I V V R CCECC C 3(3)求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知,在输人信号的正半周,输出电压v CE 从3V 到0.8V ,变化范围为2.2V ;在输入信号的负半周,输出电压v CE 从3V 到4.6V ,变化范围为1.6V 。
综合起来考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V 。
(4)基极正弦电流的最大幅值是20 µA 。
3.4.1 画出图题3.4.1所示电路的小信号等效电路,设电路中各电容容抗均可忽略,并注意标出电压、电流的正方向。
解 图题3.4.1所示各电路的小信号等效电路如图解3.4.1所示。
3.4.2单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT 的电流放大系数β=50。
(1)估算Q 点; (2)画出简化 H 参数小信号等效电路;(3)估算 BJT 的朝人电阻 r be ;(4)如输出端接入 4k Ω的电阻负载,计算i O V V V A &&&=及SO VS V V A &&&=。
解(1)估算Q 点A R V I bCCB μ40=≈mA I I B C 2==β V R I V V C C CC CE 4=-=(2)简化的H 参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。