基于霍耳效应的气敏传感器的研制
In2O3纳米材料气敏传感器制备方法综述

第18期 收稿日期:2020-06-21基金项目:大学生创新训练计划项目(K20181391)作者简介:刘子豪(2000—),河北石家庄人,本科生,在贾翠萍老师的指导下进行大学生创新创业项目,研究方向为纳米材料的合成及应用。
In2O3纳米材料气敏传感器制备方法综述刘子豪,彭立安,冶小芳,贾翠萍(中国石油大学(华东)理学院,山东青岛 266550)摘要:氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,是一种重要的n型半导体。
氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,被广泛应用于半导体气体传感器。
半导体气体传感器的性能,如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等,与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。
本文对近年来纳米结构的In2O3研究进展进行了综述,以In2O3纳米材料的制备方法以及所制备出的不同形貌结构进行分类介绍,对In2O3气敏传感器应用进行展望。
关键词:In2O3气敏传感器制备方法中图分类号:O469;TP212 文献标识码:A 文章编号:1008-021X(2020)18-0069-04ReviewonthePreparationMethodsofIn2O3NanomaterialGasSensorsLiuZihao,PengLian,YeXiaofang,JiaCuiping(SchoolofScience,ChinaUniversityofPetroleum(EastChina),Qingdao 266550,China)Abstract:IndiumoxideisanimportantN-typesemiconductorwithwidebandgap,lowresistivityandhighcatalyticactivity.Indiumoxidehasgoodgassensitivitytobothoxidizingandreducinggasesandiswidelyusedinsemiconductorgassensors.Thepropertiesofsemiconductorgassensors,suchassensitivity,selectivity,stability,response/recoverytime,etc.,aredirectlyrelatedtothephysicalandchemicalproperties,morphologyandstructureofgas-sensitivematerials.Inthispaper,theresearchprogressofIn2O3innanostructuresinrecentyearsisreviewed.ThepreparationmethodsofIn2O3nanomaterialsandthedifferentmorphologiespreparedbyIn2O3nanomaterialsareclassifiedandintroduced,andtheapplicationofIn2O3gassensorisprospected.Keywords:In2O3;gassensor;preparationmethod 气体检测在人们生产生活以及安全生产方面中的应用十分广泛,比如大气环境污染检测、易燃易爆有毒有害气体检测、疾病诊断等,金属氧化物半导体材料因其灵敏度高、结构简单、价格低廉、易于集成等优点,在气敏传感器上表现出良好的应用价值。
纳米ZnO气敏传感器的研制

《纳米ZnO气敏传感器的研制》开题报告姓名:史雯萍班级:09环境A2 学号:00094865907指导教师:袁昊是否为毕设预备课题:□是;□不是(请打√)摘要:ZnO是具有宽带隙和优良光电,压电等性能的半导体材料,且化学稳定性高,在功能器件的研制中具有广泛的用途,因而受到人们越来越多的重视,作为气敏材料,ZnO是最早被发信的气敏材料之一。
研究结果显示:贵金属纳米晶可以显著提高单晶ZnO纳米线的灵敏度和选择性,并且能够有效降低对目标气体的检测下限(检测下限可达ppb级)。
这项研究为半导体气体传感器性能的改善提供一条全新的思路。
关键词:氧化锌;贵金属;修饰;气体传感器一、研究内容以液相法制备的单分散贵金属纳米晶为原料,对单晶ZnO纳米线进行异质自组装。
在不同的条件下,对贵金属纳米晶修饰的一维ZnO纳米材料进行气敏性能测试。
在研究该组装体系气敏性能的基础上,得到了具有高灵敏度、高选择性、高稳定性,并且具有低检测下限的性能优越的气体敏感材料。
图1 Au纳米晶的TEM图二、技术路线本实验是通过贵金属纳米晶的修饰来提高ZnO纳米线的气敏性能:经过Pd纳米晶修饰之后的ZnO对H2S气体的选择性非常良好,而且还将对H2S气体的检测下限降低至200ppb;经过Pt纳米晶修饰后的ZnO纳米线,显著提高了对酒精和甲醛气体的响应,可以检测浓度低至250ppb的酒精和1ppm的甲醛气体。
Au纳米晶修饰ZnO纳米线后提高了对酒精和一氧化碳的灵敏度和检测下限。
同时并采用单分散的贵金属纳米晶修饰的方法可以显著提高半导体金属氧化物的气敏性能,这将为以后提高半导体金属氧化物气敏材料的性能提供新的道路。
实验结果表明, Ru 的掺杂可提高ZnO 的气体灵敏度, 催化剂涂层的施加可改善Ru2ZnO 对汽油、乙醇、丁烷的气敏选择性。
并适当降低ZnO 的工作温度。
通过贵金属纳米晶的修饰,可以显著提高金属氧化物纳米线的气敏性能,进而开发高灵敏度、高选择性、高稳定性的优质气体传感器。
《基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备与敏感提升机理研究》

《基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备与敏感提升机理研究》一、引言随着科技的飞速发展,半导体气敏传感器在环境监测、医疗诊断、食品安全等领域得到了广泛的应用。
作为半导体气敏传感器中的重要材料,氧化铟因其具有优良的电子性质和高的气敏响应,成为传感器研究的热点材料之一。
本文旨在研究基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备方法以及敏感提升机理,为进一步优化传感器性能提供理论支持。
二、氧化铟半导体气敏传感器的制备1. 材料选择与准备制备氧化铟半导体气敏传感器,首先需要选择高质量的氧化铟粉体。
此外,还需准备导电玻璃、银浆、电极等辅助材料。
2. 制备工艺采用溶胶凝胶法,将氧化铟粉体与其他添加剂混合,形成均匀的溶胶。
然后通过旋涂法或丝网印刷法将溶胶涂覆在导电玻璃上,形成薄膜。
最后,通过热处理使薄膜结晶,形成氧化铟半导体气敏传感器。
三、敏感提升机理研究1. 表面效应氧化铟半导体气敏传感器的敏感性能与其表面性质密切相关。
通过改善传感器表面的微观结构,如增加比表面积、引入缺陷等,可以增强传感器对气体的吸附能力和反应活性,从而提高敏感性能。
2. 掺杂效应掺杂是提高氧化铟半导体气敏传感器性能的有效方法。
通过掺入适量的金属离子(如锡、氟等),可以调整氧化铟的电子结构和电导率,改善其传感性能。
掺杂还可以引入新的能级,有助于电子的传输和分离,提高传感器的响应速度和灵敏度。
3. 界面效应传感器中的界面效应对敏感性能具有重要影响。
通过优化电极材料、改善电极与氧化铟薄膜之间的接触等手段,可以降低界面电阻,提高电子传输效率,从而提升传感器的敏感性能。
四、实验结果与讨论通过制备不同工艺参数的氧化铟半导体气敏传感器,测试其气敏性能。
实验结果表明,通过表面效应、掺杂效应和界面效应的优化,可以有效提高传感器的敏感性能。
具体表现为传感器对目标气体的响应值增大、响应时间缩短、恢复时间加快等。
此外,优化后的传感器还具有较好的稳定性和重复性。
五、结论本文研究了基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备方法以及敏感提升机理。
《基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备与敏感提升机理研究》

《基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备与敏感提升机理研究》一、引言随着科技的发展,气体检测在环境监测、工业生产、医疗诊断等领域的应用越来越广泛。
其中,半导体气敏传感器以其高灵敏度、快速响应和低成本等优势,成为气体检测领域的研究热点。
本文将针对基于氧化铟的半导体气敏传感器的制备方法及其敏感提升机理进行研究,旨在提高传感器性能,满足实际应用需求。
二、氧化铟半导体气敏传感器制备1. 材料选择与准备制备氧化铟半导体气敏传感器的主要材料为氧化铟(In2O3)纳米材料。
此外,还需准备导电玻璃基底、银浆等辅助材料。
2. 制备过程(1)采用溶胶-凝胶法或水热法等制备氧化铟纳米材料。
(2)将制备好的氧化铟纳米材料涂覆在导电玻璃基底上,形成敏感膜。
(3)在敏感膜上印刷银电极,并进行烧结处理,以增强电极与敏感膜之间的结合力。
(4)对制备好的传感器进行性能测试,如灵敏度、响应时间等。
三、敏感提升机理研究1. 氧化铟的物理化学性质氧化铟作为一种n型半导体材料,具有较高的电子迁移率和良好的化学稳定性。
其表面吸附气体分子后,会发生电子转移,导致电阻发生变化,从而实现气体检测。
2. 敏感提升途径(1)纳米材料制备:通过控制纳米材料的尺寸、形貌和结构,提高其比表面积和表面活性,从而提高传感器的灵敏度。
(2)掺杂改性:通过引入其他元素(如Sn、Sb等)对氧化铟进行掺杂改性,改变其电子结构和能带结构,提高传感器的选择性和灵敏度。
(3)敏感膜优化:通过调整敏感膜的厚度、孔隙率等参数,优化气体分子的吸附和扩散过程,提高传感器的响应速度和稳定性。
四、实验结果与分析1. 制备不同条件下的传感器性能对比通过改变纳米材料的制备方法、掺杂元素种类及浓度、敏感膜参数等条件,制备出不同性能的传感器,并进行性能对比。
结果表明,通过优化制备条件和掺杂改性,可以有效提高传感器的灵敏度和选择性。
2. 敏感提升机理分析通过对传感器敏感过程中的电学性能、表面形貌、化学成分等进行表征和分析,揭示了敏感提升的机理。
基于纳米材料制备的气敏传感器性能研究

基于纳米材料制备的气敏传感器性能研究基于纳米材料制备的气敏传感器性能研究摘要: 随着科技的发展,气敏传感器在环境监测、工业控制和医疗诊断等领域中起着重要的作用。
纳米材料作为一种新型材料,具有高表面积、优异的电化学性能和独特的光学特性,被广泛应用于气敏传感器的制备中。
本文将综述基于纳米材料制备的气敏传感器的性能研究,包括纳米材料的选择与制备方法,以及纳米材料在气敏传感器中的应用。
关键词: 纳米材料,气敏传感器,选择,制备方法,应用第一章引言1.1 研究背景气敏传感器是一种能够检测和识别气体分子的装置,其在环境监测、工业生产和医疗诊断等领域中具有重要的应用价值。
传统的气敏传感器通常采用金属氧化物作为敏感材料,但其性能存在诸多不足之处,如灵敏度低、选择性差等。
纳米材料因其独特的物理、化学和电化学性能,在气敏传感器的制备中得到了广泛的应用。
1.2 论文目的本文旨在综述基于纳米材料制备的气敏传感器的性能研究,包括纳米材料的选择与制备方法,以及纳米材料在气敏传感器中的应用。
通过对已有研究成果的总结和分析,为进一步提高气敏传感器的灵敏度和选择性提供理论和实验依据。
第二章纳米材料的选择与制备方法2.1 纳米材料的选择在基于纳米材料制备气敏传感器时,纳米材料的选择至关重要。
纳米材料应具备高表面积、优异的电化学性能和独特的光学特性。
常见的纳米材料包括金属氧化物纳米颗粒、碳基纳米材料、二维纳米材料等。
2.2 纳米材料的制备方法纳米材料的制备方法有物理法、化学法和生物法等。
常见的制备方法包括溶胶-凝胶法、水热法、气相沉积法等。
不同的制备方法可以得到不同形貌和尺寸的纳米材料,从而影响气敏传感器的性能。
第三章纳米材料在气敏传感器中的应用3.1 纳米材料在一氧化碳传感器中的应用纳米材料在一氧化碳传感器中具有很高的灵敏度和选择性。
研究表明,采用金属氧化物纳米颗粒制备的一氧化碳传感器具有较高的灵敏度和选择性,且对低浓度的一氧化碳也具有很好的响应。
气凝胶气敏传感器的研究进展翁应尾雷莉胡继粗

气凝胶气敏传感器的研究进展翁应尾雷莉胡继粗发布时间:2023-06-01T07:01:37.040Z 来源:《中国科技人才》2023年6期作者:翁应尾雷莉胡继粗[导读] 气凝胶气敏传感器是一种具有广泛应用前景的传感器技术贵州航天乌江机电设备有限责任公司摘要:气凝胶气敏传感器是一种具有广泛应用前景的传感器技术。
本文对气凝胶气敏传感器的研究进展进行了综述。
首先介绍了气凝胶气敏传感器的工作原理,包括气敏效应的基本原理、传感机制和传感器响应与目标气体的关系。
随后,重点探讨了气凝胶气敏传感器的关键技术,最后,总结了气凝胶气敏传感器的研究进展。
关键词:气凝胶气敏传感器;研究进展;气敏效应气敏传感器是一种能够检测气体成分和浓度的重要传感器,广泛应用于环境监测、工业生产、医疗健康等领域。
随着科技的不断进步,传感器材料的研究和开发已成为提高传感器性能和应用的关键。
气凝胶是一种新型的传感材料,具有高比表面积和多孔结构等特点,能够提高传感器的灵敏度、选择性和稳定性,因此在气敏传感器中具有广阔的应用前景。
目前,气凝胶气敏传感器的研究已经成为传感器领域的热点之一。
1 气凝胶气敏传感器的工作原理1.1 气敏效应的基本原理气敏效应是指物质对气体环境中某种特定气体的存在和浓度变化作出的响应。
气敏效应常见的表现形式包括电阻、电容、功率等物理性质的变化。
气敏传感器利用气敏效应实现对目标气体的检测和测量。
1.2 气凝胶气敏传感器的传感机制气凝胶气敏传感器的传感机制主要涉及气凝胶材料与目标气体之间的相互作用和相变过程。
气凝胶材料具有高比表面积和多孔结构,使其能够吸附气体分子。
当目标气体进入传感器的感测层并与气凝胶接触时,气体分子会在气凝胶表面或孔隙内发生吸附作用。
这种吸附作用会改变气凝胶的电荷状态、电子结构或表面性质,进而导致传感器的物理性质发生变化。
目标气体在气凝胶中通过扩散传输。
气凝胶的孔隙结构和吸附特性可以影响目标气体分子在传感器内部的扩散速率和路径。
利用纳米技术制备气敏传感器
利用纳米技术制备气敏传感器气敏传感器是一种用于检测气体浓度的设备,其在工业、环境、医疗等领域具有重要的应用价值。
目前,通常采用半导体气敏传感器、电化学气敏传感器等技术来制备气敏传感器。
但是,这些传感器由于存在一些属性的限制,如响应速度、响应稳定性和灵敏度,所以对其进行改进和优化的研究一直在进行中。
纳米技术作为当今科技领域的一个重要分支,在制备气敏传感器方面也有着很大的应用潜力。
纳米材料在气敏传感器中的应用纳米材料是尺寸在纳米级别的物质,其具有大比表面积、高化学反应活性和特殊的运动性等特征,因此在气敏传感器的制备中得到了广泛的应用。
在气敏传感器中,纳米材料可以作为传感膜材料、传感元件材料、催化剂等多种用途。
其中,利用纳米材料作为传感膜材料可以提高气敏传感器的响应速度和灵敏度,而利用其作为传感元件材料则可以增加传感器的响应范围和降低响应温度。
此外,还可以通过纳米材料的催化作用来增强传感器的检测灵敏度和稳定性。
常用的纳米材料包括金属氧化物纳米颗粒、金属纳米颗粒、碳基纳米材料等。
其中,金属氧化物纳米颗粒是一种常用的传感膜材料。
例如,二氧化钨纳米棒、氧化锌纳米线和二氧化钛纳米管等纳米材料,都能够作为传感膜材料应用于气敏传感器中。
此外,利用金属纳米颗粒作为传感元件材料也具有很大潜力。
最近,一些研究人员通过将金纳米颗粒掺杂到锑三硒化纳米片中制备出了高效的气敏传感器。
纳米技术在气敏传感器中的应用除了纳米材料之外,纳米技术还可以通过改变气敏传感器的物理结构、维度和形貌等方面来改善其性能。
例如,通过纳米光刻、离子注入等制造技术制备出的纳米器件,在增加传感器响应速度和灵敏度方面取得了很大进展。
此外,利用纳米技术可以将传感器制备成微型和纳米级设备,从而能够实现便携式、灵活性高、响应速度快的气敏传感器。
另外,利用纳米技术可以在传感器的表面上引入功能化基团,例如分子印迹技术、共价有机框架等,从而提高其选择性和特异性。
例如,利用纳米技术和分子印迹技术可以制备出高灵敏度的挥发性有机物气敏传感器。
SnO2基气敏传感器的制备与研究
SnO2基气敏传感器的制备与研究一、本文概述本文旨在探讨SnO2基气敏传感器的制备及其性能研究。
SnO2,作为一种重要的n型半导体金属氧化物,因其出色的气敏性能、稳定的化学性质以及相对较低的成本,被广泛应用于气体检测领域。
本文首先将对SnO2基气敏传感器的基本原理进行简要介绍,包括其气敏机理、传感性能的主要影响因素等。
接下来,文章将详细介绍SnO2基气敏传感器的制备方法,包括溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、物理气相沉积法等多种常见技术。
通过对制备工艺的深入研究和探讨,本文旨在寻找最佳的制备方案,以优化传感器的性能。
本文还将对SnO2基气敏传感器的性能进行系统的研究。
通过对传感器在不同气体环境下的响应特性、选择性、稳定性、灵敏度等关键性能指标的测试和分析,本文旨在揭示SnO2基气敏传感器的性能特点及其潜在的应用价值。
本文将对SnO2基气敏传感器的研究现状和发展趋势进行展望,以期为相关领域的研究人员提供有益的参考和启示。
通过本文的研究,我们期望能够为SnO2基气敏传感器的进一步优化和应用提供理论和实践支持。
二、SnO2基气敏传感器的基本原理SnO2基气敏传感器是一种利用SnO2材料的特殊电学性质来检测特定气体的装置。
其基本原理主要基于SnO2材料的半导体特性以及气体分子与材料表面之间的相互作用。
SnO2是一种宽带隙的n型半导体,其导电性主要来源于材料中的氧空位和自由电子。
当SnO2基气敏传感器暴露于空气中时,氧气分子会吸附在材料表面并从导带中捕获电子,形成氧负离子(如O2-、O-、O2-等),导致材料表面形成电子耗尽层,电阻增大。
当传感器暴露在待测气体中时,气体分子会与SnO2表面发生反应,这些反应可能包括气体的吸附、解离、电子交换等过程。
这些过程会改变材料表面的电子状态,从而影响电子耗尽层的厚度和电阻值。
例如,对于还原性气体(如HCO等),它们会与吸附的氧负离子发生反应,释放电子回到SnO2的导带中,导致电阻减小。
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敏材 料 , 可在 0 9 R 的宽湿 度 范 围内测定 湿度 变 - 8 H
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参 考 文 献
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13 0
3 结 论
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