硅基薄膜太阳电池最新进展
硅基薄膜太阳电池新进展
Solar168 07-06-21 出处:南开大学 作者:耿新华张建军 编辑:solar168
一.引言
能源危机和环境污染的日趋严重极大地促进了光伏产业的迅速发展。过去的5年，在全球硅材料紧缺、价格飙升的情况下，世界光伏市场继续以平均每年40％的幅度增加。2006年实际产量达到2．6GW，产能超过3GW，人大超过对2006年预测的20~25％的增幅。中国2006年光伏电池地产量达到460MW，比2005年(140MW)增加280％，电池产能达到1200MW。光伏产业成为迄今为止最快增长的工业之一，商业预测到2010年全球市场容量将增加到400亿欧元。
图1、2006年太阳能电池TOP10厂家
2006年全球晶体硅电池的市场份额仍然占据90%以上。然而，晶体硅原材料继续保持较高的价格，这为薄膜太阳电池的发展提供了机会，使薄膜电池迎来了有史以来空前未有的大发展时期。不仅许多新进入光伏领域的投资者选择薄膜光伏作为其发展方向，就连产量居世界前十位的晶体硅电池生产公司中也有几家把自己的产品范围扩充到了薄膜技术领域(见图1)。2004年到2005年，全球薄膜太阳电池出货量增加了50％以上，从60MW增加到94MW。目前正在兴建的薄膜电池厂家会使薄膜电池的产能在2008年前增加5倍之多。预计到2010年薄膜电池的产量将会扩展到1-2GW，这表明薄膜光伏的市场份额将上升到20％(见图2)，而到2020年这一份额更会增加到25％，达到25GW。
图2、晶硅和薄膜电池的未来发展趋势
和晶体硅电池相比，薄膜电池的不足之处是产品效率较低，生产技术不够成熟，特别是制造设备没有标准化。但是，薄膜太阳电池具有很大的降低成本的潜力，其共有的低成本优势省材、低功耗、便于大面积连续化生产。在薄膜太阳电池中，硅基薄膜具有更独特的优势：①原材料丰富，且无毒无污染；⑦能耗最低，制造温度约200摄氏度，可以使用大面积廉价的玻璃作为衬底；①原材料消耗少，每瓦电池只消耗0.2克硅烷，相当于0.02欧元／Wp，而每瓦晶硅电池要消耗8-12g晶体硅，相当于0.3欧元／Wp：④工艺简单，加工技术相对成熟。因此硅薄膜电池成为研究最多，发展最快，占有市场份额最大的薄膜电池。图3所示为到2010年a-Si、CIGS和CdTe三种薄膜电池市场发展预测。预计到2010年，a-Si、CIGS、CdTe三种电池将分别占有薄膜光伏市场的60％、20％和20％。可见，硅基薄膜电池在中长期发展阶段仍将占据薄膜光伏市场的主导地位。本文将重点介绍硅基薄膜太阳电池的发展现状及其未来发展趋势。
图3、a-Si,CIGS,CdTe薄膜光伏电池技术产能预测
二．硅基薄膜太阳电池研发现状
硅基薄膜太阳电池的第一代技术——非晶硅太阳电池的单条生产线规模已达到20-40MW(Kaneka 20MW，Uni-Solar 25MW，AM 40MW)，产品稳定效率达到5％-7％。国际上硅薄膜太阳电池主要生产厂商及产量如表1所示，各个公司所采用的电池技术如表2所示．从表1看出，2006年全球硅薄膜电池产能总和已经达到200MW，2007年预计达到350MW．从表2看出，目前大部分硅薄膜电池厂商的产品还是以第一代非晶硅电池为主，但是已有不少传统硅薄膜电池公司开始第二代非晶硅／微晶硅叠层电池技术产业化和设备的研发(Canon，SANYO，SHARP，UNAXISsolar，UnitedSolar)，预计在不远的将来第二代砖薄膜电池生产线就会登场。
中国非晶硅电池新增产能50MW(津能8 MW，广东中山10 MW，福建泉州10 MW，宁波慈溪5MW,北京世华10 MW，山东蓝星5 MW，山东东营2．5MW)。为了进一步提高效率和稳定性，发展了硅基薄膜电池的第二代技术一一微晶硅薄膜电池．和非晶硅电池相比，微晶硅具有两大优点，一是微晶硅具有类似于单晶硅的低光学带隙，因此可明显拓展长波光谱响应，从而实现高的电流密度；二是具有很小的光致衰退效应，可明显提高电池稳定性。因此其受到广泛的重视和研究。微晶硅电池的缺点在于它是间接带隙半导体，在短波段的光吸收系数比非晶硅低，因此要实现高的短路电流密度需要超过1um的吸收层厚度。为了实现微晶硅电池的低成本制造，需要高速沉积技术。有实用前景的高速沉积技术，有甚高频(VHF)等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术，射频高压耗尽(RFHPD)一PECVD技术。最近，把甚高频与高压相结合，使微晶硅薄膜的沉积速率提高到20—30A/s。微晶硅薄膜采采用与非晶硅兼容的技术制备，鉴于非晶硅良好的短波响应特性和微晶硅良好的长波响应特性，常用微晶硅怍底电池，形成非晶硅／微晶硅叠层结构，可大幅度提高转换效率。非晶硅/微晶硅叠层太阳电池被国际上公认是实现高效、高稳定、低成本薄膜太阳电池的重要技术途径。通过诸多实验室的努力，微晶硅电池自1994年被报道以来，转换效率得到明显的提高。目前，单结微晶硅电池的效率已超过10％，非晶硅／微晶硅双结叠层电池的效率超过14％，三结叠层电池的效率超过15％，大面积组件效率-13％。
国际上研发微晶硅电池技术,并取得较好成果的单位有日本的产业技术综合研究所光伏研发中心、Kenaka公司、三菱重工公司，德国Juelich的IPV、AppliedFilms公司，瑞士的IMT、Oerlikon公司，美国的Uui-Solar、Applied Materials公司，中国的南开大学等。
南开大学从2001开始研究微晶硅电池，截止到2005年，小面积微晶硅单结电池效率已达到9.2％，双结叠层电池效率达到11.8％，大面积双结叠层电池效率达到9．7％。采用甚高频和高压相结合的技术，硅薄膜的沉积速率从传统的1-3A/s提高到20A／s以上。在短短五年内实验室技术已赶上国际先进水平。
为了大幅度降低光伏发电成本，目前对微晶硅电池的研发集中在两个方面，一是在提高薄膜沉积速率的基础上，进一步提高效率和稳定性；二是开发大面积组件的产业化技术。微晶硅薄膜电池实现产业化的难点在于，如何实现高速沉积大面积薄膜的均匀性。因为高的激发频率下，电磁波的波长与电极面积相比拟，极板上电场的均匀性将大幅下降，导致等离子体分布不均匀，而薄膜材料特性受等离子体影响非常大。目前，国际上正在加紧研发高速沉积大面积微晶硅薄膜电池的产业化尺寸PECVD设备及其工艺技术。主要的PECVD技术有分室连续沉积技术(Kenaka)，单室技术(Oerlikon)，Cluster技术(三菱重工，AM)和roll-to-roll技术(Uni-Solar)。预计日本Kenaka公司2007年6月将完成非晶砖／微晶硅电池生产线建设，AM(AF)和Oerlikon公司将于2008年完成。南开大学与国际同步也正在进行非晶硅/微晶硅电池产业化关键技术开发,目前下在开发非晶硅／微晶硅电池产业化关键设备和工艺技术。
三．硅薄膜电池发展前景 非晶硅／微晶硅叠层电池在提高效率的同时保持了非晶硅电池的低成本技术优势，使其具有很强的竞争优势，国际上呈现出快速发展的趋势。根据2006年3月在日本召开的第二届关于光伏未来发展方向的Workshop上公布的数据：日本Kaneka公司计划2008年要使非晶硅和非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的产能达到70MW，三菱重工公司2007年a-Si电池达到50MW，富士电机公司的a-Si电池2008年达到30MW。欧洲Schott Solar公司2007年达到30MW。美国Uni-solar公司2010年的目标是300MW。泰国2007年达到10 MW／年。
国内，天津津能公司2006年在原有年产5MW非晶硅薄膜太阳能电池组件生产能力的基础上，再增加了一条5MW电池组件生产线，并在未来3年持续投入，至2010年具备年产30兆瓦电池生产能力及20兆瓦组件封装能力。山东威海蓝星泰瑞光电公司一期工程已建成一条5MW非晶硅薄膜电池组件生产线和一条BIPV生产线。二期工程将于2008年建成，届时生产能力将扩大至25MW。三期工程计划于2010年建成，扩大产能至100MW。北京世华公司于2005年夏季导入第一期太阳电池系统生产设备和量产，初期年产量为15兆峰瓦，第二期年产量预计为45兆峰瓦，合计年产量60兆峰瓦。深圳市创益公司规划从2006年到2010年，分三期建成拥有年产100至150兆瓦太阳能薄膜电池生产能力的太阳能产业化基地．福建将有更大的增幅，还有许多计划投资硅薄膜电池制造的公司。硅薄膜太阳电池的市场份额在未来几年中将产生突变式上升。
总体来说，硅基薄膜电池产业要想得到长足的发展还有许多工作要做。最近l-2年内．非晶／微晶硅叠层电池的初步量产可以使商业化硅薄膜电池效率达到8.5%的水平．通过改进工艺实现微晶硅薄膜的快速沉积，同时提高电池效率至10％，那么就可以使电池组件的制造成本降低近30％。在此基础上，进一步扩充产能(从30MW到IOOMW)，电池组件成本能够降到非晶硅电池的60％左右。要实现这些目标，需要研究机构、光伏生产厂家及设备制造商之间的通力合作。
总之，我国硅薄膜电池产业已经出具规模，“十一五”期间是快速发展期。在未来几年内，我国在薄膜电池领域将会出现位于国际前列的硅薄膜电池制造企业，使我国成为国际光伏大国之一。
薄膜光伏氨气
薄膜光伏氨气
近年来，薄膜光伏氨气技术在可再生能源领域引起了广泛关注。这项技术利用氨气作为薄膜太阳能电池的底层材料，能够提高光电转换效率，同时具有较低的成本和更长的使用寿命。
薄膜光伏氨气技术的原理是通过将氨气沉积在薄膜太阳能电池的底层，形成一层均匀且具有良好光学特性的薄膜。这层薄膜能够增加光的吸收和电子的传导，从而提高光电转换效率。而与传统的硅基太阳能电池相比，薄膜光伏氨气技术在制造过程中不需要高温和高真空条件，大大降低了生产成本。
薄膜光伏氨气技术还具有更长的使用寿命。由于薄膜太阳能电池的底层采用了氨气薄膜，相比传统的硅基太阳能电池，具有更好的稳定性和抗腐蚀性。这意味着薄膜光伏氨气技术能够在恶劣的环境条件下持续运行，并且能够更好地适应不同的气候和地理环境。
薄膜光伏氨气技术的应用前景广阔。在能源紧缺和环境污染日益严重的背景下，薄膜光伏氨气技术作为一种清洁、可再生的能源形式，具有巨大的潜力。它可以广泛应用于建筑物、车辆、移动设备等领域，为人们的生活提供可持续的能源解决方案。
然而，薄膜光伏氨气技术还面临一些挑战。首先，氨气的提纯和制备过程需要耗费大量的能源和资源。其次，薄膜太阳能电池的效率和稳定性仍然需要进一步提高。此外，薄膜光伏氨气技术的市场推广和应用也面临着一些困难，需要政府和企业的共同努力。
总的来说，薄膜光伏氨气技术作为一种创新的太阳能利用方式，具有重要的意义和广阔的应用前景。随着技术的进一步发展和成熟，相信薄膜光伏氨气技术将会为人类提供更加清洁、高效的能源解决方案，推动可持续发展的实现。
薄膜太阳电池技术发展趋势浅析
第４期 ２０１２年８月 中国鼋；珂譬ｑ宪隍学舨
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＣＡＥＩＴ Ｖ０１．７ Ｎｏ．４ Ａｕｇ．２０１２
薄膜太阳电池技术发展趋势浅析
李微，黄才勇，刘兴江
（中国电子科技集团公司第１８研究所，天津３００３８１）
摘要：低成本、高效率的薄膜太阳电池是未来光伏产业发展的重要方向之一。主要介绍了目前备
受关注的薄膜太阳电池，包括硅基薄膜太阳电池、铜铟镓硒与铜锌锡硫薄膜太阳电池，及砷化镓薄
膜太阳电池等，简述了它们的各自特点、研究现状、主要技术路线和产业化发展等情况。最后展望
了薄膜太阳电池未来的发展趋势。
关键词：硅基薄膜太阳电池；铜铟镓硒薄膜太阳电池；铜锌锡硫薄膜太阳电池；砷化镓薄膜太阳电池
中图分类号：０４７ 文献标识码：Ａ 文章编号：１６７３－５６９２（２０１２）０４—３４４－０７
Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ：Ａ Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｔｒｅｎｄｓ
ＬＩ Ｗｅｉ，ＨＵＡＮＧ Ｃａｉ—ｙｏｎｇ，ＬＩＵ Ｘｉｎｇ—ｊｉａｎｇ
（Ｎｏ．１８ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＣＥＴＣ，Ｔｉａｎｊｉｎ ３００３８１，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ（ＴＦＳＣ）ｗｉｔｈ ｌｏｗｅｒ ｃｏｓｔ ａｎｄ ｈｉｇｈｅｒ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｉｓ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ ｐｒｏ—
ｊｅｃｔｓ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃｓ ｉｎｄｕｓｔｒｙ．Ｔｈｅ ｍａｉｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ａｒｅ ｒｅｖｉｅｗｅｄ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｓｉｌｉ—
ｃｏｎ ｂａｓｅｄ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ，Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）ａｎｄ Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４（ＣＺＴＳ）ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ，ａｎｄ ＧａＡｓ
ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ．Ｔｈｅ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ｔｈｅ ｌａｔｅｓｔ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｐｒｏｇｒｅｓｓ，ｔｈｅ ｍａｉｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｒｏｕｔｅｓ ａｎｄ ｔｈｅ
薄膜太阳能电池分类
薄膜太阳能电池分类
薄膜太阳能电池分类
21世纪初之前，太阳能电池主要以硅系太阳能电池为主，超过89%的光伏市场由硅系列太阳能电池所占领，但自2003年以来，晶体硅太阳能电池的主要原料多晶硅价格快速上涨，因此，业内人士自热而然将目光转向了成本较低的薄膜电池。薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金属片等不同材料当基板来制造，形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm，目前转换效率最高可达13%以上。薄膜电池太阳电池除了平面之外，也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大，可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份，应用非常广泛。
1.硅基薄膜电池
硅基薄膜电池包括非晶硅薄膜电池、微晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池，而目前市场主要是非晶硅薄膜电池产品。非晶硅的禁带宽度为1.7eV，通过掺硼或磷可得到p型或n型a-Si。为了提高效率和改善稳定性，还发展了p-i-n/p-i-n双层或多层结构式的叠层电池。
2.碲化镉（CdTe）薄膜电池
碲化镉薄膜电池是最早发展的太阳电池之一，由
于其工艺过程简单，制造成本低，实验室转换效率已超过16%，大规模效率超过12%，远高于非晶硅电池。不过由于镉元素可能对环境造成污染，使用受到限制。近年来美国FirstSolar公司采取了独特的蒸气输运法沉积等特殊措施，解决了污染问题，开始大规模生产，并为德国建造世界最大的光伏电站提供40MW碲化镉太阳电池组件。
3.铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池
铜铟镓硒薄膜电池是近年来发展起来的新型太阳电池，通过磁控溅射、真空蒸发等方法，在基底上沉积铜铟镓硒薄膜，薄膜制作方法主要有多元分布蒸发法和金属预置层后硒化法等。基底一般用玻璃，也可用不锈钢作为柔性衬底。实验室最高效率已接近20%，成品组件效率已达到13%，是目前薄膜电池中效率最高的电池之一。
4.砷化镓（GaAs）薄膜电池
砷化镓薄膜电池是在单晶硅基板上以化学气相沉积法生长GaAs薄膜所制成的薄膜太阳电池，其直接带隙1.424eV，具有30%以上的高转换效率，很早就被应用于人造卫星的太阳电池板。然而砷化镓电池价格昂贵，且砷是有毒元素，所以
CIGS薄膜太阳能电池研究现状与发展前景
1
CIGS薄膜太阳能电池研究现状与发展前景
摘要：太阳能作为一种取之不尽用之不竭的清洁能源正在得到迅速的发展与应用，目前在世界各国都得到了广泛的研究。本文介绍了太阳能电池发展的背景、太阳能电池分类；并着重介绍了CIGS薄膜太阳能电池的制备工艺方法，分析总结了其研究发展现状与发展前景。
关键词：太阳能电池；CIGS；薄膜；发展前景
0引言
能源是人类社会经济发展的重要物质基础，是生产力飞跃的主要动力源泉0。随着传统化石能源逐渐耗尽引起的能源危机，以及化石燃料燃烧引起的温室气体、氮氧化物等环境污染的日趋严重。从人类社会可持续发展的角度考虑，能源产业出现了两大发展趋势：其一是在传统能源中寻找清洁、高效的能源利用方式，但是这并不能从根本上解决世界能源短缺的问题；其二是积极寻找并开发、使用新能源和可再生能源，这是人类能源可持续发展的最终选择。理想的新能源和可再生能源要同时符合两个条件：一是蕴藏丰富不会枯竭；二是安全、干净，不会威胁人类和破坏环境。
太阳能是最理想的新能源。它是各种可再生能源中最重要的基本能源。生物质能、风能、海洋能、水能等都来自太阳能。太阳能存在许多优点：太阳能随处可得，数量巨大，无需运输；取之不尽，用之不竭的可再生性；既清洁又安全、无污染，也不会影响生态环境。太阳能发电可以将太阳光能直接转化为电能，是太阳能利用研究中最重要的研究领域之一。0
太阳能是取之不尽、用之不竭的清洁能源，全球年能量消耗的总和只相当于太阳40分钟内投射到地球表面的能量。为了保证人类发展所需能源的持久供应，减轻环境污染、生态破坏对人类日益加剧的危害，使经济、社会走上可持续发展之路，世界各国特别是发达国家对于光伏发电技术十分重视，将其摆在可再生能源开发的首位，制定规划，采取措施，增加投入，大力发展0。我国也在这方面非常重视，发展新能源和可再生能源，并把光伏发电作为未来能源的希望。
1.太阳电池的工作原理及光谱吸收
微晶硅NIP太阳电池
微晶硅NIP太阳电池
俞远高１，杨瑞霞１，侯国付２，薛俊明２
（１河北工业大学信息工程学院，天津３００１３０；
２南开大学光电子薄膜技术与器件研究所，天津３０００７１）
１ 引言
硅基薄膜太阳电池按沉积顺序，分为顶衬结构和底衬结构两种，又称为ＰＩＮ和ＮＩＰ［１］。顶衬结构一般是在透明顶衬（ＴＣＯ玻璃）上首先沉积Ｐ层，然后沉积Ｉ层，Ｎ层和背电极；而底衬结构则是先沉积Ｎ层，然后顺序沉积Ｉ层、Ｐ层、ＩＴＯ和栅电极。相对于ＰＩＮ结构，ＮＩＰ结构具有许多优点［１-３］：①对衬底的透明性没有要求，所以可以使用许多廉价的衬底材料，特别是可以使用聚合物、不锈钢等不透明材料制作柔性太阳电池，而柔性电池以其成本低廉、高比功率、极好的柔韧性和可卷曲性、易于建筑物及供电系统的一体化设计等优势，在军事和民用上均具有良好的应用前景，极大地扩展了太阳电池的应用空间［４］；②由于顶电极／Ｐ型窗口层最后沉积，也就不需要暴露于高温等离子，因此顶电极／Ｐ型窗口层的性能就不会受到损伤；③由于Ｐ型窗口层最后沉积，因此可以使用低温来制备，而低温沉积能够扩大Ｐ层的光学带隙，从而提高太阳电池的开路电压和短路电流。另外，微晶Ｐ层在
衬底结构中更有利，因为它是沉积在本征硅层上而不是透明导电膜上，在透明导电膜上化学影响更大，这是由两种衬底等离子体的鞘层电势不同所导致的。
微晶硅具有单晶硅高稳定、非晶硅节省材料、低温大面积沉积的优点，而且可将光谱响应扩展到红外光（λ＞８００ｎｍ），其提高效率的潜力很大，被国际公认为新一代硅基薄膜太阳电池材料［５］。
目前已发表了大量关于设计和制备微晶硅ＰＩＮ太阳电池的论文，但是针对微晶硅ＮＩＰ太阳电池的论文还相对较少［６］。因此本文选择微晶硅ＮＩＰ太阳电池为研究对象，综合介绍了其基本原理、研究现状、存在的问题以及发展前景。
２ 基本原理
微晶硅ＮＩＰ太阳电池的工作原理与ＰＩＮ太阳电池一样，是基于ｐｎ结的光伏效应。由于微晶硅材料中的少数载流子扩散长度小于１μｍ，掺杂层中的扩散长度可能更短［７］，所以微晶硅电池采用ｐｎ结构是不可行的，因为这种结构的太阳电池是利用扩散来收集光生载流子的。微晶硅电池采用了在ＰＮ层之间加入一Ｉ层结构，本征层电场的存在有助于光生载流子的收集，此时光生载流子的收集依赖于电场作用下的漂移运动，从而克服了微晶硅扩散长度小带来的限制，大大提高了载流子的收集效率。微晶硅ＮＩＰ太阳电池如图１所示［８］。
晶体硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN减反射膜工艺研究讲解
毕 业 论 文
题 目 晶体硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN
减反射膜工艺研究
目 录
2 摘要 ……………………………………………………………………………………………1
绪论 ……………………………………………………………………………………………3
第一章 PECVD淀积氮化硅薄膜的基本原理……………………………………………………6
1.1化学气相淀积技术 ………………………………………………………………………6
1.2 PECVD原理和结构 ………………………………………………………………………6
1.3 PECVD薄膜淀积的微观过程 ……………………………………………………………8
1.4 PECVD淀积氮化硅的性质 ………………………………………………………………9
1.5表面钝化与体钝化 ………………………………………………………………………9
第二章 实验 ……………………………………………………………………………………11
2.1 PECVD设备简介 …………………………………………………………………………11
2.2 PECVD设备操作流程 …………………………………………………………………13
2.3 SiN 减反射膜PECVD淀积工艺流程……………………………………………………13
2.4最佳薄膜厚度和折射率的理论计算 ………………………………………………13
2.5 理论实验总结 ……………………………………………………………………………15
结束语 ……………………………………………………………………………………………16
参考文献 …………………………………………………………………………………………17
1 晶体硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN减反射膜工艺研究
摘 要
等离子增强化学气相淀积氮化硅减反射薄膜已经普遍应用于光伏工业中，其目的是在晶体硅太阳能电池表面形成减反射薄膜，同时达到了良好的钝化作用。氮化硅膜的厚度和折射率对电池性能都有重要的影响。探索最佳的工艺条件来制备最佳的薄膜具有重要意义。本课题是利用Roth&Rau的SiNA设备进行淀积氮化硅薄膜的实验，介绍了几种工艺参数对薄膜生长的影响，获得了生长氮化硅薄膜的最佳工艺条件，制作出了高质量的氮化硅薄膜。实验中使用了椭偏仪对样品进行膜厚以及折射率的测量。
中国节能环保集团建最大硅基薄膜光伏电站
第２７卷第４期 许骏等：反渗透膜技术研究和应用进展 ３５７
［４１］ＨＹＵＮＧ Ｈ，ＫＩＭ Ｊ Ｈ．Ａ ｍｅｃｈａｎｉｓｔｉｃ ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｂｏｒｏｎ ｒｅ—
ｉｅｃｔｉｏｎ ｂｙ ｓｅａ ｗａｔｅｒ ｒｅｖｅｒｓｅ ｏｓｍｏｓｉｓ ｍｅｍｂｒａｎｅｓ［Ｊ］．
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｍｂｒａｎｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００６，２８６：２６９—２７８
［４２］ ｃＥＮＧＥＬＯＧＬｕ Ｙ，ＡＲＳＬＡＮ Ｇ，ＴＯＲ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｒｅｍｏｖ— ａｌ ｏｆ ｂｏｒｏｎ ｆｒｏｍ ｗａｔｅｒ ｂｙ ｕｓｉｎｇ ｒｅｖｅｒｓｅ ｏｓｍｏｓｉｓ［Ｊ］．
Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００８，６４：
１４１～１４６
毋０ ００ＪＬ０ 《 资讯 ｝
ｒ— ｆ— — ｆ— ［４３］
［４４］ ＳＯＵＡＲＩ Ｌ．ＨＡＳＳＡＩＲＩ Ｍ．Ｓｅａ ｗａｔｅｒ ｄｅｓａｌｉｎａｔｉｏｎ ｂｙ ｒｅ—
ｖｅｒｓｅ ｏｓｍｏｓｉｓ：Ｔｈｅ ｔｒｕｅ ｎｅｅｄｓ ｆｏｒ ｅｎｅｒｇｙ［Ｊ］．Ｄｅｓａｌｉｎａ・
ｔｉｏｎ，２００７，２０６：４６５—４７３ ＨＡＳＮＡＩＮ Ｓ Ｍ，ＡＬＡＪＬＡＮ Ｓ Ａ．Ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｏｆ ＰＶ—ｐｏｗ— ｅｒｅｄ ＲＯ ｂｒａｃｋｉｓｈ ｗａｔｅｒ ｄｅｓａｌｉｎａｔｉｏｎ ｐｌａｎｔ ｗｉｔｈ ｓｏｌａｒ
ｓｔｉｌｌｓ［Ｊ］．Ｄｅｓａｌｉｎａｔｉｏｎ，１９９８，１１６：５７—６４
※ ※ ※ ※
中国节能环保集团建最大硅基薄膜光伏电站
目前世界上最大的硅基薄膜光伏电站项目——国家“金太阳”太阳能示范电站项目，将在内蒙古自治区开工建设。
据有关方面人士介绍：由中国节能环保集团公司投资建设的５×１０ Ｗ硅基薄膜光伏电站项目将采用５．７ ｍ 双结硅基薄
膜太阳能电池技术。新奥集团旗下的新奥太阳能能源公司经过激烈争夺中标该光伏电站项目，为中国节能环保集团提供双
太阳能电池发展现状及高效率实例
太阳能电池发展现状及其转换效率的提高及实例
因为能源危机，环境问题，清洁的太阳能电池是不错的选择。
一太阳能电池发展概况
目前研发出来的或者正在开发的太阳能电池有：晶体硅太阳电 池，III-V族太阳电池，硅基薄膜太阳电池，CIGS太阳电池，染料敏 化电池，纳米太阳电池。
晶体硅太阳电池的种类：HIT太阳电池，PERL太阳电池，OCEO 太阳电池，Pluto太阳电池。HIT太阳电池，结构简单，效率高，具 有产能优势；Pluto太阳电池去除或简化了 PERL太阳电池电池的一 些材料和工艺，已实现产业化，Pluto多晶硅太阳电池，材料多晶硅 成本低，转换效率也已经实用。目前产业化的电池还有，丝网印刷电 池，掩埋栅电池，高效背面点接触电极电池。
III-V族太阳电池的种类：GaAs系太阳电池，InP系太阳电池， 薄膜III-V族太阳电池，量子阱/点太阳电池，多结太阳电池，热光伏 电池，分谱太阳电池，III-V族半导体中间带太阳电池。制备方法： 液相外延技术，金属有机化学气相沉积技术，分子束外延技术。近几 年，叠层电池效率的迅速提高以及聚光太阳电池技术的发展和设备的 不断改进，使聚光III-V族太阳电池系统的成本大大降低。2009年德 国已经研制出高达41.4的GaInP/GaInAs/Ge叠层太阳电池。
硅基薄膜太阳电池包括非晶硅、微晶硅薄膜太阳电池，研发的种 类有：a-SiC/a-Si异质结太阳电池，uc-Si薄膜太阳电池，非晶硅/微 晶硅串联太阳电池。制备方法较多，值得关注的新方法有热膨胀等离 子体沉积法，常压等离子气相沉积法。产业化生产技术：以玻璃衬底 的硅基薄膜太阳电池制备技术，非晶硅薄膜的柔性衬底、卷到卷太阳 电池制备技术。硅基薄膜太阳电池所需原材料少，可大面积沉积，成 本低，可沉积到柔性衬底上，柔性衬底的电池可以装在非平整的建筑 物表面上，但转化效率低，仅7.5%-8.5%，非晶硅和非晶锗硅合金电 池的光诱导衰退，是需要解决的问题。
70兆瓦非晶硅薄膜电池项目在济宁开建
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光伏产业争取更大话语权的重要举措。
薄膜太阳能是太阳能光伏技术的先进类
型。为薄膜太阳能电池制定“中国标准”，将有
利于我国光伏产业规范有序发展，有利于我国
光伏企业更好地参与国际竞争。
目前，全球光伏产业发展迅猛，我国光伏
产业发展面临巨大机遇和严峻挑战，在刚刚展
开的全球战略性新能源产业布局中，摆脱原
料、市场和核心技术设备“三头在外”、受制
于人的不利局面，谋求在全球产业链的更大话
语权，成为我们企业的当务之急。
据了解，薄膜电池标工委工作目标，除了
制定我国薄膜 阳能电池标准体系外，还包括
培训薄膜太阳能电池领域的标准化技术人才，
在产业内积极组织关键标准的推广使用，积极
参加与国际标准化工作，向政府提供太阳能电
池领域的产业建议等。 （谭强）
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太阳蘸电ｉ￣ｌｊｌｉ目蓓卢银川
据媒体报道，我国首家印刷式薄膜太阳能
电池产业化项日近日落户银川Ｉ经济技术开发
６４ ２０１ ０年第７卷第５—６期（总第３８－３９期） 区。 该项目由美国、加拿大及北京三家公司共 同投资，总投资３０亿元人民币，年产４８０兆瓦的
印刷式薄膜太阳能电池。该项目计划投资建设 １０条生产线，将于今年年底前完成公司注册、
税务登记、前期设计、工程招标等工作，明年
３月开工建设。项目建成投产后，将成为国内首
家印刷式薄膜太阳能电池产业化项目，可实现 年产值８０亿元。
据了解，印刷式薄膜太阳能电池是目前世 界上继非晶薄膜电池铜铟硒、铜铟镓硒、碲化
镉之后的最新一代薄膜太阳能电池，它改造了 传统真空式的制造工艺，采用类似油墨涂布式 的制造工艺。其光电转换率可达１５％以上，衰
非晶硅太阳能电池发展现状
非晶硅太阳能电池发展现状
非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术，它具有高效率、轻薄、柔性等特点，因此备受关注。目前，非晶硅太阳能电池的发展取得了一些进展，但仍面临着一些挑战。
首先，非晶硅太阳能电池的高效率是其最大的优势之一。与传统的多晶硅太阳能电池相比，非晶硅太阳能电池在光电转换效率上有着明显的优势。然而，目前非晶硅太阳能电池的效率仍然有待提高，特别是在低光照条件下的性能仍有待改善。
其次，非晶硅太阳能电池的轻薄柔性特点也为其在一些特殊应用场景中提供了更多可能性。例如，可以应用于建筑一体化、户外休闲用品等领域。然而，目前非晶硅太阳能电池的生产成本仍然较高，导致其在大规模商业应用中受到限制。
另外，非晶硅太阳能电池的稳定性和寿命也是当前亟待解决的问题。由于其材料特性，非晶硅太阳能电池在长时间使用后可能会出现性能下降的情况，这也是目前产业界普遍关注的问题之一。
总的来说，非晶硅太阳能电池作为一种新型的太阳能电池技术，具有很大的发展潜力。随着技术的不断进步和成本的不断降低，相信非晶硅太阳能电池将会在未来得到更广泛的应用。同时，需要产业界和科研机构共同努力，解决其在效率、成本、稳定性等方面的挑战，推动非晶硅太阳能电池技术的进一步发展。