第五章场效应管
3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现 较大的栅极电流。
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
第五章场效应管
5.2 绝缘栅场效应管(MOS管):
MOS电容
SiO2绝缘层
+++++ - -----
P
金属铝
E
P型基底
电子反型层
第五章场效应管
SG D
P
P
N
D
G S
P 沟道增强型
第五章场效应管
SG D D
P
P
N
予埋了导 电沟道
第五章场效应管
G
S
P 沟道耗尽型
二、MOS管的工作原理
以N 沟道增强型为例
vGS=0时
vGS vDS
S GD
iD=0
VGS 0
iD 0
转移特性曲线
一定vDS下的iD-vGS曲线
vGS
VP
夹断电压
IDSS
饱和漏极电流
第五章场效应管
由输出特性曲线画出转移特性曲线
(a) 输出特性曲线
(b) 转移特性曲线
第五章场效应管
３.主要参数
一、直流参数 (1)夹断电压VP：当栅源电压vGS=VP时，iD=0。 (2)饱和漏极电流IDSS(ID0)：IDSS指的是对应vGS=0时的漏极
(1)vDS对iD的影响
vGS<Vp且vDS>0、vGD=vGS-vDS<VP时 耗尽区的形状
越靠近漏端，PN
结反压越大
D
iD
6V
4V
6V
2V
N
G PP
vDS
0V
vGS
导电沟道中电位分布情况
S
第五章场效应管
沟道中仍是电阻 特性，但是是非 线性电阻。
G
vGS<Vp且vDS较大时vGD<VP时 耗尽区的形状
１.输出特性
iD
予夹断曲线
vGS=0V
-1V
-2V
0 可变电阻区
-3V
恒流区（饱和区）-4V -5V
夹断区 第五章场效应管
v DS
击穿区
2.转移特性
vGS
v
转移特性曲线
mA 一定vDS下的iD-vGS曲线
v
vDS
饱和漏极电流
iD IDSS
（1）转移特性 ID=f(VGS)|Vds 夹断电压
VGS
饱和漏电流IDSS：vGS =0时的漏极电流。 夹断电压VP：iD接近于0时的栅源电压。
VP
0
①饱和区中的各条转移特性几乎重合，
通②常转我移们特就性用的一经条验曲公线式来：表第示五。章场i效D 应管IDSS(1vVGPS)2
P沟道JFET
夹断区
5V 4V 3V 恒流区 2V 1V
输出特性曲线 iD 0 v DS
可变电阻区
vGS=0V
予夹断曲线
第五章场效应管
iD IDSS
VP
第五章场效应管
第五章场效应管
三、交流参数 1 跨导gm
gmddG D viSvD SC (m/V)
gm的大小可以反映栅源电压VGS对漏极电流iD的控制能力 的强弱。
gm可以从转移特性或输出特性中求得，也可以用公式计 算出来。
2.输出电阻r ds
输出电阻rds定义为
r ds
dv DS di D
v GSQ
第五章场效应管
四、关于温度稳定性 场效应管导电机理为多数载流子导电，热稳定
性较晶体三极管好。而且场效应管还存在一个零温度系 数点，在这一点工作，温度稳定性会更好。
iD
10℃
零温度系数点
30℃
80℃
80℃ 10℃
30℃
0
vGS
场效应管的零第五温章度场效系应数管点
结型场效应管的缺点：
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在 某些场合仍嫌不够高。
D iD
N
vDS
PP
vGS S
D iD
N
vDS
G PP
vGS
S
结论： （1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流； （2）输出电流id受vGS控制，故场效应管是一种电压控制器件； （3）由于受电场梯度的影响，耗尽层呈上宽下窄的形式，故
总是沟道的上部先被夹断第；五章场效应管
5.1.2 JFET的特性曲线及参数
G(栅极)
NN PP P
两边是P区 导电沟道
扩散情况：NP>>NN
S源极
第五章场效应管
符号
D漏极
G(栅极)
N PP
N沟道结型场效应管 D
G
S
S源极
栅极上的箭头表示栅极电流的方向（由P区指向N区）。 结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。
第五章场效应管
符号
D漏极
G(栅极)
P NN
SiO2绝缘层
掺入了大量的碱金 属正离子Na+或K+
金属铝
+++++ - -----
P
P型基底
电子反型层
第五章场效应管
一、结构和电路符号
S G D 金属铝 D
两个N区
N
N
P
G
P型基底 SiO2绝缘层
S
导电沟道
N第五沟章场道效应管增强型
SG D
N
N
P
予埋了导 电沟道
D
G S
N 沟道耗尽型
第五章场效应管
P沟道结型场效应管 D
G
S S源极
第五章场效应管
第五章场效应管
2、工作原理（以N沟道为例） (1)vGS对导电沟道及iD的控制
PN结反偏，vGS 越大则耗尽区越
宽，导电沟道NP NP
vGS
vGS<0V
S
第五章场效应管
vDS=0V时 vDS
vGS越大耗尽区越宽， 沟道越窄，电阻越大。
vDS=0V时
但当vGS较小时，耗尽
D
iD区电宽沟度道有。限DS，间存相在当导于
线性电阻。
N
vDS
G NP NP
vGS
S
第五章场效应管
VGS达到一定值时 （夹断电压VP）,耗 尽区碰到一起，DS
间被夹断，这时，即
使vDS 0V，漏极电 D ID
流iD=0A。
N
G PP
VGS
S
第五章场效应管
VDS=0时 VDS
D
iD
N
vDS
PP
vGS
S
第五章场效应管
漏端的沟道被夹断， 称为予夹断。
vDS增大则被夹断 区向下延伸。
G
vGS<Vp vGD=VP时
D iD
N
vDS
PP
vGS
S
第五章场效应管
此时，电流iD由未 被夹断区域中的载 流子形成，基本不 随vDS的增加而增加， 呈恒流特性。
G
vGS<Vp vGD=VP时
电流。 (3) 直流输入电阻RGS RGS在106~109Ω之间。 通常认为RGS →∞。
第五章场效应管
二、极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限
值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1)最大漏源电压V(BR)DS。 (2)最大栅源电压V(BR)GS。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·VDS
§5 场效应管放大电路
场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗 高，温度稳定性好。
场效应管有两种:
结型场效应管JFET
N沟道
P沟道 N沟道
绝缘栅型场效应管MOS
P沟道
第五章场效应管
耗尽型
增强型 耗尽型
增强型
5.1 结型场效应管(JFET)
5.1.1 JFET的结构和工作原理
1、结构
D漏极 基底 ：N型半导体
第五章-场效应管PPT课件
vGS<Vp vGD=VP时
D iD
N
vDS
PP
vGS
S
-
11
此时，电流iD由未 被夹断区域中的载 流子形成，基本不 随vDS的增加而增加， 呈恒流特性。
G
vGS<Vp vGD=VP时
D iD
N
vDS
PP
vGS
S
-
12
D iD
N
vDS
G PP
vGS
S
结论：
（1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流；
gm的大小可以反映栅源电压VGS对漏极电流iD的控制能力 的强弱。
gm可以从转移特性或输出特性中求得，也可以用公式计 算出来。
2.输出电阻r ds
输出电阻rds定义为
r ds
dv DS di D
v GSQ
-
21
四、关于温度稳定性 场效应管导电机理为多数载流子导电，热稳定
性较晶体三极管好。而且场效应管还存在一个零温度系 数点，在这一点工作，温度稳定性会更好。
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
-
23
5.2 绝缘栅场效应管(MOS管):
MOS电容
SiO2绝缘层
+++++ - -----
P
金属铝
E
P型基底
电子反型层
-
24
SiO2绝缘层
掺入了大量的碱金 属正离子Na+或K+
金属铝
+++++ - -----
P
P型基底
电子反型层
-
25
一、结构和电路符号
MOS管(新)
为受控于VGS的可变电阻 11
(3) 放大区 产生夹断后，VDS增大，ID不变的区域，VDS VGS - VT
VDSID不变 处于饱和区的场效应管相当于一个压控电流源
在预夹断临界条件下VDS =VGS - VT 由此得到饱和区的V-I特性表达式：
iD K n (v G S V T )2 K n V T 2 (v V G T S 1 )2 ID O (v V G T S 1 )2
结反向，所以不存在导电
沟道。
(a) VGS =0， ID =0
VGS必须大于0
管子才能工作。
最新课件
4
（b） 0＜VGS＜ VT （ VT 称为开 启电压)
在Sio2介质中产生一个垂直于 导体表面的电场，排斥P区多 子空穴而吸引少子电子。 但 由于电场强度有限，吸引到 绝缘层的少子电子数量有限， 不足以形成沟道，将漏极和 源极沟通，所以不可能以形 成漏极电流ID。
这种在VGS =0时没有导电沟道，
依靠栅源电压的作用而形成感生
沟道的FET称为增强型FET
VGS >0g吸引电子反型层导电沟道
VGS 反型层变厚 VDS最新课件 ID
6
（2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用
（a）如果VGS＞VT且固定为某一值， VGD=VGS－VDS VDS为0或较小时，
2、夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流 时的 |VGS | 值。（耗尽）
3、饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时， VDS > |VP |时的漏 极电流。（耗尽）
4、极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1~1pF，栅源电容CGS和栅 漏极电容CGD约为1~3pF。
最新课件
模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路
况，称为预夹断。源区 而未夹断沟道部分为低阻，因
的自由电子在VDS电场力 的作用下，仍能沿着沟
此，VDS增加的部分基本上降落 在该夹断区内，而沟道中的电
道向漏端漂移，一旦到 场力基本不变，漂移电流基本
达预夹断区的边界处， 不变，所以，从漏端沟道出现
就能被预夹断区内的电 场力扫至漏区，形成漏
预夹断点开始， ID基本不随VDS
VDS ＝ VD － VS =VDD－IDRD－ VS
二、小信号模型
iD Kn vGS VT 2
Kn VGSQ vgs VT 2
漏极信号 电流
Kn VGSQ VT 2 2Kn VGSQ VT vgs Knvg2s
Kn
VGSQ
VT
2 gmvgs
K
nv
2 gs
IDQ id
3. 最大漏源电压V(BR)DS
指发生雪崩击穿时，漏极电流iD急剧上升时的vDS。与vGS有关。
4. 最大栅源电压 V(BR)GS
指PN结电流开始急剧增大时的vGS。
5.2 MOSFET放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 小信号模型分析 3. MOSFET 三种基本放大电路比较
产生谐波或 非线性失真
λ= 0
λ≠ 0
共源极放大电路
例题5.2.4:
电路如图所示，设VDD=5V， Rd=3.9kΩ， VGS=2V， VT=1V， Kn=0.8mA/V2，λ=0.02V-1。试当管工作在饱和区时，试确定电路 的小信号电压增益。
例题5.2.5:
电路如图所示，设Rg1=150kΩ，Rg2=47kΩ，VT=1V，Kn=500μA/V2，λ=0， VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， Rs=4kΩ。求电路的电压增益和 源电压增益、输入电阻和输出电阻。
场效应管及其放大电路自测题
第五章场效应管及其放大电路自测题一、填空题1.场效应管的转移特性I D～U GS，符合（B）规律。
A.指数B.平方C.线性2.当U GS=0时，仍能工作在饱和区的场效应管是（C）场效应管。
A.结型B.增强型MOSC.耗尽型MOS3.场效应管的跨导与双极性晶体管相比，一般情况下（B）。
A.更大B.更小C.差不多4.场效应管的漏极电流IDD从2mA变为4mA时，它的跨导gfm将（A）。
A.增大B.减小C.不变5.场效应管源极跟随器与双极型晶体管射极跟随器相比，（B C）。
A.其跟随特性更好B.跟随特性更差C.输出阻抗高D.输出阻抗低6.造成源极跟随器与射极跟随器相比有以上不同特性的根本原因是（B C）。
A.场效应管输入阻抗高B.场效应管跨导低C.场效应管放大倍数小7.以下几种场效应管构成的连接方式可以构成有源放大器的是（ABC）。
A.放大管和负载管为同种导电类型的器件B.放大管和负载管为不同导电类型的器件C.放大管为增强型NMOS管，负载管为耗尽型NMOS管D.放大管为耗尽型NMOS管，负载管为增强型NMOS管8.与双极型晶体管相比，场效应管具有的特点是（B C D）。
A.放大作用大B.输入阻抗高C.抗辐射能力强D.功耗小9.N沟道结型场效应管的偏置电压UGS应为（B）。
A.正B.负C.零10.可以采用自给偏置方式的场效应管有（A C ）。
A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管第五章自测题答案。
第五章-场效应管及应用电路-MSW(1)
IDQ gm vgs Knvg2s
静态值 （直流）
动态值 （交流）
非线性 失真项
s
Ri Rg1 // Rg2
Ro Rd
Avs
vo vS
vo vi
•
vi vS
Av
•
Ri Ri RS
3. 小信号模型分析
（2）放大电路分析（例5.2.6）
Av
vo vi
( gm vgs )(R // rds ) vgs gm vgs (R // rds )
gm (R // rds ) 1 1 gm (R // rds )
当vDS增加到使 vGD=VP 时，在紧靠漏 极处出现预夹断。
此时vDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变
2. 工作原理 （以N沟道JFET为例）
③ vGS和vDS同时作用时
当VP <vGS<0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处
vGD=vGS-vDS =VP
无电流产生。
当0<vGS <VT 时
产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。
当vGS >VT 时
在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。
vGS越大，导电沟道越厚
VT 称为开启电压
2. 工作原理
（2）vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGS >VT ）时， vDSID 沟道电位梯度
电子电工学——模拟电子技术 第五章 场效应管放大电路
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件，改变栅源电压vGS的大小，就可以控制漏极 电流iD，因此，场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也 可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态，即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点，其电路的某些性能指标优于三极 管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS＜0沟道变窄，在vDS作用下，iD 减小。vGS=VP(夹断电压，截止电 压）时，iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作，
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0
场效应管放大电路
第五章 场效应管放大电路1、 图1所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。
跨导为m 1ms g =。
（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数uA 和源电压放大倍数us A ；（3）求输入电阻i R 和输出电阻oR 。
题图12、电路如图2所示，场效应管的m 11.3ms g =，ds r 忽略不计。
试求共漏放大电路的源电压增益us A 、输入电阻i R 和输出电阻oR 。
图23、 放大电路如图3所示，已知场效应管的DSS 1.6mA I =，p U = -4V ，ds r 忽略不计，若要求场效应管静态时的GSQ 1V U =-，各电容均足够大。
试求：（1）g1R 的阻值；（2）uA 、i R 及o R 的值。
图34、图4(a)所示电路中的场效应管的转移特性为图4(b)所示，试求解该电路的GS U 、D I 和DS U 。
图45、电路如图5所示，已知FET 的I DSS = 3mA 、U P = －3V 、U (BR)DS = 10V 。
试问在下列三种条件下，FET 各处于哪种状态？(1) R d = 3.9k Ω；(2) R d = 10k Ω；(3) R d = 1k Ω。
VT+V DD R gR d图56、源极输出器电路如图6所示，已知场效应管在工作点上的互导m 0.9ms g ，ds r 忽略不计，其他参数如图中所示。
求电压增益u A 、输入电阻i R 和输出电阻oR 。
图6填空题1、双极型半导体三极管是器件，而场效应管属于器件。
2、对于MOSFET，用来描述栅源电压对漏极电流控制能力大小的参数称为。
3、在MOSFET中，在漏源电压一定的条件下，用以描述漏极电流与栅源电压之间关系的曲线称为。
4、在N沟道的MOSFET的电路中，若栅源电压已大于开启电压，漏源电压在某一变化区域内，漏极电流会随着漏源电压的增大而增大，说明此时MOSFET工作于区。
5、在构成放大器时，可以采用自给偏压电路的场效应管是场效应管。
MOS管(新)分析
27
例.如图，设VT=1V, Kn=500μA/V2 , VDD=5V, -VSS=-5V, Rd=10K,
R=0.5K, Id=0.5mA 。若流过Rg1, Rg2的电流是ID的1/10，试确定
Rg1, Rg2的值。
VDD
解.作出直流通路，并设MOS工作在饱和 区，则由：
2
Rg 2 200
IDSS mA
<0.35
<1.2 6～11 0.35～1.2 0.3～1
VRDS V
>20 >20 >20 >12
VRGS V
>20 >20 >20 >25 -25
VP
gm
V mA/ V
-4
≥2
-4
≥3
-5.5 ≥8
-4
≥2
fM MHz 300
90
1000
5.2 MOSFET放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
工作于可变电阻区的ID： ID 2Kn (VGS VT )vDS
25
5.2 MOSFET放大电路 5.2.2 带源极电阻的NMOS共源极放大电路 （1） 直流通路
VGS VG VS
Rg1
Rg 2
Rg1 Rg 2
(VDD
VSS
)
VSS
(IDR
VSS
由V-I特性估算 gm
gm
diD dvGS
vDS
[Kn (vGS VT )2 ]
vGS
vDS
2Kn (vGS
VT )
因为 iD Kn (vGS VT )2
电子技术基础课件 第五章 场效应管及其基本放大电路讲解
? VG
? VS
?
? RG 2
? ?
RG
1
?
RG 2
VDD ? VSS
? ? VSS ? ?
?
RI D ? VSS
当NMOS 管工作在饱和区
? ? I D ? Kn VGS ? VT 2
Rd
VDS ? ?VDD ? VSS ?? I D ?Rd ? R?
R g1
在MOS 管中接入源极 电阻，也具有稳定静 态工作点的作用
第5章 场效应三极管及其放大电路
赵宏安
场效应管
场效应管利用电场效应来控制其电流的大小。只有电子或 空穴导电，为单极型器件。输入阻抗高，温度稳定性好 结型场效应管JFET Junction Type Field Effect Transistor
绝缘栅型场效应管MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor ，制造工艺成熟，用于高密度的VLSI 电路和大容量的可编程器件或存储器
1 λiD
2. 低频互导gm
互导反映了vGS 对iD 的控制能力，
gm ?
? iD ? vGS
V DS
相当于转移特性曲线上工作点的 斜率。单位是mS或? S
十分之几至几mS，互导随管子工作点不同而变
N沟道EMOSFET
iD ? Kn (vGS ? VT )2
gm ? 2Kn (vGS ? VT ) ? 2 Kn iD
vGD= vGS –vDS=VT
原点附近输出电阻
可变电阻区 vDS? VGS-VT
饱和区 vDS? VGS-VT
5V
vGS >V T
4V
场效应管的结构及工作原理(教案)
场效应管的结构及工作原理(教案)第一章：引言1.1 课程概述本课程旨在帮助学生了解和掌握场效应管（FET）的结构及工作原理。
通过本课程的学习，学生将能够理解FET的基本概念、种类、应用及其在电子技术领域的重要性。
1.2 教学目标1. 了解场效应管的定义和发展历程。
2. 掌握场效应管的基本结构和分类。
3. 理解场效应管的工作原理及其在不同应用领域的优势。
第二章：场效应管的基本结构2.1 结型场效应管（JFET）2.1.1 JFET的定义2.1.2 JFET的结构特点2.1.3 JFET的导电机制2.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）2.2.1 MOSFET的定义2.2.2 MOSFET的结构特点2.2.3 MOSFET的导电机制2.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）2.3.1 IGBT的定义2.3.2 IGBT的结构特点2.3.3 IGBT的导电机制第三章：场效应管的工作原理3.1 结型场效应管（JFET）的工作原理3.1.1 增强型JFET的工作原理3.1.2 耗尽型JFET的工作原理3.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的工作原理3.2.1 增强型MOSFET的工作原理3.2.2 耗尽型MOSFET的工作原理3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的工作原理3.3.1 IGBT的工作原理第四章：场效应管的性能参数4.1 结型场效应管（JFET）的性能参数4.1.1 输入阻抗4.1.2 输出阻抗4.1.3 跨导4.1.4 开关速度4.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的性能参数4.2.1 输入阻抗4.2.2 输出阻抗4.2.3 跨导4.2.4 开关速度4.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的性能参数4.3.1 输入阻抗4.3.2 输出阻抗4.3.3 跨导4.3.4 开关速度第五章：场效应管的应用领域5.1 结型场效应管（JFET）的应用领域5.1.1 放大器5.1.2 开关电路5.1.3 电压控制器件5.2 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的应用领域5.2.1 放大器5.2.2 开关电路5.2.3 电压控制器件5.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的应用领域5.3.1 电力电子5.3.2 变频调速5.3.3 电力系统第六章：场效应管的测量与测试6.1 测量仪器与设备6.1.1 直流参数测试仪6.1.2 交流参数测试仪6.1.3 噪声测试仪6.2 场效应管的测量项目6.2.1 栅极电位与漏极电流的关系测量6.2.2 输入阻抗测量6.2.3 输出阻抗测量6.2.4 开关时间测量6.3 测试结果分析与应用6.3.1 测试结果的判断与分析6.3.2 测试结果在实际应用中的应用第七章：场效应管的驱动与保护7.1 驱动电路的设计7.1.1 驱动电路的基本要求7.1.2 驱动电路的设计方法7.1.3 驱动电路的实际应用案例7.2 场效应管的保护电路7.2.1 过压保护电路7.2.2 过流保护电路7.2.3 短路保护电路7.3 驱动与保护电路的实际应用7.3.1 驱动与保护电路在放大器中的应用7.3.2 驱动与保护电路在开关电路中的应用第八章：场效应管的故障诊断与维修8.1 故障诊断方法8.1.1 观察法8.1.2 测量法8.1.3 替换法8.2 常见故障与维修方法8.2.1 栅极输入故障8.2.2 漏极输出故障8.2.3 内部短路故障8.3 故障维修实例8.3.1 放大器故障维修实例8.3.2 开关电路故障维修实例第九章：场效应管在现代电子技术中的应用9.1 数字电路中的应用9.1.1 逻辑门电路9.1.2 微处理器电路9.1.3 存储器电路9.2 模拟电路中的应用9.2.1 放大器电路9.2.2 滤波器电路9.2.3 稳压电路9.3 电力电子中的应用9.3.1 变频调速电路9.3.2 电力控制系统9.3.3 电力变换器电路第十章：总结与展望10.1 课程总结本课程对场效应管的结构、工作原理及其应用进行了详细的介绍，使学生掌握了场效应管的基本知识，为further study in the field of electronic technology 打下了坚实的基础。