滤波器双工器简介..
一种双工器的设计
一种双工器的设计摘要：双工器是现在电子系统中的常用器件。
本文设计了毫米波的波导双工器，它由H面T结与两个不同频段的波导滤波器构成。
波导膜片滤波器的设计采用常规的设计方法完成。
这种结构的特点是频段高、体积小、插损小，加工工艺要求高，信道之间的干扰小，重复性很高。
关键词：波导双工器、H面T结、波导膜片滤波器、1 引言双工器就是用来将一个覆盖较大频率范围的信号分开成两个频率范围的信号或者把两个频率范围的信号合成为一个信号频谱的器件随着科技的发展，各种通信系统的出现，导致了频率覆盖得越来越密集，频率资源越来越稀少。
为了更好更高效地利用频率资源，提高信号选择性，各信道之间的频率间隔需要越来越小，且各信道之间隔离要求要越来越大。
本文中设计的波导双工器是在毫米波段的设计指标满足以上需求。
2 工程设计要求2.1 设计原理依据波导滤波器采用侧边波导横向（H面）插入膜片形式，两膜片间有一定间距，实现相邻腔体之间的耦合。
腔体和腔体中心间距接近1/4个波导波长。
为了获得合适的尺寸频率响应，滤波器的逼近函数为切比雪夫函数。
本文中电感膜片的厚度t=1.5mm，这样的厚度可以大大缩减滤波器的长度方向上的尺寸。
利用现代微波网络综合设计法，滤波器各级K变换器可由滤波器阻抗变换公式得出：其中，Wλ是相对带宽，g n为原型滤波器的组件值，n是滤波器的节数。
Z0是特性阻抗，电感膜片等效电抗用X01，X12，……，X n,n+1表示。
膜片的电抗与K的关系为：各谐振器的实际点长度应是由以上（1）~（5）式确定H面膜片波导滤波器的各参数。
H面T结的特点在于输出端口的相位相同，且纵向尺寸较小。
T结是一个简单的三端口网络，不能同时在全部端口实现匹配，即：S11=S22≠S33。
所以在T结处加载小的矩形脊，等效为电抗性的调谐元件，抵消由于器件不连续带来的不匹配现象。
然后通过调节波导T结两臂各自的长度，找到对应滤波器的等效短路面，实现通道之间很好的隔离。
合路器、双工器、滤波器工艺和材质要求
2）紧固螺钉采用M2.5及以上直径的螺钉，螺钉旋入深度应大于螺钉直径的1.5倍；
3）配件的安装必须牢靠且有防松措施；
4）保证器件内部清洁干净，无污渍、杂质、金属碎屑、指纹印等异物；
5）保证腔体内部各配件之间的间距：
①耦合杆旋入腔体的深度≤2/3的腔深；
②伸入谐振柱的调谐螺杆与谐振柱底部间距≥2mm；
⑦飞杆与谐振柱的间距≥1.5mm(峰值功率≤200W或平均功率≤100W，间距：≥1mm)；
⑧U形线变形偏移量在±2mm以内，且距离腔壁≥1.5mm。
3.10焊接工艺
1）焊接应具备可靠的机械强度保证使用过程不会因振动而导致焊接脱落；
2）焊接表面应光滑，饱满，无毛刺、污渍、锡珠、锡渣、针孔、气泡、氧化物等不良现象；
表面处理：外导体电镀三元合金，（镀层厚度大于3μm）或电镀高磷化学镍（镀层厚度大于7μm）
内导体镀银处理（镀层厚度大于5μm）
工艺要求：
内导体需有防转力矩要求：DIN型接头内导体防转力矩要求≥0.4Nm
N型接头内导体防转力矩要求≥0.1Nm
3.6调谐螺杆
材料：黄铜
表面处理：先镀铜后镀银（银层厚度≥0.5μm）
工艺要求：
1)去毛刺，上下倒角；
2)当器件的峰值功率≥800W或者平均功率≥200W时，必须采用光头螺杆，如图8所示，且光头螺杆的螺纹部分不得长于10mm
图8光头螺杆
3.7导线
材料：紫铜
表面处理：先镀铜后镀银（银层厚度≥0.5μm）
Hale Waihona Puke 工艺要求：1）整形弯曲规整，折弯处无裂痕，不露出底材；
2）导线直径≥φ1mm。
3）焊点不允许有虚焊、裂纹、拉尖桥接等不良现象，焊点周围不应残留有焊剂；
滤波器原理简介
谐振器模型（过滤单元）
左图为单个谐振腔的电场模型及其等 效电路原理图。
图为不带圆盘的谐振杆的圆腔谐振器， 谐振杆顶部与盖板形成的电容，可以 理解成等效电路中的端接电容。
等效电路中的谐振频率计算公式为：
f
1
为谐振杆加入圆盘，相当于 加大了端接电容，圆盘越大，电 容越大，谐振频率越低； 同样加入调谐螺杆，也相当 于加大端接电容，螺杆进得越深， 端接电容值越大，谐振频率越低。 所以，将所有的调谐螺杆往 里进，则滤波器通带低偏。
滤波器抽头模型（阀门）
抽头为带通滤波器的馈电 装置。其结构关系到馈电强 度，以及与外部接口的匹配，
不同带宽，不同种类的滤波器 所用到的抽头是不一样的。总 的来讲有两种形式： 电耦合：通过电流或者电场 来进行耦合。 磁耦合：通过磁场进行耦合， 也称感性耦合。
a
b
对于同轴谐振器带通滤波 器，必须将输入/输出端的 抽头都设计到位，才能保证 通带驻波较小。不合理的抽 头设计，会导致输入能量较 多被反射，S11较大，驻波调 不下来，通带插损增大。
c
金属同轴滤波器的电耦合方式有两种，一种是探针耦合（b），一 种是直接馈电耦合（a）。 对于a中抽头，通过壁电流直接馈电，可以适用于带宽较宽的情况 ，结构稳定性好，是最常用的一种抽头方式。 对于b中的探针馈电方式，通过电场使得外部电路和第一个谐振腔 进行耦合，可以适用于窄带情况下，结构稳定性不好，不常用。 对于c中的磁耦合方式，一般适用于窄带滤波器，结构可靠性高， 但装配不方便。
以WCDMA的一个产品为例介绍滤波器的设计流程
谢 谢！
2012-9-7
29
容飞结构
感飞结构
容飞
感飞
几种传输零点
图为三种传输零点的响应。 传输零点可以增加相应频点的S12衰减。飞杆越强，则零点越靠近通带；飞 杆越弱，则零点越远离通带。
滤波器双工器简介
器的简称，译为薄膜腔声谐振滤波器，基本结构：
◆FBAR由Agilent(Avago前身）在1999年率先研 发出来并在美国PCS频段商用，FBAR具有体积小 、工作频率高、效率高、插入损耗低、带外抑制大 、高Q、大功率容量、低温度系数以及良好的抗静 电冲击能力和半导体工艺兼容性等优点。利用 FBAR技术可以制作滤波器、振荡器、双工器等多 种高性能频率器件。FBAR的主要应用PCS,CDMA 和W-CDMA，LTE用射频滤波器，FBAR振荡器等 。在手机滤波器，双工器，射频前端及PGS接收前 端模块已大量使用。
◆腔体滤波器可以处理高达约500W的功率电平， 并具有突出的插损性能。腔体滤波器的工作频率可 以高达约30GHz。与LC和陶瓷滤波器相比，它们的 体积较大，价格也较贵，因为它们一般是从铝块加 工而成的。
◆螺旋式滤波器由一系列磁性耦合腔体组成，也属 于LC滤波器，同样受限于仅通带格式下的约3GHz 频率。虽然比传统的LC滤波器具有更陡峭的响应， 但输入功率受限于约5W。
◆对于带通滤波器，其主要性能指标有：
a）通带频率；b) 插入损耗； c) 回波损耗； d) 通带波纹; e) 带外抑制； f) 功率容量。
端口1
滤波器
端口2
◆从实现形式，微波滤波器主要有：微带滤 波器，波导腔体滤波器、介质滤波器等。
同轴腔体滤波器
梳妆线滤波器
波导滤波器
介质滤波器
2.滤波器理论基础
◆按材料分：基于分立电感(L)和电容(C)的集总元 件滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器、腔体滤波器 、声表面波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器、 薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器、微机电系统
双工器定义和工作原理
什么是双工器什么是双工器双工器是异频双工电台，中继台的主要配件，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作.它是由两组不同频率的阻带滤波器组成，避免本机发射信号传输到接收机。
一般双工器由六个阻带滤波器（陷波器）组成，各谐振于发射和接收频率。
接收端滤波器谐振于发射频率，并防指发射功率串入接收机，发射端滤波器谐振于接收频率。
有些双工器不标发射和接收端而只标LOW和H IGH ,如某双工器L OW=450, HIGH=460, 表示LOW端可联接４５０兆接收机HIGH端联接４６０兆发射机，也可将LOW端联接４５０兆发射机,HIGH端联接４６０兆接收机，收发频率可颠倒使用，但是不能将发射频率４６０的机器接置双工器４５０兆一端以免损坏电台和双工器。
双工器选用：应根据电台发射接收频率定制双工器。
４００兆收发频率差10MHZ双工器的工作带宽在＋－２５０kHZ可保证隔离度９０db左右，单频点工作隔离度可达１２０db..当使用频率超过双工器额定带宽时，收发隔离度将急剧下降发射驻波增大，接收电路因受发射部分影响灵敏度下降不能正常工作。
业余无线中转台U段一般收发差５兆HZ 使用的双工器采用窄带设计，可保证隔离度不下降但工作带宽变窄为＋－１００KHZ. 实践证明使用双工器比用两颗天线收发效果要好。
双工器的原理双工器的结构双工器，又称天线共用器，是一个比较特殊的双向三端滤波器。
双工器既要将微弱的接受信号藕合进来，又要将较大的发射功率馈送到天线上去，且要求两者各自完成其功能而不相互影响一般的双工器由螺旋振腔体构成，由于其工作频率高，分布参数影响较大 常做成一个密封套体，各信号馈线均用屏蔽效果较好的同轴电缆 腔体形材也要求一定的光洁度，为利于散热，外观常为黑色，三个信号端一般采用标准高频接插件Ｑ９或Ｌ１６型高频插座无线通讯对双工器的要求双工器用于移动通信和在野外作为无人值守的中转台工作，其本身就决定了它的使用环境和工作条件。
一文让你完全掌握关于手机射频芯片知识!
对手机射频前端芯片的数量随着支持频段数量的增加而指数级递增的推论。
从更为直观的角度观察，图 7 给出了手机射频前端模块从 2G 到 4G 演进 过程中价格和出货量的变化数据。目前，高端 4G 智能手机中射频前端模块 的价格合计已经达到 16.25 美元，中高端 4G 产品也有 7.25 美元。相比 2G 手 机的 0.80 美元和 3G 手机的 3.25 美元，射频前端模块的单位产值有了几倍、 几十倍的提高，并且，随着 4G 通信网络渗透率的不断提高，高端 4G 手机的 出货量依然在不断攀升中。
2 个接收滤波器（Saw Filter），1 个 SP6T 开关。其中，功率放大器、LPF
Filter 和 SP6T Switch 被集成到一颗 PA Module 里。
图 5 是 3G 手机（WCDMA）的典型射频前端解决方案，主要的射频前端
芯片在 2G 方案的基础上，增加了 2 组 PA
Module 和 4 组双工器
块数量快速增长的主要驱动因素。观察 2G 到 4G 射频前端解决方案的三幅示
意图，可以形成两点直观感受：1，射频前端芯片数量不断增长；2，射频前
端系统复杂度不断提高。
图 4 是 2G 功能手机（Feature Phone）的典型射频前端解决方案，主要的
射频前端芯片有：1 个功率放大器模块（PA），2 个发射低通滤波器（LPF），
收/发射 Filter，1 个用于 TD-LTE 模式的 S1P2 开关，分别用于高频、低频和
分集电路的 3 个天线开关模块，1 个接收分射频前端解决方案中器件的数量，可以看到，4G 方
案的射频前端芯片数量相比 2G 方案和 3G 方案有了明显的增长。印证了我们
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滤波器和双工器介绍
滤波器和双工器介绍滤波器是一个有选择地传递“它喜欢什么”和阻止“它不喜欢什么”的组件。
当我们讨论滤波器的特性时，通常用频域来描述。
在大多数情况下，一个滤波器属于下面所示的四种可能的理想类型之一（滤波器可能有一些其他变体，例如，具有多个通频带的滤波器等，但您可以看到的99%以上的滤波器将是以下类型之一）。
低通滤波器（Low Pass）是通过低频信号并阻塞高频信号的滤波器。
频率应该有多低取决于滤波器的规格。
高通滤波器（High Pass）是一种通过高频信号并阻塞低频信号的滤波器。
频率应该有多高取决于滤波器的规格。
带通滤波器（Band Pass）是一种通过一定频率范围的滤波器，它能屏蔽比特定范围低和高的区域。
通过滤波器的频率范围由规范决定。
带阻滤波器（Band Reject）是一种除频率范围很窄外，通过大部分频率的滤波器。
其他类型滤波器的目的是通过具有一定范围的信号，但是带阻滤波器的目的是阻止信号的选定频率。
理想滤波器是如上所示的滤波器。
它通过一个特定的信号范围，并开始阻塞该范围旁边的信号。
但正实际情况是没有一种设备能像理想的概念那样工作。
滤波器也一样。
以带通滤波器为例。
每个人都想要的理想滤波器是左边显示的那个，但是你永远不会得到这种滤波器。
即使在滤波器的理论设计中，您也会看到中间列所示的几种类型，但即使是这种理论滤波器也不如理想滤波器。
第一种理论类型在通带区域有一些波动（涟漪），并且相对陡峭地落入阻塞区域（阻带），并且在阻带中没有波动。
第二种理论类型既没有通带也没有阻带中的波纹。
没有波纹是很好的。
但在这种情况下，它会慢慢落入阻塞区。
第三种理论类型在通带和阻带都有波纹，这是不好的，但它落入阻带非常陡，这是好的。
右栏给出了一些实滤波器的例子，这显然比理论性质差。
这些只是几个真正的过滤器。
在现实世界中，你会有很多不同类型和特点的过滤器。
实现滤波器的方法有很多种，很难列出所有可能的天线实现方法。
这里只列出几种我认为在许多领域最常用的实现方法。
滤波器与双工器的设计与仿真
雷 振 亚
西安电子科技大学
滤波器的简介
原理：
对电磁波信号进行过滤，让需要的信号通过，
抑制不需要的信号。实际工作中常采用工作衰减
来描述滤波器的幅值特性，即
LA 10 lg P in P L
式中，Pin 为输出端接匹配负载时滤波器输入功率
PL
为输出端接匹配负载时负载吸收功率
1.1 低通原型滤波器
实际中常采用以下四种基本低通原型：
1.
最平坦型低通原型 数学表示式为：
LA ( ) 10lg[1 (
2n ) ] 1
式中满足关系式
LAr 10lg 1
n对应于电路所需级数。
1
1.1 低通原型滤波器
① 参数指标：通带内最大衰减 L Ar，截止频率 1 ，阻 带最小衰减 LAs 以及阻带边频 s 。
换而来。
低通原型综合法，先由衰减特性综合出低通原
型，再进行频率变换，最后用微波结构实现电路
元件。
滤波器的设计
滤波器的设计过程
1.1 低通原型滤波器
集总元件低通原型滤波器是用现代网络
综合法设计微波滤波器的基础。 低通滤波器的理想化衰减-频率特性如图：
图中： 纵坐标表示衰减
横坐标为角频率
ω 0为截止频率
1.4 同轴线滤波器的设计
（2）实际元件数值的计算：
设低通原型电路为电感输入，则在n=1~15
的元件中，n为基数的是电感元件，n为偶数的是 电容元件。求元件的实际数值时，除两终端电阻都 是50欧姆外，对电感元件的归一值要乘以
' R0 1 50 ' R0 1 2 1.971109
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2016-5-31
Huang Bingjun
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1. 微波滤波器概述 2. 滤波器理论基础 3.不同种类滤波器特点 4.FBAR和其它滤波器的对比 5. 双工器基本原理与相关指标 6.微波滤波器双工器厂家 7.双工器Layout注意事项
1.微波滤波器概述
◆微波滤波器是微波系统中重要元件之一， 它是一种对频率具有选择性的二端口网络， 用来分离或者组合各种不同频率信号的重要 元件。主要作用是抑制不需要的信号, 使其不 能通过滤波器, 只让需要的信号通过。
f 驻波比
电压驻波比：指驻波波腹电压与波节电压幅度之比，又称为 驻波系数、驻波比。驻波比等于1时，表示馈线和天线的阻 抗完全匹配，此时高频能量全部被天线辐射出去，没有能量 的反射损耗；驻波比为无穷大时，表示全反射，能量完全没 有辐射出去。终端负载阻抗ZL 和特性阻抗Z0 越接近，反射 系数 R 越小，驻波比VSWR 越接近于1，匹配也就好。
•VSWR = （1+|Γ|）/（1-|Γ|）；
•其中Γ= （Z-Z0）/（Z+Z0）
•VSWR：输入输出电压驻波比 Γ：反射系数
•Z：输入或输出端的实际阻抗 •Z0 ：需要的系统阻抗 ,一般为50 ohm
g 回波损耗
• 回波损耗，又称为反射损耗。是电缆链路由于阻抗不匹配 所产生的反射，是一对线自身的反射。不匹配主要发生在 连接器的地方，但也可能发生于电缆中特性阻抗发生变化 的地方。回波损耗是传输线端口的反射波功率与入射波功 率之比，以对数形式来表示，单位是dB： RL=-10 lg [(反射功率)/(入射功率)] =-20lg [(VSWR+1)/(VSWR-1)] 例如，如果注入1mW (0dBm)功率给放大器其中 10%被反 射(反弹)回来，回波损耗就是10dB。0%反射即没有反射的 VSWR为1，对应的RL约为40dB,在实际中是不可能的，所 以VSWR要越小接近1越好。RL在10dB和40dB之间说明功 率反射小于10%，RL小于10dB说明功率反射超过了10%.
Байду номын сангаас
另外，以AVAGO 的ACMD-7612 为例，中间的GND Pin 直 接连成一片金属。
而没接地的金属，就是辐射体[2-4]，前述Murata 的 Duplexer，其GND Pin 比较小，或许还不是什么有效的辐射 体，但AVAGO 这颗，GND Pin 整个连成一片，很可能会变 有效的辐射体，因此TX 讯号会先耦合到GND Pin，再辐射 到ShieldingCover。除非Shielding Cover 跟Shielding Frame 接触很紧密，否则Duplexer GND
●双工器是由两个滤波器组成的单元,是三端 口网络。超过三端口的多端口网络为多工器 。 滤波器1
端口1 端口2
滤波器2
端口3
●双工器的指标 • a 工作频率及带宽 • b 隔离度 • c 插入损耗 • d 频率稳定度 • e 特性阻抗，最大输入功率 • f 驻波比 • g 回波损耗
a、工作频率及带宽 双工器的工作频率范围应当不窄于应用对象本身的 工作频率范围。 通常我们所说的带宽，是指无线电话机配上双工器 后接收机的输入带宽和发射机的输出带宽。 对于双工器来讲，即是两个等效带阻滤波器的阻带 带宽，而不是取决于通带带宽。从其频率响应曲线 上看，即是两个阻带在一定衰减量时的频率范围
) , N odd C0 2 2 2 2 2 2 ( p1 )( p 2 ) ( p( N 1) / 2 ) 其中椭圆函数：C N ( ) 2 2 2 2 2 2 C ( z1 )( z 2 ) ( z N / 2 ) , N even 2 2 2 2 2 0 ( 2 p 1 )( p 2 ) ( p N / 2 )
同轴腔体滤波器
梳妆线滤波器
波导滤波器
介质滤波器
2.滤波器理论基础
最平坦型（Butterworth）:
Pinc 2 2N PLR 1 k ( ) Pload c
10 * log( PLR )
通带内插损和带外抑制(-dB, 图中，k=0.3,1;N=5)
等波纹型（Chebyshev）
◆微波滤波器的分类方法很多，根据通频带的不同 ，微波滤波器可分为低通、带通、带阻、高通滤波 器；按滤波器的插入衰减地频响特性可分为最平坦 型和等波纹型； ◆按材料分：基于分立电感(L)和电容(C)的集总元 件滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器、腔体滤波器 、声表面波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器、 薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器、微机电系统 (MEMS)滤波器甚至有源的半导体可调滤波器。
倘若接收讯号被发射讯号干扰，甚至LNA 因 强大的发射讯号，而导致饱和的话， 那么 Sensitivity Adjacent Channel Selectivity Max input power level Blocking 都会有所劣化，甚至Fail。
也因此，Duplexer 三方都要做好隔离，如下图 :
而Layout 的不好，又分走线耦合跟Pin 耦合，以Murata 的 SAYRF1G95HQ0F0A来做说明 :
由上图可看到，因为Tx Pin 跟Rx Pin 在相反方向，原则上走线耦合的机 会不大，比较可能的是ANT 走线耦合Rx 走线 , 以及Tx 走线耦合ANT 走 线:
因此走线时，要相互分开，以加强隔离度 再来是Pin 耦合，若Duplexer 下方的GND 挖空，那Pin 之间 没有护城河保护，就会产生下图的Pin 耦合现象 :
b、隔离度 隔离度 双工器的隔离度是指两个等效带阻滤波器的 阻带衰减量，除一些特定的场合外，一般双工器的 接收通道和发射通道中的阻带的衰减量，也即双工 器的接收端和发射端至天线端的隔离度相当的。 c、插入损耗 双工器的插入损耗是指对应于通道中，通带频点对 有用信号的损耗。可用公式：１０ＬｇＰｉ/Ｐｏ或 ２０ＬｇＵｉ/Ｕｏ来表示。其中Ｐｉ、Ｕｉ表示进 入双工器的信号功率或电平；Ｐｏ、Ｕｏ表示从双 工器出来的信号功率或电平。
因为这些GND Pin 若没接地，基本上就只是 金属罢了， Tx Pin / Ant Pin 会以耦合的方式 去干扰Rx Pin。因此GND Pin 要连起来
特别注意的是，不要忽略那句 ”多打Via”
由上图可知，GND Pin 没接地，基本上就只是金属，若没打 Via，就算GND Pin连起来，ANT Pin 一样可以透过耦合的方 式去干扰Rx Pin，而且GND Via 要打越多越好，因为Via 有 等效电阻，Via 打越多，等同于越多电阻并联，而电阻是越 并越小，换言之，Via 越多，其阻抗就越低，那么Noise 就 越会流到Main GND，而不会去干扰Rx Pin。
而隔离的好坏，取决两个因素 : 1. Duplexer 本身的isolation 2. Layout 关于第一点，当然Duplexer 有许多指标要看，例如Size , Cost , Insertion Loss, VSWR….等。但Isolation 最是重要，若Isolation 太差，那其 他指标再好都没意义。
◆FBAR由Agilent(Avago前身）在1999年率先研 发出来并在美国PCS频段商用，FBAR具有体积小 、工作频率高、效率高、插入损耗低、带外抑制大 、高Q、大功率容量、低温度系数以及良好的抗静 电冲击能力和半导体工艺兼容性等优点。利用 FBAR技术可以制作滤波器、振荡器、双工器等多 种高性能频率器件。FBAR的主要应用PCS,CDMA 和W-CDMA，LTE用射频滤波器，FBAR振荡器等 。在手机滤波器，双工器，射频前端及PGS接收前 端模块已大量使用。
4.FBAR和其它滤波器的对比
5. 双工器基本原理与相关指标
●基本概念
双工器是异频双工电台，中继台的主要配件，其作 用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都 能同时正常工作.它是由两组不同频率的阻带滤波器 组成，避免本机发射信号传输到接收机。一般双工 器由六个阻带滤波器（陷波器）组成，各谐振于发 射和接收频率。接收端滤波器谐振于发射频率，并 防指发射功率串入接收机，发射端滤波器谐振于接 收频率。
◆从功能方面，滤波器一般分为：低通滤波器、带 通滤波器、高通滤波器、带阻滤波器、延时滤波器 等； ◆对于带通滤波器，其主要性能指标有： a）通带频率；b) 插入损耗； c) 回波损耗； d) 通带波纹; e) 带外抑制； f) 功率容量。
滤波器
端口1 端口2
◆从实现形式，微波滤波器主要有：微带滤 波器，波导腔体滤波器、介质滤波器等。
d、频率稳定度 双工器的频率稳定度应包括两个含义： 一是本身结构的稳定性，使其分布参数具有一定的稳定度； 二是其温度稳定性。
e、特性阻抗、最大输入功率
最大输入功率是一个双工器所能承受的最大的输入功率，是 双工器的一个使用安全性指标。 无线电话机的天线输入阻抗和发射机的输出阻抗均为５０Ω ，因而要求双工器的阻抗也应为５０Ω。
2 z( N 1 ) / 2
椭圆函数滤波器: （N=6,ripple=0.5dB）
3.不同种类滤波器特点
◆集总元件或LC滤波器通常工作于频率约3GHz以 下的应用。这些滤波器的尺寸取决于工作频率和LC 元件的尺寸。 ◆陶瓷滤波器是在很薄的陶瓷基板上制造的，使用 分立型或集成式元件组成谐振电路。根据陶瓷基板 的介电常数。陶瓷滤波器可以做得特别小，介电常 数越高的材料可以做出越小的滤波器。使用批量生 产方法可以使成本做得很低，也能把尺寸做小。陶 瓷滤波器工作频率受限于约6GHz，功率电平受限 于约5W，但非常适合做成要求小尺寸的带通和带阻 滤波器。
2 PLR 1 k 2TN ( / c )
通带内插损和带外抑制(-dB, 图中，k=0.3,1; N=5)
两种响应的比较
PLR 1 k C ( )