微电子学概论
电子行业微电子学概论课件
电子行业微电子学概论课件1. 引言微电子学是研究和制造微小尺寸电子元器件的学科。
微电子学的发展和应用已经深入到各个领域，包括通信、计算机、医疗、能源等等。
本课程将介绍微电子学的基本概念、原理及其在电子行业中的应用。
2. 微电子学的基本概念2.1 微电子学的定义微电子学是研究和制造微小尺寸电子器件的学科，它将电子器件的尺寸缩小到微米级甚至纳米级。
2.2 微电子学的发展历程•1947年，第一只晶体管的发明，标志着微电子学的诞生。
•1959年，第一只集成电路问世，开创了微电子学领域的新时代。
•1971年，Intel推出了世界上第一款商用微处理器，开启了个人计算机时代。
2.3 微电子学的基本原理微电子学的基本原理包括： - 半导体材料的电子结构和载流子的行为 - PN结和二极管特性 - MOSFET的原理及其工作模式 - CMOS电路的基本结构和工作原理3. 微电子学主要器件3.1 晶体管晶体管是一种最基本的微电子学元件，它能够控制电流流动。
晶体管有三种基本类型：NPN型、PNP型和MOS型。
3.2 集成电路集成电路是将多个晶体管、电容、电阻等元件集成在一块半导体芯片上的芯片。
集成电路的种类包括模拟集成电路、数字集成电路和混合集成电路等。
3.3 传感器传感器是一种能够将各种物理量转换成电信号的器件，用于测量和控制。
常见的传感器包括温度传感器、压力传感器、光敏传感器等。
4. 微电子学在电子行业中的应用4.1 通信领域微电子学在通信领域的应用非常广泛，如手机、无线通信、卫星通信等。
基于微电子学的芯片和传感器使得通信设备越来越小、智能化。
4.2 计算机领域微电子学的发展推动了计算机的快速发展。
微型计算机、个人计算机、服务器等计算机设备的核心是由微电子学器件构成的芯片。
4.3 医疗领域微电子学在医疗设备中的应用越来越重要。
例如，医疗传感器可以用于监测血压、心率等生理参数；医疗成像设备如X光机、核磁共振等也依赖于微电子学技术。
微电子学概论
微电子学概论微电子学是一门研究微观世界中的电子行为和器件的学科，是电子工程的重要分支。
它主要研究微小尺寸下电子元器件（例如晶体管和集成电路）的制造和运作原理。
微电子学可以追溯到20世纪50年代，随着科技的发展，它逐渐成为电子工程中的重要学科。
在微电子学中，主要研究以下几个方面：微电子器件的设计和制造、电子器件的特性和行为、器件的集成和封装、微电子系统的设计和应用等。
微电子学的研究对象都是小于1微米的尺度，因此需要运用微细加工技术和各种先进的材料制造技术。
微电子学的发展离不开半导体材料的研究和应用。
半导体材料的特性使得它可以在电导性上有所区别，有导电和绝缘两种状态。
这种特点使得半导体材料成为微电子学中最重要的材料之一、半导体材料通过掺杂、结构设计和制造工艺等方式可以制造D型、N型和P型半导体材料。
在半导体中，N型电子和P型空穴可以在特定条件下合并，形成PN结构，利用PN结可以制造晶体管和二极管等微电子器件。
微电子学的应用非常广泛。
几乎所有的电子设备都离不开微电子学的应用，例如计算机、手机、电视等消费电子产品都需要微电子技术来制造高性能的集成电路芯片。
此外，微电子技术还应用于医疗设备、航天器件、军事装备等高技术领域。
微电子技术的发展使得计算机和通信技术得以飞速发展，推动了人类社会的科技进步。
然而，微电子学也面临一些挑战和问题。
首先，微电子器件的尺寸越来越小，工艺复杂度逐渐增加，这对制造和测试带来了困难。
其次，尺寸越小，器件的故障率越高，如何提高器件的可靠性和稳定性是微电子学研究的重要方向之一、此外，微电子技术对纳米材料和量子效应等新兴领域的研究和应用也面临着挑战。
总结来说，微电子学作为电子工程的一个重要学科，研究微观世界中的电子行为和器件。
它与半导体材料密切相关，应用广泛，推动了现代科技的发展。
随着科技的进步，微电子学在器件制造、工艺和应用等方面仍然面临许多挑战和问题，需要通过不断地研究和创新来推动其发展。
微电子学概论复习题及答案(详细版)
微电子学概论复习题及答案（详细版）第一章绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2．集成电路分类情况如何？双极型PMOSMOS型单片集成电NMOS路CMOS按结构分类BiMOSBiMOS型BiCMOS厚膜混合集成电路混合集成电路薄膜混合集成电路SSIMSI集成电路LSI按规模分类VLSIULSIGSI组合逻辑电路数字电路时序逻辑电路线性电路按功能分类模拟电路非线性电路数字模拟混合电路按应用领域分类第二章集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。
从层次和域表示分层分级设计思想域：行为域：集成电路的功能结构域：集成电路的逻辑和电路组成物理域：集成电路掩膜版的几何特性和物理特性的具体实现层次：系统级、算法级、寄存器传输级(也称RTL级)、逻辑级与电路级2．什么是集成电路设计？根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。
3．集成电路设计流程，三个设计步骤系统功能设计逻辑和电路设计版图设计4．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程A.数字电路：RTL级描述逻辑综合(Synopy,Ambit)逻辑网表逻辑模拟与验证，时序分析和优化难以综合的：人工设计后进行原理图输入，再进行逻辑模拟电路实现(包括满足电路性能要求的电路结构和元件参数)：调用单元库完成；没有单元库支持：对各单元进行电路设计，通过电路模拟与分析，预测电路的直流、交流、瞬态等特性，之后再根据模拟结果反复修改器件参数，直到获得满意的结果。
由此可形成用户自己的单元库；单元库：一组单元电路的集合；经过优化设计、并通过设计规则检查和反复工艺验证，能正确反映所需的逻辑和电路功能以及性能，适合于工艺制备，可达到最大的成品率。
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集成电路的作用
§小型化 §价格急剧下降 §功耗降低 §故障率降低
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§其次，统计数据表明，发达国家在发 展过程中都有一条规律
Ø 集成电路（IC）产值的增长率（RIC）高于电子 工业产值的增长率（REI）
Ø 电子工业产值的增长率又高于GDP的增长率 （RGDP）
Ø 一般有一个近似的关系
▪ 杂质处于两种状态：中性态和离化态。 当处于离化态时，施主杂质向导带提供 电子成为正电中心；受主杂质向价带提 供空穴成为负电中心。
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按结构形式的分类
§单片集成电路：
Ø它是指电路中所有的元器件都制作 在同一块半导体基片上的集成电路
Ø在半导体集成电路中最常用的半导 体材料是硅，除此之外还有GaAs等
§混合集成电路：
Ø厚膜集成电路 Ø薄膜集成电路
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按电路功能分类
§数字集成电路(Digital IC)：它是指处理数字 信号的集成电路，即采用二进制方式进行数 字计算和逻辑函数运算的一类集成电路
（ b）单胞无需是基本的
晶体结构
§ 三维立方单胞
Ø 简立方、
体心立方、
面立方
固体材料的能带图
固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体
半导体的能带
▪ 本征激发
有效质量的意义
▪ 自由电子只受外力作用；半导体中的电子 不仅受到外力的作用，同时还受半导体内 部势场的作用
▪ 意义：有效质量概括了半导体内部势场的 作用，使得研究半导体中电子的运动规律 时更为简便（有效质量可由试验测定）
W. Schokley J. Bardeen W. Brattain
获得1956年 Nobel物理 奖
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微电子学概论复习文档
微电子学概论复习文档一、微电子学概述1.定义：微电子学是研究微米尺寸电子元器件（如晶体管、集成电路等）的科学。
2.特点：尺寸小、功能集成、速度快、功耗低。
3.应用领域：计算机、通信、医疗、汽车、工业控制等。
二、基本概念1.晶体管：是微电子学的基本元件，分为NPN型和PNP型。
2.集成电路：是晶体管和其他电子元件的组合，包括集成电路芯片和集成电路模块。
3.可编程逻辑器件（PLD）：是一种可以编程的数字逻辑电路，如可编程门阵列（PAL）和可编程逻辑阵列（PLA）等。
三、微电子器件1.MOSFET晶体管：结构简单，使用广泛，适用于各种应用场合。
2.双极型晶体管：用于放大和开关电路。
3.发光二极管（LED）：将电能转化为光能的器件。
4.激光二极管：用于激光器、光纤通信等领域。
5.硅基混合集成电路：将硅MOSFET和双极型晶体管结合使用，提高集成度和性能。
四、半导体材料与器件1.硅材料：常用的半导体材料，具有良好的电子和热导性能。
2.砷化镓材料：适用于高频器件，具有较好的导电性能。
3.砷化铝材料：适用于光电子器件，具有良好的光电转换性能。
五、集成电路制造工艺1.可重复制造技术：使用模版制造集成电路。
2.硅工艺：将器件制作在硅基底上。
3.制作流程：薄膜沉积、光刻、蚀刻、扩散等。
六、集成电路设计与布局1.电路设计：根据电路功能和性能要求设计电路。
2.电路布局：将电路元件放置在集成电路芯片上的过程。
3.电路布线：将芯片内的电路元件连接起来的过程。
七、集成电路测试与封装1.电气测试：测试集成电路的功能和性能。
2.封装：将芯片封装在注塑封装或球栅阵列封装中，提供对外连接。
八、微电子器件的未来发展1.器件尺寸的进一步缩小。
2.功耗的进一步减少。
3.通信和计算速度的进一步提高。
4.新材料的应用和新器件的研发。
以上是关于微电子学概论的复习笔记，希望对你的复习有所帮助。
通过对这些知识点的复习，你可以对微电子学的基本原理和应用有一个全面的了解，为进一步深入学习微电子学打下坚实的基础。
大一微电子学概论知识点
大一微电子学概论知识点微电子学是研究微型电子器件和电路的学科，是现代电子技术中的重要组成部分。
本文将介绍大一微电子学概论中的一些重要知识点，帮助读者快速了解该学科的基础内容。
一、半导体材料半导体材料是微电子学研究中的基础。
常见的半导体材料有硅和锗，其特点是导电性介于导体和绝缘体之间。
在半导体材料中，电子的能级分布对电子行为和电路性能起到重要影响。
当外界施加一定电压或热能时，半导体材料的导电性会发生改变，进而实现电子器件的控制和操作。
二、PN 结和二极管PN 结是由P 型半导体和N 型半导体直接接触形成的结构。
当两者接触时，PN 结会形成一个带电的耗尽区域，导致电子和空穴的扩散和漂移。
二极管是由PN 结构成的最简单的电子器件，具有只允许单向电流通过的特性。
在正向偏置时，二极管导通，电流通过；在反向偏置时，二极管截止，电流不能通过。
二极管在电子电路中广泛应用于整流、限流等基本功能。
三、晶体管晶体管是一种由三层或四层半导体材料组成的电子器件。
常见的有NPN 和PNP 两种类型。
晶体管具有放大电流和控制电路的作用。
在电子电路中，晶体管通常用作电压放大器和开关，广泛应用于无线通信、计算机和电子设备中。
四、场效应管场效应管是一种半导体器件，根据电场的作用调节电流。
常见的场效应管有MOSFET 和JFET 两种类型。
MOSFET 是现代集成电路中最常用的器件之一，具有功率小、速度快、噪音低等优点。
场效应管在电子产品中扮演着重要的角色，如放大器、开关、模拟电路等。
五、数字逻辑门数字逻辑门是由逻辑功能的电路元件组成的电子器件。
常见的逻辑门有与门、或门、非门等。
逻辑门能够通过逻辑电平的输入和输出实现基本的逻辑运算，用于数字电路中的计算和控制。
它们是计算机和数字电子设备中最基本的组成部分。
六、集成电路集成电路是在单个芯片上集成了大量电子器件和电路的电子元件。
根据集成度的不同，可以分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）和大规模集成电路（LSI）等。
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的特点
集成电路的分类
导论
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
集成电路的分类
器件结构类型 集成电路规模 使用的基片材料 电路形式 应用领域
器件结构类型分类
导论
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
集成电路（IC）产值的增长率（RIC）高于电子 工业产值的增长率（REI）
电子工业产值的增长率又高于GDP的增长率 （RGDP）
一般有一个近似的关系
RIC≈1.5~2REI REI≈3RGDP
微电子学发展情况
导论
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
世界GDP和一些主要产业的发展情况
晶体管的 发明
集成电路 发展历史
集成电路 的分类
微电子学 的特点
1947年12月13日 晶体管发明 1958年 的一块集成电路 1962年 CMOS技术 1967年 非挥发存储器 1968年 单晶体管DRAM 1971年 Intel公司微处理器
摩尔定律
导论 晶体管的
发明 集成电路
发展历史 集成电路
高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电 子学发展的方向
微电子学的渗透性极强
它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的 交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯 片等
作业
微电子学？
导论 晶体管的
微电子学核心？
发明 微电子学主要研究领域？
集成电路 发展历史
微电子学特点？
集成电路 集成电路？
的分类
例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等
微电子学概论复习题及答案(详细版).
双极逻辑门电路类型（几种主要的）：
电阻耦合型---电阻-晶体管逻辑 (RTL)：
二极管耦合----二极管-晶体管逻辑 (DTL)
晶体管耦合----晶体管-晶体管逻辑 (TTL)
合并晶体管----集成注入逻辑 (I2L)
6.双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性（课件）
工作原理： 基本结构：由两个相距很近的 PN 结组成 直流特性: 1. 共发射极的直流特性曲线
2 . 共基极的直流特性曲线
7.MOS 晶体管基本结构、工作原理、I-V 方程、三个工作区的特性（课件）
基本结构：属于四端器件，有四个电极。由于结构对称，在不加偏压时，无法区分器件的源 和漏。源漏之间加偏压后，电位低的一端称为源，电位高的一端称为漏。 工作原理： 施加正电荷作用使半导体表面的空穴被排走，少子（电子）被吸引过来。继续增大正电压， 负空间电荷区加宽，同时被吸引到表面的电子也增加。形成耗尽层。电压超过一定值 Vt，吸 引到表面的电子浓度迅速增大，在表面形成一个电子导电层，反型层。 I-V 方程： 电流-电压表达式： 线性区：Isd=βp (|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) |Vds| 饱和区：Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)² 三个工作区的特性： 线性区(Linear region) ：
综上所述：
Vi<Vg-Vt 时，MOS 管无损地传输信号； Vi≥Vg-Vt 时，Vo=Vg-Vt 信号传输有损失，称为阈值损失，对于高电平’1’， NMOS 开关输出端损失一个 Vt；
为了解决 NMOS 管在传输’1’电平、PMOS 在传输’0’电平时的信号损失，通 常采用 CMOS 传输门作为开关使用。它是由一个 N 管和一个 P 管构成。工作时，NMOS 管的衬底接地，PMOS 管的衬底接电源，且 NMOS 管栅压 Vgn 与 PMOS 管的栅压 Vgp 极性相反。
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1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为 首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人 。 开始，布拉顿和巴丁在研究晶体管时，采用的 是肖克利提出的场效应概念。场效应设想是人们提 出的第一个固体放大器的具体方案。根据这一方案 ，他们仿照真空三极管的原理，试图用外电场控制 半导体内的电子运动。但是事与愿违，实验屡屡失 败。人们得到的效应比预期的要小得多。经过多少 个不眠之夜的苦苦思索，巴丁又提出了一种新的理 论——表面态理论。这一理论认为表面现象可以引 起信号放大效应。表面态概念的引入，使人们对半 导体的结构和性质的认识前进了一大步。但是也没 12 有得到非常理想的确结果.
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达默（W.A.dummer)在英国的一次会议上讲到电 子学的可靠性时说过:"随着晶体管的出现和半导体工 作的普遍化，现在似乎可以设想在固体板块中的电 子设备无需连接的导线。板块本身就包括了绝缘的 导电层、整流和放大的材料，通过切割各层面积的 办法直接把电学功能连接在一起”。 根据这种想法，基尔比在笔记本上画出了设计草图。
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几乎在同一时期，美国南部达拉斯市，德克 萨斯仪器公司（TI）的青年研究人员基尔比（J. kilby）也想到了类似的技术创意。 读中学时，基尔比的父亲期盼他能考上麻省理 工学院，成为优秀的电子工程师。考试的结果，• 成 绩一贯优秀的基尔比以3分之差落第，不得已进入伊 利诺伊大学就读。 基尔比在伊利诺斯大学和威斯康星大学所学专 业都是电子工程学，他从英国科学家达默的思想 里获得了启发。达默（Dummer）早在1952年就指 出，由半导体构成的晶体管，可以把它们组装在 一块平板上而去掉之间的连线。
参考书：
《微电子学概论》
张兴/黄如/刘晓彦
北京大学出版社 2000年1月
1
主 要 内 容
微电子技术发展历史 半导体物理 半导体器件基础 集成电路制造工艺 集成电路设计 特种微电子器件 微机电系统 纳米电子学 分子电子学 微电子技术发展的规律和趋势
2
绪
论
什么是微电子学 晶体管的发明 集成电路的发展历史 集成电路的分类 微电子学的特点
这一套半导体平面处理技术仿佛为"仙童"们打开 了一扇奇妙的大门，他们突然看到了一个广阔的空间 ：用这种方法既然能做一个晶体管，为什么不能在硅 片上集成几十个、几百个、乃至成千上万个呢？1959 年1月23日，诺依斯在日记里详细地记录了这一闪光 的设想。 就在仙童公司诺依斯等人还在大胆设想的时候 ，晶体管的集成化试验却已在德克萨斯仪器公司悄 悄地进行。
3
微电子学：Microelectronics
微电子学——微型电子学
核心——集成电路
4
集成电路：
Integrated Circuit，缩写IC
通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、 二极管等有源器件和电阻、电容等无源 器件，按照一定的电路互连，“集成” 在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓） 上，封装在一个外壳内，执行特定电路 或系统功能
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获得1956年 Nobel物理奖
1947年12月23日 第一个晶体管 NPN Ge晶体管 W. Schokley J. Bardeen W. Brattain
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的确，当时的点接触晶体管利用触须接点，很 不稳定，噪声大，频率低，放大功率小，性能还赶 不上电子管，制作又很困难。难怪人们对它无动于 衷。然而，物理学家肖克利等人却坚信晶体管大有 前途，它的巨大潜力还没有被人们所认识。于是， 在点接触式晶体管发明以后，他们仍然不遗余力， 继续研究。又经过一个多月的反复思索,一个念头却 在心中越来越明晰了，那就是以往的研究之所以失 败，根本原因在于人们不顾一切地盲目模仿真空三 极管。这实际上走入了研究的误区。晶体管同电子 管产生于完全不同的物理现象，这就暗示晶体管效 应有其独特之处。明白了这一点，肖克利当即决定 暂时放弃原来追求的场效应晶体管，集中精力实现 一种新型晶体管 . 17
1946年2月14日 Moore School， Univ. of Pennsylvania
18,000个电子 管组成
大小：长24m，宽6m，高2.5m 速度：5000次/sec；重量：30吨； 9 功率：140KW；平均无故障运行时间：7min
微电子科学技术的 发展历史
晶体管的发明
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美国人威廉· 肖克利，1910年 2月13日生于伦 敦，曾在美国麻省理工学院学习量子物理，1936 年得到该校博士学位后，进入久负盛名的贝尔实 验室工作。 温文儒雅的美国人约翰· 巴丁是一个大学教授 的儿子，1908年在美国威斯康星州的麦迪逊出生 ，相继于1928年和1929年在威斯康星大学获得两 个学位。后来又转入普林斯顿大学攻读固体物理 ，1936年获得博士学位。1945年来到贝尔实验室 工作。 沃尔特· 布拉顿也是美国人，1902年 2月10日出 生在中国南方美丽的城市厦门，当时他父亲受聘在 中国任教。布拉顿是实验专家，1929年获得明尼苏 达大学的博士学位后，进入贝尔研究所从事真空管 11 研究工作。
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晶体管之父肖克利 1954年，成就了“本世纪最伟大发明”的晶体管之父肖 克利，离开贝尔实验室返回故乡寻求发展，他的故乡恰 好就在现在的硅谷。
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集成电路的发明
在硅谷嘹望山， 肖克利宣布成立半导体实验室。 不久，因仰慕"晶体管之父"的大名，求职信像 雪片般飞到肖克利的办公桌上。 1956年， 以罗伯特· 诺依斯 （N.Noyce）为首的 8位年轻的科学家从美国东部陆续加盟肖克利的实 验室。他们的年龄都在30岁以下，学有所成，有获 得双博士学位者，有来自大公司的工程师，有著名 大学的研究员和教授，都处在创造能力的巅峰。
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1927年12月12日，诺伊斯（N.Noyce）生于衣阿 华州东南的登马克（Durlington）小镇。
诺依斯
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大学就读于当地的格林纳尔学院，多才多艺的诺 伊斯，他同时学习物理、数学两个专业。他擅长游泳 ，曾获衣阿华州跳水冠军。业余时间还演奏双簧管， 并在当地电台表演广播连续剧。 一次寝室晚会，大家要开一个有南太平洋风味的 宴会。其中缺一只烤全猪。由于囊中羞涩，诺伊斯和 另一名学生被委以重任：到邻近农场偷猪。两人不负 重望，搞出一只25磅的猪，英雄般地凯旋，宴会获得 极大成功。但第二天早晨情势大变，在衣阿华，偷猪 和盗马，在50年前是上绞刑架的罪过。
Bardeen 提 出 了 表 面 态 理 论 ， Schokley给出了实现放大器的基本设 想，Brattain设计了实验 1947年12月23日，第一次观测到了具 有放大作用的晶体管
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这是一种用以代替真空管的电子信号放大元件 ，是电子工业的强大引擎，是计算机革命的关键， 被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。也 因此有人说：“没有贝尔实验室，就没有硅谷。”
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封装好的集成电路
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集成电路
•集成电路的内部电路
Vdd A B Out
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实现社会信息化的网络及其关键部 件不管是各种计算机和/或通讯机， 它们的基础都是微电子
1946年第一台计算机：ENIAC
8
第一台通用电 子计算机：
ENIAC
Electronic Numerical Integrator and Calculator
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晶体管发明半年以后，在1948年 6月30日，贝尔 实验室首次在纽约向公众展示了晶体管。这个伟大的 发明使许多专家不胜惊讶。然而，对于它的实用价值 ，人们大都表示怀疑。当年7月1日的《纽约时报》只 以8个句子、201个文字的短讯形式报道了本该震惊世 界的这条新闻。在公众的心目中，晶体管不过是实验 室的珍品而已。估计只能做助听器之类的小东西，不 可能派上什么大用场。
年轻人彻底地失望了：一年之中，实验室没有任 何拿得出手的产品问世。1957年，8位青年中的7人偷 偷聚在一起，瞒着肖克利商量"叛逃"的办法。想来想 去，决定自己创办一家公司。可他们也都不懂生产管 理，大家一致同意"策反"诺依斯，他看起来是唯一有 点儿领导才能的人。当8位青年联名递上辞职书的时 候，肖克利不由得火冒三丈： "你们简直是一群叛徒！“ 肖克利指着诺依斯的鼻子，怒不可遏。年轻人们 面面相觑，但还是义无返顾地离开了他们的“伯乐” 。这就是电脑史上人所共知的有关“8大叛徒”的趣 谈，不过，肖克利本人后来也改口把他们称为“8个 天才的叛逆”。肖克利实验室因主要骨干出走而一蹶 不振。最后肖克利只好回到大学教书.
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诺伊斯没有选择大公司，而是去了较小的菲尔 科公司。他对物质追求很淡漠，“我唯一的梦想是 能同时买两双鞋，因为我是穿着哥几个的旧鞋子长 大的。”这一干就是3年。 1956年，在华盛顿的技术报告会上，肖克利被 他的报告深深打动。“1个月后，肖克利打来电话， 说他打算到西海岸开一家公司，要与我商量加入该 公司的事宜。” 招齐员工后，肖克利下令实验室大量生产晶 体管，要把成本降到每只5分钱。然而，肖克利 虽然雄心勃勃，但对管理却一窍不通，把实验室 的生产指挥得一塌糊涂，全然听不进别人的善意 规劝。 27
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天才八叛逆 1957 年 9 月，“八叛逆”手拿《华尔街日报》，按 纽约股票栏目挨家挨户寻找合作伙伴，最后圈定了29 35 家公司。
1957年10月，地处美国东部的仙童照相器材和设 备公司，为“八叛逆”投资了3500美元种子资金， 组建起一家以诺依斯为首的仙童（Fairchild）半导体 公司，仍在嘹望山租下一间小屋，着手制造一种双扩 散基型晶体管，以便用硅来取代传统的锗材料。在诺 依斯精心运筹下， “仙童”的业务逐渐有了较大发 展，员工增加到100多人。 同时，一整套制造硅晶体管的平面处理技术也日 趋成熟。科学家赫尔尼(J· Hoermi)是众"仙童"中的 A· 佼佼者，他像变魔术一般把硅表面的氧化层挤压到最 大限度。诺依斯等人首创的晶体管制造方法也与众不 同，他们先在透明材料上绘好晶体管结构，然后用拍 照片的办法，把结构显影在硅片表面氧化层上，腐蚀 去掉不需要的图形后，再把那些具有半导体性质的微 30 粒扩散到硅片上。