晶体缺陷
晶体缺陷异质结构
晶体缺陷异质结构在固体物理学中，晶体缺陷异质结构是一个关键的研究领域，它涉及到晶体中原子排列的局部不规则性及其对材料性能的影响。
晶体通常以其规则的原子排列和长程有序性而著称，然而，在实际晶体中，总会存在各种各样的缺陷和不规则性。
这些缺陷可以是由原子或离子的缺失、取代或位置错乱引起的，也可以是由外部因素如辐射、杂质或温度变化等引起的。
当这些缺陷以特定的方式排列或聚集时，它们就形成了所谓的“异质结构”。
一、晶体缺陷的类型晶体缺陷主要分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种类型。
1.点缺陷：点缺陷是最简单的晶体缺陷形式，它只涉及到晶体中单个或少量原子的位置错乱。
常见的点缺陷有空位、填隙原子和反位原子。
空位是指晶体中某个位置上原子的缺失；填隙原子是指位于晶体正常点阵间隙中的多余原子；反位原子则是指晶体中某种类型的原子占据了另一种类型原子的位置。
2.线缺陷：线缺陷，也称为位错，是晶体中一种常见的一维缺陷。
位错可以看作是晶体中一部分原子相对于其他部分发生了滑移，形成了一条连续的错位线。
位错对晶体的力学性质、电学性质等都有重要影响。
3.面缺陷：面缺陷是晶体中二维的缺陷形式，包括晶界、孪晶界和堆垛层错等。
晶界是指不同晶粒之间的界面，孪晶界是指晶体中两部分原子排列呈镜像对称的界面，而堆垛层错则是指晶体中原子层的堆垛顺序发生了错误。
二、异质结构的形成异质结构通常是由不同类型的晶体缺陷相互作用、聚集或排列而形成的。
例如，在某些情况下，点缺陷可能会聚集在一起形成团簇或纳米尺度的结构；线缺陷可能会相互交错或形成网络结构；而面缺陷则可能会分隔晶体成不同的区域或畴。
这些缺陷的聚集和排列方式取决于晶体的生长条件、处理历史以及外部环境等因素。
三、晶体缺陷异质结构对材料性能的影响晶体缺陷异质结构对材料的物理、化学和机械性能都有显著的影响。
以下是一些主要方面：1.力学性质：晶体缺陷可以降低材料的强度和硬度，增加其塑性和韧性。
例如，位错可以作为滑移的起点和传播路径，在材料受力时促进塑性变形。
晶体缺陷
可写成
VCu
Cu3Au晶胞
ⅱ在NaCl中的Na+和Cl-1缺陷, 可写成
, VNa . VCl
NaCl晶胞
② 错位原子缺陷: 用错位原子的元素符号表示.
Cu3Au晶胞
错位Cu3Au晶胞
Au Cu
Cu Au
③ 杂质缺陷: 用该原子或离子的元素符号表示;
ZnS
Zn1-Cu S
Zn1- ’ Al S
其中R为模板剂三乙基胺, x + y = 1; Mg源为醋酸镁, 铝源为异丙
醇铝, 磷源为磷酸. ☺活性胶液的晶化温度: 150 ~ 250 oC. ☺分子筛的焙烧: 用于活性评价的分子筛试样需在500 ~ 600 oC, 以除去存在于分子筛孔道中的模板剂.
2. MgAPO-5 分子筛的表征 (1) X-射线粉末衍射 (XRD): 分子筛的物相结构和晶格参数; (2) 元素分析 (AES-ICP): 分子筛中的Al, P和Mg的含量; (3) 扫描电镜 (SEM): 分子筛的晶体形貌; (4) N2吸附 (BET): 分子筛的比表面积和比孔容; (5) 红外光谱 (FT-IR): 分子筛的骨架结构;
2 ( )
(2) MgAPO-5分子筛的AES-ICP分析
* 杂原子同晶取代为Mg(II)取代骨架Al(III) ( Mg ,Al ).
(3) 扫描电镜 (SEM): 分子筛的晶体形貌
a b c
d
e
f
* SEM images of as-synthesized MgAPO-5 (a-e) and calcined
（001）
KCl晶胞 (NaCl型晶体) 热振动 迁移至外表面
, VK
-
迁移至外表面 Schottky缺陷
晶体缺陷的名词解释
晶体缺陷的名词解释晶体缺陷是指晶体结构中存在的不规则性或者失序性，它们可以是由于晶体生长过程中的某些不完美导致的，也可以是在晶体使用过程中形成的。
晶体缺陷对材料的物理性质和化学性质有着重要影响，因此，对晶体缺陷的理解与研究具有重要意义。
一、点缺陷点缺陷是一种在晶体中以原子或原子团为单位存在的不规则性。
点缺陷可以分为两类，即缺陷原子和间隙原子。
缺陷原子是指晶体中一个位置上原子的缺失或替代，而间隙原子是指晶体中非正常晶格位置上的原子存在。
点缺陷的存在对晶体的导电性、热传导性以及光学性质等方面都会产生显著影响。
二、面缺陷面缺陷是指在晶体中存在的二维或三维结构缺陷。
面缺陷可以分为孪生界面、晶界和堆垛层错三类。
孪生界面是晶体内部两个完全互相倒转或者镜像对称的晶体颗粒之间的界面。
晶界是指晶体内部两个晶体颗粒之间的原子排列或晶格编织方式发生转变的区域。
堆垛层错是因为在晶体生长过程中，晶体颗粒之间因堆垛方式的差异而产生的错位。
面缺陷在晶体的力学性能、疲劳机制以及晶体生长等方面具有重要影响。
三、体缺陷体缺陷是指晶体内部原子排列或晶格结构出现不规则性或失序性的缺陷。
体缺陷包括空位、间隙和失序。
空位是指晶体内原子因缺失而导致的晶体结构不完整。
间隙是指晶体中非正常晶格位置上的原子存在。
失序则是指晶体中原子的无序或错位状态。
体缺陷对晶体的机械性能、热膨胀性质以及磁性等方面产生显著影响。
四、缺陷治理缺陷治理是指通过不同的方法和手段对晶体中的缺陷进行修复或改善的过程。
常见的缺陷治理方法包括热退火、添加合金元素和辅助材料等。
热退火是通过加热晶体使缺陷移动并重新排列，从而达到改善晶体结构的目的。
添加合金元素和辅助材料则是通过引入其他原子或化合物来改善晶体的物理性质和化学性质。
总结起来，晶体缺陷是晶体结构中存在的不规则性或失序性。
它们可以是点缺陷、面缺陷或体缺陷。
这些缺陷对晶体材料的性能产生重要影响，因此，研究和理解晶体缺陷的形成和治理具有重要意义。
晶体缺陷知识点
晶体缺陷知识点晶体缺陷是固体材料中晶格出现的非理想性质，通常由于外界因素或内部原子位置错配引起。
晶体缺陷可以对材料的性质和行为产生显著影响，因此对晶体缺陷的认识和理解对于材料科学和工程领域至关重要。
本文将主要介绍晶体缺陷的类别、产生原因以及对材料性能的影响等相关知识点。
一、点缺陷点缺陷是晶体中最常见的缺陷之一，它包括空位、附加原子和原子间隙等。
空位是晶体中原子缺失的位置，它可能由于热振动、离子辐照或经历一系列化学反应等因素而形成。
附加原子是晶体中多余的原子，它可以是来自杂质或外界加入的额外原子。
原子间隙是晶体中原子之间的间隙空间，它的存在会导致晶体结构的变形和变化。
二、线缺陷线缺陷是晶体中延伸成线状的缺陷，包括位错和螺旋排列。
位错是晶体中原子错位或排列不当导致的线性缺陷，它可以通过晶体的滑移和或扩散过程产生。
螺旋排列是沿晶体某个轴线方向发生的原子错位，在某些晶体材料中常见。
三、面缺陷面缺陷是晶体中存在的平面或界面缺陷，包括晶界、层错和孪晶等。
晶界是晶体中两个晶粒的交界面，它由于晶体生长或晶体结构不匹配引起。
层错是晶体中原子层次错位排列的缺陷，通常发生在层状晶体结构中。
孪晶是晶体中两个晶粒具有相同的晶格方向但是镜像对称的缺陷。
四、体缺陷体缺陷是晶体中三维空间内存在的缺陷，主要包括孔洞和包裹物。
孔洞是晶体中的空隙空间，可以影响晶体的密度和物理性质。
包裹物是晶体中包裹其他原子或分子的空间，它可以是点状、线状或面状。
晶体缺陷的产生原因多种多样，包括热力学因素、机械应力和外部影响等。
温度和压力的变化可以导致晶体中原子位置发生偏移或畸变，进而产生缺陷。
机械应力也可以引起晶体的位错和断裂等缺陷。
此外，电磁辐射、化学环境和放射性衰变等因素也会影响晶体的结构和缺陷形成。
晶体缺陷对材料的性能和行为产生重要影响。
例如，点缺陷的存在可以改变材料的电导率、热导率和光学性能。
线缺陷和面缺陷可以导致晶体的强度和塑性发生变化，并影响晶体的断裂行为。
《晶体缺陷》课件
热稳定性
晶体缺陷可能影响材料在高温下的稳 定性，降低其使用温度范围。
比热容
晶体缺陷可能影响比热容，改变材料 吸收和释放热量的能力。
光学性能的影响
折射率与双折射
光吸收与散射
晶体缺陷可能导致折射率变化和双折射现 象，影响光学性能。
晶体缺陷可能导致光吸收增强或光散射增 加，改变光学透射和反射特性。
荧光与磷光
热电效应
某些晶体缺陷可能导致热电效应增强，影响 热电转换效率。
介电常数
晶体缺陷可能影响介电常数，改变电场分布 和电容。
电阻温度系数
晶体缺陷可能影响电阻温度系数，改变温度 对电阻的影响。
热学性能的影响
热导率变化
晶体缺陷可能降低材料的热导率，影 响热量传递和散热性能。
热膨胀系数
晶体缺陷可能影响热膨胀系数，影响 材料在温度变化下的尺寸稳定性。
。
韧性下降
晶体缺陷可能导致材料韧性下 降，使其在受到外力时更容易
脆裂。
疲劳性能
晶体缺陷可能影响材料的疲劳 性能，降低其循环载荷承受能
力。
强度与延展性
晶体缺陷可能影响材料的强度 和延展性，从而影响其承载能
力和塑性变形能力。
电学性能的影响
导电性变化
晶体缺陷可能改变材料的导电性，影响其在 电子设备中的应用。
传感器
基于晶体缺陷的原理，可以设计新型传感器，如压力传感 器、温度传感器和气体传感器等，以提高传感器的灵敏度 和稳定性。
在新能源领域中的应用
太阳能电池
在太阳能电池中，可以利用晶体 缺陷来提高光吸收效率和载流子 的收集效率，从而提高太阳能电
池的光电转换效率。
燃料电池
在燃料电池中，可以利用晶体缺陷 来改善电极的催化活性和耐久性， 从而提高燃料电池的性能和稳定性 。
晶体缺陷
6 ln10 8.617 10 5 13.8 8.617 105 u 1.98(e V) 3 3 1 1 1.145 10 1.745 10 873 573
晶体缺陷
缺陷的含义：
通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的
结构缺陷。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。(原 因：原子或离子、分子的热运动，晶体形成条件、冷 热加工过程和辐射、杂质等因素）
意义： 1.缺陷对材料性能，比如对结构敏感的屈服强度、断裂 强度、塑性、电阻率、磁导率等有很大的影响. 2.晶体缺陷与扩散、相变、塑性变形、再结晶、氧化、 烧结有着密切关系。
在离子晶体中： 肖特基缺陷 为了维持电中性，当离子晶体中有一个正离子产生空 缺，则邻近必有1个负离子空位，即正负离子空位是成 对出现。 弗兰克尔缺陷 如果1个正离子跳到离子晶体的间隙位置，则在正常的 正离子位置出现1个正离子空位，即空位-间隙离子。
离子晶体中 的点缺陷
2.杂质缺陷定义:
亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的 缺陷。 类型：
例题2
Cu晶体的空位形成能为1.44×10-19J/atom，材料常数 A取1，Cu摩尔质量为63.54g/mol，500℃下密度为 8.96×106g/m3，求500℃下每立方米Cu中的空位数。 原子总数
N 6 63 . 54 8 . 96 10 6.02 1023
空位数
u n Nexp kT
不同材料的空位形成能
材料 W Fe Ni Cu Ag Mg Al Pb Sn
晶体缺陷类型
晶体缺陷类型晶体缺陷是指晶体中存在的原子或离子排列不规则或异常的现象。
晶体缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种类型。
一、点缺陷点缺陷是晶体中原子或离子位置的局部不规则，主要包括空位、间隙原子和杂质原子。
1. 空位空位是指晶体中原子或离子在其晶体格点上的位置空缺。
晶体中的空位可以通过热处理、辐射或化学反应形成。
空位的存在会降低晶体的密度和电子迁移率，影响材料的性能。
2. 间隙原子间隙原子是指晶体中原子或离子占据晶体格点之间的空隙位置。
间隙原子的存在会导致晶体的畸变和疏松，影响材料的机械性能和导电性能。
3. 杂质原子杂质原子是指晶体中非本原子或离子替代晶体中的原子或离子。
杂质原子的存在会改变晶体的导电性、光学性质和热稳定性。
常见的杂质原子有掺杂剂、杂质原子和缺陷聚集体。
二、线缺陷线缺陷是晶体中原子或离子排列沿着一条线或曲线出现的不规则现象，主要包括位错和螺旋线缺陷。
1. 位错位错是晶体中原子或离子排列的一种不规则现象，可以看作是晶体中某一面上原子排列与理想晶体的对应面上的原子排列不匹配。
位错的存在会导致晶体的畸变和塑性变形，影响材料的力学性能。
2. 螺旋线缺陷螺旋线缺陷是晶体中原子或离子排列呈螺旋状的一种不规则现象。
螺旋线缺陷的存在会导致晶体的扭曲和磁性变化，影响材料的磁学性能。
三、面缺陷面缺陷是晶体中原子或离子排列在一定平面上不规则的现象，主要包括晶界和堆垛层错。
1. 晶界晶界是晶体中两个晶粒之间的交界面，是晶体中最常见的面缺陷。
晶界的存在会影响晶体的力学性能、导电性能和晶体的稳定性。
2. 堆垛层错堆垛层错是晶体中原子或离子排列在某一平面上的堆垛出现错误的现象。
堆垛层错的存在会导致晶体的畸变和位错密度增加，影响材料的机械性能和热稳定性。
总结：晶体缺陷是晶体中存在的原子或离子排列不规则或异常的现象。
根据缺陷的不同类型，晶体缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷主要包括空位、间隙原子和杂质原子，线缺陷主要包括位错和螺旋线缺陷，面缺陷主要包括晶界和堆垛层错。
晶体缺陷
一、概述1、晶体缺陷：晶体中原子（离子、分子）排列的不规则性及不完整性。
种类：点缺陷、线缺陷、面缺陷。
1) 由上图可得随着缺陷数目的增加，金属的强度下降。
原因是缺陷破坏了警惕的完整性，降低了原子间结合力，从宏观上看，即随缺陷数目增加，强度下降。
2) 随着缺陷数目的增加，金属的强度增加。
原因是晶体缺陷相互作用（点缺陷钉扎位错、位错交割缠结等），使位错运动的阻力增加，强度增加。
3) 由此可见，强化金属的方向有两个：一是制备无缺陷的理想晶体，其强度最高，但实际上很难；另一种是制备缺陷数目多的晶体，例如：纳米晶体，非晶态晶体等。
二、点缺陷3、点缺陷：缺陷尺寸在三维方向上都很小且与原子尺寸相当的缺陷（或者在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷），称为点缺陷或零维缺陷。
分类：空位、间隙原子、杂质原子、溶质原子。
4、肖特基空位：原子迁移到晶体表面或内表面正常结点位置使晶体内形成的空位。
5、弗仑克尔空位：原子离开平衡位置挤入点阵间隙形成数目相等的空位和间隙原子，该空位叫做弗仑克尔空位。
6、空位形成能EV：在晶体中取出一个原子放在晶体表面上（不改变晶体表面积和表面能）所需的能量。
间隙原子形成能远大于空位形成能，所以间隙原子浓度远小于空位浓度。
7、点缺陷为热平衡缺陷，淬火、冷变形加工、高能粒子辐照可得到过饱和点缺陷。
8、复合：间隙原子和空位相遇，间隙原子占据空位导致两者同时消失，此过程成为复合。
9、点缺陷对性能的影响：点缺陷使得金属的电阻增加，体积膨胀，密度减小；使离子晶体的导电性改善。
过饱和点缺陷，如淬火空位、辐照缺陷，还可以提高金属的屈服强度。
三、线缺陷10、线缺陷：线缺陷在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称为一维缺陷。
主要为各类位错。
11、位错：位错是晶体原子排列的一种特殊组态；位错是晶体的一部分沿一定晶面与晶向发生某种有规律的错排现象；位错是已滑移区和未滑移区的分界线；位错是伯氏矢量不为零的晶体缺陷。
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对晶体缺陷的统计热力学研究指出，在任何高于0K温度下，每一种固体化合物均存在着组成在一定范围变动的单一物相。
现代晶体结构理论和实验更证明非整比化合物的存在是很普遍的现象。
所有固体都有产生点缺陷的热力学趋向，这时因为缺陷的出现能使固体由有序结构变为无序，从而使嫡值增加，有缺陷的固体样品的Gibbs自由能来自嫡和熔两方面的贡献（G=H-TS），由于嫡是体系无序度的量度，因而任何实际固体（其中总有一些原子不处在它们应该出现的位置上）的嫡值都高于理想晶体。
这就是说，缺陷对固体Gibbs自由能的贡献为负项。
缺陷的形成通常是吸热过程（因而缺陷固体的H值较高）；但只要T＞0, Gibbs自由能在缺陷的某一浓度下将会出现极小值，即缺陷会自发形成，而且温度升高时，G的极小值向缺陷浓度更高的方向移动。
这就意味着温度升高有利于缺陷的形成。
crystal defects实际晶体中原子偏离理想的周期性排列的区域称作。
晶体缺陷在晶体中所占的总体积很小，也就是说，实际晶体中的绝大部分区域，原子排列于周期性位置上。
因此，晶体缺陷是近完整晶体中的不完整性。
但晶体缺陷对固体的许多结构敏感的物理量（如引起形变的临界切应力、扩散系数等）有极大的影响，晶体缺陷的研究对材料的强度、热处理等问题的研究有很重要的作用。
晶体缺陷分为：①点缺陷，包括空位、自填隙原子、代位原子、异类填隙原子等；②线缺陷，如位错；③面缺陷，如堆垛层错、孪晶界、反相畴界等，面缺陷还可以包括晶体表面、晶界和相界面（见界面）。
点缺陷图1[点缺陷的示意]是点缺陷的示意图,表示各种点缺陷的形式。
热平衡状态下点缺陷浓度遵从统计物理规律＝exp(－/)这里[kg2]是玻耳兹曼常数;[kg2]是绝对温度;是点缺陷形成能。
常用金属铁、铜、铝等的室温平衡空位浓度很小，接近熔点时的空位浓度约为 10。
自填隙原子形成能是空位形成能的3～4倍，其平衡浓度极小。
代位原子和异类填隙原子的最大浓度由相图决定。
表面空位和增原子的形成能和表面的取向关系很大,但都比体空位形成能小在某些表面，它们的形成能只有体空位形成能的一半。
因此它们的平衡浓度比体空位高得多（见晶体表面）。
界面的曲率半径对平衡空位浓度的影响由下式表示：[359-01]这里是界面曲率为零(曲率半径为无穷大)的空位浓度，[kg2]是界面能，[kg2]是原子体积。
图2a[界面曲率对点缺陷浓度的影响]表示曲率半径不同引起的表面空位的浓度差（曲率半径不同对界面附近体空位浓度的影响类似）。
表面增原子浓度受到的影响和表面空位受到的影响相反(上式的括号内加一负号)。
由此引起的表面空位流和增原子流会使波浪状表面变平（图2a[界面曲率对点缺陷浓度的影响]）；使两个颗粒颈部变粗（图2b[界面曲率对点缺陷浓度的影响]）。
这是粉末冶金烧结过程的重要理论依据。
非平衡状态下点缺陷浓度可以大大超过平衡浓度。
从熔点附近淬火后得到的过饱和空位浓度可以比平衡浓度大几个数量级。
形变产生的空位浓度达10( 是应变量)。
高能粒子照射后在损伤区引起大量空位-填隙原子对（Frankel对）,常温下填隙原子被损伤区以外的缺陷吸收一部分，其余部分聚集成小位错环或和空位复合消失，遗留的空位浓度在损伤区可以达到10。
位错位错是晶体中某一几何面两侧发生相对位移的区域和其他未相对位移区域的边界线。
如相对位移矢量是点阵矢量，则除了位错线附近外，原子仍按完整的点阵排列。
这一相对位移矢量称之为位错的伯格斯矢量(Burgers vector)，一般它是点阵中最密排方向上最短的点阵矢量。
刃型位错和螺型位错刃型位错的伯格斯矢量和位错线(其投影在图3a[刃型位错]上用⊥表示)垂直。
螺形位错的伯格斯矢量和位错线(图3b[螺型位错]上的S)平行一般情况下位错的伯格斯矢量和位错线成锐角(或钝角),可以把它看成由一小段刃型位错和一小段螺型位错交替组合而成。
位错线不能在晶体内部终止，它只能终止在晶体表面或晶粒间界上，或在晶体内部形成闭合曲线。
位错密度位错密度是单位体积中位错线的总长度，单位是 cm/cm(或cm)。
通常情况下单位面积表面上的位错露头数可以代表位错密度，例如半导体单晶中的位错密度就是这样测定的。
充分退火的金属中位错密度约10cm;高度冷加工的金属中位错密度可达10 10cm。
位错的运动位错运动有两种方式:滑移和攀移(图4[位错的运动])。
滑移时，刃型位错在位错线段和伯格斯矢量决定的滑移面内运动；螺型位错可在通过位错线的任何原子平面上运动。
晶体的易滑移面一般是原子排列最密或较密的晶面如图4a[位错的运动]b[位错的运动]所示,位错在伯格斯矢量方向上的分解切应力的作用下扫过面积(等于,为位错长度,为位错扫过的距离)此时晶体上半部相对下半部位移,切应力作的功等于。
设单位长度位错上受到相当于力的作用，则在上述过程中力所作的功为＝。
这两个功应当相等。
因此得到＝不论是刃型还是螺型位错，的方向都指向位错运动方向并垂直于位错线段。
攀移时，刃型位错（螺型位错无攀移）在垂直滑移面方向运动。
攀移过程需吸收或放出空位（图4c[位错的运动]是放出空位，相当于吸收原子）。
根据和滑移情形类似的分析，攀移时单位长度位错受到的力是＝这里是垂直于攀移面的正应力,指向攀移方向并垂直于位错线段。
攀移时除应力外还常常依靠热涨落提供能量使点缺陷在位错线上沉积或从位错线放出。
位错应力场位错产生弹性应力场图3a[ a 刃型位错b 螺型位错]的刃型位错上部原子受挤压产生压应力；下部则产生张应力；此外还产生切应力。
螺型位错只产生切应力。
由弹性理论计算得出：位错的应力场和伯格斯矢量的大小成正比，在给定方向上和离位错线的距离成反比弹性理论计算还得出位错的能量和伯格斯矢量的平方成正比，长度为一个原子间距的位错的能量达几个电子伏。
位错与位错、或位错与缺陷之间的相互作用位错之间存在弹性相互作用平行的同号或异号刃型位错(以⊥或[hj10]表示)之间,其相互作用如图5a[平行的刃型位错间的作用]、b[平行的刃型位错间的作用]所示(箭头表示受力方向)。
同号位错相互作用的平衡位置在轴上；异号位错相互作用的平衡位置在、[kg2]轴分角线上平行螺型位错同号时相斥；异号时相吸。
位错和点缺陷之间的相互作用主要是弹性相互作用。
铁中填隙原子（C、N等）处在刃型位错近旁张应力区时结合能可达 0.5eV以上。
代位原子和刃型位错的结合能较小，如Zn 原子和黄铜中刃型位错的结合能约0.1eV。
割阶位错互相截割后可以产生割阶(jog)。
图6[两个刃型位错的截割]为伯格斯矢量互相垂直的两个刃型位错发生截割的情况。
AB在Ⅰ面上移动，CD在Ⅱ面上截割后产生割阶QQ（图6b [两个刃型位错的截割]），其伯格斯矢量为。
从QQ与相垂直可知QQ属刃型,位于QQ与构成的滑移面Ⅲ上, 故可与整个位错一起运动。
因为与AB平行，截割后位错AB不受影响。
互相垂直的两个螺型位错截割后的情况如图7[ 互相正交的两个螺型位错的截割]。
在滑移面Ⅰ的螺形位错AB与另一螺型位错CD截割,AB上产生刃型割阶PP。
CD则产生另一刃型割阶QQ。
由于PP的滑移面是由它本身和所决定的平面，它不能在AB运动的方向滑移，因此位错AB被钉扎在PP，使晶体发生显著强化。
为了使PP随AB运动，只能通过在PP R R面上攀移，在经过的路程上产生一串空位（填隙原子需要很高的能量,不易产生）,如图7b[互相正交的两个螺型位错的截割]所示。
这些空位散开后成为过饱和空位。
这就是形变产生过饱和空位的机制。
扩展位错金属中的扩展位错是由伯格斯矢量等于点阵矢量的全位错分解而成，例如：面心立方金属中的[361-07]全位错分解为两个 [361-02]型部分位错和一小片堆垛层错(图8[面心立方晶体(111)面的堆垛次序a和扩展位错b示意])，具体的分解方式如：[361-01]这里是点阵常数。
分解前的等于[361-03],分解后两个部分位错的和之和为[361-04]。
由位错能量正比于伯格斯矢量模的平方可知，分解后位错能量会降低，降低的能量的一部分贡献给两个部分位错间的堆垛层错。
堆垛层错、孪晶界、反相畴界它们都是原子堆垛次序不同于正常次序而引起的面缺陷。
面心立方金属的密排面{111}的正常堆垛次序是……ABCABCABC……A、B、C的位置见图8a[面心立方晶体(111)面的堆垛次序a和扩展位错b示意]。
偏离正常堆垛次序的两种堆垛层错是……ABCBCABC……和……ABCBABCABC……层错不改变最近邻原子数和最近邻原子间的距离。
改变的是次近邻原子间的距离，例如第一种层错的BCBC中B、B层原子和C、C层原子距离发生改变。
第二种层错的BCBAB中B层原子间距离改变。
这样的改变引起的附加能量不大。
层错产生的方式有：(1)滑移，如某一A层原子滑移到B，即……ABCABCABC……[361-05]……ABCBCABCA……这种滑移矢量是[361-020]，例如图8[面心立方晶体(111)面的堆垛次序a和扩展位错b示意]中的。
(2) 密排面上空位盘塌陷或填隙原子在密排面间聚集成盘 (图9 [空位盘a和填隙原子盘b形成的位错和层错])此时层错上下两侧原来的密排面相对位移[361-06]，在层错周界形成伯格斯矢量为[361-06]的位错环。
位错环可进一步吸收（或放出）空位（或填隙原子）而发生攀移，此时层错面积和位错环的尺寸都将发生变化。
面心立方金属的孪晶的堆垛次序可以表示为：……ABCAB BACBA……中间的层原子即孪晶界,其二侧原子堆垛次序成镜面对称孪晶界近旁BCB堆垛中B、B原子层次近邻原子距离改变,但这里受到影响的原子比上述两种层错都少一倍,因此孪晶界面能要比层错能更低。
孪晶可以通过[361-02]型位错逐层扫过密排面而形成，也可以在再结晶过程中形成。
反相畴界是长程有序合金中的层错（图10[反相畴界和超位错]中的虚线），畴界两侧（虚线以外）正常的A－B原子对已错排成A-A和B-B原子对。
如图10[反相畴界和超位错]所示，位错扫过有序合金产生反相畴界，第二个位错在同一滑移面跟上来可使反相畴界消失。
这样一对由反相畴界联系起来的位错称为超位错。
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