tio2波导刻蚀
TiO2基透明导电薄膜的可控制备与应用研究
TiO2基透明导电薄膜的可控制备与应用研究摘要：本文介绍了一种利用控制化学沉积法制备TiO2基透明导电薄膜的方法。
研究表明，通过控制前驱物浓度和沉积时间，可以制备出不同厚度和透明度的薄膜。
同时，我们还对薄膜的导电性能进行了测试和分析，并探究了其在太阳能电池、光催化和传感器等领域的应用。
关键词：透明导电薄膜，TiO2，控制化学沉积法，太阳能电池，光催化，传感器1. 引言透明导电薄膜是一种具有广泛应用前景的材料，在太阳能电池、光催化、传感器等领域有着重要作用。
传统的透明导电材料（如ITO）由于其成本高、稀有元素含量大等缺点，限制了其在实际应用中的应用。
因此寻找新型的透明导电材料就成为了一个非常有意义的课题。
TiO2作为一种广泛应用的半导体材料，具有良好的光学、电学性质，在透明导电薄膜领域的应用呈现出了很大的潜力。
目前研究TiO2基透明导电薄膜的方法主要有物理气相沉积、磁控溅射、溶胶-凝胶法等方法。
但是这些方法存在着工艺复杂、设备成本高等问题。
因此，寻找一种简单、经济的制备方法成为了研究的热点。
本文主要探究了一种利用控制化学沉积法制备TiO2基透明导电薄膜的方法，并研究了其在太阳能电池、光催化和传感器等领域的应用。
2. 实验2.1 实验材料和设备所用前驱物为钛酸四丁酯、异丙醇、乙酸丁酯和葡萄糖酸。
实验设备包括旋涂机、真空干燥箱、热处理炉、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪等。
2.2 实验步骤（1）制备前驱体溶液：称取适量的钛酸四丁酯、异丙醇、乙酸丁酯和葡萄糖酸，加入5mL去离子水，搅拌至均匀溶解。
（2）沉积薄膜：将上述前驱体溶液倒入旋涂机中，旋转速度控制在3000rpm。
不同沉积时间和不同浓度的前驱物可以得到不同厚度的薄膜。
（3）烧结处理：将沉积后的薄膜放入热处理炉中，在空气中加热至约400℃进行退火。
3. 结果与分析3.1 薄膜表征通过扫描电子显微镜(SEM)观察得到TiO2基透明导电薄膜的形貌，如图1所示。
减小SiO2光波导表面粗糙度的ICP干法刻蚀工艺研究
Ｓ Ｏ２ ｐ ｉａ ｖ ｇ ｉｅ ｔ ｍ ｌ ｓ ｒａ ｅｒ ｕ ｈ ｅ ｓ ｉ ｔｃ ｌｗａ ｅ ｕｄ ｓｗｉｈ ａｓ ｏ ａ ｌ ｕ ｆｃ ｏ ｇ ｎ ｓ ．Ａｎ ａｏ ｆ ｒｅｍ ｉｒ ｓ ｏ ｅｗ ｔ ｉ ｈ ａ ｃ ｒ ｃ ｔ ｍ ｏ ｃ ｃ ｏ ｃ ｐ ｈ ａ ｈｇ ｃ ｕ ａ ｙ ｉ
ｉ ｓ ｄ ｆ ｒ ｔ ｅ ｍｅ ｓ ｒ ｍｅ ｔｏ ｈ ｕ ａ ｅ ｒ ｕ ｈ ｅ ｓ Ａ ｅ ｙ ｓ ｌ ｓ ｒａ ｅ ｒ ｕ ｈ ｅ ｓ ｏ ． ｎ ｉ ｓ ｕ ｅ ｏ ｈ ａ ｕ ｅ ｎ ｆｔ ｅ ｓ ｒ ｃ ｏ ｇ ｎ ｓ ． ｆ ｖ ｒ ｍ ｌ ｕ ｆ ｃ ｏ ｇ ｎ ｓ ｆ ３ ６ ｍ ｓ ａ
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第 ２卷 第 １ ９ 期 ２０ 年 ２月 ０７
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湿法刻蚀制备铌酸锂锥形脊波导
湿法刻蚀制备铌酸锂锥形脊波导
谷珍杰;温旭杰;张维佳;华平壤;饶前程;黄颖
【期刊名称】《天津科技大学学报》
【年(卷),期】2022(37)2
【摘要】采用由质子交换辅助湿法刻蚀技术,在Z切铌酸锂晶体上成功制备锥形脊波导.该波导脊高为1.2μm、脊宽从4μm增大至8μm,插入损耗4.4 dB.波导表面光滑,表面粗糙度为0.84 nm,没有出现塌边或横向刻蚀的现象.波导宽度从4μm增大至8μm,模式尺寸在水平方向上从4.3μm增大至6.8μm,在垂直方向上从3.2μm 增大至5.6μm.当波导宽度增大时模场尺寸也增大,实现小模场与大模场之间的转换.【总页数】4页(P57-60)
【作者】谷珍杰;温旭杰;张维佳;华平壤;饶前程;黄颖
【作者单位】天津科技大学电子信息与自动化学院;中电科技德清华莹电子有限公司;天津大学精密仪器与光电子工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN252
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Ar^+刻蚀研究5.薄膜铌酸锂光波导ICP刻蚀工艺研究
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TiO2半导体材料的制备
总结
参考文献汇总
中国科学院大连化学物理研究所
前言
随着经济的发展和生活水平的提高，21世纪人 类可持续发展正面临着严峻的能源问题和环境问 题。
中国科学院大连化学物理研究所
前言—— TiO2简介
1972年，Fujishima和Honda报道了以TiO2薄膜为 电极，用光能分解水制氢气。 1976 年，John.H.Carey报道了TiO2光催化氧化法 用于除去污水中的多氯联苯。
3D Dendritic TiO2 Nanostructures
Ziqi Sun, et al., J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 19314–19317
中国科学院大连化学物理研究所
TiO2半导体材料的制备 —— 溶剂热法
Table S1: Compositions of the solutionsfor hydrothermal reaction and the TiO2nanostructureproducts synthesized underdifferent conditions.
《2024年ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》范文
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要：本文着重探讨了ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过实验研究，分析了刻蚀液组成、刻蚀时间、刻蚀温度等参数对ITO薄膜刻蚀效果的影响，并进一步探讨了刻蚀后薄膜的光电性能变化。
一、引言ITO透明导电薄膜因其优异的导电性和可见光透过性，在触摸屏、液晶显示、光电器件等领域有着广泛的应用。
然而，为了满足不同器件的特定需求，常需要对ITO薄膜进行精确的图形化加工。
湿法刻蚀技术因其操作简便、成本低廉等特点，成为ITO 薄膜加工的一种重要方法。
本文将详细研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀工艺及其对光电特性的影响。
二、ITO透明导电薄膜概述ITO薄膜是一种以氧化铟（In2O3）为主要成分，掺杂锡（Sn）的透明导电材料。
其具有高导电性、高可见光透过率及良好的加工性能等特点，广泛应用于光电器件的制造中。
三、湿法刻蚀工艺研究1. 刻蚀液的选择与配制：选择合适的刻蚀液是湿法刻蚀的关键。
常用的刻蚀液包括酸性和碱性溶液。
本文通过实验，探讨了不同浓度和组成的刻蚀液对ITO薄膜刻蚀效果的影响。
2. 刻蚀参数的研究：实验研究了刻蚀时间、刻蚀温度等参数对ITO薄膜刻蚀效果的影响。
通过控制这些参数，可以实现对ITO薄膜的精确图形化加工。
3. 刻蚀工艺的优化：通过实验数据的分析，优化了刻蚀工艺流程，提高了刻蚀效率和刻蚀精度。
四、光电特性研究1. 光学特性：研究了湿法刻蚀后ITO薄膜的可见光透过率变化。
实验发现，合理的湿法刻蚀工艺能保持ITO薄膜的高可见光透过率。
2. 电学特性：通过测量薄膜的电阻率，研究了湿法刻蚀对ITO薄膜电导率的影响。
实验结果表明，适度的湿法刻蚀可以减小ITO薄膜的电阻，提高其导电性能。
3. 表面形貌分析：利用扫描电子显微镜（SEM）对湿法刻蚀后的ITO薄膜表面形貌进行了观察，分析了刻蚀过程中薄膜表面的变化。
五、结论本文通过实验研究，探讨了ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀工艺及其对光电特性的影响。
光催化TiO_2薄膜的溅射沉积技术
收稿日期:2004208212作者简介:姜燮昌(19332),男,上海市人,教授级高工。
光催化Ti O 2薄膜的溅射沉积技术姜燮昌(沈阳真空技术研究所,辽宁 沈阳 110042)摘 要:采用直流反应溅射技术可以制备出具有光催化作用的T i O 2薄膜。
这种T i O 2薄膜经紫外光辐照后,可以分解有机物以及降低水和T i O 2薄膜表面之间的接触角。
然而,普通的直流反应溅射在制备介质膜时,普遍都存在着工艺不稳定、沉积速率低的问题,所以它不适合于工业化生产。
脉冲磁控溅射与直流磁控溅射相比,它在基体表面附近具有较高的等离子体密度以及带电粒子具有较高的能量,这对于T i O 2在低温下结晶十分有利。
此外,采用双极脉冲模式生长的T i O 2薄膜,它的光催化特性要优于单极脉冲模式。
这种双极脉冲溅射并结合等离子体发射监控(PE M ),使得工艺稳定性得到了改善,沉积速率亦得到了提高。
关键词:Ti O 2薄膜;光催化特性;DC 反应溅射;脉冲溅射;工艺控制中图分类号:TB 43;O 484 文献标识码:A 文章编号:100220322(2005)0120001205Sputter i ng deposition technology of photoca ta lytic T i O 2f il m sJ I AN G X ie 2chang(S heny ang V acuum T echnology Institu te ,S heny ang 110042,Ch ina )Abstract :Pho tocatalytic T i O 2fil m s w ere successfully p repared by DC reactive m agnetron sputtering .A fter UV irradiati on ,the T i O 2fil m s can decompo se o rganic substances and reduce the contact angles they m ake w ith w ater drop lets .How ever ,dur 2ing the p reparati on of dielectric layers ,the conventi onal DC reactive sputtering p rocess has the defects of instability and com 2parative low depo siti on rate in general ,w h ich m ake the p rocess often unsuitable in industrial p roducti on .Comparing w ith the DC sputtering m ethod ,pulse sputtering techno logy can p rovide a h igher p las m a density and h igher energy of charged particles in the vicinity of substrate surface ,bo th are beneficial to the low 2temperature crystallizati on of T i O 2.Further mo re ,the anatase phase T i O 2fil m s grow ing in bi po lar pulse mode show a h igher pho tocatalytic activitiy than tho se grow ing in uni po lar mode .T he bi po lar pulse sputtering techno logy in com binati on w ith PE M contro l circuits w ill i m p rove the p rocess stability as w ell as the depo siti on rate .Key words :T i O 2fil m ;pho tocatalytic activity ;DC reactive spu ttering ;p u lse spu ttering ;p rocess con tro l T i O 2是一种具有高折射率、高透光率、非常耐磨、而且化学稳定性又非常好的材料,所以它已经广泛应用于光学镀膜、微电子器件、太阳电池和保护涂层等领域[1]。
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》范文
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要：本文针对ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜的湿法刻蚀技术进行了深入的研究，并探讨了其光电特性。
通过实验分析和理论计算，详细地介绍了刻蚀工艺的优化以及刻蚀前后薄膜的光电性能变化。
一、引言ITO作为一种重要的透明导电材料，因其优异的导电性和光学性能被广泛应用于太阳能电池、触摸屏等光电领域。
而薄膜的精确刻蚀是实现这些应用的关键步骤之一。
因此，对ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性的研究显得尤为重要。
二、ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀1. 刻蚀原理：湿法刻蚀是利用化学溶液对ITO薄膜进行刻蚀的方法。
通过选择适当的化学溶液，使ITO薄膜在溶液中发生化学反应，从而实现薄膜的精确刻蚀。
2. 刻蚀工艺：（1）溶液选择：选择合适的刻蚀液是关键。
通常采用含有硝酸、盐酸等成分的混合溶液作为刻蚀液。
（2）温度控制：控制刻蚀液的温度，以获得最佳的刻蚀速率和刻蚀效果。
（3）时间控制：刻蚀时间的长短直接影响刻蚀的深度和精度，需通过实验确定最佳刻蚀时间。
三、光电特性研究1. 光学性能：ITO薄膜具有较高的光学透过率，对可见光波段的透光率可达80%《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇二摘要：本文着重探讨了ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过分析刻蚀过程中不同参数对薄膜性能的影响，以及刻蚀后薄膜的光电性能测试，为ITO薄膜在光电器件中的应用提供了理论依据和实践指导。
一、引言ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜因其良好的导电性和光学透过性，在液晶显示、触摸屏、太阳能电池等领域得到了广泛应用。
而湿法刻蚀技术作为一种重要的薄膜加工方法，在ITO薄膜的制备和形状控制中发挥着重要作用。
因此，研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及其光电特性，对于提高光电器件的性能和优化其生产工艺具有重要意义。
二、ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀技术2.1 刻蚀原理ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀主要是利用化学反应将薄膜上的部分材料去除，以达到改变薄膜形状或尺寸的目的。
介孔TiO2薄膜光波导共振传感器对苯并(a)芘的探测灵敏度
并（ ａ ） 芘 的探 测灵敏 度 。研 究表 明这 种介 － Ｔ Ｌ Ｔ ｉ ０２ 薄 膜ＯＷＲ 传 感芯 片具有 良好 的稳 定性 ，可重 复利用 。
关键词 ：苯 并（ ａ ） 芘 ；光波 导共振传 感器 ；介￣ Ｌ Ｔ ｉ ０２ 薄膜 ；疏水 处理 ；增敏 中 图分 类号 光波 导共振（ Ｏ ＷＲ ） 传 感芯片 ，用 于探测水 中苯 并（ ａ ） 芘 。利 用Ｋ ｒ ｅ ｔ ｓ ｃ ｈ ｍａ ｎ ｎ 棱
镜 耦 合 结 构 观 测 到 ＯＷ Ｒ芯 片 在 可 见 ． 近红 外波段 只有 一个共振 波谷 ，基 于相位 匹配 条件确 定 了该共振波
ｄ ｏ ｉ ： １ ０ ． ３ ８ ６ ６ ／ Ｐ Ｋ Ｕ． ＷＨ ＸＢ ２ ０ １ ７ ０ ６ ０ ９ １
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介孔 Ｔ ｉ ０ ２ 薄膜光波 导共振传感器对苯 并（ ａ ） 芘 的探测 灵敏度
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