晶体管测试仪作业指导书
QT2晶体管测试仪.

仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 页码 8/6 KTD 操作指导书 A/0 被测管2012/05/22 生效日期二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压,并且通过 Y 电流/度及 X 电压/度的选择,使其在示波管上显示所要的测量值。
本仪器提供了二种测试手段,当反压小于 500V 电流小于 5mA 时,可在上述的三极管测试中,利用 C、E 二极进行正向和反向测试,当反压小于 500V 电流小于 5mA 时,可在专用的二极管测试插孔中进行测试。
在小于500V 二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换,当置于“NPN”档二极管特性测试示波器取样电阻示波管操级时,其集电极插孔为正电压,置于“PNP”档级时,集电极插孔为负电压。
而在 3000V 二极管测试中其极性不变,可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。
二极管的测试方法: 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连,在特殊的情况下也可用合适的耐高作 B 8-1 B 8-2 图 B8-1 调压变压器 B8-2 高压变压器压线与插孔相连,被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。
2. 3. 将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级,此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。
示将 Y 电流/度置于 IB 范围内的合适档级,并将X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。
图(6 4.按入“测试”按钮,并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。
5.由于高压测试插孔中具有高压,因此在按入“测试”按钮时,切勿接确测试插孔的任一端。
变更履历标记日期编制审核备注:核准审核编制仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗限制电阻页码 8/7 KTD 操作指导书 A/0 2012/05/22 生效日期场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS,最大漏源电流(IDSM饱和漏源电流被测管示波管放大器 (IDSS夹断电压(VP跨导(gM,最大电源电压(BVDS等参数进行测试。
QT2晶体管特性图示仪操作规范

编制| | 审核| | 批准| 」发行日期文件类型仪器名称资料编号版次页次仪器作业指导书QT2型晶体管特性图示仪2/3电压(并使电压从左下方的零点开始),当电压达到某一值时电流变大,读出曲线转折点时的电压值(32V左右)即为此触发管的触发电压。
3.3.3 稳压管2CW37-6.2测试测稳压值:将稳压管的正极插入测试盒E孔,负极插入C孔。
调节参数:功耗电阻250 Q,集电极电压输出选择10V,Y轴电流/度1mA X轴电压/度1V,幅度级5UA, “输入”开关正常,阶梯10级,极性选择NPN.测试:开关拨至相应测试端,慢慢调节峰值电压(并使电压从左下方的零点开始),当电压达到某一值时电流变大,读出曲线转折点时的电压值( 6.4V左右)即为此稳压管的稳压值3.3.4 压敏电阻测试测击穿电压:将压敏电组两脚分别插入测试盒C孔和E孔(若标称电压高于500V需在高压测试盒内进行,按1N4007二极管测试)。
参数调试:功耗电阻100K Q,集电极输出电压根据压敏电阻的标称值适当选取,X轴电压/度选取适当的档级,Y轴电流/度50卩A。
测试:开关拨至相应测试端,慢慢调节峰值电压(并使电压从左下方的零点开始),当电压达到某一值时,电流突然增大,读出曲线转折点时的电压值即为压敏电阻的击穿电压。
3.3.5 13003 三极管测试3.3.5.1测放大倍数HFE将三极管按脚位要求插入相应的位置;集电极电压输出选择10V;极性选择NPN,(如是PNP型则需选择PNP);功耗电阻200Q, Y轴电流/度1MA,X轴电压/度1V,幅度级20UA, “输入”及“作用”开关选正常;阶梯10级。
测试:开关拨至相应测试端,顺时针旋转“峰值电压” 旋钮,逐渐加大;显示屏出现一组曲线,就是三极管特性曲线;IC读数:电流档位指数1000MAXY轴格数4.5,IB读数:阶梯信号电流档指数20UA X簇数10,HFE计算公式:IC/IB=22.5。
JL294-3晶体管测试仪

测试方法:1、测试操作步骤:(本说明以JL294型仪表为例)①开机;按下K1键使仪表工作②置K2键(PNP与NPN功能转换键)与被测管极性相符位置,将被测管与测试插座可靠连接。
③测试:按下需测试功能对应的按键,读出被测数。
注意:测试时K3~K12之间不准同时按下二个键!④关机;按K1,切断仪表电源。
2、各种三极管测试方法及图示:图中K2置NPN位置,测试PNP三极管时将K2(JL295型为K1)键置PNP位置,管脚接法与图一样。
①为了保证测试的准确性,建议使用外接6V 3A直流稳压电源。
②将三极管管脚按图示插入测试插座。
③仪表K3、K4档用于测试三极管VBR(耐压值),测试电压分别为0~1999V和0~199.9V;按下相应档位的开关,仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO 及VCE、VBC、VBE的耐压值。
④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE(sat)(共发射极饱和压降)。
Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA;Ib电流分别为200mA、30mA、1mA;测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关,表头显示相对电流下三极管的压降值。
提示:对同一型号的三极管,在相同电流档下测试,饱和压降值越小越好。
提示:小功率三极管不要用大电流档进行测试。
⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE(共发射极直流放大系数)。
Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA;通过逐档测试可以观察三极管的放大线性,测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。
提示:测试时应根据被测三极管的功率大小,先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档(要防止测试电流过大而损坏小功率管),表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。
注1:如果测试电流增大,被测三极管的放大系数不变或增大则说明被测管能在大电流的工作条件下使用;相反,如果随着测试电流的增大而被测三极管的放大系数减小,则说明被测管不能在大电流的工作条件下使用;如果表头显示的测试值不断变动,则说明该三极管不能承受该档的工作电流。
晶体管的特性测试仪作指导书ZC0909-18-SB

4.术语
4.1.二极管反向击穿电压:VR;
4.2.二极管反向漏电流:IR;
4.3.二极
4.5.三极管基极和发射极的反向电压:VBEO;
4.6.三极管集电极和发射极的反向电压:VCEO;
4.7.三极管放大倍数:HFE;
5.记录符号:∨表示良好×表示异常
2.每周最后一个工作日进行保养
6.本表要求在车间切实落实,实施,如实填写,有问题立即汇报主管
3.月实施情况由公司主管在每月1日完成
7.每月一号将上月完成的表单交由本部门文员存档(保期1年),并打印新表单填写
4.需数字记录的必须记录数值
SHEET NO:R630-10A
9.4.“峰值电压%”没有回到0点时,禁止调动任何按钮及切换任何档位;
9.5.在测试单个晶体管时,应直接使用夹具上的“左”或“右”;,避免使用“二簇”状态;
9.6.正确使用“阶梯调零”、“零电流”、“零电压”等开关;
9.7.正确使用集电极部分+/-级:NPN型为+级;PNP型为—级;
9.8.正确使用阶梯信号部分的+/-级:NPN型为+级;PNP为-级;
5.3.VCEO测试
8.3.1.将基极(B)短路;
文件编号
ZC0909-18-SB
版本/次
A/0
实施日期
2009年9月5日
页码
4/4
5.7.3.二簇:按入时交替显示左、右两端晶体管的特性曲线;
8.3.2.峰值电压范围按规格选择合适档位;
8.3.3.X轴调至10~50V或适合档位;
8.3.4.Y轴调至0.5~0.1mA适合档位;
5.2.3.增益:Y放大器的灵敏度校准电位器;
5.2.4.移位:Y放大器的移位电位器;
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)

操作规范(HZ4832晶体管测试仪)深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-1品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅目一、目的(Purpose)二、范围(Scope)录(directory)三、注意事项(Attention)四、使用方法(Usemethod)五、测试实例说明(TestCaseSpecification)修订日期2019.9.3版次修订内容B首次发行制定彭礼审核核准日期深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-2品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅一、目的为使晶体管检测仪有一定的操作方法,标准与步骤依循。
二、范围适用于:HZ4832。
三、注意事项1.在测量三极管的输出特性时,阶梯电流就不能太小,否则,不能显示出三极管的输出特性。
阶梯电流更不能过大,这样容易损坏管子,应根据实际测量三极管的参数来确定其大小。
2.“集电极功耗电阻”的选用当测量晶体管的正向特性时,选用低阻档;当测量反向特性时,选用高阻档。
集电极功耗电阻过小时,集电极电流就过大;若集电极功耗电阻过大,就达不到应该有的功耗。
3.仪器工作电压超过36V,注意用电安全。
4.在使用过程中一定要先确定待测元件的特性参数,以免损坏元件和实验仪器。
5.在显示调节聚焦和辉度时以屏幕显示适中为佳,过焦过亮会缩短示波管寿命。
6.元件测试过程中切勿用手接触裸露带电部位,以免造成数据失真和人身安全。
7.元件测试参照测试实例调节相应参数。
四、操作步骤与方法如下1.仪器使用前准备工作1.1确认输入电源电压并可靠接通仪器,确认仪器电源开关未被拉出,确认测试台和转换座可靠连接在实验仪上。
1.2开机预热2-3分钟,调整显示屏聚焦和辉度,以显示适中为佳。
1.3对应测试元件选择合适的转换座接入测试台。
2.使用仪器测试2.1按元件极性接入相应的测试台或转换座,调整仪器,以特性曲线正确显示在屏幕中央为准。
QT2晶体管图示仪使用操作方法

QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示:由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压,本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档,峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项:1、严格按照BOM上的直流参数进行,本机可输出5KV的高压档位设定;特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM,集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER,集电极最大允许电流ICM等主要指标;2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置;3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压,同时将峰值电压旋至零,输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值,同时将X、Y偏转开关置于合适的档级,此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则;4、对被测管进行必要的结算,以选择合格的X阶梯电流或电压,此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率;5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜,以免被测管的电流击穿;6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况,不应超过本仪器规定的最大电流,具体数据列表如下;电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A(10A)档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节:1、开启电源:将电源开关向右方向按动,此时白色指示灯亮,待预热十分钟后立即进行正常测试;2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度:将示波管会聚成一清晰的小光点,标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则;3、Y、X移位:对Y、X档位旋钮置于中心位置,此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方(NPN)或右上方(PNP)。
QT2晶体管图示仪作业指导书

把峰值電壓調節器調至規定VCE測試電壓1.2倍左右。
g
把測試選擇開關打至測試的那邊。
5.5.3
測試
a
b
調好圖示儀后﹐一定要帶好手套或指套才可測試。
測試時﹐IB檔位根據IC顯示的是否符合測試的電流作調整﹐如果IC電流過大﹐把IB打至較小檔次﹔IC電流過小﹐把IB打至較大檔次。
c
當顯示的電壓值達不到VCE測試的電壓值﹐可降低功耗電阻值來調節。
5.4.2
圖示儀調整
a
先調試X軸﹐根據規格書最小耐壓﹐一般按除以5算出的
電壓值﹐把X軸打到VCE檔位上與其最接近檔位﹔
b
Y軸電流統一打到100uA或50uA的檔位上﹔
c
功耗電阻置于50K或100K檔位上﹔
d
峰值電壓打至超過最小耐壓1.2倍檔位上﹔
e
把峰值電壓調節器調至大于最小耐壓1.2倍電壓﹔
f
把測試選擇開關打至測試的那邊。
4.0
要求
4.1
測試前應了解對被測管的主要直流參數極限值(耗散功率Pcm,集電極電流Icm和反向擊穿電壓Bvcbo,Bvceo,Bvebo等)﹐測試時避免超過極限值而造成燒壞。
5.0
操作指導
5.1
開機
5.1.1
開機前將峰值電壓調節器逆時針方向調至零﹐將測試選擇開關置于“關”。
5.1.2
把台面清理干淨。
版本
修訂章節
修訂內容
日期
A
初版
2006/3/29
審核與批淮
製件人
江明霞
品管部
黃裕梅
工程部
葉學華
營運經理
肖興陽
正版
受控副本
非受控副本
1.0
数字存储晶体管特性图示仪作业指导书

阶 梯 档 位 :“ 电 流 /
23
10mA)+阶梯偏置值,如:1.0V/级,则阶梯电压范围(0-10V)+阶梯
级”或“电压/级”
偏置值。
电源极性
切换扫描电源极性:NPN(正)/PNP(负)/交流
切换测试模式:重复/单次。注:垂直档位(电流/格)≥5.0A/格,
测试模式
或阶梯档位(电流/级)≥0.5A/级时,会自动切换到单次测试,以保
晶体管特性图示仪操作指导书
文件编号
SSL-W-WI-QC-048
版本
1.0
拟制/日期 审核/日期 批准/日期
页码
/2013 年 1 月 7 日
5/6
22 阶梯极性
切换阶梯极性:NPN(正)/PNP(负)。注意:切换电源极性时,阶梯极 性也会自动改变。某些应用需要单独切换阶梯极性,则按该键。
选择阶梯电流或阶梯电压值,如:1.0mA/级,则阶梯电流范围(0-
键
24
存储
盘
读出
屏幕上,直到各设置参数被改变。 用于存储图形及参数,具体操作见后面详解。 用于读出图形及参数,具体操作见后面详解。
取消
取消当前的操作,具体操作见后面详解。
确认
确认当前的操作,具体操作见后面详解。
设置
进入设置状态,具体操作见后面详解。
筛选
选择筛选内容:β /gm 筛选、电压筛选、电流筛选
垂直移位 Y0=0
D
水平:(电压/格)2.0V/格
水平移位 X0=0
B
G
阶梯:(电压/级)1.0V/级
S
阶梯偏置 Z0=-1.0V~+1.0V E 阶梯模式:电压正常
阶数:10 级
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集电极电源
峰值电压范围
0~100V
集电极电压调节
0
极性
PNP-
功耗电阻
250Ω
X轴
VC(电压/度)
10V/度
X工作方式选择开关
-(下)
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度
Y工作方式选择开关
-(下)
2.4.2按E、C插好被测晶体管。
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1V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
1μA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
集电极电压调节从0慢慢加大至于100%,调节电容平衡电位器(R608,R601)使屏幕上Y向图形达到最小值即可。
1.6集电极电压检查(调节方法:面板上开关位置按下表设置)
集电极电源
极性
NPN+
功耗电阻
0
X轴
X工作方式选择开关
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Rev1.0
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核准
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周伟芳
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1.5电容性电流平衡(调节方法:面板上开关位置按下表设置)
集电极电源
峰值电压范围
0~5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
1KΩ
X轴
VC(电压/度)
核准
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2.2NPN型2N3055晶体管的测试
2.2.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0~5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
2.50Ω
X轴
VC(电压/度)
0.5V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
集电极电源
峰值电压范围
0~3KV
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC(电压/度)
300V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
2.3.2按B、C插好被测晶体管。
2.3.3按0-3KV按通开关(S604),集电极电压从0慢慢加大。
2.4 PNP型8550晶体管的测试
1V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
1μA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
阶梯信号
极性
+
方式
重复
输入
正常
集电极电压调节从0慢慢加大到100%,用Y轴移位将扫描线与第一条线度线重合,然后将Y轴-IC(电流/度)打至阶梯位置,屏幕上出现十一条扫描线,调节调零电位器,使第一条扫描线与第一条刻度线重合。
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
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2.7.2按E、C插好被测晶体管。
2.7.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.5.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.6硅整流二极管IN4001的测试
2.6.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0~10V
集电极电压调节
0
极性NPN+功耗来自阻250ΩX轴
VC(电压/度)
0.1V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
2.6.2按E、C插好被测晶体管。
0~5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC(电压/度)
0.5V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
阶梯信号
极性
-
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
0.2V/级
级/族
10
2.5.2按E、B、C插好被测晶体管。
2.5.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
1.2调节辉度聚焦、辅助聚焦(调节方法:面板上开关位置按下表所示设置)。
集电极电源
峰值电压范围
0~5V
集电极电压调节
0
功耗电阻
1KΩ
X轴
VC(电压/度)
0.5V/度
X工作方式选择开关
┴(中)
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度
Y工作方式选择开关
┴(中)
X、Y位移
X、Y位移旋钮置于中心位置
1.3 Y、X灵敏度分别进行10度校准
50mA/度
Y工作方式选择开关
+(上)
阶梯信号
极性
+
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
200μA/级
级/族
10
2.2.2按E、B、C插好被测晶体管。
2.2.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.2.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.3NPN型MJ13005晶体管的测试
2.3.1面板上开关位置按表设置。
极性
-
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
500μA/级
级/族
10
2.8.2按E、B、C插好被测晶体管。
2.8.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.8.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.“集电极功耗电阻”的选用
当测量晶体管的正向特性时,选用低阻档;当测量反向特性时,选用高阻档。集电极功耗电阻过小时,集电极电流就过大;若集电极功耗电阻过大,就达不到应该有的功耗。
四、操作步骤与方法如下:
1.测试前的开机与调节
1.1开启电源按下电流开关,此时指示灯亮,待预热十分钟后可以进行正常测试。在必要时测量进线电压以在220V±10%的范围内为宜。
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Rev1.0
变更事项
日期
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2.4.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.4.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.5 N沟导耗尽型3DJ7G晶体管的测试。
2.5.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
2.6.3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2.6.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.7稳压二极管BZX-55-C8V2的测试
2.7.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0~100VAC
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC(电压/度)
2V/度
X工作方式选择开关
+(上)
+(上)
Y轴
Y工作方式选择开关
(中)
在进行测量前应检查集电极电压的输出范围,检查时将VC置于相对应档级,当发现将峰值电压顺时针方向最大时,其输出符合下表范围即正常,如小于上述规定则检查进线电压。
峰值电压范围
X作用开关(VC)
水平显示幅度
5V
1V/div
>7div
50V
5V/div
>10div
100V
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一、目的
为使晶体管检测仪有一定的操作方法、标准与步骤依循。
二、范围
光电部门的晶体管检测仪。
三、注意事项
1.使用时要正确选择阶梯信号
在测量三极管的输出特性时,阶梯电流就不能太小,否则,不能显示出三极管的输出特性。阶梯电流更不能过大,这样容易损坏管子。应根据实际测量三极管的参数来确定其大小。
2.7.4集电极电压调节从0慢慢加大。
2.8可控硅M10LZ47的测试。
2.8.1面板上开关位置按表设置。
集电极电源
峰值电压范围
0~50V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250Ω
X轴
VC(电压/度)
2V/度
X工作方式选择开关
+(上)
Y轴
IC(电流/度)
1mA/度