flash memory

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flash_memory讲解

flash_memory讲解

芯片封装技术
芯片封装形式主要以下几种:DIP,TSOP, PQFP,BGA,CLCC,LQFP,SMD,PGA, MCM,PLCC等。
DIP封装
定义: DIP封装(Dual In-line Package),也叫双列直插式 封装技术,双入线封装,DRAM的一种元件封装形 式 DIP封装具有以下特点:
图1 存储器系统示意图
图 2 Flash 存储器示图
Flash存储器的厂家
全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、 ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、 Micron、Mitsubishi、Samsung、SHARP、 TOSHIBA,由于各自技术架构的不同,分为 几大阵营
NAND FLASH
特点: NAND技术Flash Memory具有以下特点:(1)以页为 单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字 节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或 16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间 是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。(2) 数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读 取速度慢且不能按字节随机编程。(3)芯片尺寸小, 引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将 很快突破每兆字节1美元的价格限制。(4)芯片包含 有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储 器密度)
Flash Memory
Flash存储器的介绍 Flash存储器的厂家 Flash存储器的种类
定义:
1、 FLASH存储器又称闪存,它结合了 ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可 编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数 据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势), U盘和MP3里用的就是这种存储器。 2、对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写 和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除, 或者全部擦除。

闪存卡简介

闪存卡简介

(一)各类闪存卡介绍所谓闪存卡(Flash Card):它是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器,一般应用在数码相机,掌上电脑PDA,MP3等小型数码产品中作为存储介质,样子小巧,有如一张卡片,所以称之为闪存卡。

闪存技术:闪存的英文名称是”Flash Memory“,一般简称为“Flash”,它也属于内存器件的一种。

不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:(1)目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存则是一种不挥发性(Non-Volatile)内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘(2)闪存的存储密度比各类DRAM都高得多,有较高存储容量的同时还能保持袖珍的体积,耗电量也相当低。

它的缺点是读写速度较慢,因此不可能作为电脑的主内存,但对移动存储器、数码相机、掌上电脑、MP3播放器之类的设备来说,这个速度并不算太慢分类:根据内部电路的逻辑结构不同,闪存主要可分为NOR(异或)和NAND(与非)两大类,前者为Intel公司在1988年发布,后者为东芝公司在1989年首次推出。

两者在结构和特性上存在较大的差异:(1)NOR型闪存的存储单元采用并行排列,储存块大小在64到128KB之间,其存储结构和读写方式都与大家常用的内存相近。

NOR闪存具有读速度快、故障率少、可擦写次数高等优点,此外它还具有独一无二的“芯片内执行”(XIP,eXecute In Place)特性:也就是应用程序可在NOR型闪存内直接运行、而不必像其他类型产品一样将代码读到系统内存后方能操作。

该特性使NOR型闪存很适合用作嵌入式代码存储,这类应用包括手机、PDA或其他嵌入式家电的操作系统。

不过在容量、写入/擦除速度等指标方面NOR闪存就较显逊色。

(2)NAND闪存的存储单元则采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块,NAND的存储块大小为8到32KB),这种结构最大的优点在于容量可以做得很大。

EMMC

EMMC
eMMC&DDR2学习
东 方 拓 宇
第一节 什么叫FLASH
Flash Memory中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失 性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存 储器。 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash。
FLASH的分类:

NOR FLASH和NAND FLASH
eMMC的优势



闪存Flash的制程和技术变化很快,特别是TLC技术和制程下 降到20nm阶段后,对Flash的管理是个巨大挑战,使用eMMC 产品,主芯片厂商和客户就无需关注Flash内部的制成和产品 变化,只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样 可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。 eMMC可以很好的解决对MLC和TLC的管理,ECC除错机制 (Error Correcting Code)、区块管理(Block Management)、平 均抹写储存区块技术(Wear Leveling)、区块管理(Command Management),低功耗管理等。 eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash芯 片的时间,不必关心NAND Flash芯片的制程技术演变和产品 更新换代,也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash闪存芯 片,如此,eMMC可以加速产品上市的时间,保证产品的稳定 性和一致性。
eMMC技术发展


eMMC规格的标准快速演进,从eMMC V4.3发展到V4.4,V4.41,eMMC V4.5陆续问世,eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics) 主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒,会把Mobile RAM等芯片 功能都涵盖。目前最通行的eMMC V4.41在原标准4.3基础上做了很多改 进,包括两倍于前代产品的存储器接口性能、灵活的分区管理和完善的 安全备选方案,高级终断接口(HPI)等。eMMC的4.4版,接口速度可达 104MB/s 。 eMMC会持续改版至4.5版,之后由UFS 1.0版接手。我们将UFS视为一种 衔接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口标准,预期未来初期将在智能型 手机及平板计算机等新兴智能型移动装置上,成为嵌入式储存媒体的主 要的应用标准之一。UFS将提供极高的速度,接口速度可达300MB/s , 以即时高速存储大型多媒体文件,同时在消费电子设备上使用时降低功 耗。

闪速存储器

闪速存储器

闪速存储器一、闪速存储器的特点闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器,当供电电源关闭时片内信息随即丢失。

Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点:与EPROM相比较,闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程,而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作);与EEPROM相比较,闪速存储器具有成本低、密度大的特点。

其独特的性能使其广泛地运用于各个领域,包括嵌入式系统,如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件,同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品,如数字相机、数字录音机和个人数字助理(PDA)。

二、闪速存储器的技术分类全球闪速存储器的主要供应商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA,由于各自技术架构的不同,分为几大阵营。

1 NOR技术NORNOR技术(亦称为Linear技术)闪速存储器是最早出现的Flash Memory,目前仍是多数供应商支持的技术架构。

它源于传统的EPROM器件,与其它Flash Memory技术相比,具有可靠性高、随机读取速度快的优势,在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合,尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,如PC的BIOS 固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。

NOR技术Flash Memory具有以下特点:(1)程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行;(2)可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。

Spansion

Spansion

8 Mb
16 Mb
32 Mb
64 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb
S25FL032P S25FL064P S25FL129PS70FL256P S25FL128SS25FL256S
并行Flash —— 3.3V GL系列
3.0V Page Mode GL
Value & Performance
Floating Gate NOR Flash Memory Products
AL-J/JL-J/PL-J/FL-K Family (3.0V, 8Mb to 64Mb) AS-J Family (1.8V, 8Mb to 16Mb) F-B/F-D Family (5V, 1Mb to 32Mb )
8 Mb
16 Mb
32 Mb
64 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb
3.3V SPI Flash的USON/WSON & BGA封装
4 Mb
8-contact USON (5x6mm) S25FL032P 8-contact WSON (6x8mm) S25FL032P S25FL064P S25FL128P S25FL256S S25FL129P S25FL128S 24-ball BGA (6x8mm)
90nm FG 2010 In Development 2011 - 2013
Foundry
Spansion各个系列产品
Mirror Bit® NOR Products
GL-P/GL-S/GL-N/FL-P/FL-S Family (3.0V , 16Mb to 2Gb) WS-R/VS-R/NS-R/ Family (1.8V , 32Mb to 512Mb)

SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别

SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别

SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别SRAMSRAM的全称是Static Rnadom Access Memory,翻译过来即静态随机存储器。

这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电,⾥⾯的数据就可以永远保持。

但是当断点之后,⾥⾯的数据仍然会丢失。

由于SRAM的成本很⾼,所以像诸如CPU的⾼速缓存,才会采⽤SRAM。

DRAMDRAM全称是Dynamic Random Access Memory,翻译过来即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。

DRAM 只能将数据保持很短的时间。

为了保持数据,DRAM使⽤电容存储,所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。

FlashFlash内存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,⼜名闪存,是⼀种长寿命的⾮易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位⽽是以固定的区块为单位,区块⼤⼩⼀般为256KB到20MB。

闪存是电⼦可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,EEPROM能在字节⽔平上进⾏删除和重写⽽闪存是按区块擦写,这样闪存就⽐EEPROM的更新速度快,所以被称为Flash erase EEPROM,或简称为Flash Memory。

由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被⽤来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输⼊输出程序)、PDA(个⼈数字助理)、数码相机中保存资料等。

另⼀⽅⾯,闪存不像RAM(随机存取存储器)⼀样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。

NOR Flash与NAND FlashNOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。

Intel于1988年⾸先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)⼀统天下的局⾯。

FLASH芯片

FLASH芯片

FLASH芯片FLASH芯片(Flash Memory Chip),是一种电子存储器件,用于存储和读取数据。

它不同于传统的RAM(随机存储器)和ROM(只读存储器),具有非易失性和可擦写、可重写的特性。

FLASH芯片以其高速传输和存储容量大等优势,广泛应用于各类电子设备中。

FLASH芯片是一种特殊的存储器件,其内部由一系列的闪存单元组成。

每个闪存单元可以存储1位二进制数据,通过将电荷存储在浮动栅中的介电层上来表示数据的0或1。

与传统的ROM不同,FLASH芯片可以通过特定的操作方式对数据进行擦除和重写,而不仅仅只能读取。

FLASH芯片的特点之一是其非易失性。

即使在断电或掉电的情况下,存储在FLASH芯片中的数据仍然会被保留,不会丢失。

这使得FLASH芯片在移动设备和便携式设备等对数据稳定性要求高的场景中得以广泛应用。

另外,FLASH芯片具有可擦写、可重写的特性,也是其广泛应用的原因之一。

传统的ROM存储器只能永久存储,无法修改和擦除,而FLASH芯片可以通过特定的操作方式对存储的数据进行擦除和重写。

这使得FLASH芯片可以用于数据存储和更新,而不需要更换整个芯片。

FLASH芯片还具有高速读取和存储容量大的特点。

相比于传统的硬盘和磁带存储器,FLASH芯片的读写速度更快,可以满足高速数据传输的需求。

同时,由于FLASH芯片内部可以存储大量的闪存单元,因此它的存储容量也相对较大,可以满足存储大量数据的需求。

目前,FLASH芯片广泛应用于各类电子设备中。

在移动设备上,FLASH芯片用于存储操作系统、应用程序和用户数据等。

在数码相机和摄像机中,FLASH芯片用于存储照片和视频等媒体数据。

在固态硬盘(SSD)中,FLASH芯片用于替代传统的机械硬盘,提供更快的读写速度和更稳定的数据存储。

总之,FLASH芯片具有非易失性、可擦写、可重写、高速读取和存储容量大等优势,广泛应用于各类电子设备中。

随着科技的不断发展,FLASH芯片的存储容量和速度还将进一步提高,为数据存储和传输提供更好的解决方案。

快闪记忆体介绍

快闪记忆体介绍

什麽是快閃記憶體什麽是快閃記憶體??快閃記憶體(Flash Memory),是非揮發性記憶體的一種,不需電力來維持數據的儲存。

又可分為NOR Flash 以及NAND Flash 兩種,前者用於儲存程式碼,後者用於儲存數據資料。

快閃記憶體用一個浮動閘(Floating Gate)電晶體來儲存數據,利用每個電晶體所能儲存的資料數量來區分,可以將NAND Flash 區分為兩類:單級儲存(Single Level Cell ,SLC)和多級儲存(Multi Level Cell ,MLC)。

單級儲存具有速度快,耗電量低的優點,但是多級儲存的成本比較低。

【NAND Flash 】NAND Flash 是一種電子式可清除程式化唯讀記憶體的形式,允許在操作中被多次消除或寫入,且NAND Flash 並不需要電力來維持其中的資料,但是每當資料更新時,必須以blocks(= 512 Byte)為單位加以覆寫,而非一個byte、一個byte 寫入。

由於這種記憶體可以非常快速的將資料消除,因此發明者東芝(Toshiba)取其意將它稱為Flash Memory。

而原本NAND Flash 是由EEPROMs 演化而來,但是NAND Flash 價格較便宜且bit 密度較高,加上可以快速更新其中的資料,所以成為EPROMs 的替代品。

而NAND Flash 可分為2種,單層式晶片(Sigle Level Cell)和多層式晶片MLC(Multi-Level Cell),前者是1個陣列儲存1個2進位數位(bit),具有速度快、耗電量低的優點,然多層存晶片的成本比較低。

【NOR Flash 】NOR Flash 是由科技大廠英特爾(Intel)所發展出來的架構,讀取速度較NAND Flash 快很多,且可在單位區塊(Block)上進行讀寫的工作,特性為高電壓、需要較長的抹除時間和可大量的抹除區塊,主要是應用在程式指令的儲存與讀寫上,因此又稱為Code Flash。

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Embedded System Software (Flash Memory)Fall, 2010Outlinen Introductionn NAND and NOR flashl Comparisonl Featuresn NAND flash memory –additional features n Flash softwarel FTL (Flash Translation Layer)l Dedicated flash file systemIntroductionn Embedded storage currently uses flash technology, which provides high-density nonvolatile storagen The advantages of the flash have dramatically increased their usage in embedded systemsl Low powerl High density non-volatile storagel Reliabilityn Shock resistanceNAND and NOR flashn Flash devices come in two flavors:l NAND and NOR flashl Historyn1. Both of them came around the same timel NOR introduced by Intell NAND introduced by Toshiban2. NOR caught up fast with the embedded world becauseof its easy to usen But NAND flash became popular because embeddedsystem evolved to have large storageNAND and NOR flash -Comparisonn Access to datal NORn The data can be accessed at random like SRAMn Operationsl Read routinen Read the contents of the flashl Erase routinen Erase is the process of making all the bits on a flash 1n Erase on the NOR flash happens in terms of blocksl Write routinen Write is the process of converting a 1 to 0 on the flashn Once a bit is made 0, it cannot be written into until the blockis erasedn Access to datal NANDn Divides the storage into blocks, which are divided into pagesagainn Each page is divided into regular data and out-of-band datan Out-of-band data is used for storing metadata such as ECCdata and bad block informationl Small block flash memory (will disappear soon)n Block size: 16KB, page size 512 B, 16 B for spare datal Large block flash memoryn Block size: 128KB, page size 2048 B, 64 B for spare data n Unlike NOR which can access data randomly, the NAND readsand writes are done in terms of pages whereas erase happenin terms of blockn Interface to the boardl NORn These are connected like the normal SRAM device to theprocessor address and data busl NANDn Raw NAND access is done by connecting the data andcommand lines to the usually 8 IO lines on flash chipn Execution of codel NORn Code can be executed directly from NORl NANDn It needs to be copied to memory for executionn Performancel NORn Slow erase, slow write and very fast read l NANDn Fast erase, fast write and fast readCurrent (mA)Access time (4KB)Idle Active Read Write Erase NOR0.07400.023 ms 28 ms 1.2 s NAND0.05200.156 ms0.652 ms2ms MicroDrive2025021 ms21 ms N/An Bad blocksl NORn Are not expected to have bad blocksl NANDn Basically media storage devices at lower prices, so expect thatthey have bad blocksn Usagesl NORn Code executionn Pretty expensive and lesser memory densities and have arelatively shorter life span (100,000 erase cycles)l NANDn Mainly used for storage devices for embedded systemsn High densities at lower prices and have a longer life span(1,000,000 erase cycles)NAND flash memory –additional features n Flash transistor cell-Programming -erasure# of electrons on the floating gates affects the threshold voltage V thControl gateFloating gate Source drainErased cellControl gate Floating gateProgrammed cellControl gate----Floating gateSourcedrainSourcedrain11nSLC (Single level cell) vs. MLC (Multi-level cell) SLC10V0VthMLC110V100001VthMore precise charge placement or sensing is required for MLC12nComparison between two schemesSLC (Large) MLC 2 / 256 1, 2 50/800/1500 2 plane erase 1 4bit ECC 10KPage / Block Size (KB) Plane Size Read/Program/Erase(us) Multi-erase Number of partial programming ECC (512Bytes) Endurance Cycle2 / 128 1, 2 20/200/1500 2 plane erase 4 1bit ECC 100K13nPerformance improvementlCopy-backnAccelerate page-to-page copy operation. Increase the bandwidth between page register and NAND cell arraylMulti-planen14Flash softwarenErase before writelTo update data a location on a flash memory, it has to be first erased before the new data can be written itnErase unit is larger than the read and write unitlNORn nErase size: block Read/write size: single word Erase size: block Read/write size: pagelNANDn nnTherefore, Garbage collection is needed15How garbage collection works: Update L L L L E E E E E E E E D L L L L E E E E E E ELive Empty Dead# Empty pages: 8# Empty pages: 716UpdateD D L L L L E EE E E EUpdateD D D L L L L EE E E E# Empty pages: 6# Empty pages: 517D D D L L L L EE E E ED E D E ERASE D E L E L L L EE E E L E# Empty pages: 5# Empty pages: 818The number of empty pages is below a threshold;nObservationsl llData may be moved from one place to another. Since erase operation needs a significant time (2 ms), it is important to reduce the number of erase operations Therefore,n1. FTL (Flash Translation Layer) is usedlRedirects the location of updated data from one page to anothern2. Dedicated flash file system is used19nMTDlAbstract layer for memory-based hardware (e.g. flash)n nBetween file system and hardware driver Accommodate easy development of file systems Flash doesn't match the description of either block or character devices. They behave similar to block device, but have differences.llWhy?nnFor example, block devices don't distinguish between write and erase operations.20VFS (Virtual File System) File system especially JFFS developed YAFFS for flash memoryRaw MTD accessFATEXT2Block accessFTL (Flash Translation Layer)MTD (Memory Technology Device)Hardware driver21Flash Software - Flash Translation LayerApplications (mp3, DSC)Create/Open/Read/Write(file)Traditional File SystemRead/write(sector)111FTLRead/Program/Erase(page/block)HDD123NAND22nWhere is it located ?Host system Applications ApplicationsHost systemOperating SystemOperating SystemFile Systems FTL (Flash Translation Layer)File Systems MMC Host Device DriverNAND ControllerMMC driver / FTLNAND Flash Memory NANDNAND Flash Memory NAND Flash Memory MultiMediaCard23nThe key components of FTLlMapping tablen n nPage level mapping Block level mapping Hybrid mapping24Page level mappingLogical Page # Physical Page #Page # 2à5 … Page # Page # Page # … Page # Page # Page # … Page #Logical page number0 1 … 31 32 1 … 63 64 65 … 95B C D B’A1 2 3 4 5 6 7 8……Page Map tableFlash memoryLarge table size overhead25Block level mappingLogical block number Page #Logical Block #0 1 … 31 32 1 … 63 64 65 … 95Merge operationPhysical Block #Block # Block # … Block # Block # Block # … Block # Block # Block # … Block #AB C DA B’ C D1 2 3 4 5 6 7 8…Block Map tableFlash memoryA lot of write copy overhead26Hybrid mapping Frequently modified 1. Write Buffer Block (Log Block): Page Mapping 2. Data Block: Block Mapping Not (or seldom) modified27nAn example of hybrid mappingFree block Log block<address sequence> 5,7,7,5Logical Block #0 1 … 3145 6 7Physical Block #Block # Block # … Block #100Data block5 7 7 5145 6 7…64 65 … 95 Block # Block # … Block #…Block Map tableFlash memoryWhen there is no free page in a log block, the merge operation of data block and log block is initiated.28switch merge<address sequence> 4,5,6,7Logical Block #0 1 … 31Free blockLog blockLog block 4 5 6 7100Physical Block #Block # Block # … Block #Data block is erased145 6 7…64 65 … 95 Block # Block # … Block #…Block Map tableFlash memoryWhen there is no free page in a log block, the merge operation of data block and log block is initiated.29nWear levelingl lLimited lifetime of blocks A software technique to balance the erase counts of physical blocksDynamic Wear-leveling Static Wear-leveling Maintain erase counts in both blocks and RAM Maximize the lifetime Performance degradation RAM overhead30Feature Pros. Cons.Randomly select a block at run-time No performance overhead Excessive wear-out in the specific area depending on host patternFlash Software - Dedicated flash file systemnDedicated flash file systemlConsiderationsn nGarbage collection Wear-levelingl l l llFTL is not needed Commonly used file systems JFFS, JFFS2, YAFFS YAFFS is developed especially for NAND flash memory Basically log-structured file system31nJFFS2 (Journaling Flash File System 2)ll lA log-structured file system designed for use on flash devices in embedded systems JFFS2 was developed by Red Hat JFFS2 has been included in the official Linux kernel since the 2.4.10 release.nThe stable branch, supporting only NOR flash devices, is included in the current 2.4 series of kernels But may not consider the characteristics of NAND fully YAFFS (Yet Another Flash File System)lCurrently extended to support NAND flashn nlIt is upgraded from JFFS132nLog-structured file systemlLog (Node)nContains both inode information and datal l l l lIdentification of the file to which the log belongs Version that is unique for a log belonging to a particular file Metadata such as timestamp Data and data size Offset of the data in the filenA write to a file creates a log that records the offset in the file with actual data To rebuild the entire directory hierarchy and a complete map for each inode of the physical location As times proceeds, certain logs become obsolete and needs to be cleaned Efficient wear-leveling is possible33lThe entire medium is scanned at mount timenlGarbage collectionnnnHow log-structured file systems work (JFFS) ?Version : 1 File offset : 0 Length : 200 AAAAAAAAA AAAA …Write 200 bytes ‘A’ at offset zero in file K Write 200 bytes ‘B’ at offset 200 in file K Write 50 bytes ‘C’ at offset 175 in file KVersion : 2 File offset : 200 Length : 200 BBBBBBBB BBBB … Version : 3 File offset : 175 Length : 50 CCCCCCCCC CCCCC …34Flashmetadata data metadata data metadata data free space node v1RAMFile Knode v2node v#35Version : 1 File offset : 0 Length : 200 AAAAAAAAA AAAA … Version : 2 File offset : 200 Length : 200 BBBBBBBB BBBB … Version : 3 File offset : 175 Length : 50 CCCCCCCCC CCCCC …CCCCCCCCC CCCCC …AAAAAAAAA AAAA … BBBBBBBB BBBB …AAAAAAAAA AAAA … CCCCCCCCC CCCCC … BBBBBBBB BBBB …36nData organizationClean (Live) Free (Empty) dirty37How garbage collection works;ERASE38。

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