半导体常用缩写

半导体常用缩写词汇汇总

EPI 外延 PM 设备维护与保养

PCW 工艺冷却水 PMC 生产计划与物料控制

PLC 可编程序控制控制器

H2 氢气 Sb 锑

N2 氮气 As 砷

SiHCl3 （TCS）三氯氢硅 B 硼

PH3 磷烷 CMOS 互补金属氧化物半导体

HCl 氯化氢 CMP 化学机械抛光

Hg 汞（水银） ESD静电释放

HNO3 硝酸 H2O2双氧水

HF 氢氟酸 MOS 金属氧化物半导体

SPC 统计过程控制 PCM 工艺控制监测

MRB 异常评审委员会 PCN 工艺变更通知单

CAB 变更评审委员会 ECN 工程变更通知单

OCAP 失效控制计划。指制程过程中失控时所应采取的对应措施。是一种受控文件，包含造成异常的因素等

PSG 磷硅玻璃

TF 薄膜 PVD物理气相淀积

PHO 光刻 PCB 印刷电路板

DIF 扩散 RF 射频

II 注入 UV紫外线

CVD 化学气相淀积 VPE气相外延

SPV 扩散长度 Bubbler 鼓泡器

CD 关键尺寸 EMO 设备紧急按钮

CD-SEM 线宽扫描电镜 ScrubbLer 尾气处理器

ETCH 刻蚀（腐蚀） Coat 包硅

H2-BAKE 氢气烘烤 SRP 外延层纵向电阻率分布

1号液：（NH4OH:H2O2：H2O） NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，

2号液：（HCl：H2O2：H2O） HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5

3号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，

4#号液:H2O:HF=10:1

CV：电容-电压测试

BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液

CZ：切克劳斯基直拉法 Wafer：抛光片

FZ：区熔方法 THK：膜厚

Rs：电阻 TTV:总厚度偏差

TIR：平整度 STIR：局部平整度

LTO：背封 BOW:弯曲度

CHIP:崩边 SLIP：滑移线

MARK:痕迹 WARP：翘曲度

CRACK:裂纹 SPOT: 斑点

HAZE：发雾 CROWN：皇冠，边缘突起物