多层片式PTCR内Ni电极概述
多层陶瓷电容器用镍内电极浆料的现状与展望
Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： Ｍｕ ｌ ｔ ｉ － ｌ ａ ｙ ｅ ｒ ｃ ｅ ｒ ａ ｍｉ ｃ ｃ ａ ｐ ａ ｃ ｉ ｔ ｏ ｒ ｓ （ ＭＬ Ｃ Ｃ ）ｉ ｓ ｏ ｎ ｅ ｋ ｉ ｎ ｄ ｏ ｆ ｃ ｈ ｉ ｐ ｃ ｏ ｍ ｐ ｏ ｎ ｅ ｎ ｔ ｓ ｗ ｉ ｍ ｗｉ ｄ ｅ ｌ ｙ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ． Ｔ ｈ ｅ
Ｃｕ ｒ ｒ ｅ ｎ ｔ ｓ ｉ ｔ ｕ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｎ ｄ ｄ ｅ ｖ ｅ ｌ ｏ ｐｍ ｅ ｎ ｔ ｐ ｒ ｏ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｏ ｆ ｎ ｉ ｃ ｋ ｅ ｌ ｉ ｎ ｎ ｅ ｒ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｄ ｅ ｐ ａ ｓ ｔ ｅ ｕ ｓ ｅ ｄ ｉ ｎ Ｍ ＬＣＣ
ｉ ｎ ｃ ｌ ｕ ｄ ｉ ｎ ｇ ｔ ｈ ｅ ｐ ｒ ｅ ｐ ａ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｏ ｆ ｈ ｉ ｇ ｈ ｌ ｙ ｄ ｉ ｓ ｐ ｅ ｒ ｓ ｅ ｄ ａ ｎ ｄ ｈ ｉ ｇ ｈ ｐ ｕ ｒ ｉ ｔ ｙ ｎ ｉ ｃ ｋ ｅ ｌ ｐ ｏ ｗｄ ｅ ｒ ，ｔ ｈｅ ｏ ｘ ｉ ｄ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｒ ｅ ｓ ｉ ｓ ｔ ａ ｎ ｃ ｅ ｏ ｆ Ｎｉ ｐ ａ ｓ ｔ ｅ ａ ｎ ｄ
ｃ ｕ ｒ ｒ ｅ ｎ ｔ ｓ ｉ ｕ ｍｉ ｔ ｏ ｎ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ ｎ ｉ ｃ ｋ ｅ ｌ ｐ ａ ｓ ｔ ｅ ｕ ｓ ｅ ｄ ｉ ｎ ＭＬ ＣＣ ｉ ｓ ｉ ｎ ｔ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｅ ｄ ． Ｔ ｈ ｅ ａ ｔ ｔ ｅ ｍｐ ｔ ｓ ｗｈ ｉ ｃ ｈ ａ ｒ ｅ ａ ｉ ｍ ｔ ｏ ｉ ｍｐ ｒ ｏ ｖ ｅ ｔ ｈ ｅ ｐ ｒ ｏ ｐ ｅ ｒ ｔ ｉ ｅ ｓ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｎ ｉ ｃ ｋ ｅ ｌ ｐ ａ ｓ ｔ ｅ ａ ｒ ｅ ｒ ｅ ｖ ｉ ｅ ｗｅ ｄ ． Ｉ ｎ ｐ ａ ｒ ｔ ｉ ｃ ｕ ｌ ａ ｒ ， ｔ ｈ ｅ ｋ ｅ ｙ ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｉ ｅ ｓ ｆ ｏ ｒ ｐ ｒ ｅ ｐ ａ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｏ ｆ Ｎｉ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｄ ｅ ｐ ａ ｓ ｔ ｅ ａ ｒ ｅ ｓ ｕ ｍｍａ ｒ ｉ ｚ ｅ ｄ ，
功能材料
内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒．这相当于
势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应．钛酸钡半导瓷 的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人 的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC 效应作出了合理解释．
PTC复合陶瓷的电阻—温度特性研究： A相主要材料为 ( Ba1 xSrx)(Ti1.005 xSbx)O3 B相主要材料为
且精度高的PTC热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产
生的电子散射随温度上升而增加，从而电阻增加．
组成对居里温度的影响
不同的PTC热敏陶瓷对Tc(开关温度)有不同的 要求。通过控制BaTiO3的居里点可以解决。改变Tc 称“移峰”，通过改变组成，即加入某些化合物可 以达到“移峰”的目的，这些加入的化合物称为 “移峰剂”。 “移峰剂”具有与Ba2+、Ti4+离子大小、价态 相似的金属离子，可以取代Ba2+、Ti4+离子，形成 连续固溶体。如PbTiO3（高于120℃，Tc=490℃）、 SrTiO3（低于120℃，Tc=-150℃）。添加少量 (Bi0.5,Na0.5)TiO3(简称BNT)、(Bi0.5,K0.5)TiO3(简称 BKT)，PTC材料居里点能提高几十度,但同时室温电 阻也快速增大。
~1150℃
The SEM photograph of the appearance of the Ba0.8Sr0.2TiO3 gel fibers Ba0.8Sr0.2TiO3 溶胶凝胶 纤维的电镜扫描表面图
BaCO3 TiO 2 BaTiO3 CO 2
法的制备温度略低300~400 ℃ 。
晶相组成
显微结构
将PTC陶瓷片抛光后进行热腐蚀，用扫描电子显微 镜进行显微结构分析 通过调压器（型号：TDGCI-5/0.5）调节施加于PTC试片的 电压，并在线路中接上电流表。逐渐加压，当电流突增时 的电压就是PTC的击穿电压。
多层片式PTCR内Ni电极概述
多层片式PTCR内Ni电极概述摘要：多层片式PTCR的内电极基本上采用贱金属Ni，高性能纳米级Ni内电极的制备是获取优异性能多层片式PTCR的关键，本论文以制备纳米级Ni粉为目标。
关键词：PTCR Ni内电极多层片式PTCR的内电极基本上采用贱金属Ni来制备，但这种电极浆料在市场上不易找寻，就算是有也很难满足多层片式PTCR的一些特殊性能要求。
高性能Ni内电极的制备是获取优异性能多层片式PTCR的一项关键技术，因而纳米级Ni粉的获取、Ni内电极浆料组分的研究及配制、Ni内电极浆料的性能表征、欧姆接触Ni内电极性能研究及Ni电极与PTC陶瓷的匹配问题都是需要亟待解决的问题。
PTC陶瓷材料凭借其特殊性能，制成的敏感元件具有灵敏度高、使用方便、结构简单、价格便宜等优点，使得半导瓷器件在IT行业、家电工业等领域有着广泛的应用。
采用Ni作为多层片式PTCR的内电极的缘由概括来说有以下几种：①由于多层片式PTCR需要在1300℃左右温度高温烧结，这就需要有高熔点的内电极金属材料与之对应，同时在烧结过程中不能被氧化，后续PTCR再氧化处理过程中其也不能氧化，而Ni的熔点在1350℃左右，所以理论上非常适合与PTC陶瓷高温共烧；②多层片式PTC陶瓷的迅速发展，用贵金属(Au,Pt,Pd,Ag 等)作电极存在着成本高的问题，而我国是一个贵金属比较贫乏的国家，贱金属资源却相对丰富，若能研制出性能优良的贱金属烧渗Ni电极来代替原有的贵金属电极导体浆料，如果成功将会取得巨大的经济效益和社会效益；③贱金属Ni 在高频特性和导电性等特定领域内具有比贵金属更为优异的性能。
正因为贱金属所带来的经济效益和例如此类的独特优越性使半导瓷用Ni浆料的研制工作具有重要的意义；④多层片式PTCR需采用欧姆接触电极，PTC是n型半导体陶瓷，其与金属能否获得良好的欧姆接触是取决于表面的电子状态，正是基于这种原因，破坏半导瓷表面的氧吸附层是获得欧姆接触的前提。
(整理)第3章镍电极材料
精品文档第3章镍电极材料镍电极的研究和应用有着悠久的历史。
早在1887年，Desmazures、Dun和Hasslacher就讨论了氧化镍作为正极活性物质在碱性电池中应用的可能性。
广泛使用的Cd/Ni、H2/Ni、Zn/Ni、Fe/Ni电池，以及近年来为消除镉污染而迅速发展起来的新型金属氢化物镍（MH-Ni）电池，都以镍电极作为正极。
特别是金属氢化物镍电池目前仍具有很高的商业价值，因此，对高容量、高活性镍正极物质的研制具有重要现实意义。
对氧化镍正极核心组分Ni(OH)2的研究，包括氧化镍电极的发展历史、Ni(OH)2及NiOOH各种结构之间的电化学转化过程、Ni(OH)2的制备方法以及氧化镍电极添加剂等，大大促进了镍系列碱性蓄电池的发展。
3.1镍电极的发展Ⅱ传统氢氧化镍电极充放电循环在β-Ni(OH)2和β-NiOOH之间进行。
在βⅢβ循环中活性物体积变化较小，并且β-NiOOH的电导率比β-Ni(OH)2的高5个数量级。
充电时由于生成β-NiOOH而使电导率逐渐增加，所以，不存在导电问题，但放电时充电态物质可被逐渐增多的、导电性差的放电态物质隔离，因而影响了Ⅱ放电效率。
通过控制电极组成和使用多种添加剂如Co和Zn，可使βⅢβ循环顺利进行。
另外，可以采取相应的预防措施来保证电极活性物质的导电性，限制电极膨胀。
近年来，电极制造工艺不断得到改进，氢氧化镍电极经历了袋式电极、穿孔金属管、烧结镍板、塑料黏结式、泡沫镍及纤维式镍电极等阶段。
烧结镍板电极技术的发明和应用在镍电极发展史上具有重要的作用和意义，但这种结构的镍电极生产工艺复杂，成本较高。
以质量轻、孔隙率高的泡沫镍做基体的泡沫镍涂膏式镍电极比容量高，适宜做MH-Ni 电池的正极。
镍纤维、镀镍钢纤维、镀镍石墨纤维基体因其孔径微小(约50μm)而更受青睐。
此类基体孔隙率高达95%，具有高比容量和高活性，强度好，质量轻等优点。
最初采用阴极浸渍法向泡沫镍基板中填充活性物质，现在使用较多的是将Ni(OH)2以泥浆形式与基板混合，称为“悬浮浸渍技术”。
片式多层瓷介质电容器用的Pd_Ag端电极浆料
Ξ片式多层瓷介质电容器用的P d -A g 端电极浆料王昆福陈子荣俞守耕任金玉(贵金属研究所, 中国昆明650221) (成都715 厂, 中国成都650058)A Pd- A g Ter m i n a l E lec trode Pa st e A pp l i ed to Ch i p M ul t ilayer Ceram i c D i e l e c tr i c Capac itor sW an g Kun f u, Chen Z i ron g Y u Shougen g, Ren J i n y u ( In st i tu te o f P rec i o u s M e t a l s, Kunm in g 650221, C h in a) (S t a t e- R un C h e n gdu 715 F a c t o ry, C h e n gdu 610058, C h in a)A bstra c t Fo rm u l a t i o n o f p a s te i n w h i ch epo x y-, an d p h e no li c- re s i n s w e re a s o rgan i cveh i c l e s, m e t a l o x i de s w e r e a s i no rgan i c b i n d e r s, A g- , an d P d- pow de r s w ith l oo se den2 s ity～119gƒcm 3 w e re se l ec t ed a s co n d u c t i ve p h a s e s af t e r m ix e d. T h e p a s te co u l d b e adap t2 ed to th e tech n o l o g y app li ed o n M L C te rm i n a ls, an d h a d ach i eved requ irem en t s o f GB -8224- 88 c r i te r i o nC e ram i c d i e l ec t r i c, P d- A g te rm i n a l e l ec t r o d e, C a p a c i to r.Keyword s摘要以环氧、酚醛树脂做有机载体, 金属氧化物做无机粘结剂, 选用松装比重119 左右超细A g ƒP d粉混合做导电相配制的浆料, 能满足涂敷M L C 端头的生产工艺, 并达到GB —8224—88 标准。
片式多层陶瓷电容器MLCC
片式多层陶瓷电容器MLCC多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。
在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。
两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。
片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。
(片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC —简称片式电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。
•随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，•每年以10%～15%的速度递增。
目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。
随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，•广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。
如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
热敏功能材料7
热敏陶瓷是指对温度变化敏感的陶瓷材料。 热敏电容
热 敏 陶 瓷
正温度系数热敏电阻
（BaTiO3半导体瓷）
热敏电阻
负温度系数热敏电阻
（MnCoNi半导体瓷）
热释电材料
热敏电阻是一种电阻值随温度变化的电阻元件。 电阻值随温度升高而增加的称为正温度系数（PTC）热敏电阻 电阻值随温度升高而减小的称为负温度系数（NTC）热敏电阻
（5）影响PTC热敏陶瓷性能的影响 A、组成对居里温度的影响 不同的PTC热敏陶瓷对Tc(开关温度)有不同的要求。通过控 制BaTiO3的居里点可以解决。改变Tc称“移峰”，通过改变组 成，即加入某些化合物可以达到“移峰”的目的，这些加入的化 合物称为“移峰剂”。 “移峰剂”具有与Ba2+、Ti4+离子大小、价态相似的金属离 子，可以取代Ba2+、Ti4+离子，形成连续固溶体。如PbTiO3 （高于120℃，Tc=490℃）、 SrTiO3（低于120℃，Tc=150℃）。
热敏半导体陶瓷材料就是利用它的电阻、磁性、介 电性等性质随温度而变化，用它作成的器件可作为温度 的测定、线路温度补偿及稳频等，且具有灵敏度高、稳 定性好、制造工艺简单及价格便宜等特点。 按照热敏陶瓷的电阻-温度特性，一般可分为三大类： 1.电阻随温度升高而增大的热敏电阻称为正温度系数热敏 电阻，简称PTC热敏电阻； 2.电阻随温度的升高而减少的热敏电阻称为负温度系数热 敏电阻，简称NTC热敏电阻； 3.电阻在某特定温度范围内急剧变化的热敏电阻，简称为 CTR临界温度热敏电阻。
C、化学计算比（Ba/Ti）的影响 在TiO2稍微过量时通常会呈现最低体积电阻率；在Ba 过量时体积电阻率往往会增高，且使瓷料易于实现细晶化。 D、Al2O3对PTC陶瓷的影响 Al3+在BaTiO3基陶瓷中有三种存在位置：①当TiO2高度过 量时，Al3+有可能被挤到BaTiO3晶格的Ba2+位置，这时 Al3+的作用是施主；②在Al2O3-SiO2-TiO2掺杂的PTC瓷料 中，Al3+处于玻璃相中，能够起到吸收受主杂质、纯化主 晶相的作用；③在未引入SiO2、且TiO2也不过量的情况 下，Al3+将取代BaTiO3晶格中的Ti4+，起受主作用。显 然，①、②种情况下对PTC瓷料的半导化起有益作用。③ 是有害的。
电极片基本参数
电极片基本参数
电极片作为电生理信号检测、电刺激疗法或其他电医学应用中的关键元件，其基本参数通常包括以下几点：
1、导电材料：电极片通常由具有良好导电性和生物相容性的材料制成，如Ag/AgCl（银/氯化银）、铂、不锈钢、碳纤维、金属合金等。
2、尺寸规格：包括电极片的直径、长度、厚度等几何参数，以及电极表面的有效接触面积，这对电极与皮肤的接触效果和信号采集质量至关重要。
3、阻抗特性：指电极片在工作频率范围内的阻抗值，通常要求其阻抗较低，以减少信号衰减和噪声。
例如，对于肌电图（EMG）和脑电图（EEG）应用，要求电极片的阻抗低于10 kΩ。
4、粘附性能：电极片是否能够牢固地贴附在皮肤上且不影响舒适度，这与电极片背面的粘贴材料性能密切相关，如医用导电胶的粘性、透气性和皮肤兼容性。
5、生物相容性：确保电极片在与人体接触过程中不会引起过敏反应或皮肤刺激，符合ISO 10993等相关生物相容性标准。
6、耐久性：电极片在正常使用和清洗过程中的耐用程度，包括材料的耐腐蚀性、耐磨损性等。
7、连接方式：电极片与导线或其它设备的连接方式，如焊点连接、插针连接、粘贴式连接等。
8、工作温度范围：电极片在保证性能稳定和安全使用的温度区间。
9、信号质量：电极片在采集和传输电信号时的信噪比、灵敏度等。
10、使用次数和有效期：一次性使用或多次重复使用的电极片，以及产品标注的有效期限。
在设计和选择电极片时，应根据实际应用需求（如医疗诊断、康复治疗、科研实验等）以及患者具体情况来考虑这些参数，确保电极片能满足预期的使用效果和安全性要求。
化学镀Ni—P(Pr)／Co—P复合阴极的性能研究
５ 穿透 深度 ２ “ ０ ｍ， ～３ ｍ。 １ ３ 电化 学研 究 ．
以下 电化学 测试 均 在 Ｈ 型 电解 槽 中进 行 ， 待测 电极 为 阴极 ， 阳极 为 钌 钛氧 化 物 电极 ， 参 比电极 为 Ｈｇ Ｈｇ ８ｍｏ・ｍ－Ｎａ ／ Ｏ（ ｌｄ ３ ＯＨ）电解液 为 ８ｍｏ・ｍ０ ＯＨ 溶 液 。 ， ｌｄ Ｎａ 极 化 曲线用 动 电流 慢扫描 法 测定 。仪器 为 Ｊ Ｈ一２ 型 稳 流 电源 ， 度为 ３ ℃ 。析 氢 平 Ｙ 温 ０ 衡电位 为 一０ ９０Ｖ［ 。稳 定 电解 实 验 中 电 解 液 温 度 为 ３℃ ， ４ ５ Ｊ ０ 阴极 电 流 密 度 为 １ ０Ａ・
结构是 一 种非稳 态结 构 ， 活性 层 易发生化 学变 化 和 电化 学变 化 ， 镀层 表 面 也容 易氧 化 ， 于 高 １０℃ 的热处 理 或长期 电解 会导 致 镀 层 的 晶化 ， 析氢 能 力 大 幅度 下 降 。在 长 期 电解 过 程 ５ 使 中 ， 收过 多 的氢 后 会 在 Ｎｉ 等镀 层 中形 成 氢 化物 ， 吸 ． Ｐ 导致 塔 菲 尔斜 率 增 大 ， 氢过 电位 升 析 高 。胡 瑞英 等【 研 制 的化 学 镀 Ｎｉ ／ — 台 阴极 ， 对 于 Ｆ ５ ｊ — Ｃ Ｐ复 Ｐｏ 相 ｅ阴 极 ， ３℃ 下 ８ｍｏ・ 在 ０ ｌ
ｄ ３ ０Ｈ 中 的电位 降低 了 ２ ０ｍＶ 左 右 ， 相 对于 Ｎ ． ｍ一Ｎａ ９ 且 ｉ Ｐ阴极 具 有 较 好 的电位 稳 定 ’ 性和
抗反 电流性 能 ， 该阴极 的总体 稳定 性不能 完全 满足 工业生 产 的要求 。 但
镍内电极mlcc的烧成要点
镍内电极MLCC的烧成要点介绍镍内电极多层陶瓷电容器（MLCC）是一种被广泛应用于电子设备中的电子元件。
它由多层陶瓷层和内置电极组成，具有体积小、功率密度高、频率特性良好、温度稳定性高等优点。
其中，内置电极起着连接器件两端的作用，烧成是制造MLCC的重要工艺环节。
本文将详细探讨镍内电极MLCC的烧成要点。
二级标题1：烧成温度烧成温度是影响MLCC性能的重要参数。
在烧成过程中，陶瓷与电极会发生化学反应，形成均匀致密的结构。
一般而言，烧成温度应在电极熔点以上，但低于陶瓷的烧结温度。
过低的烧成温度会导致电极无法完全熔融，从而影响电容器的电性能；过高的烧成温度则可能使电极扩散到陶瓷内部，导致失效。
因此，在确定烧成温度时需要进行实验和优化，以确保获得最佳的电性能和结构强度。
二级标题2：烧成气氛烧成气氛是指在烧成过程中提供的气氛环境。
常见的烧成气氛有空气气氛、氢气气氛和氮气气氛。
烧成气氛的选择主要考虑电极和陶瓷的化学稳定性及反应性。
一般而言，空气气氛对于镍内电极MLCC烧结效果较好，能够使电容器的性能达到最佳。
氢气气氛可以用于处理一些特殊情况下的问题，例如控制电极和陶瓷之间的化学反应；而氮气气氛一般用于减少氧化反应的发生。
三级标题1：空气气氛的烧成要点在采用空气气氛进行烧成时，有几个要点需要特别关注： 1. 温度控制：需要确保烧成温度的稳定性和均匀性，避免温度梯度过大导致失效。
通常采用预热和保温两个阶段，逐步增加温度。
2. 氧含量控制：空气气氛中的氧气含量对于烧成结果有重要影响。
通常选择适当的氧含量以保证电极的完全熔融和陶瓷的致密结构。
3. 气氛流动控制：烧成过程中的气氛流动对于温度分布和气氛的一致性至关重要。
需要根据具体的烧成设备和工艺参数进行优化，以确保流动的均匀性和稳定性。
三级标题2：氢气气氛的烧成要点在采用氢气气氛进行烧成时，需要特别关注以下几个要点： 1. 温度控制：由于氢气具有较高的热导率，因此需要特别关注温度的均匀性和稳定性，避免温度梯度过大。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
多层片式PTCR内Ni电极概述
摘要：多层片式ptcr的内电极基本上采用贱金属ni，高性能纳米级ni内电极的制备是获取优异性能多层片式ptcr的关键，本论文以制备纳米级ni粉为目标。
关键词：ptcr ni内电极
多层片式ptcr的内电极基本上采用贱金属ni来制备，但这种电极浆料在市场上不易找寻，就算是有也很难满足多层片式ptcr 的一些特殊性能要求。
高性能ni内电极的制备是获取优异性能多层片式ptcr的一项关键技术，因而纳米级ni粉的获取、ni内电极浆料组分的研究及配制、ni内电极浆料的性能表征、欧姆接触ni 内电极性能研究及ni电极与ptc陶瓷的匹配问题都是需要亟待解决的问题。
ptc陶瓷材料凭借其特殊性能，制成的敏感元件具有灵敏度高、使用方便、结构简单、价格便宜等优点，使得半导瓷器件在it行业、家电工业等领域有着广泛的应用。
采用ni作为多层片式ptcr 的内电极的缘由概括来说有以下几种：①由于多层片式ptcr需要在1300℃左右温度高温烧结，这就需要有高熔点的内电极金属材料与之对应，同时在烧结过程中不能被氧化，后续ptcr再氧化处理过程中其也不能氧化，而ni的熔点在1350℃左右，所以理论上非常适合与ptc陶瓷高温共烧；②多层片式ptc陶瓷的迅速发展，用贵金属(au,pt,pd,ag等)作电极存在着成本高的问题，而我国是一个贵金属比较贫乏的国家，贱金属资源却相对丰富，若能研制出性
能优良的贱金属烧渗ni电极来代替原有的贵金属电极导体浆料，如果成功将会取得巨大的经济效益和社会效益；③贱金属ni在高频特性和导电性等特定领域内具有比贵金属更为优异的性能。
正因为贱金属所带来的经济效益和例如此类的独特优越性使半导瓷用
ni浆料的研制工作具有重要的意义；④多层片式ptcr需采用欧姆接触电极，ptc是n型半导体陶瓷，其与金属能否获得良好的欧姆接触是取决于表面的电子状态，正是基于这种原因，破坏半导瓷表面的氧吸附层是获得欧姆接触的前提。
而只有zn,、sn、ai、ni等贱金属才能与ptc等半导瓷形成欧姆接触，因而选用ni作为多层片式ptcr的内电极是可行的。
气氛下烧结的叠层ptcr并不能产生ptc效应，必须在一定的时间和温度内进行再氧化处理，但是温度过低或者时间过短，都无法形成很好的ptc效应，因此，必须研究如何才能得到更好的ptc效应，这是多层ptcr的一个研究重点，也是本文研究的重点。
叠层陶瓷ptc元件的共烧需要进行低温再氧化处理工艺，因此不同于其他叠层器件，有着特殊性和复杂性。
本人先在大气中对ni电极浆料进行了摸索，后期再运用到叠层中。
本课题运用了国外专利介绍的一些成果，通过调整浆料的组分与配比，粘合剂的选用，烧渗工艺的控制等一系列实验，研制出了适用于ptc等半导瓷用的欧姆接触ni电极浆料的配方和烧渗工艺。
对贱金属烧渗内电极材料的研究，主要有如下特点:①由于许多半导体陶瓷元件具有较大的能耗，工作温度较高，即使银电极也会因银离子在高温下的强扩散性而存
在长期工作的可靠性问题，然而适当的贱金属电极材料有望对此有所改进；②大部分半导体陶瓷元件同银或金等贵金属电极接触时会形成严重影响元件本征特性的界面势垒，而代之以适当的贱金属电极则有望消除此势垒；③对电极导电区形成机理的研究，涉及到对不同金属涂层经烧结形成导电区过程的比较，从而突出将ni金属作为电极材料的特点；④对半导体陶瓷电极的探究涉及金属与半导体欧姆接触问题，需要进行半导体陶瓷与金属接触的许多基础理论研究，这将可促使研究带有机理性，从而可能具有开发性和开创性；
⑤半导体陶瓷元件品种繁多，使用面大而广，对其电极贱金属化，将会取得很大的经济效益和社会效益；⑥很大部分的半导体陶瓷元件在使用时采用插接式(或压接式)接触，只要求高导电性，并没要求可焊性，这将使我们的研究得以简化，有利于研究的进程及便于较快取得研究成果[11]；⑦烧渗法制备电极对工艺设备的要求最低，生产工艺也最为简便易行，且最适合于一般工人原有的烧渗电极的习惯，辅以丝网印刷装置便于大规模生产，研究样品时也便于手工涂敷。
根据以上特点，我们将半导体陶瓷元件主要是ptcr的烧渗贱金属ni电极作为本课题的研究方向之一。
综上所述，ni金属与半导瓷形成欧姆接触的可行性是肯定的。
然而ni金属粉在空气烧结时本身极易被氧化而形成氧化镍，从而增大了金属电极本身的阻值。
要想在半导瓷片上获得令人满意的欧姆接触电极，需解决以下两个问题：① ni内电极与ptc瓷体应该有较大的附着力；②须避免由于氧化而导致ni电极导电性能降低
[12]。
因此在ni电极浆料组成和烧渗工艺上，如何保证ni金属微粒表面在高温烧结过程中不被氧化、使ni电极具有良好的导电性和附着强度等等成为制备ni电极浆料的关键。