电容d值的一般范围
一文带你了解电容的Q值和D值
一文带你了解电容的Q值和D值在做射频的时候，选择电感电容时特别关注他们的Q值，那什么是Q值呢？Q值是什么意思，它为什么重要？品质因数Q：表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。
元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。
或Q=无功功率/有功功率，或称特性阻抗与回路电阻之比。
Q值越高，损耗越小，效率越高；Q 值越高，谐振器的频率稳定度就越高，因此，能够更准确。
因数Q是表示线圈质量的一个重要参数。
Q值的大小，表明电感线圈损耗的大小，其Q值越大，线圈的损耗越小;反之，其损耗越大。
品质因数Q的定义为:当线圈在某一频率的交流电压下工作时，线圈所呈现的感抗和线圈直流电阻的比值。
它可以用公式表达如下:式中：W——工作角频率L——线圈电感量R——线圈总耗损电阻根据使用场合的不同，对品质因数Q的要求也不同。
对调谐回路中的电感线圈，Q值要求较高，因为Q值越高，回路的损耗就越小，回路的效率就越高;对鹅合线圈来说，Q值可以低一些;而对于低频或高频扼流圈，则可以不做要求。
实际上，Q值的提高往往受到一些因素的限制，如导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗、铁心和屏蔽引起的损耗以及高频工作时的集肤效应等。
因此，线圈的Q值不可能做得很高，通常Q值为几十至一百，最高也只有四五百。
Q值相当于D值的倒数。
损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000。
电容dianzu命名规则
华新（Walsin）LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类：C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ；C=±0.25pf ；D=±0.5pf ；F=±1pf或±1% ；G=±2% ；J=±5% ；K=±10% ；M=±20% ；Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30；5=0.50；8=0.80；A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装； bulk packaging袋式包装；packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注，如下：F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型，注意后缀是公制，比如B型，就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ，村田，太诱，风华，三星，国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
电容损耗角正切d值测量方法
电容损耗角正切d值测量方法【原创实用版4篇】目录（篇1）一、引言二、电容损耗角正切值的定义和意义三、电容损耗角正切值的测量方法1.平衡电桥法2.不平衡电桥法3.相敏电路法4.低功率因数瓦特表法四、各类测量方法的优缺点五、测量电容损耗角正切值的意义和应用六、结论正文（篇1）一、引言电容损耗角正切值（tgδ）是衡量电容器性能的重要参数，它反映了电容器在交流电场下消耗能量的大小。
为了确保电容器的性能和使用寿命，正确测量电容损耗角正切值具有重要意义。
本文将介绍电容损耗角正切值的定义和意义，以及几种常用的测量方法。
二、电容损耗角正切值的定义和意义电容损耗角正切值是指有功功率与无功功率的比值，它反映了电容器在交流电场下消耗能量的大小。
电容器的损耗主要由介质损耗、电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小。
在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
测量电容损耗角正切值有助于评估电容器的性能和使用寿命，对于保证电力系统的安全稳定运行具有重要意义。
三、电容损耗角正切值的测量方法1.平衡电桥法：平衡电桥法是一种常用的测量电容损耗角正切值的方法。
它通过调整电桥的电阻值，使电桥达到平衡状态，从而测量出电容损耗角正切值。
这种方法的优点是测量精度高，但操作较为复杂。
2.不平衡电桥法：不平衡电桥法是一种简化的测量方法，它不需要调整电桥的电阻值。
通过测量电桥的电流和电压，可以计算出电容损耗角正切值。
这种方法的优点是操作简便，但测量精度相对较低。
3.相敏电路法：相敏电路法是一种基于相敏电阻原理的测量方法。
它通过测量相敏电阻的电压和电流，计算出电容损耗角正切值。
这种方法的优点是测量精度高，但需要特殊的测量设备。
4.低功率因数瓦特表法：低功率因数瓦特表法是一种适用于大电容试品的测量方法。
它通过测量电容器的漏电流和电压，计算出电容损耗角正切值。
电容基础知识
电容基础知识在电子产品中，电容器是必不可少的电子器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波。
电源的退耦。
交流信号的旁路。
交直流电路的交流耦合等。
由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，我们不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点，以及机械或环境的限制条件等。
这里将对电容器的主要参数及其应用做简单说明。
标称电容量(CR)电容器产品标出的电容量值。
云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸。
塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中(大约在0.005uF~1.0uF)；通常电解电容器的容量较大。
这是一个粗略的分类法。
类别温度范围电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。
该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度。
下限类别温度。
额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。
额定电压(UR)在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。
电容器应用在高电压场和时，必须注意电晕的影响。
电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。
在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。
对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。
损耗角正切(tgδ)在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。
在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如附图所示。
对于电子设备来说，要求RS愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角要校这个关系为：tgδ=RS/XC=2*3.14*f*C* RS。
因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大而影响寿命。
电容器的温度特性。
通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。
电容d值的一般范围
电容d值的一般范围
【原创实用版】
目录
1.电容 d 值的概念
2.电容 d 值的单位
3.电容 d 值的一般范围
4.常见电容的 d 值范围
5.电容 d 值对电路性能的影响
正文
电容 d 值是指电容器的损耗角正切值，它是表征电容器能量损耗特性的一个重要参数。
电容 d 值的单位是欧姆·角（°）。
电容 d 值的一般范围是在 10^-9 到 10^-2 欧姆·角之间。
其中，10^-9 欧姆·角以下的电容器被称为低损耗电容器，10^-9 到 10^-7 欧姆·角之间的电容器被称为中损耗电容器，10^-7 到 10^-2 欧姆·角之间的电容器被称为高损耗电容器。
常见的电容器类型包括陶瓷电容、钽电容、铝电解电容等。
这些电容器的 d 值范围也有所不同。
例如，陶瓷电容的 d 值范围通常在 10^-9 到 10^-7 欧姆·角之间，钽电容的 d 值范围通常在 10^-7 到 10^-5 欧姆·角之间，铝电解电容的 d 值范围通常在 10^-5 到 10^-3 欧姆·角之间。
电容 d 值对电路性能有着重要的影响。
低损耗电容器在高频电路中具有更好的性能，因为它们的能量损耗较小，不会对电路的稳定性和可靠性产生不良影响。
相反，高损耗电容器在低频电路中使用更为广泛，因为它们的 d 值较大，能够提供更大的电流和更高的功率。
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各种电容简介
電容器規格介紹:電容器種類: 依照主要材質特性分為電解質電容, 電解質晶片電容, 塑膠薄膜電容, 陶瓷電容, 及陶瓷晶片電容等大類別.1.電解質電容器種類:依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為標準型(>11mm高度),迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高溫型(105℃), 低漏電型, 迷你低漏電型(7mm高度), 雙極性型, 無極性型, 及低內阻型(Low ESR)等.2.電解質晶片電容器種類: 依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為標準型晶片, 耐高溫型晶片(105℃), 無極性型晶片, 及鉭質晶片等.3.塑膠薄膜電容器種類: 依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為聚乙烯薄膜, 金屬化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金屬化聚丙烯薄膜, 及交流用金屬化聚丙烯薄膜等.4.陶瓷電容器種類:依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為Class-1 (T.C. Type)溫度補償型,Class-2 (Hi-K Type)高誘電型, Class-3 (S.C. Type)半導體型等.5.陶瓷晶片電容種類:依照尺寸及額定功率特性可再區分為0402, 0603, 0805, 1206等較具普遍性.電容器主要電氣規格:1.電容量Capacitance: 一般電解電容器的電容量範圍為0.47uF-10000uF, 測試頻率為120Hz. 塑膠薄膜電容器的電容量範圍為0.001uF-0.47uF, 測試頻率為1KHz. 陶瓷電容器T/C type的電容量範圍為1 pF-680pF, 測試頻率為1MHz. Hi-K type的電容量範圍為100pF-0.047uF, 測試頻率為1KHz. S/C type的電容量範圍為0.01uF-0.33uF.2.電容值誤差Tolerance:一般電解電容器的電容值誤差範圍為M 即+/-20%, 塑膠薄膜電容器為J即+/-5%或K即+/-10%, 或M即+/-20%三種, 陶瓷電容器T/C type為C即+/-0.25pF (10pF 以下時), 或D即+/-0.5pF (10pF以下時), 或J或K四種. Hi-K type 及S/C type為K或M或Z 即+80/-20%三種.3.損失角即D值:一般電解電容器因為內阻較大故D值較高, 其規格視電容值高低決定, 為0.1-0.24以下. 塑膠薄膜電容器則D值較低, 視其材質決定為0.001-0.01以下. 陶瓷電容器視其材質決定, Hi-K type 及S/C type為0.025以下. T/C type其規格以Q值表示需高於400-1000. (Q 值相當於D值的倒數)4.溫度係數Temperature Coefficient: 即為電容量受溫度變化改變之比例值, 一般僅適用於陶瓷電容器. T/C type其常用代號為CH或NPO 即為+/-60ppm, UJ即為-750+/-120ppm, SL即為+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代號為B (5P)即為+/-10%, E (5U)即為+20/-55%, F (5V)即為+30/-80%.5.漏電流量Leakage current: 此為電解電容器之特定規格, 一般以電容器本身額定電壓加壓3Min後, 串接電流表測試, 其漏電流量需在0.01CV ( uF電容量值與額定電壓相乘積) 或3uA以下(取其較大數值). 特定低漏電流量使用(Low leakage type) 則其漏電流量需在0.002CV或0.4uA以下.6.衝擊電壓Surge Voltage: 一般以電容器本身額定電壓之1.3倍電壓加壓, 需工作正常無異狀.7.使用溫度範圍: 一般電解電容器的使用溫度範圍為-25℃至+85℃, 特定高溫用或低漏電流量用者為-40℃至+105℃. 塑膠薄膜電容器為-40℃至+85℃. 陶瓷電容器T/C type為-40℃至+85℃,Hi-K type 及S/C type為-25℃至+85℃.如何選用規格適當之電容器1.所有被動元件中, 電容器屬於種類及規格特性最複雜的元件. 尤其為了配合不同電路及工作環境的需求差異, 即使是相同的電容量值與額定電壓值, 亦有其他不同種類及材質特性的選擇. 2.以電解電容器為例, 由於其電容量值較大, 雖然能和塑膠薄膜電容器或陶瓷電容器互相區隔.實際使用上仍有下述各種特性差異:A.使用溫度範圍: 需選定一般型-25℃至+85℃或耐高溫型-40℃至+105℃B.使用高度限制: 傳統A/I標準型最低高度為11mm, 迷你型為7mm, 超迷你型為5mm(相當於晶片電解電容器之高度).C.電容量誤差值: 較高額定電壓或電容量大於100uF時, 有一般型為+100/-10%或M型+/-20%.D.低漏電流量特性: 用於某些特定電路, 與充放電時間常數準確性有關時. (相當於Tantalum鉭質電容特性)E.Low ESR低內阻特性: 用於某些濾波電路, 需配合高頻脈波大電流之濾波效果.例如交換電源之濾波電路.F.Bipolar 雙極性特性: 用於高頻脈波電路, 需配合高頻脈波大電流之通路效果.例如推動偏向線圈之水平輸出電路.G.Non-polar無極性特性: 用於低頻高波幅之音頻信號通路, 用以避免因電容器兩端之正逆向偏壓, 造成輸出波形失真.H.以上為一般A/I電解電容器, 而晶片電解電容器亦同樣有標準型, 耐高溫型, 低漏電流量型(即鉭質晶片電容), 無極性特性等分類.3.以陶瓷電容器為例, 其材料特性區分為3類. Class 1 T/C溫度補償型供高頻諧振電路用, Class2 Hi-K與Class3 S/C為濾波及信號通路用, 由於其電容量值部分類似, 且與塑膠薄膜電容器亦數值接近, 需特別注意特性選用.A.Class 1容量範圍為1 pF-680 pF, 可視高頻電路需要, 選擇CH零溫度補償型(例如RC諧振電路, 不需補償溫度係數), UJ負溫度補償型(例如LC諧振電路,需補償線圈正溫度係數), SL無控制溫度補償型(例如高頻補償, 非諧振電路, 不需考慮溫度影響).B.Class 2 Hi-K容量範圍為100 pF-0.047 uF與Class 3 S/C容量範圍為0.01 uF-0.33 uF, 兩者特性接近. 一般後者外型較小, 成本低, 但耐壓規格較低.C.需注意100 pF-680 pF範圍內, Class 1與Class 2電容器之Q值相差極大, 電路上不可誤用.4.以塑膠薄膜電容器為例, 各類不同材質特性, 可配合不同之電路應用. 其共同特性為容量不受溫度影響, 適合中低頻電路使用.A.聚丙烯 (代號PPN或PPS) 材質之損失角最低, 可適用於高電壓脈波電路工作. PPS材質為1KV以上使用, PPN材質為1KV 以下使用.B.金屬化聚丙烯 (代號MPPN) 材質耐電壓較高, 適用於DC高電壓或AC電源電路工作.使用於AC電源電路者, 必須符合AC電源安規驗證, 一般稱為X2電容.C.聚乙脂 (代號PS) 損失角低且容量較低, 高頻特性良好, 可適用於中低頻諧振電路工作.D.金屬化聚乙烯 (代號MPE) 容量範圍廣及無電感特性, 可適用於一般脈波電路工作. 代號MEF者, 亦為MPE類材質, 但具有Flame-retardant防火特性.E.聚乙烯 (代號PE分為有電感特性PEI及無電感特性PEN兩種)其損失角較大, 但因成本較低, 可適用於一般直流或低頻電路工作.F.所有金屬化之塑膠薄膜電容器, 均具有self-healing自行回復特性, 材質被高壓擊穿後, 只要移去高壓, 即可自行回復原有功能.安規電容器X Cap及Y Cap 附加說明:1.X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3 phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 for ACwall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.2.Y cap are line to neutral ground. 4700 pF. small to limit AC leakage current. Y1 for doubleinsulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basic insulation impulsed tested at 5KV.3.Capacitor Discharge: The capacitor discharge test ensures that if an ac plug is abruptly removedfrom its receptacle, the voltage across the line and neutral terminals will not exceed a safe level.Per UL 1950, voltage across a capacitance greater than 0.1 μF must decay to 37% of the ac-input peak voltage in 1 second for type A equipment and 10 seconds for type B equipment. IEC 61010-1 requires that the pins not be hazardous (live) at 5 seconds after disconnection from the supply.各類電容器外型圖:迷你型標準型無極性型雙極性型標準型晶片鉭質晶片Mini-type Standard-type Non-polar Bipolar EC Chip Tantalum Chip陶瓷電容陶瓷晶片聚乙烯薄膜(有感) 聚乙烯薄膜(無感) 聚丙烯薄膜Ceramic Ceramic Chip Polyester(PEI) Polyester(PEN) Polypropylene(PPN)聚丙烯薄膜(高壓用) 交流用金屬化聚丙烯直流用金屬化聚丙烯金屬化聚丙烯聚乙脂薄膜Polypropylene(PPS) AC Metalized PP(MPX) DC Metalized PP(MPP) Metalized PE Polystrene(PS)金屬化聚丙烯。
贴片电容的精度规格书
贴片电容的精度规格书容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。
一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。
在有些情况下，还有0级，误差为±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。
一、电容的型号命名：1） 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用数字表示分类。
第四部分：用数字表示序号。
2） 电容的标志方法：（1） 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
（2） 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。
文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。
和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。
小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。
（3） 色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。
小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰耐压 4V 6.3V 10V16V25V32V40V50V 63V（4） 进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。
第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号 字母 颜色 温度系数 允许偏差字母 颜色 温度系数 允许偏差1 A 金 +100 R 黄 -2202 B 灰 +30 S 绿 -3303 C 黑 0 T 蓝 -4704 G ±30 U 紫 -750V -10005 H 棕 -30、±606 J ±120 W -15007 K ±250 X -2200Y -33008 L 红 -80、±5009 M ±1000Z -470010 N ±2500SL +350~-100011 P 橙 -150 YN -800~-5800备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是 % 。
贴片电容参数
贴片电容参数：X7R X5R Y5V COG学习2010年09月22日星期三 10:53这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
表4-1 电容的温度与容量误差编码低温高温容量变化下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
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电容d值的一般范围
电容器作为电子元件的一种，广泛应用于各种电路和设备中。
在
电容器的参数中，d值是一个常见的指标，是衡量电容器的电介质性能的重要参数之一。
本文将介绍电容d值的一般范围，并探讨其在电路
设计和电子设备选择中的指导意义。
首先，我们来了解一下电容d值的概念。
d值是指电容器电介质的相对介电常数与真空介电常数之比。
电介质是电容器中两个电极之间
的绝缘材料，其性能将直接影响到电容器的工作性能和稳定性。
d值越大，说明电介质的相对介电常数越大，其绝缘能力也就越好。
一般来说，电容d值的范围在1到20之间。
具体数值在不同类型
的电容器中会有所不同。
在常见的陶瓷电容器中，d值通常在5到20
之间。
而在金属箔电容器和聚酯电容器中，d值通常在1到5之间。
这是由于不同的电介质材料具有不同的相对介电常数，从而导致d值的
差异。
那么，电容d值在电路设计和电子设备选择中有什么指导意义呢？
首先，d值的大小决定了电容器的绝缘性能。
当在电路中使用电容器时，我们往往希望电容器的绝缘能力越好越稳定，以确保电路的正
常工作和安全运行。
因此，在设计高压或对绝缘要求较高的电路时，
我们应选择d值较大的电容器，以提供更好的绝缘效果。
其次，d值还会影响电容器的频率特性。
不同的电介质材料对于不同频率的信号具有不同的响应能力。
在高频电路中，我们通常需要使用具有良好高频特性的电容器，这时可以选择d值较小的电容器。
此外，电容d值还与电容器的体积和成本有一定的关系。
一般来说，相同介电材料的电容器，d值越大，体积越小，价格也相对较高。
因此，在电子设备的设计中，我们需要平衡电容器的性能、成本和尺寸要求，选择合适的电容d值。
综上所述，电容d值是衡量电容器电介质性能的重要参数之一。
了解电容d值的范围和其在电路设计和电子设备选择中的指导意义，有助于我们正确选择和应用电容器，提高电子设备的性能和可靠性。
不同的应用场景需要根据具体的要求来选择合适的电容器，以获得最佳的效果。