硅基纳米结构太阳电池研究新进展_王懿喆
硅基材料的纳米结构设计和复合化及其在锂离子电池负极材料中的应用

硅基材料的纳米结构设计和复合化及其在锂离子电池负极材料中的应用王明月;黄英;黄海舰;陈雪芳;张娜【期刊名称】《中国科技论文》【年(卷),期】2015(010)006【摘要】锂离子电池因其具有能量密度大、电压高、比容量大、循环寿命长、环境友好等特点,被广泛应用于便携式电器和电动汽车等领域.锂离子电池的技术关键之一在于负极,开发高比容量、良好电化学性能的负极材料是锂离子电池研究的重要课题.近年来,硅基负极材料由于其极高的理论比容量,优异的大电流充放电性能等优点,受到了研究者们越来越多的关注.本文从硅基材料的纳米化结构设计及与其他材料的复合化两方面介绍了其作为锂离子电池负极材料的最新研究进展,并分析了目前存在的问题,指出了硅基材料作为锂离子电池负极材料的发展趋势.【总页数】7页(P728-734)【作者】王明月;黄英;黄海舰;陈雪芳;张娜【作者单位】西北工业大学理学院,西安710129;西北工业大学理学院,西安710129;西北工业大学理学院,西安710129;西北工业大学理学院,西安710129;西北工业大学理学院,西安710129【正文语种】中文【中图分类】TM912.6【相关文献】1.超细化/复合化锡基负极纳米材料在锂离子电池上的研究进展 [J], 王红康;姜怡喆;李贝贝2.硅基材料的纳米结构设计和复合化及其在锂离子电池负极材料中的应用 [J], 王明月;黄英;黄海舰;陈雪芳;张娜;3.一维碳纳米结构的有效合成及其在锂离子电池负极材料中的应用 [J], 唐晶晶;杨娟;周向阳;陈光辉;黄滨;4.一维碳纳米结构的有效合成及其在锂离子电池负极材料中的应用 [J], 唐晶晶; 杨娟; 周向阳; 陈光辉; 黄滨5.静电纺丝法制备TMO/C复合纳米纤维在锂离子电池负极材料中的应用进展 [J], 杨瑞;汪丽莉;宓一鸣;刘烨;吴建宝;赵新新因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
硅基量子结构材料及在HIT太阳电池中的模拟研究_论文简报终稿by张晓宇

硅基量子结构材料及在HIT太阳电池中的模拟研究张晓宇张丽平刘正新中科院上海微系统与信息技术研究所1.研究背景与内容薄膜晶体硅异质结(HIT)太阳电池因其开路电压高、晶硅可薄性化、制备工艺温度低和高温输出特性良好等特点,有望替代传统晶硅太阳能电池[1]。
当前对HIT的研究主要集中于异质结界面的研究与优化以及光吸收的增强[2]。
量子点(QDs)结构具有低维量子尺寸限制效应,利用该结构可以有效增加电池对低能光子的利用率[3]。
本课题基于HIT太阳电池,主要研究低维材料的结构、特性及载流子输运的物理机制,以期实现低界面复合和高光吸收的HIT太阳电池。
本文研究内容主要有:(1)理论分析硅/锗(Si/Ge)量子点结构量子尺寸效应对能带的影响及载流子隧穿机制;(2)设计QDs-HIT太阳电池的结构并优化其性能,分析量子点结构的引入对HIT太阳电池性能的影响。
2.研究结果与讨论2.1Si/Ge QDs物理特性图1 Si/Ge QDs阵列在不同量子尺寸下的(a)能带结构(b)周期性势垒及波函数分布和(c)隧穿概率图1(a)所示为通过Kronig–Penny 模型计算并利用matlab编程得到的Si/Ge QDs尺寸为6.5 nm、间隔为1.5 nm能带结构,从中可看出对于不同的波矢取向,能级存在着不同程度的劈裂。
进一步分析可知,对于一定的量子点尺度,当其间距大于4 nm时,能级近似不变;而随着间距的进一步减小,量子点能级迅速增加,因此量子点间距小于4nm时,Si/Ge QDs能带可调。
图1(b)和(c)所示分别为尺寸5 nm、间距2 nm量子点的周期性势垒,波函数分布以及隧穿概率分布。
由图可知,对于较小的量子间距,其波函数非局域化,即载流子可以隧穿穿过势垒,有利于中间带结构的形成,从而方便低能光子通过中间带-导带、价带-中间带的载流子传输而被吸收;而量子间距较大(~20 nm)时,波函数完全局域化,载流子无法穿过势垒。
《柔性薄膜硅及SHJ太阳电池的材料与输出特性调控》范文

《柔性薄膜硅及SHJ太阳电池的材料与输出特性调控》篇一一、引言随着科技的不断进步,可再生能源的研究与应用日益受到人们的关注。
其中,太阳能电池作为一种高效、环保的能源转换设备,其发展尤为重要。
柔性薄膜硅及SHJ(异质结)太阳电池作为太阳能电池的一种,具有重量轻、柔韧性好、效率高等优点,在众多领域有着广泛的应用前景。
本文旨在探讨柔性薄膜硅及SHJ太阳电池的材料与输出特性调控。
二、柔性薄膜硅材料及其特性柔性薄膜硅材料作为一种新型的太阳能电池材料,其优势在于其具有较高的光电转换效率、良好的柔韧性和较低的成本。
这种材料主要由硅基薄膜和柔性基底组成,其中硅基薄膜可以是多晶硅、非晶硅等不同形式的硅。
1. 材料组成与结构柔性薄膜硅材料的制备主要包括薄膜的制备和基底的选材。
硅基薄膜通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等技术制备而成,具有较好的光吸收性能和导电性能。
基底材料的选择主要考虑其柔韧性、耐热性、成本等因素,常用的有聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等。
2. 输出特性柔性薄膜硅太阳电池的输出特性主要受光照强度、温度等因素的影响。
在光照强度一定的条件下,其电流-电压曲线呈典型的PN结二极管特性,具有良好的光电转换效率和填充因子。
同时,柔性薄膜硅太阳电池还具有较高的温度系数,能够在较宽的温度范围内保持稳定的输出性能。
三、SHJ太阳电池材料与输出特性SHJ太阳电池是一种采用异质结结构的太阳能电池,其优点在于具有较高的开路电压和填充因子,以及较低的光照诱导衰减。
1. 材料组成与结构SHJ太阳电池主要由P型非晶硅层、I型硅基材料层和N型非晶硅层组成,形成了一个P-I-N的异质结结构。
这种结构使得电池在光照条件下能够有效地分离光生载流子,从而提高光电转换效率。
2. 输出特性SHJ太阳电池的输出特性主要表现在其电流-电压曲线上。
在光照条件下,其开路电压较高,短路电流密度较大,填充因子也较高。
此外,SHJ太阳电池还具有较好的温度稳定性和光谱响应范围。
一种硅基纳米线太阳电池的制备方法[发明专利]
![一种硅基纳米线太阳电池的制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/b9d1d2f010a6f524cdbf8521.png)
专利名称:一种硅基纳米线太阳电池的制备方法专利类型:发明专利
发明人:丁建宁,袁宁一
申请号:CN201110033027.7
申请日:20110131
公开号:CN102157617A
公开日:
20110817
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明涉及一种硅基纳米线太阳电池的制备方法,特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池,属于太阳能电池器件制备技术领域。
本发明首先在金属衬底或透明导电膜上生长掺杂氧化锌(AZO)纳米线,再利用PECVD方法在AZO纳米线上制备纳米硅层,不同于目前报道的纳米线电池从内至外采用的p-n或pin径向结构,而是形成nip结构或nipnip叠层结构径向纳米线太阳电池;利用原子层沉积(ALD)技术在P型纳米硅层上制备氧化铝(AlO)钝化层;利用原子层沉积技术制备制备透明导电薄膜,改善纳米线的电极接触性能,本发明能有效提高了太阳电池的转换效率。
申请人:常州大学
地址:213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号
国籍:CN
代理机构:南京经纬专利商标代理有限公司
代理人:楼高潮
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《柔性薄膜硅及SHJ太阳电池的材料与输出特性调控》范文

《柔性薄膜硅及SHJ太阳电池的材料与输出特性调控》篇一一、引言随着科技的不断进步,可再生能源的研究与应用日益受到人们的关注。
其中,太阳能电池作为将太阳能转化为电能的设备,其发展与应用更是备受瞩目。
近年来,柔性薄膜硅及SHJ (Silicon Heterojunction)太阳电池因其高效率、低成本、柔性等特点,成为了研究的热点。
本文将就柔性薄膜硅及SHJ太阳电池的材料与输出特性调控进行探讨,旨在为相关研究与应用提供参考。
二、柔性薄膜硅材料1. 材料组成柔性薄膜硅材料主要由硅基材料、透明导电膜以及界面修饰层等组成。
其中,硅基材料是太阳能电池的核心材料,具有较高的光电转换效率。
透明导电膜能够提高薄膜的导电性能,降低电池的电阻。
界面修饰层则能够提高电池的光吸收效率和光生载流子的收集效率。
2. 制备工艺柔性薄膜硅材料的制备工艺主要包括化学气相沉积法、物理气相沉积法、溶胶凝胶法等。
这些制备工艺具有较高的可重复性和稳定性,能够制备出高质量的薄膜材料。
三、SHJ太阳电池1. 结构特点SHJ太阳电池是一种具有异质结结构的太阳能电池,其结构特点是在硅基材料上形成一种异质结界面,从而提高光生载流子的收集效率和光电转换效率。
此外,SHJ太阳电池还具有较高的开路电压和填充因子,能够提高电池的输出性能。
2. 工作原理SHJ太阳电池的工作原理主要是利用光生电效应和异质结效应。
当光线照射在电池表面时,硅基材料吸收光能并产生光生电子和光生空穴,然后被异质结界面分离并收集,从而产生电流。
此外,异质结界面还能够抑制载流子的复合,提高电池的输出性能。
四、输出特性调控1. 掺杂浓度调控掺杂浓度是影响太阳能电池输出性能的重要因素之一。
通过调整掺杂浓度,可以改变载流子的浓度和扩散长度,从而影响电池的输出电压和电流。
适当的掺杂浓度可以提高电池的光电转换效率和输出功率。
2. 界面修饰层优化界面修饰层是提高太阳能电池性能的关键因素之一。
通过优化界面修饰层的材料和结构,可以提高光吸收效率和光生载流子的收集效率,从而提高电池的输出性能。
硅基太阳电池的研究现状与应用前景

硅基太阳电池的研究现状与应用前景硅基太阳电池是目前使用最多的太阳能电池,其可以将太阳光转化为直流电能,被广泛应用于太阳能供电系统、通讯设备、农业、交通、航空等各个领域。
随着科技的不断进步,世界各地的科学家们已经致力于硅基太阳电池的研究,并不断推动着其技术的发展。
目前,硅基太阳电池领域的研究方向主要包括了提升光电转换效率、优化电池结构及降低成本等三个方向。
其中,提升光电转换效率是近年来其研究的重点之一。
由于太阳能电池的发电效率与其吸收光谱有直接关系,因此,提高硅基太阳电池的效率,在其光谱吸收范围内匹配尽可能多的太阳光,便成为了当今研究的热点。
目前,研究者们通过掺杂、多层化等方式,不断优化硅基太阳电池的光电学性能,以实现更高效率的能量转化。
优化电池结构也是当前研究的一大方向。
其主要针对太阳能电池的结构优化,提高硅基太阳电池的光吸收能力,减少电池内部反射等问题。
近年来,科学家们在硅基太阳电池的表面设计上进行了不断的尝试,并有所取得进展。
例如,增加反射镜、纳米结构都能够为硅基太阳电池的性能提升做出贡献。
在此基础上,降低硅基太阳电池的成本也成为了一个重要研究方向。
现在,科学家们正在不断开发新材料和新模型,以期能够在制造上降低成本。
其中,目前最为热门的是纳米材料。
纳米材料具有温度性质稳定、物理化学性质优异等特点,在硅基太阳电池上的应用前景十分广阔。
在科技不断进步的当下,硅基太阳电池的应用前景非常广阔。
它不仅可以为现在的太阳能市场创造更广泛的应用前景,还可以为未来的绿色能源市场提供更多的新型太阳电池。
随着技术的不断进步,硅基太阳电池的发展前景将变得越来越广泛,成为绿色能源市场的重要组成部分,并为全球绿色可持续发展贡献力量。
总之,当前硅基太阳电池的研究方向主要集中在提升光电转换效率、优化电池结构及降低成本三个方面。
在科学家们不断的努力下,硅基太阳电池的性能将会越来越好,应用场景将会更加广泛,成为未来可持续发展的重要组成部分。
“SE+PERC”单晶硅太阳电池发射极方阻均匀性提升工艺的研究

太 阳 能第10期 总第354期2023年10月No.10 Total No.354Oct., 2023SOLAR ENERGY0 引言近年来,选择性发射极(SE)技术与钝化发射极背接触(PERC)技术相结合形成的“SE+PERC”晶体硅太阳电池取代了采用传统铝背场(Al-BSF)的晶体硅太阳电池,成为晶体硅太阳电池的主流产品[1-3]。
行业内“SE+PERC”单晶硅太阳电池的大致制备流程为:清洗制绒→扩散→激光掺杂→去磷硅玻璃(PSG)→碱刻蚀→背钝化→镀正面减反射膜→丝网印刷→烧结等[4]。
其中,扩散工序作为最关键的步骤之一,主要是为了制备p-n结,该工序一般以液态三氯氧磷(POCl3)作为磷源,利用氮气(N2)通过源瓶内的磷源(鼓泡)来将杂质源蒸汽带入高温扩散炉中,经高温热分解与硅片表面发生反应,还原出杂质原子,并向硅片内扩散[5-6],形成发射极,而发射极的片内方阻均匀性(下文简称为“方阻均匀性”)会直接影响其与后续工艺的匹配度,进而影响“SE+PERC”单晶硅太阳电池的电性能,尤其是对于采用高方阻扩散工艺的太阳电池而言,该影响将更为严重[7-8]。
目前,扩散工序采用的设备有管式扩散炉和链式扩散炉两种,管式扩散炉凭借炉内清洁度高、形成的发射极质量高等优势成为工业化制备p-n结的主要设备[9]。
影响管式扩散炉形成的发射极方阻均匀性的因素主要包括设备和工艺两方面[7]。
设备方面主要包括炉门密封性、恒温区温控设备的稳定性、均流板的设计、废气排放位置、源瓶温度稳定性等因素,工艺方面主要包括工艺气体流量、表面氧化层、温度、炉内压强、气氛场均匀性、区间温度和绒面质量等。
上述因素之间相互影响,导致生产中工艺的优化相对困难,尤其是气氛场因素最难控制,是该研究领域的难点[10]。
谢卿等[11]、倪玉凤等[12]研究发现:工艺气体流量和炉内压强是影响气氛场均匀性的主要因素。
为了增强管式扩散炉气氛场均匀性,从而改善硅片发射极方阻均匀性,本文通过研究DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20220822.01 文章编号:1003-0417(2023)10-45-10“SE+PERC”单晶硅太阳电池发射极方阻均匀性提升工艺的研究高荣刚,王丽婷*,周啸颖,王守志,韩林芝,张 书(中节能太阳能科技(镇江)有限公司,镇江212132)摘 要:针对“SE+PERC”单晶硅太阳电池制备过程中,管式扩散炉扩散后硅片发射极方阻均匀性差的问题,在扩散工艺的“预沉积”步骤设计小氮气(N2)流量、氧气(O2)流量、炉内压强参数变化实验,研究小N2流量、O2流量和炉内压强变化对发射极方阻、方阻均匀性及太阳电池电性能的影响。
我国高效晶体硅电池技术领域取得新进展

荧光粉 ,并在8 月份 通过 材料 荧光 特
氮 化 物荧 光粉 是L D ( E 发光 二j
2 1 年 第8 第5 ( O1 卷 期
电位 平 台避 免 了锂 枝 晶 的形 成 ,从 而 提 高 了 电池 的安 全 性 能 ; 同时 在 锂 离 子 嵌 入/ 出过 脱 程 中 的体 积 “ 应 变 ” , 具 有 潜 在 的循 环 性 零 好 的优 势 。纯L i 宽 带 隙 材 料 ,具有 低 i , TO 为
火 处 理 ,将 磷 硅 玻 璃 中 的磷 元 素 进 一 步 扩 散 进 入 硅 ,从 而 在 电池 片 表 面 形 成 选 择 性 重 掺 杂 区 域 。丝 网 印刷 银 浆 时 ,使 得 细 栅 线9 度 0 交 叉 激 光 重 掺 杂 线 条 ,巧 妙 地 实 现 自对 准 制 备工艺。 电池 性 能测 试 表 明 ,发 射 极 方 块 电 阻 为 7欧姆 / 块 的 标 准 单 晶硅 电池 (2m 5 方 1 5 m ̄ 15 2 mm) , 最 佳 填 充 因 子 由激 光 掺 杂 前 的 约 6 %提 高 到激 光 掺 杂后 的约7 %;最佳 电池 光 5 9
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WANGYi-zhe, MAXiao-feng, CAOMeng, ZHOUChen-yue (ShanghaiCenterforPhotovotaic, Shanghai201201, China)
式复合 , 系统达到最终平衡状态 。 因此 , 提高太阳电 池转换效率的途径有两种 , 即在热载流子冷却之前 将其引出以提高光生电压 , 以及通过多激子激发的 方式让热载流子产生更多的电子 -空穴对以提高光 生电流[ 10] 。 理论和实践都表明 , 单独依靠传统的块 体半导体材料 , 是不可能实现高于其转换极限的太 阳电池器件的 。
态的硅 /合金超晶格结构有各种优势 , 如可以拓展有 效带隙 、有效质量分 离 、增加开路电压等 。 计算表 明 , p-(a-SiN:H/a-Si:H) -i(a-si:H)-n(a -Si:H)结构 , 其中 p区为超晶格结构 , 膜层厚度在 2.5 到 3.5nm 的 太阳 电池 开路 电压 可以 超 过 1. 05V, 效率预期超过 12%[ 23] 。
3 硅基量子点超晶格太阳电池
以量子点 、量子阱 、超晶格等概念为基础的量子 纳米结构材料是基于量子限制效应技术的新一代人 工构造材料 , 它以全新的概念改变着光电子和微电 子器件的设计思想 , 由于工艺相对简单 、易于实现 , 以 Ⅲ -V族元素为基础的量子阱 、超晶格太阳电池 研究也获得了广泛的进展 [ 10, 20, 21] , 硅基太阳电池主 要集中在纳米硅 /非晶硅的量子点超晶格结构电池 方面[ 22 -26] 。 ArgyriosC.Varonides指出 , 由 于非晶
1 纳米结构在高效率太阳电池中的作用
根据 Shockley-Queisser的分析 , 限制转换效率 的主要因素在于 , 载流子驰豫到它们各自的能带边 缘 (对电子而言是导电底 , 对空穴而言是价带顶 )并 与声子到达平衡态过程中 , 半导体材料所吸收的能 量高于半导体带隙的光子的能量通过电子 -声子散 射以及声子发射而损 失掉了[ 2] 。 在 块体半导体材 料中 , 通过吸收光子产生的电子和空穴具有超过导 带和价带边缘的多余动能 , 即初始载流子的温度高 于晶格温度 , 这样的载流子称为热载流子 。 热载流 子通过相互碰撞和谷间散射达到平衡态 , 随后通过 与载流子 -声子的相互作用 , 将多余动能传递给晶 格 , 这过程中一部分载流子被分离 , 形成光生电压和 光生电流 , 未被分离的载流子通过辐射或非辐射方
Honsberg对实现超高效率光伏太阳电池的可能 途径进行了仔细分析 , 指出可以通过 5种方法实现 转换效率超过单结电池 :多光谱电池 、多吸收路径电 池 、多能级电池 、多温度电池和 AC(AlternatingCurrent)电池[ 15, 16] 。应用纳米结构材料 , 比较容易实现 的是基于碰撞电离原理的多吸收路径电池和基于能 带分割原理的多能级电池 。 在此方面 , 比较容易实 现的 Ⅲ -Ⅴ族 、Ⅳ -Ⅵ 族化合物纳米电池已经取得 了长足发展[ 10] , 近年来由于原材料消耗日益增加 , 以及对环境的考虑 , 硅基纳米结构太阳电池也受到 广泛重视 , 成为研究的热点之一 。
0 引言
众所周知 , 近年来太阳能光伏产业获得了巨大 的发展 。由于硅原材 料在地球上的 蕴藏量非常丰 富 ,而且硅没有毒性 , 对环境友好, 硅基太阳电池 (包括晶体硅 和薄膜硅 )一直是业 界发展的 重点 。 2008年全球太阳能电池产量达到创纪录的 7.9GW , 其中硅基太阳电池的份额占 到了 93%以上 [ 1] 。去
2 传统电池上的硅纳米结构
近年来 , 一种纳米硅薄膜引起了广泛注意 。 纳 米硅薄膜是尺度在几个纳米范围内的晶体硅纳米颗
粒与非晶硅组成的二相体系 。和非晶硅相比 , 纳米 硅材料的载流子迁移率 、电导率 较高 ;同多 晶硅相 比 , 纳米硅材料的光学吸收系数较高 , 其光学带隙也 可由纳米尺度效应调节到所需带隙区域 [ 10] , 因此在 高效率硅基太阳电池方面有广阔的应用前景 。何宇 亮等对 用等 离子 体增 强型 化学 气相 沉 积 (Plasma EnhancedChemicalVaporDeposition, PECVD)方 法
(上海太阳能电池研究与发展中心 , 上海 , 201201)
摘要 :由于原材料蕴藏量非常丰富以及对环境无毒友好的特点 , 硅基太阳电池不仅在当前 , 而且在 今后都将是光伏太阳电池的主流 。传统晶体硅电池光电转换原理决定了其转换效率不可能在短期 内有较大提高 。 基于量子限制原理的纳米结构材料具有独特的性能 , 能够实现全新结构的超高效 率的光伏太阳电池 。 文章介绍了硅基太阳电池研究方面的一些最新研究进展 , 并指出了未来一些 可能的发展方向 。 关键词 :纳米结构 ;硅基太阳电池 ;硅量子点超晶格 ;热载流子电池 ;多界面器件 中图分类号 :TM914.4:A 文献标识码 :A
Pivac.B等人制备了称之为 "下一代太阳电池 " 的纳米硅超晶格太阳电池结构 [ 22] 。 在单晶硅基片
上用热蒸发的方式沉积 4nm厚的 SiO和 SiO2 各 10 层 , 形成非晶型的超晶格结构 。用小角度 X射线散 射仪研究表明 , 600℃退火时 , 无定形态几乎不发生 任何变化 。退火温度达到 1000℃以上时 , 开始形成 晶粒 。最终形成了纳米硅和 SiO2 的量子点超晶格 。 另外 , AtulMadhavan等人对纳米晶 /非晶超晶格的
第 16卷第 5期 2010年 10月
功能材料与器件学报 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES
文章编号 :1007 -4252(2010)05 -0483 -07
Vol.16, No.5 Oct., 2010
硅基纳米结构太阳电池研究新进展
王懿 , 马小凤 , 周呈悦 , 曹萌
5期
王懿 , 等 :硅基纳米结构太阳电池研究新进展
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制 备的纳米硅 薄膜的显 微结构进行 了细致研 究 [ 17] [ 18] , 获得了一系列网络中的界面微观图形 , 清 楚地显示出网络中硅微晶粒的大小及其分布情况 , 结果发现晶粒分布有一定的择优取向 , 晶粒的大小 和形状分布不均匀 , 另外大量的界面形状分布也不 同 , 界面区原子分布是无序的 。在传统电池上的应 用之一便是多结叠层纳米硅薄膜太阳电池 。上海交 通大学的沈文忠教授给出了这样一种结构设计 :在 导电玻璃衬底上沉积地步多晶硅薄膜 p-i-n结电 池 , 吸收 1.1eV光 子 , 然后沉积中间 和顶部纳米硅 薄膜 p-i-n结电池 , 分别吸收 1.5eV和 2.0eV的 太阳光子 , 其带隙是有硅量子点的尺寸来调节控制 的 [ 19] 。该电池稳定性比非晶硅好 , 预计会有良好的 产业化前景 。另外 , 利用硅纳米线的优良的减反射 特性在晶体硅上制作纳米线阵列太阳电池的研究也 在进行中[ 19] 。
纳米结构材料具备在电学 、光学等方面与块体 材料完全不同的特性 , 可应用于超高效率太阳电池 。 纳米结构太阳电池的特点在于 :1)克服现存器件的 某些材料特性限制 , 对材料特性进行剪裁 , 如渐变带 隙电池材料 [ 11] 、中间带隙电池材料 [ 12] , 以及减少晶 格失配的缓冲层结构等 [ 13] ;2)能够实现转换效率超 过单结电池极限的新概念 、新结构太阳电池 , 如通过 势垒限制实 现的量 子点 、量子 阱和 超晶 格太阳 电 池[ 10] , 通过声子瓶颈效应 、能量选择接触实现的热 载流子电池[ 14] , 3)具备简化电池材料 、降低电池成 本的潜力 , 如热载流子电子理论上可达到 66%的效 率极限 , 而要实现同样效率极限的叠层电池 , 理论上 需要无穷多个 p-n结叠合 [ 14] 。
源 , 与传统水电 、火电相比成本仍然偏高 。 实际上 , 经过过去几年的晶体硅价格虚高及暴跌之后 , 在原 材料和设备方面 , 已经很难有进一步降低成本的潜 力 。因此 , 开发新型硅基太阳电池 , 研究高转换效率 的器件 , 仍将是未来研究人员的主攻方向 。
以晶体硅电池为代表的 p-n结型太阳电池的 转换效率不可能无限制提高 , 在理论上存在一个转 换效 率 的 极 限 值 , 这 就 是 Shockley-Queisser极 限 [ 2] 。根据 Shockley-Queisser的计算 , 单晶硅太阳 电池的极限效率只有 31%[ 2] , 到目前为止实验室最 高记录值是新南威尔士大学研究的 PERL(PassivatedEmitter, RearLocallyDiffused)电池 , 其转换效率 达到 24.7%[ 3] (后来被修正为 25%)[ 4] , 实际规模 化产品的转换效率一般在 17 -19%左右 [ 5, 6, 7] 。硅 基薄膜电池的转换效率更低 , 以 UnitedSolarOvonic 公司的非晶硅 /非晶锗硅 /非晶锗硅三结叠层太阳电 池为例 , 据报道实验室最 好水平只有 14.6%, 稳定 后达到 13.0%[ 8] 。由于受理论极限值的限制 , 传统 硅基太阳电池的转换效率不太可能再有大幅度的提 高 。未来高效率 、超高效率的太阳电池将不得不借 助于全新的光电转换机理 、全新的电池材料和电池 结构 , 即所谓第三代光伏太阳电池概念 [ 9] 。 纳米技 术的发展和纳米结构材料具有的独特性能为第三代 光伏太阳电池提供了可能的解决方案 。本文将主要 介绍几种近年来成为研究热点的硅基纳米结构太阳 电池的发展状况 , 并讨论面向未来的高效率 、低成本 太阳电池的发展趋势 。
Abstract:Withtheadvantageofabundanceontheearthandnontoxicity, Si-basedsolarcellwillcontinuetodominateinthefuture.Theefficiencyofnormalcrystalsiliconsolarcellcannotbeenhancedina shorttimeowingtotheconversionmechanisms.Nano-structuredmaterials, basedonquantumconfinementmechanisms, openawindowtonovel-structure, super-high-efficiencysolarcell.ThispaperintroducessomenewresearchprogressesinSi-basednano-structuredsolarandforecastpossibleaspect infuturedevelopment. Keywords:Nano-structure;Si-basedSolarcell;Si-DotSuperlattice;HotCarrierSolarCell;Multi -interfaceDevice