氮化镓和碳化硅的应用
半导体技术的新材料发展及应用
半导体技术的新材料发展及应用随着计算机、通讯、物联网和人工智能等新技术的不断快速发展，半导体技术在这些领域中的应用越来越广泛。
而随着人们对于新材料和新技术的不断探索，半导体材料的发展正处于一个新的突破点。
在这篇文章中，我们将深入探讨半导体技术的新材料发展及其应用。
一. 新材料的发展1. 碳化硅材料碳化硅（SiC）是一种非常有前途的半导体材料，具有良好的热导性能和耐高温性能。
碳化硅材料可以在高温下工作，因此适用于制造高温二极管和功率器件等。
目前，碳化硅材料已经在汽车、电力等领域得到广泛应用。
2. 氮化镓材料氮化镓（GaN）材料是一种具有高电子迁移率和高饱和电流密度的半导体材料。
它广泛应用在LED照明、光伏发电、无线通讯和雷达系统等领域。
氮化镓材料的特点是具有高亮度、长寿命、低能耗等优点。
3. 氮化铝材料氮化铝（AlN）是一种具有高热导性、高电绝缘性和高机械强度的半导体材料。
它广泛用于氮化镓LED、超声波传感器、高功率半导体器件、氢化物半导体器件等。
在这些领域中，氮化铝材料已经显示出更高的性能和更低成本。
二. 新材料的应用1. LED照明LED照明已经成为新能源照明领域发展的主流，这主要得益于氮化镓材料的广泛应用。
氮化镓材料的特点是具有高亮度、长寿命、低能耗等优点，因此可以替代传统的白炽灯和荧光灯。
LED照明在新能源领域中的应用已经日益增多。
2. 无线通讯随着人工智能、物联网等领域的快速发展，无线通讯的需求也在不断增加。
在这方面，氮化镓和碳化硅材料的应用得以广泛发展。
氮化镓材料的高频特性良好，是移动通讯中的重要材料，如5G基站中的功率放大器模块就采用氮化镓材料。
碳化硅材料因其高温性能良好，被广泛应用于电力电路中。
3. 太阳能电池氮化铝材料在太阳能电池中广泛应用，它具有高电绝缘性和高光学透过率等特点。
太阳能电池具有非常好的可再生性和环保性，因此也吸引了越来越多的人的关注。
4. 其他应用除了上述领域外，新材料还在许多其他领域得到广泛应用。
碳化硅和氮化镓驱动方式
碳化硅和氮化镓驱动方式碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是一种新型的半导体材料，具有独特的性能优势，广泛应用于电力电子驱动中。
碳化硅和氮化镓的驱动方式可以通过多种方法实现，本文将从独立门极驱动和半桥驱动两个方面讨论这两种半导体材料的驱动方式。
一、碳化硅和氮化镓的独立门极驱动方式独立门极驱动方式是碳化硅和氮化镓驱动的一种常见方式。
独立门极驱动方式是将碳化硅和氮化镓的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）与驱动电路相连，通过控制门极电压来实现对晶体管的开关控制。
碳化硅和氮化镓的MOSFET具有较低的漏电流和较高的开关速度，可以更高效地实现开关控制。
独立门极驱动方式的优点是驱动电路简单、成本低廉、功率损耗小。
这种驱动方式适用于一些要求较低的应用场合，例如家电、照明等。
二、碳化硅和氮化镓的半桥驱动方式半桥驱动方式是碳化硅和氮化镓驱动的另一种常见方式。
半桥驱动方式是将碳化硅和氮化镓的MOSFET组成一对互补型MOSFET，并与驱动电路相连，通过控制互补型MOSFET的开关状态来实现对负载的控制。
半桥驱动方式可以实现全桥逆变器，广泛应用于电机驱动、电动车充电器等高功率场合。
半桥驱动方式的优点是输出功率较大、效率较高、适用于较高的频率。
半桥驱动方式可以实现垂直DIY（Drift Integrated with hetrojunction)结构，进一步提高功率密度和效率。
此外，半桥驱动方式还可以结合反馈控制，实现对输出波形的调节，提高系统的稳定性。
三、碳化硅和氮化镓的驱动方式比较碳化硅和氮化镓的驱动方式在一些方面有着相似之处，如性能优越、能耗低等。
然而，碳化硅和氮化镓在一些技术细节上也存在一定差异。
首先，碳化硅的驱动方式由于晶体管的特性，适用于高功率、高频率的驱动场合。
碳化硅的MOSFET具有较低的漏极电流和较高的开关速度，可以实现高效的开关控制。
其次，氮化镓的驱动方式适用于中低功率、中高频率的驱动场合。
第三代半导体芯片的原料
第三代半导体芯片主要是指基于宽禁带半导体材料的芯片，这些材料具有较高的击穿电压、热稳定性和电子迁移率。
与传统的硅基半导体相比，第三代半导体在高温、高电压和高功率应用中表现出更好的性能。
第三代半导体芯片的主要原料包括：
1. 碳化硅（SiC）：碳化硅是一种典型的宽禁带半导体材料，具有高击穿电压、高热导率和低电子迁移率的特点。
碳化硅芯片适用于高功率和高温的应用，如电动汽车、可再生能源和工业自动化。
2. 氮化镓（GaN）：氮化镓同样是一种宽禁带半导体材料，具有更高的电子迁移率和更低的电阻率。
氮化镓芯片适用于高效率的电力电子转换和高速通信系统。
3. 氧化镓（Ga2O3）：氧化镓是另一种宽禁带半导体材料，其熔点较高，适用于高功率和高温环境下的应用。
4. 金刚石：虽然金刚石不是宽禁带半导体，但它是一种优秀的导热材料，可以用于散热applications。
这些材料在生产第三代半导体芯片时需要经过严格的加工和处理，包括晶体生长、切割、抛光、蚀刻、掺杂和封装等步骤。
第三代半导体芯片的研究和开发正在不断进展，有望在未来的电子和光电应用中发挥重要作用。
半导体原材料
半导体原材料
半导体原材料是制造半导体器件的基础材料，其质量和性能直接影响着半导体器件的品质和性能。
半导体原材料主要包括硅材料、氮化镓、氮化铝、碳化硅等，下面就这些材料进行简要介绍。
首先，硅材料是半导体工业的主要原材料之一，其主要用途是制造各种类型的晶体管、集成电路和太阳能电池等。
硅材料具有优良的半导体性能和良好的机械性能，是目前半导体工业中最广泛应用的原材料之一。
其次，氮化镓是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，具有较高的电子迁移率和较大的击穿电压，适用于制造高频功率器件、光电器件和蓝光LED等。
氮化镓材料的开发和应用对于提高半导体器件的性能和降低功耗具有重要意义。
再次，氮化铝是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，具有优良的热稳定性和耐腐蚀性，适用于制造高温、高频和高功率的电子器件。
氮化铝材料的研发和应用对于提高半导体器件的工作温度和可靠性具有重要意义。
最后，碳化硅是一种新型的半导体材料，具有较高的电子迁移率和较大的击穿电压，适用于制造高频功率器件、光电器件和高温电子器件。
碳化硅材料的开发和应用对于提高半导体器件的工作频率和工作温度具有重要意义。
总的来说，半导体原材料是半导体工业的基础和关键，其质量和性能直接影响着半导体器件的品质和性能。
随着半导体工业的不断发展，对于半导体原材料的要求也越来越高，需要不断开发新的材料和提高现有材料的质量和性能，以满足不断变化的市场需求。
希望通过对半导体原材料的研究和应用，能够推动半导体工业的发展，为人类社会的科技进步做出更大的贡献。
功率器件金属体系
功率器件金属体系是指在功率电子器件中使用的金属材料组成的体系。
功率电子器件通常用于控制和转换电力，因此需要具备较高的电流和功率承受能力。
常见的功率器件金属体系包括：
1. 硅（Silicon）：硅是最常用的半导体材料之一，在功率器件中广泛应用。
硅具有良好的导电性和耐热性，可用于制造功率二极管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等器件。
2. 碳化硅（Silicon Carbide，SiC）：碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有较高的电热导率和击穿电场强度。
碳化硅器件可以实现更高的工作温度、更高的开关速度和更小的能量损耗，被广泛应用于高压、高频、高温和高功率的应用领域。
3. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有优异的高频特性和高温特性。
氮化镓器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，可用于制造高效率、高频率的功率变换器。
4. 铜（Copper）：铜是一种优良的导电材料，在功率器件中常用于制造导线、散热片等部件。
铜具有良好的导电性和导热性能，可以有效地传输和散发功率器件产生的热量。
这些金属体系在功率器件中扮演着重要的角色，不仅影响器件的性能和可靠性，还对功率电子系统的整体效能起到关键作用。
随着技术的不断进步，功率器件金属体系也在不断演进和改进，以满足不断提高的功率需求和性能要求。
1。
宽禁带半导体及其应用
宽禁带半导体及其应用宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor）是指能带宽度较大的半导体材料，其能带宽度一般大于1.7电子伏特（eV）。
与传统的硅材料相比，宽禁带半导体具有更高的电子能带宽度，从而具备更好的电子传输性能和热稳定性。
宽禁带半导体的出现，对电子行业的发展和应用带来了革命性的影响。
宽禁带半导体材料的代表性物质有碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
碳化硅具有高熔点、高热导率、高击穿电场强度等特点，广泛应用于功率电子器件、光电子器件和射频器件等领域。
氮化镓则具有优异的电子传输特性和高温稳定性，主要应用于高功率和高频率的电子器件中。
宽禁带半导体材料的应用领域非常广泛。
首先是能源领域，宽禁带半导体材料可以应用于太阳能电池、LED照明和电动汽车等设备中。
碳化硅太阳能电池具有高转换效率、较长的使用寿命和高温稳定性的特点，被认为是下一代高效太阳能电池技术的发展方向。
宽禁带半导体材料在LED照明中的应用也十分广泛，其高亮度、高效率和长寿命的特点使其成为替代传统照明的理想选择。
此外，宽禁带半导体材料还可以应用于电动汽车的功率电子模块，提高电池的充放电效率，延长电池寿命。
其次是通信和无线电频率领域。
宽禁带半导体材料在射频功率放大器、微波器件和雷达系统中有广泛应用。
碳化硅和氮化镓材料的高电子迁移率、高饱和漂移速度和高电子浓度使其成为高功率无线电频率电子器件的理想选择。
宽禁带半导体材料还在高频率通信领域中具有重要作用，可以实现高速数据传输和低噪声放大。
宽禁带半导体材料还可以应用于国防和航空航天领域。
碳化硅和氮化镓材料的高温稳定性和高电压应力能力使其成为高温、高频、高功率和高压环境下的理想选择。
宽禁带半导体材料在航空航天领域中可以应用于高速飞行器的电力系统、雷达系统和通信系统等关键部件，提高系统的可靠性和性能。
宽禁带半导体作为一种新型材料，在能源、通信、国防和航空航天等领域具有广泛的应用前景。
新型半导体材料与器件的研究
新型半导体材料与器件的研究随着科技的飞速发展，新型半导体材料与器件的研究已经成为了一个热门话题。
这些新材料和器件的出现，为我们的生活带来了不少便利和创新。
本文就来介绍这些新型半导体材料与器件的研究，并分析它们的应用前景。
一、新型半导体材料的研究1. 碳化硅材料碳化硅是一种具有优良性能的半导体材料，与传统的硅材料相比，它具有更高的热稳定性、更高的耐高温性和速度更快的传输能力。
因此，碳化硅材料被广泛应用于电力、航空、汽车等领域。
2. 氮化镓材料氮化镓材料是一种新兴的半导体材料，它具有传统材料所不具备的优点，比如能更好地承载高频信号、提高功率密度和提高效率等。
多数面向高频应用的器件都使用氮化镓材料制造器件，如LDMOS、HEMT、PIN二极管等。
3. 磷化镓材料磷化镓是一种非常重要的半导体材料，它具有高电子迁移率、高击穿场强度和极低的线性失真率等显著优点。
因此，它被广泛应用于硅基微波射频中功率放大器、毫米波功率放大器、微波开关等应用。
二、新型半导体器件的研究1. 三极管三极管是一种三端器件，它具有放大电流的作用。
随着技术的不断进步，三极管性能也得到了提高。
当前，三极管不仅可以用于音频放大器，还广泛应用于照明、电源、通信等领域。
2. 功率半导体器件功率半导体器件是一类高电压、高电流功率数字和模拟电路中的关键器件。
其中，IGBT是目前应用最广泛的一种器件，它可以用于交流电源的变频控制，使得电源变为可控、可逆、无级调速的功率源。
此外，超级结二极管、肖特基二极管等新型功率器件的发展也受到越来越多的关注。
3. 光电器件光电器件是一类利用光电效应实现电能转换的器件，其中，光电池是一种核心器件。
光电池将太阳光转换为电能，广泛应用于太阳能光伏电源、自负载工业、农村无电地区供电等领域。
此外，光电晶体管也是一种新型的光电器件，它可以用于光通信、高速图像采集等领域。
三、新型材料和器件的应用前景随着人们对能源、环保、先进制造等领域的要求越来越高，新型半导体材料和器件的应用前景也越来越广阔。
氮化镓 碳化硅 温度 -回复
氮化镓碳化硅温度-回复题目：氮化镓与碳化硅在高温环境下的性质与应用引言：氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，具有较高的热稳定性和耐高温性能，被广泛应用于高温环境下的电子器件和能源系统中。
本文将分别介绍氮化镓和碳化硅在高温环境下的主要性质，并探讨其在各个领域的应用及未来发展趋势。
一、氮化镓在高温环境下的性质与应用1.1 温度对氮化镓的影响氮化镓具有较高的热导率和较低的热膨胀系数，具备了在高温环境下稳定工作的能力。
研究表明，氮化镓的禁带宽度和电子迁移率随温度的升高而增大，从而增强了其在高温下的电子输运性能。
1.2 氮化镓的高温应用（1）功率电子器件：氮化镓材料的高耐温性能使其成为开关电源和逆变器等高功率电子器件的理想材料。
由于其较高的浓度与迁移率，氮化镓的场效应管（HEMTs）在高温情况下具有出色的电流开关特性。
（2）光电子器件：氮化镓具有宽带隙特性，可广泛应用于高温环境下的LED照明器件、激光器和太阳能电池等。
高温环境下，氮化镓的发光效率和电子注入效率均优于其他半导体材料，使其在高温照明和能源转换方面具有重要应用潜力。
（3）高温传感器：氮化镓材料具有高化学稳定性和热传导性能，可用于制造高温传感器。
如高温压力传感器、高温气体传感器等，它们在石油化工、航天航空等领域中的应用得到了极大的关注。
二、碳化硅在高温环境下的性质与应用2.1 温度对碳化硅的影响碳化硅具有较高的热导率和较低的热膨胀系数，能够在高温环境下保持良好的热稳定性。
而且碳化硅的禁带宽度较宽，能够提供更广泛的能量带隙，从而提高了其在高温下的电子迁移率和载流子浓度。
2.2 碳化硅的高温应用（1）功率电子器件：碳化硅材料具有高电场耐受能力和低导通电阻特性，能够应用于高温和高压的功率电子器件中。
如碳化硅功率MOSFETs（金属氧化物半导体场效应晶体管）等，能够在高温条件下实现高效率和高可靠性的功率转换。
（2）光电子器件：碳化硅具有宽带隙和高辐射抗损伤能力，可用于制造高温和高辐射强度环境下的光电子器件。
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氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用前言对于宽带隙（宽禁带）材料和设备的研究工作已经持续许多年了，这些材料的特性令设计者非常满意，因为宽的带隙设备显著的性能改善超过了以硅为基础的其他材料。
他们在高温度下、高功率密度下、高电压下和高频率下运转的能力，使他们在未来的电子系统中的使用非常令人关注。
对未来的开关和高频功率应用方面大有前途的两种非常重要的宽带隙材料就是氮化镓和碳化硅。
关于氮化镓与碳化硅材料，半导体器件是否可能而且这种设备/材料是否最适合各种开关和高频功率的应用的问题有大量的正在进行的讨论和质疑。
本论文总结了我们对于目前发展现状的理解以及这些技术的领先之处。
材料特性、设备结构和成本都是重要的和相互关联的。
最终，我们相信碳化硅和氮化镓两种材料都将扮演着重要角色而且都将融入各自的商业市场。
材料属性作为宽带隙材料的表征是一个电子从价带顶部跳到半导体导带底部所适合的能量。
需要能量通常大于一个或两个电子伏特的材料被称为宽带隙材料。
碳化硅和氮化镓半导体通常也被称为化合物半导体，因为他们是由选自周期表中的多个元素组成的。
下表比较了硅(Si)、碳化硅(SiC-4H1)和氮化镓(GaN) 材料的性能。
这些材料的属性对电子器件的基本性能特点产生重大影响。
对于射频和开关电源设备而言，碳化硅和氮化镓两种材料的性能都优于单质硅的。
碳化硅和氮化镓相比单质硅的一个更优的属性是，他们的高临界场允许这些器件能在更高的电压和更低的漏电流中操作。
高电子迁移率和电子饱和速度允许更高的工作频率。
然而SiC电子迁移率高于Si，GaN的电子迁移率又高于SiC，这意味着氮化镓应该最终成为极高频率的最佳设备材料。
高导热系数意味着材料在更有效地传导热量方面占优势。
SiC比GaN和Si 具有更高的热导率，意味着碳化硅器件比氮化镓或硅从理论上可以在更高的功率密度下操作。
当高功率是一个关键的理想设备特点时，高导热系数结合宽带隙、高临界场的碳化硅半导体具有一定优势。
氮化镓相对较差的导热性，使系统设计人员处理氮化镓器件的热量管理面临一个挑战。
材料质量碳化硅和氮化镓的材质，在过去几年已经进行了实质性的改善。
我们的经验是，碳化硅比氮化镓更进一步，因为氮化镓基板只能被制造到直径2英寸。
无论何种情况下，对于开关和高频功率应用的设备研究兴趣点是，需要将碳化硅或氮化镓的外延层生长或沉积在由相同(均相外延)或不同(异质外延) 的材料组成的衬底上。
同质外延的碳化硅器件在制造方面某种程度上类似于单质硅，因为在碳化硅衬底上要形成碳化硅外延层（图一）。
其结果是在外延层和衬底之间具有良好的晶体匹配，并且有一个导电和导热路径从顶部到晶片的底部。
这就具备了在设备结构以及成本上可以制造的意义。
现在有许多制造碳化硅衬底和外延晶片的公司。
Cree公司历来占据优势地位，但是其他公司都在材料质量以及同样重要的成本方面非常迅速与之缩小差距。
图一：垂直的双扩散碳化硅半导体场效应晶体管现今，氮化镓基板主要用于在2英寸晶圆片上制造蓝色激光二极管，这是氮化镓材料在当下技术发展的最新水平。
对于以氮化镓为基础的器件，同质外延氮化镓晶片比异质外延方法更具优势；但是，高品质（低缺陷）的准备外延氮化镓衬底的生产流程仍处于早期阶段，比起碳化硅还有很多不成熟之处。
当涉及到大量单晶氮化镓的生长能达到开盒即用的基板时，正如碳化硅一样，还存在必须要解决的许多固有挑战。
因此，今天常用的方法是异质外延的方法。
但对开关和高频功率应用而言，要实施几种变化，今天对于异质外延氮化镓晶片的主要选择为，氮化镓外延层置于“非天然”碳化硅衬底上。
另一种正在使用的组合是氮化镓外延层置于单质硅上。
在这两种情况下，存在需要被考虑添加额外的材料和加工费用的晶格差异。
图二：使用氮化镓与过渡层材料，硅或碳化硅作为衬底，去匹配晶格的横向晶体管适应晶体差异的常用方法是通过使用一个缓冲层（图三）。
氮化铝(AlN)是一种被使用的材料，他提供了良好的材料匹配，但是他的电绝缘影响了可以制造的设备结构的类型。
创建缓冲层也增加了成本和工艺的复杂性。
此外，为了不影响设备性能、生产量和可靠性，这些缓冲层结合非原生基质的使用导致的缺陷和固有应力需要被克服。
图三：氮化镓和所需的缓冲层的横截面对于同质外延的碳化硅，国家最先进的晶圆直径是3到4英寸，而对于在碳化硅或单质硅晶圆上的异质外延的氮化镓是3英寸。
在成本方面，在SiC晶片上的GaN成本超过在SiC晶片上的SiC的同行的成本约20%。
从设备制造业的观点出发，在SiC或Si晶片上的GaN的缺陷要高于在SiC晶片上的SiC的同行。
这是一个重要的考虑因素，因为不同于简单的二极管或发光二极管，电力设备对于缺陷非常敏感。
此外，在Si晶片上的GaN在外延界面具有2比1差异的(图四)热膨胀系数（CTE），在功率循环过程中是的一个问题（为何材料的附加层必需机械地发出设备声音的另一个原因）。
Si晶片上的GaN承诺要比在SiC晶片上的SiC或GaN大幅的降低成本，导致了当前对这种组合的大量兴趣。
主要问题是该设备结构，生产量，电气和热性能，可靠性和整体成本系统的效益能推翻目前使用的硅器件吗？图四：半导体原料的晶格常数和热膨胀系数设备拓扑同质外延的碳化硅具有纵向和横向的设备都可被制造的优点。
碳化硅横向设备：•金属半导体场效应晶体管是流行的高频设备，不但能使源信号通过高频应用，而且能一体化成在单片微波集成电路（MMIC）的形式。
美高森美公司目前正在开发一个针对S波段（约3千兆赫兹）频率范围的金属半导体场效应晶体管，这个频率是用同质外延的碳化硅可能实现获得的最高频率。
碳化硅纵向设备：•对于设计师想要包括肖特基二极管、结型场效应管、静电感应晶体管、直插式二极管、双极型晶体管和圣杯，以及常关型设备和金属半导体场效应晶体管在内的一切。
有许多公司提供各种电流和阻断电压额定值的碳化硅肖特基二极管。
美高森美公司提供了包含碳化硅肖特基二极管的电源模块,还引进了在甚高频(30兆赫到300兆赫)和超高频(300兆赫到600兆赫) 的频率下操作的两个射频静电感应晶体管。
我们的下一代射频静电感应晶体管将以L波段（1至2千兆赫兹）的频率范围作为目标。
直插式二极管和双极结型晶体管（开关和射频）受到要在整个垂直结构上非常精确地控制掺杂层的需要的挑战，并且由于受到可利用的原始材料的限制，因此在这个时候一般不会做好生产的准备。
一些公司最近宣布了要在金属半导体场效应晶体管上做出地进步，其中主要的挑战是为了可用的电流而生产可靠的设备和扩大芯片尺寸，同时保持合理的收益率。
我们的评估是，他们正在为接近生产做准备，但全规模生产可能是一两年后了（Yole发展署预测了2014年的碳化硅半导体场效应晶体管的大量生产）。
有几家公司正在致力于结型场效应管电源开关应用的研究工作。
结型场效应管面临的最常见的挑战是，设计者不情愿使用常“开”结构，因为他们习惯设计常“闭”的硅半导体场效应晶体管。
显然，电路设计者不希望开关设备在“接通”位置上失败。
为了解决这个问题，一些公司正在开发一种常“开”高电压的碳化硅结型场效应管与常“关”低电压的硅半导体场效应晶体管串联而成的共源共栅结构。
这种方法的一个缺点是，硅半导体场效应晶体管决定了解决方案的最高温度。
其他的则发展成常“闭”的碳化硅结型场效应管，其中的阈值电压大约1V的和最大转（门源）电压大约3V。
这些常“闭”的结型场效应管面临的挑战是，设计人员仍然勉强使用它们，因为害怕杂散信号导致设计的故障。
实质性的效率提升已经证明了对这两种解决方案具有真正的兴趣，并为每个方案做出承诺。
由于补偿所需的缓冲层没有匹配的晶格材料，所以此时无论在SiC还是Si晶片上异质外延的GaN设备都局限于横向结构。
横向设备相比它们垂直的同行有相当大的缺点，包括需要更大的芯片尺寸和附加上部接触器等。
氮化镓横向设备：•横向设备通常比垂直设备需要更多的空间。
制造业生产量也会受到较大设备的影响。
•因为必须持续穿过设备表面的大电场，横向设备往往在其工作电压能力上受到限制。
•而例如肖特基二极管的横向氮化镓设备已被证实，目前他们不具有被制造的实用性。
•无论是开关或是高频功率的应用，最常见的横向设备结构是HEMT（高电子迁移率晶体管）。
今天，基于高电子迁移率的碳化硅晶体管之上的射频氮化镓设备，在非常高的频率例如C和X波段下，正在被制造使用。
这些设备的主要采用者都是防御系统，例如那些所需的电子战应用。
在碳化硅晶片上的氮化镓是首选，因为在成本不是主要因素的情况下，它的射频性能占主宰地位。
基于高电子迁移率的碳化硅晶体管之上的射频氮化镓设备也正在被开发。
这些设备的支持者主要针对目前受横向扩散的硅场效应管设备控制的无线通信应用为研究目标。
虽然基于硅的设备不像基于碳化硅的设备那样高的性能，但赌注是结合未来低成本的承诺它的性能优势在基于站市场（3G，4G，WiMAX）的远程通信方面将战胜现任的横向扩散的硅场效应管和高电子迁移率砷化镓晶体管。
•另一个追求在高电子迁移率硅晶体管之上的氮化镓产品的应用空间是低电压（约200V及以下）的开关电源电子设备。
有几家公司正在对原始材料的质量改进、晶圆直径的提高、晶片成本的减少、结合增强模式的生产量的改进下赌注，通常是闭装置和高性能的氮化镓器件将战胜目前最先进的硅设备。
也可能是这些产品的RadHard市场。
但是当你尝试将此概念应用到高电压设备时，普遍的共识是，主要是因为在硅晶片上的氮化镓的功率它失去蒸汽，并且在碳化硅晶片上的氮化镓材料将需要被到放到一个必要的设备上和同质外延的碳化硅器件正碰撞。
设备拓扑总结图五：半导体材料的纵向和横向拓扑概要根据材料特性和当前的设备能力，我们希望以下碳化硅/氮化镓的结果。
•在碳化硅之上的异质外延的氮化镓将主导在S波段上的射频频率的应用，其中性能是至关重要的，例如在国防领域的应用。
•在单质硅之上的异质外延的氮化镓在基于站市场（3G，4G，WiMAX）的远程通信方面可以找到一个代替现任的横向扩散的硅场效应管和高电子迁移率砷化镓晶体管的地方。
这取决于几个因素:•如何快速将成本降下来?•这些应用程序需要什么性能?•将会出现什么新的应用?•对现任的设备性能和成本还有什么高招改进？•在高电子迁移率硅晶体管之上的异质外延的氮化镓在开关电源电子市场(由国际整流器和EPC技术推动)上可能取代低电压设备。
这也取决于若干因素，但主要归结为性能（包括与常“开”装置相关联的磁阻，或具有有限的输入电压摆幅能力的常“闭”设备）和成本比率是否将提供一个有益的又名“有价值”的系统，他将迫使设计师采用。
此外，还可以有在RadHard市场上用这些设备的机会。
•同质外延的碳化硅纵向设备将在约600V的开关应用上占优势，特别是对更高功率的应用，因为：•相比在碳化硅之上的异质外延的氮化镓而言，同质外延的碳化硅将保持较低的成本。