LCD研磨工艺介绍
lcd工艺流程
lcd工艺流程LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）是一种基于液晶技术制造的平面显示器，已广泛用于电视、计算机显示器和移动设备等领域。
下面将介绍LCD的工艺流程。
1. 制备玻璃基板：首先，将玻璃基板进行清洗和抛光处理，以去除表面的杂质和污垢。
然后，通过化学气相沉积（CVD）方法在玻璃基板上沉积一层透明导电膜，通常使用的是氧化铟锡（ITO）。
2. 制备基板对位：将两片处理好的玻璃基板对位放置在一起，中间用薄膜隔开。
然后，通过加热和压力将两片基板牢固地粘合在一起，形成一个类似于夹心饼干的结构。
3. 制备液晶材料：制备液晶材料需要合成液晶分子并进行纯化处理。
液晶分子通常通过有机合成方法制备，然后使用溶剂将其纯化。
4. 填充液晶材料：将制备好的液晶材料倒入夹在两片基板之间的空隙中。
液晶层的厚度通常是几微米，所以需要通过对基板施加电场或其他方式来调整液晶层的厚度。
5. 封装：将夹有液晶材料的两片基板进行封装处理，防止液晶材料蒸发或受到外界的干扰。
通常使用的封装方法是将基板放在真空环境中，并利用高温和高压将两片基板密封在一起。
6. 制备透明电极：在封装完成后，需要在液晶显示器的顶部和底部分别制备透明电极。
透明电极通常是通过化学蒸镀或物理镀膜方法在玻璃基板上沉积一层薄膜，通常使用的是氧化锡（SnO2）。
7. 制备像素结构：在液晶显示器中，每个像素都由液晶分子和透明电极构成。
通过制备像素结构，可以将每个像素与控制电路相连，并形成液晶显示的图像。
像素结构的制备通常包括光刻、沉积透明绝缘层、开口和填充色彩滤波器等步骤。
8. 封装和测试：在像素结构制备完成后，将液晶显示器进行封装和测试。
封装通常包括将显示器放入外壳中，并与驱动电路和其他部件连接起来。
测试则主要是通过对显示器进行电压和图像的测试，确保其正常工作。
以上就是LCD的主要工艺流程。
通过以上工艺步骤，可以制造出高质量的LCD显示器，并广泛应用于各个领域。
LCD基础知识及制造工艺流程介绍
02
LCD制造工艺流程
玻璃基板加工
玻璃基板清洗
去除玻璃表面的杂质和 污垢，保证基板的洁净
度。
涂布光刻胶
在玻璃基板上涂布光刻 胶，用于保护下面的材
料。
曝光与显影
通过曝光和显影，将光 刻胶上的图案转移到玻
璃基板上。
去胶和蚀刻
去除多余的光刻胶，并 对玻璃基板进行蚀刻处
理，形成像素阵列。
彩色滤光片制作
后视镜
部分汽车后视镜采用LCD显示屏， 提高夜间或恶劣天气下的可视性。
LCD在其他领域的应用
医疗器械
工业控制
LCD技术在医疗设备中广泛应用，如 监护仪、超声波诊断仪等，提供高清 晰度的图像。
在工业自动化领域，LCD显示屏用于 各种控制面板和仪器仪表，方便操作 和维护。
航空航天
LCD显示屏在航空航天领域用于飞行 控制、导航系统等关键部位，确保安 全可靠。
LCD的工作原理
要点一
总结词
LCD的工作原理主要涉及到背光板、液晶层和偏振片等组 件的作用。当电流通过背光板时，会产生光线，光线经过 液晶层和偏振片调制后形成图像。不同的LCD类型和结构 在具体工作原理上略有差异。
要点二
详细描述
LCD的基本工作原理是利用液晶的物理特性进行光调制。 背光板负责提供均匀分布的光线，这些光线随后穿过液晶 层。液晶分子在电场的作用下发生排列变化，对光线进行 调制，最后通过偏振片，形成可以观察到的图像。不同的 LCD类型在具体结构和工作原理上略有差异，例如彩色 LCD需要额外的彩色滤光片来生成彩色图像。
像素密度
像素密度，也称为分辨率密度，是指每英寸屏幕中的像素数 ，它反映了屏幕的精细程度。像素密度越高，显示效果越细 腻。
lcd 工艺流程简介(gionee)
Cell生产–急冷与清洗
6.急冷及清洗: 將PANEL浸入美莎克隆溶液中,一方 面可以清洗PANEL上殘留的液晶分子 和UV膠,也可以將再配向好的液晶分 子相位固定.
Cell生产–单片切割工程
1.單片切割
2.磨邊
斜邊
3.單片清洗 超音波清洗
Cell生产–老化工程
小整个LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品用的LCD，如：手机、 PDA等便携式电子产品。这种安装方式在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连 接方式。
Cell生产–COG设备
Cell生产–COG
Cell生产–COG
Cell生产–FOG FOG是英文“FPC On Glass”的缩写。即将FPC通过ACF与邦定好IC玻璃连接导通。
+
+
+
+
….
LCD基本构照
玻璃
偏光板
銀膠 膠
表面塗佈 粒子
偏光板
液晶
玻璃
目录
1.
LCD工艺流程简介 Array 生产
周刚09-4-19编写 2.
3. 4.
Cell 生产
Module 生产
周刚09-4-19编写 5.
LCD常见不良现象
Array 生产--ITO 膜製作工程
ITO = Indium Tin Oxide = In2O3 + Sn 具導電性的透明薄膜 1.基板玻璃切割 Mother Glass
LCD常見的不良現象
一、外觀常見不良 1.黑點、污點、雜質 【原因】LCD內異物或LCD外部異物(LCD和偏光板間的異物或灰塵)所造成，玻璃壓合製 程清潔度不良。 【改善】提高玻璃壓合製程無塵等級 2.划傷、角崩、玻璃破裂 【原因】背面反射膜刺傷、包裝不良、生產作業運輸所致 【改善】提高偏光板材質、改善包裝方式、督導操作人員規範 作業 3.ACF熱壓不良 【原因】ITO PIN腳表面油汙或雜質造成 【改善】1.加強ITO表面的清潔製程 2.UVO3照射
TFT-LCD液晶玻璃生产研磨机工艺介绍
研磨时冲击力较大 ↓
机械性损伤 ↓
金刚石颗粒脱落 （金刚石粉碎，破碎导致脱落）
↓ 研磨轮寿命缩短
如果研磨量过多，会导致研磨轮寿命降低。 金刚石研磨过深，研磨过程中被带走，会显
著缩短研磨轮的寿命。
高研磨量 ↓
研磨时造成冲击 ↓
给予机械性损伤 ↓
金刚石颗粒脱落 （粉碎后脱落）
↓ 研磨轮寿命缩短
欠磨
⑴ 因停电或程序问题等设备紧急停止造成产品未完全研 磨 ⑵未按照规定及时增加补正量或者补正量修改错误 ⑶定位不良（摄像头溅水或划线掰断后玻璃有毛边造成 摄像头抓取玻璃尺寸偏大）造成的产品部分未研磨或研 磨不充分 ⑷划线尺寸过小，超出正常尺寸最小范围
尺寸不良
包括玻璃尺寸（glass size），orientation mark, corner-cut 不一致， 直角度，研磨幅、直线性不一致等
3、研磨介质的作用： 冷却与水解玻璃
根据生产的需要，研磨轮分 磨边轮和磨角轮。边研磨轮外 直径大小为200MM；角研磨 轮外直径大小为100MM。
不同厂家生产的磨轮研磨效果、 能力、寿命不尽相同。旭飞开 始使用日本旭金刚的R型5槽 600#金 刚石砂轮 ，现在又 新 开发了韩国新韩研600 #研磨 轮。
研磨机图片
研磨工序流程
缓存
传送带
(属切 割工 序)
(二期 改为抽 检c\v)
（10片）
顺时针
90度换 向，搬 入传送 带 (二 期 不设 置）
短边研磨
（二期先 长边研磨，
逆时针
同时增加 90度换
抛光轮及
向
预留一个 （二期
金刚石轮 不设置）
位置）
长边研 磨
二期后 短边研 磨，研 磨机理 同长边
TFTGLCD摩擦工艺ESD研究与改善
第３５卷㊀第１期２０２０年１月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ㊀㊀㊀㊀㊀V o l ．３５㊀N o ．１㊀J a n ．２０２０㊀㊀收稿日期:２０１９Ｇ０５Ｇ２８;修订日期:２０１９Ｇ１０Ｇ１７．㊀㊀∗通信联系人,E Ｇm a i l :g a o r o n g r o n g＠b o e ．c o m．c n 文章编号:１００７Ｇ２７８０(２０２０)０１Ｇ００４８Ｇ０５T F T ＧL C D 摩擦工艺E S D 研究与改善高荣荣∗,周保全,江㊀桥,滕㊀玲,陈维诚,左爱翠,郭红光,韩基挏(合肥京东方光电科技有限公司C e l l 分厂,安徽合肥２３００１２)摘要:摩擦工艺E S D (E l e c t r o s t a t i cD i s c h a r g e )是T F T ＧL C D 制程中较为常见的一种不良,以３１７．５mm (１２．５i n )产品为例,摩擦工艺过程中E S D 发生率２０％,对产品良率影响较大.文章结合实际生产对摩擦工艺E S D 的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发生E S D 的原因为T F T 基板上面有悬空的大块金属,在摩擦过程中电荷积累过多容易发生E S D ,E S D 进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常.生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善,工艺方面通过增加湿度,涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善,设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属,通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺E S D 发生率由２０％下降到０％,大大提高了产品品质,降低了生产成本.关㊀键㊀词:摩擦工艺;E S D ;大块悬空金属;湿度;防静电液;摩擦布寿命中图分类号:T N １４１．９㊀㊀文献标识码:A㊀㊀d o i :１０．３７８８/Y J Y X S ２０２０３５０１．００４８R e s e a r c ha n d i m p r o v e m e n t o nE S Do fT F T ＧL C Dr u b b i n gpr o c e s s G A O R o n g Ｇr o n g ∗,Z HO U B a o Ｇq u a n ,J I A N G Q i a o ,T E N GL i n g,C H E N W e i Ｇc h e n g ,Z U O A i Ｇc u i ,G U O H o n g Ｇg u a n g ,H A NJ i Ｇt o n g(C e l lD e p a r t m e n t o f H e f e iB O E D i s p l a y T e c h n o l o g y C o ．,L t d ．,H e f e i ２３００１２,C h i n a )A b s t r a c t :E l e c t r o s t a t i c d i s c h a r g e (E S D )i s a c o mm o nd e f e c t i nT F T ＧL C Dr u b b i n gpr o c e s s ,F o r e x a m Ｇp l e ,t h e r a t i o o f E S D i s ２０％a t ３１７．５mm (１２．５i n )p r o d u c t ,i t i s a g r e a t i n f l u e n c e o n t h e y i e l d o f p r o d Ｇu c t s ．T h e c a u s e so fE S Di nr u b b i n gp r o c e s s i ss t u d i e dw i t ht h e t h e o r e t i c a l a n a l y s i sa n de x pe r i m e n t ．E x p e r i m e n t s s h o wt h a t t h em a i n r e a s o nf o r E S D i s t h a t t h e r e a r e l a rg e f l o a t i n g me t a l o n t h eT F Ts u b Ｇs t r a t e ．I n r u b b i n gp r o c e s s ,t h e c h a r g e i s e a s y t oa c c u m u l a t eo n t h eT F Ts u b s t r a t e a n db u r n i n g do w n t h e e l e c t r i c c i r c u i t ,s o t h e p a n e l i s a b n o r m a l ．E S Dc a nb e r e d u c e d t h r o u g h c o n t r o l l i n g r u b b i n gpr o c e s s a n do p t i m i z i n g d e s i g n ．I n p r o c e s s ,i n c r e a s i n g h u m i d i t y a n dc o a t i n g e l e c t r o s t a t i c p r e v e n t i o na n dc o n Ｇt r o l l i n g t h e l i f et i m eo fr u b b i n g c l o t hc a ni m p r o v eE S D．I nd e s i g n ,b y c h a n g i n g t h el a r g ef l o a t i n g m e t a l i n t o s m a l l f l o a t i n g m e t a l ,E S Dc a nb e i m p r o v e d ．B y o p t i m i z i n g t h e p r o c e s s a n d d e s i g n ,t h eE S D r a t i o i s r e d u c e d f r o m２０％t o０％,w h i c h g r e a t l y i m p r o v e s t h e p a n e l q u a l i t y an dr e d u c e d t h e p r o d u c t c o s t ．K e y wo r d s :r u b b i n gp r o c e s s ;E S D ;l a r g e f l o a t i n g m e t a l ;h u m i d i t y ;e l e c t r o s t a t i c p r e v e n t i o n ;r u b b i n g c l o t h i n gl i f e . All Rights Reserved.１㊀引㊀㊀言㊀㊀T F TＧL C D制程过程中摩擦工艺很容易发生E S D,这种E S D对T F T器件影响较大,可以烧毁T F T器件沟道使面板点亮时产生异常[１],严重影响产品品质同时变相增加了面板成本,所以E S D 需要从根本上改善.本文以６G工厂中生产的３１７．５mm(１２．５i n)产品为例,研究在摩擦过程中E S D问题.E S D容易导致面板区域多个连续TF T器件沟道烧毁,面板点灯状态表现为半截亮线.通过不良分析和实验测试找出工艺和设计改善方法,从根本上解决摩擦过程中E S D问题.２㊀E S D现象与特点２．１㊀E S D器件烧毁现象面板在点亮时可以看到E S D烧毁T F T器件沟道产生的一条短亮线,短亮线所有画面下均可见,目镜(ˑ２０)观察短亮线为像素发亮,一般为连读几个像素都会发亮,宏观表现为一条短的亮线,如图１所示.图１㊀亮线现象F i g．１㊀P h e n o m e n o no f d a t a o p e n显微镜确认短亮线区域T F T器件沟道有异常痕迹(图２),且F I B确认可见T F T沟道区域内部膜层有烧毁现象(图３).图２㊀亮线显微镜照片F i g．２㊀M i c r o s c o p e p h e n o m e n o no f d a t a o p en图３㊀静电烧毁F I B图片F i g．３㊀F I B p i c t u r e o fE S D３㊀E S D原理摩擦工艺中,摩擦布摩擦T F T玻璃基板,由于T T F基板上有金属层.摩擦布和T F T基板摩擦过程中产生静电,当静电积累到一定程度发生放电,放电瞬间产生的大电流烧毁T F T器件[２],导致T F T器件无法正常工作,在面板点亮时,异常器件的像素区域表现为发亮,表现在面板上为短亮线.摩擦工艺是T F TＧL C D行业中使液晶分子配向工艺[３],即摩擦布在T F T基板上高速运转相互摩擦,最终摩擦布使T F T玻璃基板上的配向膜具有配向能力[４],液晶分子可以按照一定顺序排列在配向膜上,如图４所示.图４㊀摩擦工艺示意图F i g．４㊀R u b b i n gp r o c e s s在摩擦工艺中,摩擦辊的转速１２００r/m i n,基板前进的速度为５０mm/s,摩擦布的压入量为０．４μm[５],实际摩擦工艺中摩擦布和玻璃基板高速摩擦时容易产生大量摩擦静电,静电在基板上释放过程中容易烧毁玻璃基板上的T F T 器件沟道[６].对玻璃基板上T F T器件烧毁的线路进行确认,发现异常放电的原因为T F T基板I C交界位置处有大块金属,大块金属电容较大,摩擦过程中聚集大量电荷容易放电产生大电９４第１期㊀㊀㊀㊀㊀㊀高荣荣,等:T F TＧL C D摩擦工艺E S D研究与改善. All Rights Reserved.流,烧毁线路上比较薄弱的器件沟道位置即发生E S D.４㊀实验设计本文实验测试在T F TＧL C D６G工厂中进行,选取３１７．５mm(１２．５i n)产品为例进行测试,每次实验测试都是单变量测试,实验中除了测试变量外其他生产工艺均相同,最后样品做成产品形式,再点灯对样品进行E S D发生与否判定,同时对不良样品显微镜确认器件沟道是否有烧毁痕迹,最后综合统计E S D的发生率.４．１㊀工艺影响４．１．１㊀摩擦设备湿度对E S D的影响在摩擦工艺中,设备湿度影响摩擦过程中产生的静电.我们对摩擦设备的湿度进行测试验证,设计实验如表１所示.表１㊀不同湿度设计T a b．１㊀D e s i g no f d i f f e r e n t h u m i d i t yS p l i t湿度/R H％样品数量/p c s１５８１０５００２６０１２４００３６２１４５００４６４１４０００㊀㊀４．１．２㊀设备机台涂布防静电液对E S D的影响设备机台涂布防静电液形成极薄的透明膜,提供持久高效的静电耗散功能,对摩擦设备机台涂布防静电液和不涂布防静电液进行测试验证,设计实验如表２所示.表２㊀机台涂布防静电液设计T a b．２㊀D e s i g no f e l e c t r o s t a t i c p r e v e n t i o nS p l i t涂布防静样品数量/p c s１无防静电液１４０００２有防静电液１４０００４．１．３㊀摩擦布寿命对E S D影响选取摩擦布不同寿命对玻璃基板进行摩擦,设计实验如表３所示.表３㊀不同摩擦布寿命设计T a b．３㊀D e s i g no f d i f f e r e n t r u b b i n g c l o t h i n g l i f t t i m eS p l i t摩擦布寿命样品数量/p c s１１１４０００２６０１４０００３１２０１４０００４１６０１４０００５２００１４０００４．２㊀设计影响E S D放电源头是TF T基板上I C中间位置大块金属在摩擦工艺中产生大量电荷,电荷对周边金属信号线放电,烧毁与输入信号线连接的T F T器件沟道,导致面板点亮时产生短亮线,对面板画质产生影响.产品设计时把悬空大块金属变为小块金属,且小块金属的排列为交错排列,如图５所示,防止在摩擦过程中积累大量电荷发生E S D .图５㊀大块金属设计变更示意图F i g．５㊀D e s i g n c h a n g e o f f l o a t i n g l a r g em e t a l５㊀结果与讨论５．１㊀工艺方面５．１．１㊀摩擦设备湿度对E S D影响结果从图６可以看出,摩擦设备湿度增加,E S D发生率降低.当湿度达到６４R H％时,E S D发生率０．５１％.图６㊀不同湿度对应E S D发生率F i g．６㊀R e s u l t o f d i f f e r e n t h u m i d i t y０５㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３５卷㊀. All Rights Reserved.当湿度等于６４R H％,空气的相对湿度增加,玻璃基板表面增加水膜,使表面电阻率大大降低,静电荷就不易积聚,积累电荷量变少.摩擦过程中产生的E S D 减小[７],最终对T F T 器件的损伤减小,产品不良率降低.当湿度等于５８R H％,摩擦工艺中产生的静电不易消散,有可能形成高电位.容易在摩擦过程中产生E S D [８].所以当摩擦设备湿度较低时容易发生E S D ,损害玻璃基板上的T F T 器件.５．１．２㊀设备机台涂布防静电液对E S D 的影响从图７可以看出,摩擦设备机台涂布防静电液,E S D 发生率明显降低为１．２％.图７㊀有无防静电液E S D 发生率F i g．７㊀R e s u l t o f e l e c t r o s t a t i c p r e v e n t i o n 玻璃基板放置在设备机台上,如图８所示.机台上涂布防静电液时,防静电液涂在玻璃基板背面,可以形成极薄的透明膜,提供持久高效的静电耗散功能,能有效消除摩擦产生的静电积聚[９],所以涂布防静电液后E S D 比例明显降低.图８㊀摩擦设备涂布防静电液F i g ．８㊀A n t i Ｇs t a t i c f l u i do nE Q Ps t a ge ５．１．３㊀不同摩擦布寿命对E S D 影响从图９可以看出,随着摩擦布寿命增加,E S D发生率升高.图９㊀摩擦布寿命对应E S D 发生率F i g ．９㊀R e s u l t o f r u b b i n g c l o t h i n gl i f t t i m e 随着摩擦布寿命的增加,摩擦布的布毛经过多次摩擦后可能积累了电荷或者是材质有一定变化,E S D 发生率明显升高.５．２㊀设计方面５．２．１㊀玻璃基板悬空的大块金属对E S D 影响从图１０可以看出,设计方面上I C 中间位置的大块金属变更为小块金属,不良率降低为０％.图１０㊀大块金属变更E S D 发生率F i g ．１０㊀R e s u l t o f f l o a t i n g l a r gem e t a l 大块金属变为小块金属时,平行版电容器电容变小,储存电荷的能力变小,电容公式如下:C ＝εS４πκd㊀,(１)变更前电容:C (大块金属)＝εS ４πκd ＝１９．６８ˑ１０５ε４πκd㊀,(２)(３)变更后电容:C (小块金属)＝εS ４πκd ＝４ˑ１０２ε４πκd㊀,(３)其中:S 为金属交错面积,大块金属变更为小块金属后,S 变小导致C 变小.电容器容量变小[１０].摩擦过程中金属上聚集电荷变少则不容易发生E S D .１５第１期㊀㊀㊀㊀㊀㊀高荣荣,等:T F T ＧL C D 摩擦工艺E S D 研究与改善. All Rights Reserved.６㊀结㊀㊀论G ６工厂生产１２．５F H D 产品通过设计变更将T F T 基板上I C 中间位置大块金属变更为小块金属,从而降低在摩擦过程中的静电积累,E S D发生率由２０％下降到０％.通过对摩擦工艺E S D 研究,找出设计方面和工艺方面改善摩擦静电的方案.设计方面可以尽量避免大块金属的设计,大块金属在摩擦过程中容易积累电荷发生E S D ,烧毁线路,造成产品不可恢复的损害.工艺方面可以通过提升设备湿度,以及机台涂布防静电液或者管控摩擦布的寿命等方法降低摩擦过程中E S D .E S D 的理论分析与研究结果为后续摩擦静电提供了改善方向,提高产品品质,增加公司效益.参㊀考㊀文㊀献:[１]㊀申智源．T F T ＧL C D 技术:结构㊁原理及制造技术[M ]．北京:电子工业出版社,２０１２．S H E N Z Y．T F T ＧL C D T e c h n o l o g y :S t r u c t u r e ,P r i n c i p l e a n d M a n u f a c t u r i n g T e c h n i qu e s [M ]．B e i j i n g :P u b l i s h i n g H o u s e o fE l e c t r o n i c s I n d u s t r y,２０１２．(i nC h i n e s e )[２]㊀王新久．液晶光学和液晶显示[M ]．北京:科学出版社,２００６．WA N G XJ ．L i q u i dP h o t o l o g y a n dL i q u i dD i s p l a y [M ]．B e i j i n g :S c i e n c eP r e s s ,２００６．(i nC h i n e s e )[３]㊀田民波,叶锋．T F T 液晶显示原理与技术[M ]．北京:科学出版社,２０１０:９Ｇ２２．T I A N M B ,Y E F ．T F T L C D D i s p l a y P r i n c i p l ea n d T e c h n o l o g y [M ]．B e i j i n g :S c i e n c eP r e s s ,２０１０:９Ｇ２２．(i n C h i n e s e)[４]㊀刘红红,张艳君．混合排列柱状薄层中的向列相液晶指向矢分布的研究[J ]．液晶与显示,２０１７,３２(１):１３Ｇ１８．L I U HH ,Z HA N G YJ ．D i r e c t o r d i s t r i b u t i o n s o f n e m a t i c l i q u i d c r y s t a l s i nh y b r i d a r r a n g e m e n t c yl i n d r i c a l c e l l s [J ]．C h i n e s eJ o u r n a l o f L i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a y s ,２０１７,３２(１):１３Ｇ１８．(i nC h i n e s e )[５]㊀L E EYB ,P A R K K H ,L E ESK．C o m p a r i s o no f t h e c e l l p r o c e s sm a r g i na t e a c hL C m o d e s [C ]//P r o c e e d i n g s o f I DW ．F u k u o k a ,J a pa n ,２０１０:１２３Ｇ１４８．[６]㊀范恒亮,汤展峰,刘利萍,等．T F T ＧL C D 残影不良的研究与改善[J ]．液晶与显示,２０１６,３１(３):２７０Ｇ２７５．F A N H L ,T A NG ZF ,L I U L P ,e ta l ．R e s e a r c ha n d i m p r o v e m e n to fT F T ＧL C Di m a ge Ｇr e t e n t i o n [J ]．C h i n e s e J o u r n a l of L i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ,２０１６,３１(３):２７０Ｇ２７５．(i nC h i n e s e )[７]㊀L E ESH ,L E ES M ,K I M H Y ,e ta l ．２９．２:１８．１ U l t r a ＧF F ST F T ＧL C D w i t hs u p e r i m a g e q u a l i t y a n df a s t r e Ｇs p o n s e t i m e [J ]．S I DS y m p o s i u m D i g e s t o f T e c h n i c a lP a pe r s ,２００１,３２(１):４８４Ｇ４８７．[８]㊀L I U HH ,Z HA N G YJ ,Y U E H R ,e t a l ．I nf l u e n c eo f f l e x o e l e c t r i c e f f e c t o nd i r e c t o r a l ig n m e n t o f n e m a t i c l i q u i d c r y s t a l s i na x i a l a r r a n g e m e n t c y l i n d r i c a l c e l l s [J ]．Chi n e s eP h y s i c sL e t t e r s ,２０１８,３５(２):０２６１０３．[９]㊀A L L E N D E R D W ,C R AW F O R D G P ,D O A N EJ W．D e t e r m i n a t i o no f t h e l i q u i d Ｇc r y s t a l s u r f a c ee l a s t i cc o n s t a n t K ２４[J ]．P h ys i c a lR e v i e w L e t t e r s ,１９９１,６７(１１):１４４２Ｇ１４４５．[１０]㊀B A K D E K E R K．E l e c t r i c a l c o n d u c t i v i t y a n d t h e r m o Ｇe l e c t r o m o t i v e f o r c e o f s o m em e t a l l i c a m p o u n d s [J ]．A n n a l s o fP h y s i c s ,(L e i p z i p ),１９９７,２２(４):７４９Ｇ７６６．作者简介:㊀高荣荣(１９８６－),女,陕西延安人,学士,高级工程师,２０１０年于陕西科技大学获得学士学位,主要从事T F T ＧL C D 液晶行业产品设计与不良解析工作.E Ｇm a i l g a o r o n g r o n g＠b o e ．c o m．c n ２５㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３５卷㊀. All Rights Reserved.。
LCD工艺流程
LCD工艺流程LCD（液晶显示器）是一种采用液晶技术制造的平面显示器，广泛应用于电视、计算机显示器、手机等电子产品中。
下面是LCD工艺流程的一个简要描述。
1.制备透明导电玻璃基板：首先，通过激光剥离技术剥离玻璃表面的膜层，然后进行玻璃基板的切割、清洗和研磨等处理，最后在玻璃基板上涂布导电薄膜。
2.制备液晶分子玻璃基板：类似于透明导电玻璃基板的制备，涂布上一层液晶分子玻璃。
这种分子玻璃具有特定的定向性，可以使液晶分子在特定电场下排列有序。
3.制备液晶材料：液晶显示器使用的液晶材料一般为有机化合物，通过化学合成和纯化工艺制备而成。
4.渲染薄膜晶体管：在透明导电玻璃基板上制作薄膜晶体管（TFT）。
常用的制作方法有光刻、薄膜沉积、蚀刻等步骤。
5.制备彩色滤光片：通过光刻技术制作彩色滤光片，用于产生红、绿、蓝三原色。
6.涂布液晶材料：将液晶材料均匀涂布在液晶分子玻璃基板上，并加热处理，使液晶材料均匀分布在基板上。
7.压合：将液晶分子玻璃基板和透明导电玻璃基板背面的薄膜晶体管背部粘合在一起，并形成一个密封边缘，以防止液晶材料外泄。
8.填充液晶材料：在液晶分子玻璃基板和透明导电玻璃基板之间加入液晶材料，以形成液晶显示层。
在这个过程中要保证无灰尘和无空泡。
9.完成液晶显示面板：液晶显示面板组装完成后，对其进行光学修正、透视修正、光源等调整，并进行最终测试。
10.封装和组装：将LCD显示屏与LED背光、驱动电路等组件进行组装，形成完整的LCD显示器。
以上是LCD（液晶显示器）工艺的一个简要流程。
从制备基板到涂布液晶材料再到组装封装，每个步骤都需要严格控制参数和质量，以确保LCD显示器的稳定性和可靠性。
同时，这个流程也会受到不同制造商和产品的影响而有所不同。
TFTLCD模组工艺介绍
TFTLCD模组工艺介绍TFT LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）是一种主动矩阵液晶显示技术，被广泛应用于电子设备的显示屏中。
TFT LCD模组工艺是指将液晶显示屏及相关元器件，如驱动电路、背光源等组装到一个整体的模组中的制造过程。
以下是TFT LCD模组工艺的介绍。
1.玻璃基板切割：TFTLCD的制造过程从玻璃基板切割开始。
玻璃基板根据显示屏尺寸进行切割，通常采用大块玻璃进行切割，随后经过精密的加工和打磨，形成规定尺寸的玻璃基板。
2.玻璃基板预处理：切割后的玻璃基板需要进行一系列的预处理工艺，包括玻璃基板清洗、光刻涂覆、烘干等。
这些步骤旨在去除基板表面的杂质、改善基板表面的平整度，并为后续的生产步骤做好准备。
3.光刻：在玻璃基板上进行光刻工艺是制造TFTLCD关键的一步。
光刻将光敏材料，如光刻胶，涂覆在玻璃基板上，并通过光刻机进行曝光、显影等步骤，形成光刻图案。
这些图案将被用于制造TFT（薄膜晶体管）。
4.涂布TFT膜：在光刻完成后，需要将TFT膜沉积在基板上。
这一步骤通常采用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）的方式进行。
TFT薄膜的组成包括导电层、绝缘层和半导体层，这些层的顺序和厚度对TFTLCD的性能有较大的影响。
5.激活和切割TFT膜：经过涂布TFT膜之后，需要进行激活和切割工艺。
激活是将TFT膜中的导电层和半导体层结合起来，形成可用的晶体管。
切割则是将基板切割成适当尺寸的小块，每块即成为一个TFT液晶显示单元。
6.液晶填充：切割好的基板需要进行液晶的填充。
液晶是一种特殊的有机化合物，在涂布到基板上之前需要经过一系列的净化和控制工艺。
液晶填充是整个工艺中最关键的一步，它决定了液晶显示屏的品质和性能。
7.封装：液晶填充后，需要将两块基板用密封胶水封装在一起，形成液晶显示屏的最终结构。
封装过程需要控制温度和压力，确保液晶层均匀分布，并排除气泡等问题。
LCD玻璃研磨机的工艺探讨_冯振华
[ 2] 马艳萍, 魏 海滨. 液晶 偏光片 切片 机研 制 [ J] . 电 子工 艺技术, 2000, 21( 1): 41- 43.
[ 3] 乔爱花, 宋军耀, 刘可可. PZP- 1220B偏 光片切片机的 改进创新 [ J]. 电子工艺技术, 2007, 28( 4): 13- 15.
在制造液晶显示基板等的玻璃基板时, 玻璃表 面会处于高温状态, 浮游于环境中的玻璃粒子等异 物 ( 碎玻璃 ) 极易附着在它表面; 如果再经过 3 天 ~ 4天的长时间放置, 这些异物则会黏着于玻璃表面。 而且, 在制作液晶显示基板时, 将液晶放进两玻璃基 板之间进行密封时使用的树脂封闭剂也会有附着于 玻璃基板表面的情况出现。此种粘着于玻璃表面的 碎玻璃或树脂等异物, 很难用水清洗的方法去除。
玻璃表面的伤痕情况: o ) 未发生伤痕, 良好; v ) 虽未看到发生伤痕, 但是量和大小均小; @ ) 看 到发生伤痕, 对品质有影响。
由表 1的实验结果可知研磨垫表面粗糙度如果 为 1 Lm ~ 10 Lm, 则可充分发挥异物的去除效果, 同 时可以避免玻璃表面的划痕。另一方面, 当研磨垫 的表面粗糙度小于 1 Lm 时, 则无法充分去除附着
研磨速度的计算方法: 通过将研磨前后的基板 质量差除以该基板的密度、基板的表面积以及研磨 时间, 计算每单位时间内的研磨量, 从而计算出研磨 速度。
结果显示磨削量约为 0. 03 Lm /m in, 研磨后基 板表面粗糙度约为 0. 175 nm, 具有高的研磨速度和 优良的表面质量。 3 结论
研磨机是去除玻璃基板表面异物的必备设备, YM - 950玻璃研磨机具有工作效 率高及研磨后玻 璃基板平坦度与粗糙度好等优点, 研磨工艺参数的 优化使其得到了最佳的研磨效果。 参考文献:
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研磨工序
研磨机
玻璃的研磨原理：
玻璃的研磨过程，首先是磨 轮与玻璃做相对运动，磨轮 上研磨层里的硬质颗粒，在 一定的负载下对玻璃表面进 行划痕与剥离的机械作用， 先破坏玻璃表面形成一定深 度的微裂纹，再经过时就把 裂纹形成的碎片除掉。研磨 时的水即起着冷却介质作用， 同时又与剥离的新生表面产 生水解作用生成硅胶，有利 于剥离，具有一定的化学作 用。如此重复进行，玻璃就 得到了研磨。若用汽油、酒 精等活性不大的液体代替水， 则水解作用减弱，研磨效率 大大降低。研磨时产生裂纹 的深度决定于磨粒性质与粒 度。
研磨的目的
保护玻璃基板在
搬运或运输过程中免 遭破碎，同时为检验 工序及用户提供A、B 面的依据。前期当定 位角在左上面时正面 看到的一面是A面， 另一面是B面。用户 要求不同标示也不同。 根据目前几个用户要 求现在定位角统一改 为右上角
A面
A面
研磨工序主要工作内容
1、定期（一般按照每加工玻璃长度150—200M修复 一次）修整研磨轮（目前使用最多的是600#白刚 玉做的修复石，具体选型一般与磨轮特性相批配） 修复磨轮的原因、目的
光灯照度下目视无边烧、欠磨、未研磨；可以允许微小掉片，具体规格看下 图示
定向角尺寸（根据用户要求而定)：5±1.5*2±1MM或4.5* 4.5±1.2MM 其他三个角:1.5±1MM 研磨幅：规格范围是0.1—0.6MM , 新轮槽最理想数据0.3-0.35MM 测量定位角及倒角、研磨福尺寸使用工具均为LUPE（一般双刻度15倍率0-7MM
即115.2T /天以上。 喷淋水压力、流量：0.2MpA、 8.5L/min以上 真空压力：厂务真空不低于-70KPA，研磨时真空不低于-40KPA
磨轮数量：磨边四个，磨角四个；其中每个研磨轮均有5-6个轮槽，每次仅使用一 个，使用完一个后接着用第二、第三。。。依次类推。
磨轮寿命：3500M/槽，对于G5代玻璃960片/班来讲，约5天换一套轮（四个）。 实际生产中可能先换长边轮，隔一天换短边轮。但因各个厂家生产的磨轮性 能不尽相同（寿命也不一样），因而具体看生产实际而定。
不同厂家生产的磨轮研磨 效果、能力、寿命不尽 相同。旭飞开始使用日 本白井进口的R型5槽 600#金刚石砂轮，现在 又新开发了韩国新韩研 600 #研磨轮。
研磨轮的组成：金刚石颗 粒、粘合剂和轮模。
由划线掰边造成的微小掉片及微小裂纹，避免裂纹向玻璃内部的扩 散。
研磨机单元图片
研磨机大概动作过程
从缓存装置过来的玻璃进入搬入传送带，经过预湿后进入换向传送 带，经过90度顺时针换向后玻璃长边向前，经过第一个开关先降速， 经过第二个开关停止。此时研磨面取送带上升到与搬入传送带水平， 玻璃被送到研磨面取送带上，两边四个定位汽缸开始加紧，后面一个 定位气缸向前推动玻璃进行初步定位，然后玻璃被两侧台条真空吸附 到短边工作台上，经过摄像头精确定位后工作台前进，短边轮接触玻 璃开始研磨。研磨结速后，工作台5根台条吹气破真空，中央旋转装 置夹具托起玻璃，将玻璃90度逆时针换向后玻璃被放到长边工作台上， 以同样的机理进行长边研磨。长边研磨结束后，搬出移载机将玻璃搬 到倒角工作台上进行四角研磨。角部研磨和长短边研磨不同之处在于 角部工作台不会动，靠四个伺服电机运动；而长短边工作台不但会Y 向直线运动，而且也能作轻微的X向偏转运动（有伺服电机带动）。 三个工位全部研磨结束后搬出移栽机将玻璃送到搬出传送带上，经过 喷淋水初清洗后玻璃进入预湿机。
0.15 ~ 0.2mm 冷却水喷嘴（Nozzle）
喷嘴设定原则
1.使用的研磨介质：10兆欧 纯水
2.、喷嘴喷水方向一般按沿 磨轮圆周与玻璃接触点 切线射入（当然对水压 有一定的要求，一般不 低于0.4MPA），通过研 磨轮高速旋转将水带入, 不同厂家生产的设备结 构不同，喷嘴工艺设定 不尽相同
量程即可) 直线度：规格0.03—0.2MM 一般按≤0.12MM控制 使用的仪器是筛规（FILLER
GAUGE） 直角度：不同尺寸大小的玻璃基板直角度要求范围（一般为L/1000 L 指玻璃的
短边 ）不同，G5玻璃最大范围是≤±0.9MM 使用的仪器是直角度测量仪 （主要部件是百分表）
研磨工序常见使用工具
研磨工序介绍
工序详解
研磨工序
缓存
传送带
(属切割 工序)
（10片）
Hale Waihona Puke 顺时针 90度换向 搬入
C/V
短边研 磨
逆时针
90度换 向
长边研 磨
玻璃研磨工序的定义：
角研磨
预湿机
抽检、投 入传送带
将从切割工序送来的玻璃，进行各边0.15--0.2mm 和4个角研磨处理 （对产品的四个角进行研磨时，为区分A面和B面 加工定向角标 记） ,研磨出客户要求的最终尺寸(G5 : 1100 x 1300mm)的玻璃。消除
研磨轮长时间作业具有研磨能力的金刚石颗粒棱角 被削平研磨能力降低,同时金刚石颗粒被结合剂包 围，加之轮槽间长时间堆积大量玻璃屑，造成轮 槽形状变化，冷却水进不去轮槽, 影响研磨品（易 出现掉片、边烧或者“亮点”等不良）及生产效 率。
2、检查研磨后外观品位及测量最终玻璃尺寸、确保符合用户规格要求
玻璃尺寸（G5）：1100±0.50MM—1300±0.50 MM 使用测量工具：数显游标卡尺， 外观要求：四边沿呈圆弧型，实际形状由研磨轮轮槽本身制作形状决定；1500日
研磨轮更换及轮槽更换标准：如果不是因为研磨轮本身质量问题，生产中研磨轮 及轮槽是否考虑更换的标准一般是根据加工出来的玻璃边沿研磨幅是否小于 0.15MM，而不是依据是否出现外观研磨不良。
研磨轮的种类及组成结构
根据生产的需要，研磨轮 分磨边轮和磨角轮。边 研磨轮外直径大小为 200MM；角研磨轮外直 径大小为100MM。
3、冷却水的作用： 冷却与水解玻璃
研磨相关参数
研磨轮转速： 边研磨轮3600RPM，角研磨轮转速5000RPM 研磨机加工速度：67--75MM/S，即4--4.5M/MIN 洁净空气：5㎏f/c㎡以上 冷却水DIW:3-6㎏f/c㎡ ( 一般设定4 ㎏f/c㎡ ) ，研磨轮冷却水使用量 80--120L/min