串联、并联电容与电阻作用(精制甲类)
场效应管闸极加入471/100v电容和10k电阻并联作用
场效应管闸极加入471/100v电容和10k电阻并联接地。这个电路起到什么左右啊。470pf的电容一般在什么地方使用的多？
推荐答案
1;场效应管输入电阻很大，如果上一级电路是电流输出型，则需要加一个并联到地的电阻将电流转换成电压（场效应管是电压控制性）
2；加电容是抗干扰
3：470PF电容一般用于电源去耦，滤波，高频耦合
晶闸管并联并联一个电阻和电容的作用
电容可以吸收尖脉冲高压，晶闸管并联一个电阻与电容串联的支路，是为了防止电源由于某种原因产生的瞬时脉冲高压击穿晶闸管。
在电路图中电阻与电容并联起什么作用
最佳答案
就这两个电器元件来说，电阻与电容并联后，当电阻两端接高频交流时电阻短路，就相当于只有电容。接直流时电容不通就相当于只有电阻具体问题具体分析
在电路中电阻的两端并联一个电容，或者电容一端接电阻，一端接地，这两种情况电容分别起什么作用？
一、对于电子电路：
电阻的两端并联一个电容,为了减小对高频信号的阻抗，相当于微分，这样信号上升速度加快，用于提高响应速度；电容一端接电阻，一端接地，则相反，滤去高频，相当于积分，用于滤波。
最典型的应用就是放大电路中的高低音频控制。
二、对于电力电路：
不管RC串联还是并联，电容的作用都是一样的，电容的作用就是防止电压突变，吸收尖峰状态的过电压，串联的电阻起阻尼作用，电阻消耗过电压的能量，从而抑制电路的振荡。并联的电阻吸收电容的电能，防止电容的放电电流过大，避免对与之并联的器件（如晶闸管）造成损坏。
最典型的应用就是防止操作过电压。
电容并联电阻，电感有何作用，电容串联电阻，电感有何作用
电容并联电阻，电感有何作用，电容串联电阻，电感有何作用，说明原理好吗？
电容并联电感，产生并联谐振，也称为电流谐振，谐振时，LC的谐振阻抗达到最大值；电容、电感中
的电流达到最大值。并联的R越大，谐振回路的Q值越高。即使不并联电阻，电感、电容本身也有损耗电阻，客观上也存在电阻并联。
电容串联电感，能产生串联谐振，也称为电压谐振。谐振时，LC的谐振阻抗达到最小值；电容、电感上的电压达到最大值。串联的电阻越小，谐振回路的Q值越高。即使不串联电阻，电感、电容本身也存在一定的损耗电阻。
三极管发射极并联一发电阻一个电容接地,电容起什么作用?
交流旁路电容，防止需要放大的交流信号在电阻上行成压降，并接上电容后，因为交流信号可以通过电容，那么夹在电阻上的交流信号就基本上没有了。这样可以提高交流信号放大的增益。还有这样理解比较直观，Ube=Ub-Ue，如果在发射极电阻上有很高的压降的话那么Ube就越小，这样电流就减小了，进而Ic也变小，
在三极管发射极接一电阻接地，然后在电阻两端并联一旁路电容，若将电容开路或短路，分别会出现什么现象？
问题补充：
有偏置电压，希望详细点啊
1、将电容短路，同时也会短路这个负反馈电阻，影响放到电路的热稳定性，当然静态工作点也会改变，。
2、将电容开路，增加了交流负反馈，使得通频带变宽，当然交流放大倍数减小。电阻电容串联问题
一个10K电阻串联一个1000UF电容，接在直流12V电压上，到达稳定状态后，电阻上电压是多少？电容上电压是多少？如果接在交流12V电压上，电阻电容上电压又各是多少？
最佳答案
接在直流12V电压上，电阻上电压是0，电容上电压是12V
接在交流12V电压上，容抗为1/ωC，其中ω为角频率=2 π f，50Hz时约为314，容抗为3.185欧，与10千欧电阻分压，电容上电压3.82毫伏，其电阻上电压约12V
电阻与电容串联电路中阻抗的计算?
我查到了电阻电容电感串联电路中，阻抗
Z平方=R平方+(XL-XC)平方
可是如果电路中只有电阻和电容串联，而且是多个电阻（R1 R2 R3）与多个电容(C1 C2 C3)串联的时候应该怎么算？
晶闸管(可控硅)两端并联电阻和电容的作用
晶闸管(可控硅)两端并联电阻和电容的作用
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容 一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。 在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。 由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 电容的选择: C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器 电阻的选择： R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值 阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10毫秒。 小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆/1W，C=0.01微法/400~630V/。 大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆/10W，C=1微法/630~1000V。 R 的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。 C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。
并串联电阻计算公式
串、并联电路中的等效电阻 串、并联电路中的等效电阻 学习目标要求： 1．知道串、并联电路中电流、电压特点。 2．理解串、并联电路的等效电阻。 3．会计算简单串、并联电路中的电流、电压和电阻。 4．理解欧姆定律在串、并联电路中的应用。 5．会运用串、并联电路知识分析解决简单的串、并联电路问题。 中考常考内容： 1．串、并联电路的特点。 2．串联电路的分压作用，并联电路的分流作用。 3．串、并联电路的计算。 知识要点： 1．串联电路的特点 （1）串联电路电流的特点：由于在串联电路中，电流只有 一条路径，因此，各处的电流均相等，即；因此，在对串联电路的分析和计算中，抓住通过各段导体的电流相等这个条件，在不同导体间架起一座桥梁，是解题的一条捷径。
（2）由于各处的电流都相等，根据公式，可以得到 ，在串联电路中，电阻大的导体，它两端的电压也大，电压的分配与导体的电阻成正比，因此，导体串联具有分压作用。串联电路的总电压等于各串联导体两端电压之和，即 。 （3）导体串联，相当于增加了导体的长度，因此，串联导体的总电阻大于任何一个串联导体的电阻，总电阻等于各串联导 体电阻之和，即。如果用个阻值均为的 导体串联，则总电阻。 2．并联电路的特点 （1）并联电路电压的特点：由于在并联电路中，各支路两端分别相接且又分别接入电路中相同的两点之间，所以各支路两 端的电压都相等，即。因此，在电路的分析和计算中，抓住各并联导体两端的电压相同这个条件，在不同导体间架起一座桥梁，是解题的一条捷径。 （2）由于各支路两端的电压都相等，根据公式，可得 到，在并联电路中，电阻大的导体，通过它的电流小，电流的分配与导体的电阻成反比，因此，导体并联具有分流作用。并联电路的总电流等于各支路的电流之和，即 。
晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用_HOSONIC晶振
晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用 一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。 电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。 Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向?180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大？ 下图所示的一个晶振电路中， 电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
电容器的串并联的计算方法
电容器的串并联的计算方法 电容器的串并联的计算方法 电容器并联时，相当于电极的面积加大，电容量也就加大了。并联时的总容量为各电容量之和：C并＝C1＋C2＋C3＋…… 顺便说说电容器的串联。若三个电容器串联后外加电压为U， 则U＝U1＋U2＋U3＝Q1/C1＋Q2/C2＋Q3/C3， 而电荷Q1＝Q2＝Q3＝Q，所以Q/C串＝（1/C1＋1/C2＋1/C3）Q 1/C串＝1/C1＋1/C2＋1/C3 可见，串联后总电容量减小。 电容器串联时，要并联阻值比电容器绝缘电阻小的电阻，使各电容器上的电压分配均匀，以免电压分配不均而损坏电容器。 又可知，电容的串、并联计算正好与电阻的串、并联计算相反。 电压是充电时的电压，容量与电流，电压的关系和功率相似，和负载有关， 电压和容量为定量时，负载电阻越小，电流越大，时间越短 电压和负载为定量时，容量越大，电流不变，时间越长 但实际放电电路中，一般负载是不变的，电容的电压是逐渐下降的，电流也就逐渐下降。 1.电容量(uf)=电流(mA)/15 限流电阻（Ω）=310/最大允许浪涌电流 放电电阻（KΩ）=500/电容(uf) 2.计算方式C=15×I C为电容容量单位微法i设备为工作电流单位为安 如一个灯泡的电阻为0.6安电容就选择15×0.6＝9微法在电路里串连9微法的电容就可以了 3.经验公式，1uF输出50mA（如果是线性的话，10000F的超级电容可以达到500兆安培的浪涌电流）还有
4.半波整流方式计算应该是每uF电容量提供约30mA电流，这是在中国的50Hz220V线路上的参考。 全波整流时电流加倍，即每uF可提供60mA电流。 而我比较清楚的是，书本上的公式：R*C≥（3～5）*T/2,需要知道纹波成份中的频率最低信号的频率是多少（即最大的T)，然后来确定C的值。 电容的容量。 电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，容抗与交流信号的频率和电容量有关，容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。 ④电容的容量单位和耐压。 电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。换算关系：1F＝1000000μF， 1μF=1000nF=1000000pF。 每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无极电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有极电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 电力电容器计算：如标称电压690v，容量15kvar的三相电容组。用于600v电路中，三角形接法，则实际有效的容量为：s=15kvar*600*600/（690*690）=11.34kvar。 即：容量和电压成平方比关系
欧姆定律公式计算并联电路
1.将两个电阻R1、R2并联后，再与电池组和开关串联成回路．如图所示，已知干路电流为I=2A，通过R1的电流为I1=1.2A，电源电压为U=24V，求R1和R2的阻值是多少? 2.如图所示的电路中，电源电压是12V且保持不变，R1=R3=4Ω,R2＝6Ω.试求：（1）当开关S1、S2断开时，电流表和电压表示数各是多少？ （2）当开关S1、S2均闭合时，电流表和电压表示数各是多少？ 3.两个灯泡并联在电路中，电源电压为12伏特，总电阻为7.5 欧姆，灯泡L1的电阻为10欧姆，求： （1）泡L2的电阻 （2）灯泡L1和L2中通过的电流 （3）干路电流 4.两个灯泡并联在电路中，两灯并联后的总电阻为2.4欧姆，灯泡L1的电阻为6欧 姆，灯泡L2中通过的电流为0.75安培，求： （1）L2的电阻 （2）电源电压 （3）灯泡L1中通过的电流 （4）干路总电流 5.两个灯泡并联在电路中，灯泡L1的电阻为20欧姆，L2的电阻灯泡为30欧姆，干路总电流为0.5安培，求： （1）两灯并联后的总电阻 （2）电源电压 （3）灯泡L1和L2中通过的电流 6.两个灯泡并联在电路中，灯泡L1的电阻为15欧姆，L2的电阻灯泡为30欧姆，灯 泡L1中通过的电流为0.2安培，求： （1）两灯并联后的总电阻 （2）电源电压 （3）灯泡L2中通过的电流 （4）干路总电流
7.如图所示电路,当K断开时电压表的示数为6伏,?电流表的示数为1A；?K闭合时，电流表的读数为1.5安,?求： （1）R1的电阻 （2）R2的电阻 8.阻值为10欧的用电器，正常工作时的电流为0.3安，现要把它接入到电流为0.8安的电路中，应怎样连接一个多大的电阻？ 9.如图所示，电阻R1的阻值为10Ω．闭合电键S，电流表A l 为0.3A，电流表A的示数为0.5A． 求：（1）通过电阻R2的电流． （2）电源电压． （3）电阻R2的阻值． S R2 R1 A
在继电器线圈两端并联电阻和反向并联二极管各起什么作用
并联二极管是用来消耗这个反向电动势的，通常叫做消耗二极管和消耗电阻；直流继电器一般采用二极管，并联电阻的比较少见，具体有什么不同我也说不清楚。 光用电阻不好，线圈通电的时候电阻会消耗电能。 反并联二极管就不会。关断的时候线圈通过二极管泄放储存的磁场能，不会对其他元器件造成影响。 继电器断开(相当于电感断开)时,产生一个感生电动势.并联的二极管会在这个电动势的作用下沿着电感与二极管形成的回路继续向电感(线圈)供电.因此会引时延.(断电时产生的感生电动势往往比电源提供的电压还要高)
并一个二极管的意义在于保护继电器的线圈不被断开时产生的高电压所损坏.(绝缘击穿,线间短路....).
一般来说继电器都有一定的滞后.通常在毫秒级或十毫秒级,加上二极管后虽然有时延,但通常也是可以忽略不计的.< 在电路图中电阻与电容xx起什么作用 就这两个电器元件来说，电阻与电容并联后，当电阻两端接高频交流时电阻短路，就相当于只有电容。接直流时电容不通就相当于只有电阻具体问题具体分析 阻容并联，滤波的一种，产生直流压降，并对交流短路。 工程上一般不用它来滤波，而用来粗略的稳压。典型应用，比如三极管放大电路中，射极电阻加旁路电容，用来稳定静态工作点，减小输入信号对静态点的影响。 交流电从外部输入电源供应器的第一道关卡，为了阻隔来自电力在线干扰，以及避免电源供应器运作所产生的交换噪声经电力线往外散布干扰其他用电装置，都会于交流输入端安装一至二阶的EMI(电磁干扰)Filter(滤波器)，其功能就是一个低通滤波器，将交流电中所含高频的噪声旁路或是导向接地线，只让60Hz左右的波型通过。滤波电路整个包于铁壳中，能更有效避免噪声外泄；插座上只加上Cx与Cy电容，X电容(Cx，又称为跨接线路滤波电容)：
电容并联与串联
引用为什么在一个大的电容上还并联一个小电容 因为大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作（动手拆过铝电解电容应该会很有体会，没拆过的也可以拿几种不同的电容拆来看看），这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。大家知道，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小的ESL，这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为0.1uF的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF、几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这电容叫做去耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。 电容的串并联容量公式-电容器的串并联分压公式 1.串联公式：C = C1*C2/(C1 + C2) 2.并联公式C = C1+C2+C3 补充部分： 串联分压比——V1 = C2/(C1 + C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此并联分流比——I1 = C1/(C1 + C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是交流条件下 一个大的电容上并联一个小电容 大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。 电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。 所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。
电流 电阻 电压 计算公式
电流电阻电压计算公式 1、串联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2串联） ①电流：I=I1=I2（串联电路中各处的电流相等） ②电压：U=U1+U2（总电压等于各处电压之和） ③电阻：R=R1+R2（总电阻等于各电阻之和）如果n个阻值相同的电阻串联，则有R总=nR 2、并联电路电流和电压有以下几个规律：（如：R1，R2并联） ①电流：I=I1+I2（干路电流等于各支路电流之和） ②电压：U=U1=U2（干路电压等于各支路电压） ③电阻：（总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数和）或。 如果n个阻值相同的电阻并联，则有R总= R 注意：并联电路的总电阻比任何一个支路电阻都小。 电功计算公式：W=UIt（式中单位W→焦(J)；U→伏(V)；I→安(A)；t→秒）。 5、利用W=UIt计算电功时注意：①式中的W、U、I和t是在同一段电路；②计算时单位要统一；③已知任意的三个量都可以求出第四个量。 6、计算电功还可用以下公式：W=I2Rt ；W=Pt；W=UQ（Q是电量）； 【电学部分】 1电流强度：I＝Q电量/t 2电阻：R=ρL/S 3欧姆定律：I＝U/R 4焦耳定律： ⑴Q＝I2Rt普适公式) ⑵Q＝UIt＝Pt＝UQ电量＝U2t/R (纯电阻公式) 5串联电路： ⑴I＝I1＝I2 ⑵U＝U1＋U2 ⑶R＝R1＋R2 ⑷U1/U2＝R1/R2 (分压公式) ⑸P1/P2＝R1/R2 6并联电路： ⑴I＝I1＋I2 ⑵U＝U1＝U2 ⑶1/R＝1/R1＋1/R2 [ R＝R1R2/(R1＋R2)] ⑷I1/I2＝R2/R1(分流公式) ⑸P1/P2＝R2/R1 7定值电阻： ⑴I1/I2＝U1/U2 ⑵P1/P2＝I12/I22 ⑶P1/P2＝U12/U22
电阻的串联和并联
电阻的串联和并联 知识点一:； :电阻的串联有以下几个特点：(指R1、R2串联，串得越多，总电阻越大) ①电流：I=I1=I2(串联电路中各处的电流相等) ②电压：U=U1+U2(串联电路中总电压等于各部分电路电压之和) ③电阻：R=R1+R2(串联电路中总电阻等于各串联电阻之和)；如果n个等值电阻（R）串联,则有R总=nR 注：总电阻比任何一个分电阻都大，其原因是电阻串联相当于增加了导体的长度； ④分压作用：U1/U2=R1/R2（阻值越大的电阻分得电压越多，反之分得电压越少） ⑤比例关系：电流：I1∶I2=1∶1 例题：电阻为12Ω的电铃正常工作时的电压为6 V，若把它接在8 V的电路上，需要给它串联一个多大的电阻?(要求画出电路图，在图上标出有关物理量) 例题：把电阻R1=20Ω与电阻R2=15Ω串联起来接入电路中，流过R1、R2的电流之比是 __________，R1、R2两端的电压之比是_____________。 例题：如图所示，电源电压为10V，闭合开关S后，电流表、电压表的示数分别为O.5A和6V。求：(1)通过R1的电流I1是多少? (2)马平同学在求R2的电阻值时，解题过程如下： 根据欧姆定律：R2=U/I=6V/0.5A=12Ω 请你指出马平同学在解题过程中存在的错误，并写出正确的 解题过程。 练习1．电阻R1和R2串联后接在电压为6 V的电源上，电阻R1=2Ω，R2=4Ω，求： (1)总电阻． (2)R1两端的电压．(要求画出电路图，在图上标出有关物理量) 2．如图所示的电路中，若电源电压保持6 V不变，电阻R1=10Ω，滑动变阻器R2的变化范围是O～20Ω．求： (1)欲使电压表的示数为4 V，则此时电流表的示数为多大?滑动变阻器连入电路的电阻是多大? (2)当滑动变阻器连人电路的电阻为20Ω时，电流表、电压表的示数分别是多大? 3．把电阻R1=5Ω与电阻R2=15Ω串联起来接入电路中，流过R1、R2的电流之比是__________，
极管并联电阻的作用
一：电阻与二极管并联的作用是什么？这两个并联后，再与一个电容串联，起到什么作用呢？ 作用 一般是降低二极管等效电阻,并上电阻后二极管两端压降没有减小,但是通过去的电流小了,被并联的电阻分流了,这也是保护二极管的一种办法。 但你这里后面接了电容就有别的作用了，因为二极管是正向电阻小，反向电阻很大，电容放电就不可能走二极管这里走，除非二极管的漏电流很大。加个电阻就可以提供电容放电的途径,当然这样你这个电阻就要比较大,正向通路,二极管电阻小,电流大都走二极管过去,反向时候二极管电阻大,电流走电阻回来。 看具体使用的场合 这样可以使电容的充电时间和放电时间不同,就是快速充电缓慢放电或缓慢充电快速放电,具体作用就要看使用的场合了,比如MCU的复位电路,上电时电容通过电阻充电,获得一个一定宽度的复位脉冲,掉电的时候电容通过二极管快速放电. 改变充放电时间 这样可以让电容的充电和放电时间不一样，锯齿波发生器中就这样做的，正向充电时电流通过二极管走快速给电容充电形成一个跳变，翻转之后电流通过电阻放电比较慢，这样波形缓慢变化二极管主要有下列应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为，锗管为）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 、继流二极管4． 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。
电容器串联并联详解
电容器串联并联详解 Hessen was revised in January 2021
电容器并联时，相当于电极的面积加大，电容量也就加大了。并联时的总容量为各电容量之和：C并＝C1＋C2＋C3＋…… 顺便说说电容器的串联。若三个电容器串联后外加电压为U， 则U＝U1＋U2＋U3＝Q1/C1＋Q2/C2＋Q3/C3， 而电荷Q1＝Q2＝Q3＝Q，所以Q/C串＝（1/C1＋1/C2＋1/C3）Q 1/C串＝1/C1＋1/C2＋1/C3 可见，串联后总电容量减小。 电容器串联时，要并联阻值比电容器绝缘电阻小的电阻，使各电容器上的电压分配均匀，以免电压分配不均而损坏电容器。 又可知，电容的串、并联计算正好与电阻的串、并联计算相反。 电压是充电时的电压，容量与电流，电压的关系和功率相似，和负载有关，电压和容量为定量时，负载电阻越小，电流越大，时间越短 电压和负载为定量时，容量越大，电流不变，时间越长 但实际放电电路中，一般负载是不变的，电容的电压是逐渐下降的，电流也就逐渐下降。 1.电容量(uf)=电流(mA)/15 限流电阻（Ω）=310/最大允许浪涌电流 放电电阻（KΩ）=500/电容(uf) 2.计算方式C=15×I C为电容容量单位微法 i设备为工作电流单位为安 如一个灯泡的电阻为安电容就选择15×＝9微法在电路里串连 9微法的电容就可以了 3.经验公式，1uF输出50mA（如果是线性的话，10000F的超级电容可以达到500兆安培的浪涌电流） 还有 4.半波整流方式计算应该是每uF电容量提供约30mA电流，这是在中国的 50Hz220V线路上的参考。
串并联电路的各种计算公式
【串联电路】：使同一电流通过所有相连接器件的联结方式 串联电路特点： 1. 电流处处相等：I总=I1 =I2 =I3 =……=In 2. 总电压等于各处电压之和：U总=U1+U2+U3+……+Un 3. 等效电阻等于各电阻之和：R总=R1+R2+R3+……+Rn (增加用电器相当于增加长度,增大电阻) 4. 总功率等于各功率之和：P总=P1+P2+P3+……+Pn 5. 总电功等于各电功之和：W总=W1+W2+……+Wn 6. 总电热等于各电热之和：Q总=Q1+Q2+……+Qn 7. 等效电容量的倒数等于各个电容器的电容量的倒数之和：1/C总=1/C1+1/C2+1/C3+……+1/Cn 8. 电压分配、电功、电功率和电热率跟电阻成正比：(t相同) U1/U2=R1/R2，W1/W2=R1/R2，P1/P2=R1/R2，Q1/Q2=R1/R2。 9.在一个电路中，若想控制所有电器，即可使用串联电路。 【并联电路】：使同一电压施加于所有相连接器件的联结方式 并联电路特点： 1.各支路两端的电压都相等，并且等于电源两端电压： U总=U1=U2 =U3=……=Un 2.干路电流（或说总电流）等于各支路电流之和： I总=I1 +I2 +I3 +……In 3.总电阻的倒数等于各支路电阻的倒数和： 1/R总=1/R1+1/R2+1/R3+……1/Rn或写为：R=1/(1/(R1+R2+R3+……Rn))
(增加用电器相当于增加横截面积,减少电阻) 4.总功率等于各功率之和：P总=P1+P2+P3+……+Pn 5. 总电功等于各电功之和：W总=W1+W2+……+Wn 6. 总电热等于各电热之和：Q总=Q1+Q2+……+Qn 7.等效电容量等于各个电容器的电容量之和:C总=C1+C2+C3+……+Cn 8. 在并联电路中，电压分配、电功、电功率和电热率跟电阻成反比:(t相同) I1/I2=R2/R1，W1/W2=R2/R1，P1/P2=R2/R1，Q1/Q2=R2/R1 9. 在一个电路中，若想单独控制一个电器，即可使用并联电路。
为什么在一个大的电容上还并联一个小电容
为什么在一个大的电容上还并联一个小电容 因为大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作（动手拆过铝电解电容应该会很有体会，没拆过的也可以拿几种不同的电容拆来看看），这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。 大家知道，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小的ESL，这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。 所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为0.1uF的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF、几百pF 的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF 的电容到地（这电容叫做去耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。 电容的串并联容量公式-电容器的串并联分压公式
1.串联公式：C = C1*C2/(C1 + C2) 2.并联公式C = C1+C2+C3 补充部分： 串联分压比 V1 = C2/(C1 + C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此并联分流比 I1 = C1/(C1 + C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是交流条件下 一个大的电容上并联一个小电容 大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。 电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。 所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。 常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行)，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电
并联电阻的等效计算公式
并联电阻的等效计算公式.txt 并联电阻的等效计算公式为： 1R =1R1 +1R2 +…+1Rn (1) 使用该公式时，有两种情况计算比较方便： ① 并联的电阻比较少时，如两个电阻并联时，一般都是直接由公式R=R1×R2R1+R2 求得等效电阻 ; ② 当并联的n个电阻阻值相等时，等效电阻为 R=R1n 。 但当多个电阻并联且电阻值又都不相等时，计算就比较烦琐，为此，本文对公式(1)进行了变形，使多个电阻的并联计算变得简化。 将公式(1)变形可得： R= 1 1R1 +1R2 +…+1Rn = Ri RiR1 +RiR2 +…+RiRn = Ri K1+K2+…+Kn (2) 其中K1=RiR1 ，K2=RiR2 ，… Kn=RiRn ，Ri为n个并联电阻中的一个，Ri的选择可遵循如下的规则： ① 选能被其它电阻整除的一个电阻作Ri 例1 有三个电阻并联，R1=3Ω，R2=6Ω，R3=18Ω，则选电阻R3作为被除电阻Ri，即： K1=183 =6，K2=186 =3， K3=1818 =1 等效电阻 R=Ri K1+K2+K3 = 18 6+3+1 =2Ω ②当找不到一个电阻能被其它电阻整除时，选阻值最大的电阻作为被除电阻Ri 。 例2 三个电阻R1=8Ω，R2=10Ω，R3=12Ω并联，则选阻值最大的电阻R3=12Ω作为被除电阻Ri，计算就比较方便，此时有: K1=128 =1.5，K2=1210 =1.2，K3=1212 =1 等效电阻 R=Ri K1+K2+K3 = 12 1.5+1.2+1 =12 3.7 =3.24Ω 当然,也可以任选一个电阻作为被除电阻Ri，但与选择阻值最大的电阻作为被除电阻时相比，计算时小数增多,增加了烦琐程度，甚至影响计算精度. 例如,例2中，选8Ω的电阻作为被除电阻Ri，则有： K1=88 =1，K2=810 =0.8，K3=812 =0.67 得等效电阻 R=Ri K1+K2+K3 = 8 1+0.8+0.67 =8 2.47 =3.23Ω 可见,计算比上例烦琐,精度也有所降低. ③也可以选择n个电阻之外的任意一个阻值作被除电阻，这个电阻可以选成能被所有的n个电阻整除，这样计算更方便。 例如，例2中的三个电阻R1=8Ω，R2=10Ω，R3=12Ω并联时，可选一个能被三个电阻都整除的数值作被除电阻值，如选120Ω，则有： K1=1208 =15，K2=12010 =12，K3=12012 =10 等效电阻 R= Ri K1+K2+K3 = 120 15+12+10 = 120 37 =3.24Ω 结果与例2一致，但计算中少了小数，更容易被接受。 公式(2)的物理意义，就是把所有的电阻都折算成电阻Ri的并联，共折算成K1+K2+…+Kn 个Ri的并联，如上述例1中把所有的电阻都折算成18Ω电阻的并联,将3Ω看作是6个18Ω的电阻并联，6Ω的电阻可看作3个18Ω的电阻并联。上述例2中把所有的电阻都折算成8Ω电阻的并联,10Ω电阻可看作0.8个8Ω的电阻并联,12Ω可看作0.67个8Ω的电阻并联.其中0.8个8Ω的电阻可以这样理解,将8Ω的电阻纵向剖成10份,每份的截面积是原来的十分之一,电阻是原来的十倍(80Ω),取其中的8份并联,即为0.8个8Ω的电阻并联. 综上所述，运用公式(2)计算等效电阻，比公式(1)简单，尤其是当并联的电阻较多时，分解了难点，计算显得更方便了。 . 第 1 页
晶闸管(可控硅)两端并联电阻和电容的作用
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容 一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。 在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。 由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 电容的选择: C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器 电阻的选择： R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值 阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10毫秒。 小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆/1W，C=0.01微法/400~630V/。 大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆/10W，C=1微法/630~1000V。 R 的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。 C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。 看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于
(完整版)电容器的串联习题课
海门中等专业学校专业理论课教案 【组织教学】 1. 起立，师生互相问好 2. 坐下，清点人数，指出和纠正存在问题 【导入新课】 分析作业情况，导入新课。 【讲授新课】 课题：电容器的串联习题课 一．知识回放 1.电容器串联时的特点：
2.电容器串联时的性质： 电容器的电容与其两端电压之间关系： 串联电容器组的分压公式： 二、例题部分 例题1、电容器串联之后，相当于增大了两极板的 ，总电容 每个电容器的电 容。 分析：几个电容器串联后，扩大了两极板间距离，根据电容器的电容与电容各部分结构之间的关系，电容量与两极板间距离成反比，所以电容变小，并且小于每个电容器的电容。 例题2．电路如图所示，当321C C C >>时，它们两端的电压的关系为（ ） A ．321U U U == B ．321U U U >> C ．321U U U << D ．不能确定 分析：根据电容器串联时的性质可知，电容器两端电压与电容成反比，电容大，电压反而小。所以选B 跟踪练习： 三只电容器C 1=9μF ，C 2=3μF ，C 3=18μF ，若将它们串联后接到电路中，则等效电容C= ，电压之比U 1∶U 2∶U 3= ，电量之比Q 1∶Q 2∶Q 3= 。 例题3、两个电容器C1：“2μF ，160V ” ，C2：“10μF ，250V ”，⑴串联后接在300V 的直流电源上， 解： 【课堂总结】 一、课堂纪律与学习气氛总结 二、教学内容小结 【布置作业】 完成练习部分 C2 C1
三、练习部分 1．5个10V 、30μF 的电容器串联，等效电容是 ，耐压是 ；相并联等效电容是 ，耐压是 。 2．将“10μF 、50V ”和“5μF 、50V ”的两个电容器串联，那么电容器组的额定工作电压应为100V 。（ ） 1．电容器C 1和C 2串联后接在直流电路中，若C 1=3C 2，则C 1两端的电压是C 2两端电压的（ ） A ．3倍 B ．9倍 C ． 91 D ．3 1 3．两只电容分别为C1和C2的电容器，其额定值分别为200pF/500V ，300pF/900V ，串联后外加1000V 的电压，则（ ）。 A C1击穿，C2不击穿 B C1先击穿，C2后击穿 C C2先击穿，C1后击穿 D C1，C2均不击穿 4．两只电容分别为C 1和C 2的电容器，其额定值分别为200pF ／500V 、300pF ／900V ，串联后外加1000V 的电压，则（ ） A ．C 1击穿，C 2不击穿 B ． C 1先击穿，C 2后击穿 C ．C 2先击穿，C 1后击穿 D ．C 1、C 2均不击穿 5．1μF 与2μF 的电容器串联后接在30V 的电源上，则1μF 电容器的端电压为（ ） A ．10V B ．15V C ．20V D ．30V 6．电容器C1和C2串联后接在直流电路中，若C1=4C2，则C1两端的电压是C2两端电压的（ ）。 A ．4倍 B ．16倍 C ．1/16 D ．1/4 7．1C （10μF/15V ）和2C （20μF/25V ）串联，其最大安全工作电压为（ ）。 A 、15V B 、25V C 、22.5V D 、40V 8、两个相同的电容器，标有“100pF 、600V ”，串联后接到900V 的电路上，每个电容器带多少电荷量？加在每个电容器上的电压是多大？电容器是否会被击穿？ 9、现有两只电容器，其中一只电容为0.25uF ，耐压为250V ，另一只电容为0.5uF ，耐压为300V 。试求：(1)它们串联以后的耐压值； 10．电路如图，已知电源电动势E=24V ，内阻不计，外电路电阻R1=3Ω，R2=1Ω，电容C1=6μF ，C2=3μF 。求：（1）R1两端的电压；（2）电容C1、C2两端的电压。（3）电容C1、C2所带的电荷量；（8分）
电容器的串联与并联实际使用
电容器的串联与并联实际使用 电容器的串联与并联实际使用电容器时有时会遇到电容器的电容不够或耐压能力不够这就需要把几个电容器连接起来使用连接的基本方法有串联和并联两种。电容嚣的串联把几个电容器的极板首尾相接连成一串这就是电容器的串联图是个电容器的串联。接上电压为的电源后两极分别带电和由于静电感应中间各极所带的电量也等于或所以串联时每个电容器带的电量都是。如果各个电容器的电容分别为电压分别为、。、那么；善墨暑总电压等于各个电容器上的电压之和所以氓一击麦十吉设串联电容器的总电容为则拿所以一十上十杏这就是说串联电容器的总电容的倒散等于各个电容器的电容的倒敦之和。 电容器串联之后相刍于增大了两极的距离因此总电容小于每个电容器的电容。点提示有极性电客主要指电解电客器的串联电路有两种串联电路和逆串联电路下面简要介绍有极性电容器顺串联电路如图所示电路中和均是有极性的电容器的负极与的正极相连这种串联方式称为顺串联电路。有极性电容器腹串联之后仍等效成一只有极性的电容器其极性见图中所示即的正极为正极的负极为负极。叫一￡一￡一圈个电容的串联圈有极性电容器鞭串联电路山在这种申联电路中串联后等效电容器的容量减小总容量的倒数等于各电容的倒敷之和另外这种串联电路可以提高电容器的耐压即当和的容量和耐压均相等时电容的容量只有和的一半但耐压比或的犬一倍。NXP代理商有极性电解电容器的顺串联电路主要是可以提高电容器的耐压。有极性电容器逆串联电路如图所示。这串联电路有两种种是两个电容器的正极相连. 有极性电容器逆串联之后就没有了极性见右边的等效电路为逆串联后的等效电容这样串联后的电容可以作为无极性电容嚣来使用在一些分频电路中就常用这种电路不过这样的无极性电容器没有真正的无极性电解电容器好。如图所示是实用的有极性电解电容器逆串联电路。电路中和逆串联后作为分频电容在一些低档次的音响设备中会碰到这种电路。作为分频电容应该是无极性的电容因为分频电容工作在纯交流电路中见、在电路中的位置流过这两个电容的电流是很大的交流电流。由于交流电流的极性在不断改变所以不能用有极性电容作为分频电容。在没有无极性的电解电容器时可以用有极性的电解咆容逆串联后代瞢。有极性电容嚣在电路中工作时它的正极电压应该是始终高于负极电压所以它不能用于纯交流电路中这样分频电路中的电容器耍用无极性电容器。综上所述在电路中采用有极性电解电容器逆串联电路是为了获得无极性的电容。悒午圈有极性电客嚣逆串联电路图有饭性电容器逆串联应用电路电窖嚣的并联把几个A VX钽电容电容器的正极连在一起负极也连在一起这就是电容器的并联。图是个电容器的并联接上电压为的电源后每个电容器的电压都是。 如果各个电容器的电容分别为所带电量分别为那么—电容器组贮存的总电量等于各个电容器所带电量之和所以十设并联电容器的总电容为则所以图个电容的并联；十这就是说并联电容器的总电容等于各个电容器的电容之和。电容器并联之后相当于增大了两极的面积因此总电容大于每个电容器的电容#电容器串联后电容减小了但耐压能力提高了所以要承受较高的电压可以把电容器串联起来电容器并联后电容增大了耐压能力没有提高所以在需要大电容时可以把电容器并联起来。点提示电路中两个电容嚣甚至更多个电容并联的情况很多归纳起来主要有下列几种情况。大一小电容并联。一个容量很大的电容如电解电容嚣与一个容量很小的电容如瓷片电容器并联如图所示电路中是一个大容量滤波电容是一个小电容为高频滤波电容这种一大一小电容相并联的电路在电源电路中十分常见。图一大一小电容并联从理论上讲在同一频率下容量大的电容其容抗小这样一大一小电容并联后容量小的电容不起作用。
串联、并联电容与电阻作用(精制甲类)
场效应管闸极加入471/100v电容和10k电阻并联作用 场效应管闸极加入471/100v电容和10k电阻并联接地。这个电路起到什么左右啊。470pf的电容一般在什么地方使用的多？ 推荐答案 1;场效应管输入电阻很大，如果上一级电路是电流输出型，则需要加一个并联到地的电阻将电流转换成电压（场效应管是电压控制性） 2；加电容是抗干扰 3：470PF电容一般用于电源去耦，滤波，高频耦合 晶闸管并联并联一个电阻和电容的作用 电容可以吸收尖脉冲高压，晶闸管并联一个电阻与电容串联的支路，是为了防止电源由于某种原因产生的瞬时脉冲高压击穿晶闸管。 在电路图中电阻与电容并联起什么作用 最佳答案 就这两个电器元件来说，电阻与电容并联后，当电阻两端接高频交流时电阻短路，就相当于只有电容。接直流时电容不通就相当于只有电阻具体问题具体分析 在电路中电阻的两端并联一个电容，或者电容一端接电阻，一端接地，这两种情况电容分别起什么作用？ 一、对于电子电路： 电阻的两端并联一个电容,为了减小对高频信号的阻抗，相当于微分，这样信号上升速度加快，用于提高响应速度；电容一端接电阻，一端接地，则相反，滤去高频，相当于积分，用于滤波。 最典型的应用就是放大电路中的高低音频控制。 二、对于电力电路： 不管RC串联还是并联，电容的作用都是一样的，电容的作用就是防止电压突变，吸收尖峰状态的过电压，串联的电阻起阻尼作用，电阻消耗过电压的能量，从而抑制电路的振荡。并联的电阻吸收电容的电能，防止电容的放电电流过大，避免对与之并联的器件（如晶闸管）造成损坏。 最典型的应用就是防止操作过电压。 电容并联电阻，电感有何作用，电容串联电阻，电感有何作用 电容并联电阻，电感有何作用，电容串联电阻，电感有何作用，说明原理好吗？ 电容并联电感，产生并联谐振，也称为电流谐振，谐振时，LC的谐振阻抗达到最大值；电容、电感中