西安电子科技大学学报(自然科学版)格式
电子科技大学学报投稿格式
《电子科技大学学报》投稿格式鉴于本刊编辑部的稿件采用Word2000软件(OFFICE97系列)排版，请您在论文撰写或修改时，参照以下格式书写，将论文文件按Word文档要求拷贝软盘后送交本刊编辑部。
1 页面设置纸张大小采用“自定义”：宽度——22 cm；高度——31 cm。
正文上空：3 cm；下空：3.49 cm；左空：3 cm；右空：2.4 cm。
2 文档设置在“格式”菜单中，将全文设置为：1) 段落——(1) 行距：固定值为15.6磅；(2) 对齐方式：两端对齐。
2) 字体——中文：宋体；英文：Times New Roman。
3) 字号——5号。
4) 中英文标题、姓名、单位、摘要通栏排版，正文部分双栏排版。
3 论文层次总标题——小二号黑体居中；作者——四号仿宋居中；作者单位、城市、邮政编码——六号宋体居中。
一级标题1 ⨯⨯⨯⨯——四号黑体顶格排序；二级标题1.1 ⨯⨯⨯⨯——五号黑体顶格排序；三级标题1.1.1⨯⨯⨯⨯——五号楷体顶格排序；中文摘要、参考文献——小五号楷体；英文摘要——五号Times New Roman。
4 作者简介和基金项目1) 基金项目：指论文产出资助的部省级以上的基金项目及编号，多项基金列出时，其间应用“；”隔开。
2) 作者简介内容：出身年，性别，学位，职称，研究方向。
5 数理符号正体用法1) 计量单位，如kg、rad、mol、lm、μA等；2) 数学符号(1) 固定意义的函数符号，如sin、tanh、arccot、exp、lim、lg、ln、e (自然对数的底)等；(2)运算符号，如div、grad、d (微分号)、∆ (有限增量符号)、ent、j和i (虚数)等；(3) 有特定意义的缩写字，如max、min、def、Re、Im、const等。
(4) 下角标中的非物理量。
6 数理符号斜体用法1) 量符号，如T (温度)、Φ (粒子注量)等；2) 变数及变动的函数，如x 、y ，函数g (x )、f (y )，参数a 、b 、c 。
《西安电子科技大学学报》2010年度(87卷)中文总日次
最差 性 能最优 的稳健 波 束形成 算 法 ……… … ……… …… …… …… …… ……… … … 刘聪锋 ，廖桂 生 （ １・１ ） ＯＦ ＤＭＡ 系统 小 区间干 扰调度 协调 算法 … …… …… …… …… …… …… ……… …… 付 少忠 ，葛建华 （ ８ １・ ）
一
种 可提 高安 全通 信距 离 的诱 骗 态量子 密钥 分发 方案 …… …… … 刘 丹 ，裴 昌幸 ，权 东晓 ，等 （ １ ） １・ ３
用 于非监督 特 征选择 的免疫克 隆 多 目标 优化 算法 ……… … ……… 尚 荣华 ，焦李成 ，吴 建设 ，等 （ １ ） １・ ８
干扰 信道 中基 于竞 争博 弈 的准最佳 功率 分 配方案 …… …… ……… …… ……… … 景振 海 ，白宝明 （ ２ ） １・ ３
一
种 Ｎｏ Ｃ路 由器 间互连 线 的 自适 应驱 动方法 …… ……… …… …… 刘 毅 ，杨银 堂，梅 伟锋 ，等 （ ２ ） １・ ８ …… …… …… …… ……… …… …… 鲍 亮 ，陈 胜 ， 宋胜 利 ，等 （ ３ ） １・ ３
两 个前 向安全 盲签 名体制 的安 全性 分析 … …… …… ……… …… … 邱 钢 ，王 宏 ， 肖 鸿 ，等 （ １ ７ １・ ０ ）
一
种 分析 大型 阵列天 线散 射 的新方法 …… ……… …… …… …… …… … 袁宏 伟 ，龚 书喜 ，王 文 涛 （ １・１ ３ １） ……… …… …… …… …… ……… …… 陈玉峰 ，李志武 （ １・１ ９ １）
直接 时差 计数超 宽带 标签定 位 系统 … …… …… ……… …… …… …… … 黄冬 艳 ，林 基 明 ，王 波 （ １・１ ３ ６）
《长治学院学报》(自然科学版)参考文献著录格式规范及示例
一、著录原则和要求（一）每篇文献必须是作者亲自阅读过的；（二）应以国内外有代表性的学术期刊文献为主，未公开发表的资料、文件不得作为参考文献引用；（三）综合述评的参考文献一般为30篇以上，其他文章的参考文献一般不少于10篇；（四）作者应注意查阅国内外网络期刊、数据库和图书馆现刊的最新文献并引用。
二、中文参考文献著录格式及体例要求参考文献是本刊是否接受投稿的重要依据。
参考文献采用顺序编码制，参考文献著录序号按照引用文献在论文中出现的先后顺序，连续编号不能遗漏或颠倒；序号置于方括号内，排列在文中相应位置右上角，同一文献在文中被反复引用者，均用第一次出现的序号标示，每一条文献最后均以实心点结束。
论文中引用文献时，视具体情况将序号作为右上角标，或作为语句的组成部分。
如“**［1］**［2-3］***［2-6］对******作了研究，结果见文献［7］”。
文献的作者3人以内全部列出，4人以上则列出前3位，后加“，等”或“， et al”，不同作者姓名间用逗号隔开；外国人姓名采用姓前名后著录法，姓大写，名可缩写，并省略缩写点“.”。
所有中文参考文献著录格式中的句号采用中文全角状态下的“．”表示，所有西文参考文献著录格式中的标点符号采用西文半角符号，后空一格。
文献类型标志：普通图书M，会议录C，汇编G，报纸N，期刊J，学位论文D，报告R，标准S，专利P，数据库DB，计算机程序CP，电子公告EB，档案A，舆图CM，数据集DS，其他Z。
电子文献载体类型标志：磁带MT，磁盘DK，光盘CD，联机网络OL。
（一）期刊文章［序号］作者．题名［J］．刊名，年份，卷号（期号）：起止页码．例如：［1］周庆荣，张泽廷，朱美文，等．固体溶质在含夹带剂超临界流体中的溶解度［J］．化工学报，1995，46（3）：317-323.（二）专著［序号］主要责任者．书名［M］．版次（初版不列）.出版地：出版单位，出版年：起止页码．例如：［2］蒋挺大．亮聚糖［M］．北京：化学工业出版社，2001：127-128.（三）论文集［序号］作者.题名［C］.出版地：出版年：起止页码. 例如：［3］辛希孟．信息技术与信息服务国际研讨会论文集：A集［C］．北京：中国社会科学出版社，1994：7-8．（四）专著或论文集中析出的文献［序号］主要责任者．题名［文献类型标志］//编者．书或文集名．出版地：出版者，出版年：起止页码．例如：［4］郭宏，王熊，刘宗林．膜分离技术在大豆分离蛋白生产中综合利用的研究［A］//余立新．第三届全国膜和膜过程学术报告会议论文集．北京：高等教育出版社，1999：421-425.［5］钟文发．非线性规划在可燃毒物配置中的应用［C］//赵玮．运筹学的理论与应用——中国运筹学会第五届大会论文集．西安：西安电子科技大学出版社，1996：468-471.（五）学位论文［序号］主要责任者．题名［D］．保存地点：保存单位，年份．例如：［6］ 陈金梅．氟石膏生产早强快硬水泥的试验研究［D］.西安：西安建筑科学大学，2000．（六）报纸［序号］主要责任者．题名［N］．报纸名，年月日（版次）.例如：［7］陈志平．减灾设计研究新动态［N］．科技日报，1997-12-12（5）．（七）专利［序号］专利申请者或所有者．专利题名［P］．专利国别，专利号．公告日期或公开日期．例如：［8］姜锡洲．一种温热外敷药制备方案［P］．中国，881056073．1989-07-26．（八）技术标准［序号］标准代号 标准顺序号－发布年，标准名称［S］.例如：［9］ISO1210-1982，塑料——小试样接触火焰法测定塑料燃烧性［S］．（九）电子文献［序号］主要责任者．题名：其他题名信息［文献类型标志／OL］.出版地：出版者，出版年（更新或修改日期）［引用日期］．获取和访问路径．例如：［10］刘江．假如陈景润被量化考核［N/OL］．新华每日电讯，2004-03-12（7）［2004-04-04］．/ccnd/mainframe.asp?encode=gb&display= Chinese.三、外文参考文献著录格式及体例要求外文文献格式与中文文献示例基本相同，其中题名的首字母及各个实词的首字母应大写。
《西安电子科技大学学报》投稿须知(官方认证)
《西安电子科技大学学报》投稿须知（官方认证）感谢你对本刊的信任和支持。
为了更好地为你服务，保证你的稿件能够顺利通过专家审稿，乃至及时录用发表，请仔细阅读以下投稿要求。
西安电子科技大学学报编辑部开始启用新邮箱：******************在线投稿、查询稿件等当前状态。
我校学报已被Ei收录，为我校对外学术交流和优秀科研成果的推广创建了良好的平台，我们要重视和珍惜这一资源。
为了提高学报的学术水平和质量，巩固学报在Ei的核心地位，提高检索率，希望广大作者认真写好论文和摘要。
投稿的具体要求如下：1. 本刊面向国内外公开征稿，校外作者的稿件要求创新性突出，选题要接触本学科前沿。
优先录用省（部）级以上政府基金(如自然科学基金、科技攻关、973、博士点基金等)资助项目产生的研究成果。
来稿时请附项目名称和编号。
2.本刊突出“电子信息和机电一体化”特色，主要包括通信与信息工程、信号与信息处理、计算机科学与技术、物理电子学、机械制造与自动化、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、应用数学（应用于电子科学方面）、密码学、无线电物理以及有关交叉学科。
一般不接受纯数学、物理、化学、生物、管理等学科的校外稿件。
3. 为了提高学报的整体质量和水平，欢迎我校广大教师和博士研究生将有创新性、有一定研究深度、有较高的学术水平、具有较大参考价值的稿件投向学报。
4.所有研究生的投稿，必须经导师审阅并签字，避免学术争议和有损导师声誉的现象发生。
5. 必须重视摘要的撰写，要树立为读者服务的意识。
读者包括同行、咨询者、检索者和文献编制者。
摘要与正文具有同等的重要性，对于进入检索尤为重要。
因此，请大家注意以下几点。
⑴摘要属二次文献，必须是能够脱离正文而独立存在的短文。
其内容是正文内容的要点，包括目的（研究对象、解决的问题）、方法（所用理论、条件、材料、手段等）及结果和结论，即四大要素。
要求在有限的空间内包含足够多的信息量。
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN_AlGaN_王冲
收稿日期:2005-09-09基金项目:国家重大基础研究项目(973)资助(2002C B311904);国家部委预研项目资助(41308060106)作者简介:王 冲(1978-),男,西安电子科技大学博士研究生.感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN A /lGaN王 冲,冯 倩,郝 跃,杨 燕(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071)摘要:采用Cl 2/Ar 作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN 、Al 0.27G a 0.73N 材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN 与Al 0.27Ga 0.73N 之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl 2/A r 为3:1的刻蚀气体中加入10%的O 2对G aN 刻蚀速率影响不大,却使Al 0.27Ga 0.73N 刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN 与Al 0.27Ga 0.73N 之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的A l 0.27Ga 0.73N 材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大.关键词:感应耦合等离子体;刻蚀速率;选择性刻蚀;选择比;刻蚀损伤中图分类号:T N325+.3 文献标识码:A 文章编号:1001-2400(2006)04-0520-04Selective etching of GaN /AlGaN by Inductively coupled plasmaW A NG Chong ,FE NG Qian ,H AO Y ue ,Y ANG Yan(M inistry of Edu.K ey Lab.o f Wide Band G ap Semico nductor M aterials and Devices ,Xidian Univ.,Xi ′an 710071,China )A bstract : A sy stema tic study of etch r ates and selectivities o f G aN and A l 0.27G a 0.73N at differentpr ocessing terms is perfo rmed using Cl 2/A r inductively coupled plasma.Selectivity betw een G aN andAl 0.27G a 0.73N decreases with the increasing D C bias and chang es a little w ith ICP pow er.A dding O 2(10%)to Cl 2/A r (3:1)g as mix ture has little effect o n etch rates of GaN ,but leads to a g reat reductionin e tch r ate s of A l 0.27G a 0.73N ,thus impr oving selectiv ity between G aN and A l 0.27G a 0.73N.Scho ttkychar acte ristics at different e tching DC biase s a re contr asted ,with the result that the leakage cur rentinc reases with the enhanced DC bias.Key Words : Inductively coupled plasma ;etching r ates ;se lective e tch ;selectivity ;e tching damage基于AlGaN /GaN 异质结的高电子迁移率晶体管(H EM T )在高温器件及大功率微波器件方面有非常好的应用前景[1].在H EM T 结构中多采用槽栅结构[2],即在AlGaN /G aN 异质结上生长一层n +GaN 层作为帽层有利于欧姆接触,而在器件制作工艺中要刻蚀掉帽层,在AlGaN 材料上制作肖特基栅来防止n +GaN 层上的肖特基栅漏电过大,这就要求对GaN /AlGaN 进行选择性刻蚀.由于Ga -N 键能达到8.92eV ,Al -N 键能达到11.52eV ,采用传统的湿法刻蚀GaN /A lGaN 材料很难获得满意的效果.干法刻蚀技术具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点,所以反应离子刻蚀(RIE )[3]、电子回旋共振等离子体(ECR )[4]、感应耦合等离子体(ICP )[5]等多种干法刻蚀方法被应用于GaN 及相关材料的刻蚀中.ICP 以其廉价的等离子体和高刻蚀速率等特点在GaN 基电子器件工艺中被广泛应用.ICP 工艺参数的优化及刻蚀气体配比对器件刻蚀工艺非常重要.目前国内对于AlGaN /GaN H EM T 的槽栅刻蚀研究还未见报道,笔者在分析了ICP 工艺参数及O 2的加入对GaN 、Al 0.27Ga 0.73N 刻蚀速率和选择比影响的基础上对GaN /AlGaN 选择性刻蚀的工艺条件进行了研究,并对比了A lGaN 刻蚀前后肖特基特性的变化.2006年8月第33卷 第4期 西安电子科技大学学报(自然科学版)JOUR NAL OF XIDI AN UNIV ER SI TY Aug.2006Vol.33 No.41 实 验GaN 、A l 0.27Ga 0.73N 材料刻蚀研究采用国产ICP 刻蚀机.该ICP 系统具有两个独立的13.56M H z 射频功率源,其中一个连接到反应室外的电感线圈上使反应室内气体产生辉光放电,另一个连接在反应室底部的射频源提供了偏置电压,给等离子体提供一定的能量,达到垂直作用于基片的目的.在每次刻蚀之前,都保证反应室内的真空度达到1x 10-3Pa 以下.刻蚀材料选用MOCVD 方法在(0001)面单面抛光蓝宝石衬底上生长的GaN 和Al 0.27Ga 0.73N 材料.Al 0.27Ga 0.73N 材料的Al 组分由材料的透射谱曲线计算得出.对生长AlGaN /GaN 异质结选用Al 组分为27%是最有利于提高H EM T 特性的,不同的A l 组分与本实验27%的A l 组分实验结果大致相同,仅由于Al 组分增大时GaN /AlGaN 选择比会略微增大,AlGaN 刻蚀速率会略微减小.在刻蚀前采用1:10的H Cl 去除材料表面氧化层.刻蚀材料时采用等离子体辅助化学气象淀积(PECVD )法淀积SiO 2作为掩模.刻蚀深度采用Am bios XP -1表面形貌分析仪进行测量,每个样品上至少测量5个点进行测量值平均后得到刻蚀深度.对A l 0.27Ga 0.73N 刻蚀前后制作肖特基二极管进行电特性的对比,肖特基结构采用环状结构,外环内外径分别为140μm 和220μm ,电子束蒸发Ti /Al /Ti /Au (30nm /150nm /50nm /60nm )在850℃的N 2中退火30s 形成欧姆接触;内圆半径为60μm ,电子束蒸发Ni /Au (30nm /200nm )形成肖特基接触.使用H P4156B 精密半导体参数测试仪对肖特基二极管电特性进行测量.2 结果及其分析下面是Cl 基等离子体刻蚀GaN 材料的反应方程式:GaN +io n Ga *+N * ,(1)N *+N * N 2 ,(2)Ga *+x Cl GaCl x .(3) 第1步中,材料表面的Ga -N 键在离子轰击下破裂,产生活性的Ga 和N 原子.第2步中N 原子相互结合形成容易析出的N 2.第3步中Ga 原子和Cl 离子生成易挥发的GaCl 2或GaCl 3.从这几步过程中也可以看出离子密度和能量对刻蚀速率的重要影响.图1 GaN 和AlGaN 刻蚀速率、选择比随ICP 功率的变化图2 G aN 和A lGa N 刻蚀速率、选择比随自偏压的变化 从图1可看出,增大ICP 射频功率,GaN 和AlGaN 刻蚀速率随之增加,这是由于反应物浓度的增加和溅蚀材料的离子流浓度的增加加强了材料化学键的断裂和对材料表面的溅蚀作用.从图2可看出,GaN 和521第4期 王 冲等:感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN /A lGaNAlG aN 的刻蚀速率随着偏压或离子能量的增加单调地增长,刻蚀速率的增加是由于高能量的离子能更有效地击破材料的化学键,同时更有利于刻蚀产物从表面被溅蚀去除.图1和2所示刻蚀过程中其他刻蚀参数为:Cl 2流量30m l/min ,Ar 流量10ml /min ;压力1Pa ;自偏压150V ;ICP 功率500W.由于GaN 材料中G a —N 的键能为8.92eV ,而AlGaN 中Al —N 的键能为11.52eV ,所以在相同刻蚀条件下AlGaN 比GaN 的刻蚀速率慢.图1中GaN 和A lGaN 的选择比随ICP 功率的增大基本不变,而图2中两者的选择比在自偏压由20V 增大到50V 的过程中由9逐渐减小到1.5,在自偏压由50V 增大到120V 过程中逐渐接近1.选择比随自偏压变化是由于AlGaN 材料刻蚀速率在自偏压小于50V 时随自偏压的增大速率增加缓慢,当自偏压大于50V 时刻蚀速率迅速增大,而G aN 的刻蚀速率从20V 到120V 一直随自偏压增大而增大.图3 无O 2和有O 2参与下GaN 和A lG aN的刻蚀速率随反应室压力的变化图4 无O 2和有O 2参与下GaN 和A lGaN的选择比随反应室压力的变化 图3和4是在无O 2和有O 2参与条件下GaN 和AlGaN 的刻蚀速率及选择比随反应室压力的变化情况.刻蚀条件为:Cl 2流量30ml /min ,Ar 流量10ml /min ,O 2流量4m l/min ;ICP 功率500W ;自偏压150V.刻蚀气体中加入O 2前G aN 和AlGaN 刻蚀速率相差不大,压力小于1Pa 时的速率增加表明在低压下反应物的增加主要影响刻蚀速率提高,在压力大于1Pa 后刻蚀速率都随压力的增大而下降,这是由于气体分子的平均自由程变小及二次淀积和聚合物的形成降低了刻蚀速率.O 2的加入使得AlG aN 的刻蚀速率大大下降而GaN 的刻蚀速率下降较少,明显增加了刻蚀选择比.当有氧气参与反应时,反应室压力为1Pa 时选择比达到最大值17.8.由于A l —O 的键能高达21.2eV ,在刻蚀AlGaN 材料时加入O 2会生成氧化层,高键能的Al —O 键明显降低了A lGaN 的刻蚀速率,而O 2的加入对GaN 的刻蚀速率影响要比AlG aN 小得多.图5 G aN 和A lG aN 的刻蚀速率及选择比随O 2流量的变化图6 AlGaN 上肖特基反向漏电随自偏压变化的比较 图5为GaN 和AlGaN 的刻蚀速率及选择比随O 2流量的变化关系,刻蚀条件为:Cl 2流量30ml /min ,522 西安电子科技大学学报(自然科学版) 第33卷Ar 流量10ml /min ,O 2流量从0～16m l/min ;ICP 功率500W ;自偏压150V.当O 2的流量大于4m l /min 后AlG aN 的刻蚀速率迅速减小到20nm /min 左右并随流量增大基本不变;而GaN 的刻蚀速率随O 2流量的增大逐渐下降,这是由于反应室压力增大以及C l 离子百分比下降所引起的速率下降.GaN 和AlGaN 的刻蚀选择比在O 2的流量为4m l /min 时达到最大值17.2.等离子体引起的刻蚀损伤对化合物半导体器件的电特性和光特性[6]都有着显著的影响.由于GaN 材料稳定的化学性质,相比其他材料在刻蚀GaN 中所使用的刻蚀条件要求有更高的功率、偏压和等离子体密度,这样就更容易发生刻蚀损伤.材料被刻蚀后会造成材料的组成元素的比例失配,GaN 材料在Cl 基ICP 刻蚀后,材料表面处的Ga 和N 的比例会发生明显的变化,N 的含量显著减小,形成大量N 空位[7].形成元素比失配的主要原因是在刻蚀过程中高能离子的轰击下,N 元素更容易形成可挥发的物质而流失,轰击能量越高,Ga 和N 的比例失配越大.刻蚀中产生的大量N 空位,使得肖特基特性变坏,泄漏电流增大,击穿电压减小[8].肖特基的二极管反向饱和电流的大小可以用公式J sT =A *T 2exp (-q Bn /(K T ))来表示.刻蚀损伤情况越严重肖特基的反向漏电也越大,势垒高度及理想因子都会受到影响.图6表示肖特基在刻蚀前后及不同自偏压刻蚀下的反向漏电比较,反向漏电随自偏压的增大逐渐增大,其他刻蚀参数为:Cl 2流量30ml/min ,Ar 流量10ml /min ,O 2流量4ml /min ;ICP 功率500W ;反应室压力1Pa.未刻蚀材料肖特基反向漏电-6V 时为16μA ,在50V 自偏压刻蚀后漏电增大3倍,而100V 和150V 刻蚀后材料肖特基反向漏电增大了两个数量级.3 结 论以上分析了ICP 功率、自偏压、压力几个关键工艺参数及O 2加入反应气体对GaN 、Al 0.27Ga 0.73N 刻蚀速率及选择比的影响.GaN 和A lGaN 的选择比受ICP 功率影响较小,受自偏压影响较大,在自偏压20V 为最大值9,在50V 为1.5;O 2的加入提高了两者的选择比,在压力为1Pa 时达到最大值17.8,O 2流量增大到4ml /min 时选择比达到最大,而后随O 2流量继续增大逐渐减小.对采用不同偏压刻蚀下材料肖特基反向漏电与未刻蚀材料作了对比,反向漏电随自偏压的增大逐渐增大.刻蚀气体中O 2的加入能明显提高H EM T 槽栅刻蚀中GaN /A lGaN 的选择性,为了更好地控制刻蚀过程,同时保证速率,氧流量采用4ml /min ,刻蚀中选择较低的自偏压40V ,适中的ICP 功率500W ,压力1Pa 左右,能获得较高的选择比和较小的刻蚀损伤.参考文献:[1]W ang Chong ,Hao Yue ,Zhang Jinche ng.Development and Cha racteristics of AlGaN /G aN HEM T [J ].Jo urnal of XidianU niversity ,2005,32(2):234-236.[2]Eg awa T ,Ishikawa H ,Umeno M ,et al.Recessed G ate AlGaN /G aN M ODF ET on Sapphire [J ].A ppl Phy s Lett ,1999,76(1):121-126.[3]Adesida I ,M ahajan A ,A ndideh E ,et al.Reactive Io n Etching o f Gallium Nitride in Silicon T etrachlo ride P lasmas [J ].Appl.Phys.Lett ,1993,63(3):2777-2781.[4]Pear to n S J ,A be rnathy C R ,Re n F ,e t al.Dry a nd W et Etching Characteristics o f I nN ,A lN and G aN Deposited byElectro n Cyclotr on Reso na nce M olecular Beam Epita xy [J ].J V ac Sci T echno l A ,1993,(11):1772.[5]Shul R J ,M cClellan G B ,Casalnuo vo S A ,et a l.Inductively Coupled Plasma Etching o f G aN [J ].A ppl.Phy s.Lett ,1996,69(4):1119-1123.[6]Lee J M ,Chang K M ,Kim S W ,et al.D ry Etch Damage in n -type G aN and Its Recov ery by T rea tme nt with an N 2Pla sma [J ].Jounal of Applied Phy sics ,2000,87(11):7667-7670.[7]Buttari D ,Chini A ,M eneg hesso G ,et al.Systematic Cha racterizatio n of Cl 2Reactive Io n Etching fo r Improv ed Ohmics inAlGaN /G aN HEM T s [J ].I EEE Electr on Device L etters ,2002,23(2):76-78.[8]Shul R J ,Z hang L ,Baca A G ,et al.Inductiv ely Coupled Hig h -density Plasma -induced Etch Damage o f GaN M ESF ET s[J ].So lid -State Elect ronics ,2001,45(1):13-17.(编辑:郭 华) 523第4期 王 冲等:感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN /A lGaN。
自然科学中文核心期刊分级
附表１：
自然科学中文核心期刊分级一、自然科学综合类核心期刊(13３种）
二、数学学科核心期刊（１7种)
三、物理学学科核心期刊(２1种）
四、化学学科核心期刊（23种）
ﻬ地球物理学学科核心期刊（１０种）
地质学学科核心期刊(30种）
ﻬ地理学学科核心期刊（１９种)
生物科学学科期刊(27种）
系统科学学科期刊（３种)
统计学学科期刊（４种)
力学学科期刊（1２种）
ﻬ机械工程学科期刊（33种)
ﻬ材料科学与工程学科期刊（３７种）
ﻬ冶金工程学科核心期刊（3３种)
ﻬ动力工程及工程热物理学科核心期刊（１4种)
电气工程学科核心期刊(30种）
电子科学与技术学科核心期刊(４2种)
计算机科学与技术、软件工程学科核心期刊(16种）
控制科学与工程学科核心期刊（１5种)
建筑学学科核心期刊（２０种)
土木工程学科核心期刊(1３种）
ﻬ测绘科学与技术学科核心期刊（8种）
化学工程与技术学科核心期刊(36种)
矿业工程学科核心期刊(１4种)
石油与天然气工程学科核心期刊（２9种）
运输工程学科核心期刊（23种）
ﻬ农业工程学科核心期刊（20种)
环境科学与工程学科核心期刊（1９种）
ﻬ安全科学与工程学科核心期刊（５种）
基础医学学科核心期刊（58种)
临床医学、护理学学科核心期刊(2０种）
公共卫生与预防医学学科核心期刊（2６种）
ﻬ药学学科核心期刊(30种)。
电子科技大学常见一级期刊基本目录-电子科技大学图书馆
电子科技大学常见一级期刊基本目录
一、一级期刊论文范围
1．一级期刊一般应是同行专家公认的，由国家有关部委或国家一级学会（协会）主办并具有较大影响的核心期刊；一级期刊的外文版可视为一级期刊；在一级期刊发表的学术论文为一级期刊论文；
2．在国外期刊上发表的学术论文，由专业技术职务学科评议组专家认定是否属于一级期刊论文；
3．对被索引源（SCI、EI（光盘版）、ISTP、CSIC、SSCI、A&HCI、ISSHP）检索收录的学术论文，及全文发表在《人民日报》、《光明日报》学术版，被人大复印资料和《新华文摘》转载的学术论文，可视为一级期刊论文；
4．《电子科技大学学报》（自然版）上发表的学术论文，在申报高级专业技术职务必备条件或选择条件所要求的一级期刊篇数中可占一篇。
二、理、工、管、文学科常见一级期刊目录（见附一）
三、教育、技术管理、艺体、财会、图档、出版常见一级期刊目录（见附二）
附一
理、工、管、文学科常见一级期刊目录
附二
教育、技术管理、艺体、财会、图档、出版常见一级期刊目录
关于新增常见一级期刊的通知
校内各单位：
根据2006年4月13日校长办公会精神，为加强基础课教师队伍建设，新增以下期刊为我校晋升专业技术职务常见一级期刊：
特此通知。
人事处
二○○六年五月十日。
什么是“文献标识码”
什么是“文献标识码”？答：文献标识码是《中国学术期刊（光盘版）》的规范要求。
按照论文的性质，其文献标识码分为A、B、C、D、E五类。
具体为：A----理论与应用研究学术论文（包括综述报告）；B----实用性技术成果（科技）、理论学习与社会实践总结（社科）；C----业务指导与技术管理性文章（包括领导讲话、特约评论等）；D----一般动态性信息（通讯、报道、会议活动、专访等）；E---文件、资料（包括历史资料、统计资料、机构、人物、书刊、知识介绍等）。
作者可以根据上述分类原则，对所写文章标识一个文献标识码。
EI网络版EiCompendexWeb是由《工程索引》和《Ei PageOne》合并的Internet版本，该数据库每年新增500000条工程类文献，数据来自5100种工程类期刊、会议论文和技术报告，其中2600种有文摘。
90年代以后，数据库又新增了2500种文献来源。
化工和工艺的期刊文献最多，（约占15%），计算机和数据处理占12%，应用物理占11%，电子和通信占12%，另外还有土木工程（占6%）和机械工程（占6%）等。
大约22%的数据是有主题词和摘要的会议论文，90%的文献是英文文献。
数据库每周更新数据。
Ei收录论文的两个档次1) Compendex Compendex系Computerized Engineering Index的缩写，即计算机化工程索引，为全记录式。
该数据库的文字出版物即为《工程索引》（也即光盘版和印刷版）。
它收录论文的题录、摘要、标引主题词和分类号等，并进行深加工；有没有主题词和分类号是判断论文是否被Compendex 数据库正式收录的唯一标志。
2) Ei Page One 题录。
一般不录入文摘，不标引主题词和分类号。
有的Page One 也带有摘要，但未标引主题词和分类号。
所以带有文摘不一定算做正式进入Compendex 数据库。
Ei来源期刊的三个档次①核心期刊， Compendex 数据库收录重点是下列主要工程学科：化学工程，土木工程；电子/电气工程，机械工程，冶金、矿业、石油工程，计算机工程和软件。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第X卷第X期JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY V ol.XX No.X doi：10.3969/j.issn.1001-2400.2XXX.0X.0
中文题目（小2号，占4行，居中）
××2,1，×××3，×××3,1（4号仿宋，占1行，居中）
(1. 西安电子科技大学×××××，陕西西安710071；
2．西安电子科技大学×××××，陕西西安710071；
3. 西安电子科技大学×××××，陕西西安710071)（小5号楷体）
摘要：华文楷体（小5号）(中文摘要及关键词左右各缩进2个字符)
关键词：华文楷体（小5号）
中图分类号：文献标识码：A文章编号：1001-2400(2XXX)0X-0-0（小5号）
Software implementation of the dynamic modeling code(4号黑，占4行，居中) MO Mo2,1, MO Momo3, MO Momo3,1(5号斜，占1行，居中)
(1. School of Electronic Engineering, Xidian Univ., Xi’an 710071, China; 2. School of Electronic Engineering,
Xidian Univ., Xi’an 710071, China; 3. School of Electronic Engineering, Xidian Univ., Xi’an 710071,
China)(小5号)
Abstract: （小5号）
Key Words: （小5号）
（空1行）(英文摘要及关键词左右各缩进2个字符)。
正文(5号宋体)
1题目名(4号黑，占3行，居左)
正文(5号宋体)
1.1题目名（5号黑，占1行，居左）
正文(5号宋体)
1.1.1题目名（5号仿宋，占1行，居左）
正文(5号宋体)
______________________________
收稿日期：网络出版日期：
说明：（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
1．首页篇眉格式如第1页篇眉所示（无页码）。
2．偶数页篇眉格式如本页篇眉所示（页码在上，居左）。
3．奇数页篇眉格式如第3页篇眉所示（页码在上，居右）。
4．所有的页眉，脚注均为小5号，宋体。
5．表题居中：表1统计结果（5号黑）。
文中表格采用三线表。
表格中的文字为小5号宋体。
表题为5号黑体居中。
（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
6. 文中串文图的尺寸控制在65mm×70mm(高×宽)以内。
通栏图(以(a)~(c)三个并排图为例)的尺寸控制在70 mm×160mm(高×宽)以内，如果图比较大（如(a)~(m)这种大图），其宽度最好控制在160mm以内。
所有图中的文字均为6号宋体。
（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
7．图题：图1 XXX示意图（小5号楷体）。
（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
8．全文所有外文白体均指: Times New Roman。
9．页面设置
纸型大小：自定义大小，宽22cm，高29.7cm，单倍行距。
文档网格：选中“指定行网格和字符网格”，每行46个字符，跨度10.5磅；每页44行，跨度:15.6磅。
版式：页眉页脚：同时选中“奇偶页不同”“首页不同”。
【提示】直接使用本文档的页面设置参数即可
10．正文中所有向量、矩阵变量均用黑斜体字母表示，标量变量均用白斜体字母表示。
变量尽量用单个字母（可以带上下标）表示。
常数和文字均用正体字母表示，如自然数e、虚数单位i或j、圆周率π。
11. 公式：公式居中，公式号居右。
公式转行时所有的行末均以运算符号结束，而不能将运算符号移至下行行首；公式中的字符为5号字。
（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
参考文献：（5号黑体，占2行，居左）（具体格式参见附件：学报版式样张.pdf）
[1] 小5号（居左）
第X期×××等：中文题名 3 奇数页篇眉格式如本页篇眉所示（页码在上，居右）。