半导体器件附答案
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
半导体发光器件试题及答案
半导体发光器件一、1. 590nm波长的光是黄光；380nm波长的光是紫光（填颜色）,可见光的波长范围是380－780 nm。
2. LED TV背光源常用到的LED芯片型号为2310，其尺寸为23mil×10mil，即584.2 um×254 um。
1mil＝25.4um3. 发光二极管的亮度用__L_符号表示,单位是cd/m² .4、目前市场主流的白光LED产品是由蓝光芯片产生的蓝光与其激发YAG荧光粉产生的黄光混合而成的，且该方面的专利技术主要掌握在日本日亚化学公司手中。
5、色温越偏蓝，色温越高（冷），偏红则色温越低（暖）。
6、对于GaAs、SiC衬底的大功率LED芯片，采用银胶来固晶；对于蓝宝石绝缘衬底的LED 芯片，采用双电极或V型型电极，利用绝缘胶来固定芯片。
7. 银胶的性能和作用主要体现在：固定芯片、导电性、导热性。
二、1. ＬＥＤ灯具的光是聚光还是散光的？（A）A. 两者都有B. 聚光C. 散光D. 两者皆无2. 对于多芯片集成的大功率LED进行封装时，下列说法错误的是（ B ）p57A. 要对LED芯片进行严格挑选，正向电压相差应在±0.1V之内，反向电压要大于10VB. 排列芯片时，要让芯片之间没有间隙C. LED芯片要保持高度一致，D. 铝基板挖槽的大小和深度，要根据芯片的多少和出光角度大小来确定3. 下列关于数码管说法中，不正确的是（D）p41A. 数码管是一种平面发光器件B. 反射罩式数码管具有字形大、用料省、组装灵活的优点C. 数码管一般采用共阴极或者共阳极电路D. 4位0.4英寸的单色数码管需要用到28个LED芯片，组成4个“日”字4. 大功率LED的L型电极封装方式中，芯片与热沉之间用的粘结材料为（B）P54A. 金锡合金或银锡合金B. 导热硅胶C. 环氧树脂D. 绝缘胶5. 光效和照度的单位分别是？（B）P104A. Lm, luxB. Lm/w, luxC. Lm, lm/wD. Lm/w,MCD6. 以下哪种指的是反向电压（D）P97A. IRB. VFC. IFD. VR7. LED路灯的设计中，需要注意的是（B）A. 灯具到达路面的亮度应该均匀B. 路面的照度应该均匀一致C. 灯具的配光曲线要符合朗伯曲线D. 路灯的亮度越高越好8.以下哪种不是LED的正极表示方式 (D )A. +B. PC. 阳极D. 阴极9.以下哪种不是发光二极管的优点 ( B )A. 体积小B. 色彩丰富 C:节能 D:单颗亮度高10.LED作为汽车的刹车灯是因为 ( C )A. 体积小B. 色彩鲜艳C. 反应速度快D. 省电11.目前我国常用蓝光芯片的材质为 ( C )A. InGaPB. InGaAsC. InGaND. InGaAl12．下列哪种材料不能作为LED的衬底材料。
半导体器件物理习题答案
半导体器件物理习题答案1、简要的回答并说明理由：①p+-n结的势垒宽度主要决定于n 型一边、还是p型一边的掺杂浓度？②p+-n结的势垒宽度与温度的关系怎样？③p+-n结的势垒宽度与外加电压的关系怎样？④Schottky 势垒的宽度与半导体掺杂浓度和温度分别有关吗？【解答】①p+-n结是单边突变结，其势垒厚度主要是在n型半导体一边，所以p+-n结的势垒宽度主要决定于n型一边的掺杂浓度；而与p型一边的掺杂浓度关系不大。
因为势垒区中的空间电荷主要是电离杂质中心所提供的电荷（耗尽层近似），则掺杂浓度越大，空间电荷的密度就越大，所以势垒厚度就越薄。
②因为在掺杂浓度一定时，势垒宽度与势垒高度成正比，而势垒高度随着温度的升高是降低的，所以p+-n结的势垒宽度将随着温度的升高而减薄；当温度升高到本征激发起作用时，p-n结即不复存在，则势垒高度和势垒宽度就都将变为0。
③外加正向电压时，势垒区中的电场减弱，则势垒高度降低，相应地势垒宽度也减薄；外加反向电压时，势垒区中的电场增强，则势垒高度升高，相应地势垒宽度也增大。
④Schottky势垒区主要是在半导体一边，所以其势垒宽度与半导体掺杂浓度和温度都有关（掺杂浓度越大，势垒宽度越小；温度越高，势垒宽度也越小）。
2、简要的回答并说明理由：①p-n结的势垒高度与掺杂浓度的关系怎样？②p-n结的势垒高度与温度的关系怎样？③p-n结的势垒高度与外加电压的关系怎样？【解答】①因为平衡时p-n结势垒（内建电场区）是起着阻挡多数载流子往对方扩散的作用，势垒高度就反映了这种阻挡作用的强弱，即势垒高度表征着内建电场的大小；当掺杂浓度提高时，多数载流子浓度增大，则往对方扩散的作用增强，从而为了达到平衡，就需要更强的内建电场、即需要更高的势垒，所以势垒高度随着掺杂浓度的提高而升高（从Fermi 能级的概念出发也可说明这种关系：因为平衡时p-n结的势垒高度等于两边半导体的Fermi 能级的差，当掺杂浓度提高时，则Fermi能级更加靠近能带极值[n型半导体的更靠近导带底，p型半导体的更靠近价带顶]，使得两边Fermi能级的差变得更大，所以势垒高度增大）。
(完整版)半导体及其应用练习题及答案
(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。
2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。
3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。
答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。
N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。
题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。
2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。
3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。
题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。
2. 简要描述MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。
3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。
半导体器件物理复习题答案
半导体器件物理复习题答案一、选择题1. 半导体材料中，导电性介于导体和绝缘体之间的是：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. PN结形成后，其空间电荷区的电场方向是：A. 由N区指向P区B. 由P区指向N区C. 垂直于PN结界面D. 与PN结界面平行答案：B3. 在室温下，硅的本征载流子浓度大约是：A. \(10^{10}\) cm\(^{-3}\)B. \(10^{12}\) cm\(^{-3}\)C. \(10^{14}\) cm\(^{-3}\)D. \(10^{16}\) cm\(^{-3}\)答案：D二、简答题1. 解释什么是PN结，并简述其工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构。
P型半导体中空穴是多数载流子，N型半导体中电子是多数载流子。
当P型和N型半导体接触时，由于扩散作用，空穴和电子会向对方区域扩散，形成空间电荷区。
在空间电荷区，由于电荷的分离，产生一个内建电场，这个电场的方向是从N区指向P区。
这个内建电场会阻止进一步的扩散，最终达到动态平衡，形成PN结。
2. 描述半导体中的扩散和漂移两种载流子运动方式。
答案：扩散是指由于浓度梯度引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动。
漂移则是指在外加电场作用下，载流子受到电场力的作用而产生的定向运动。
扩散和漂移共同决定了半导体中的电流流动。
三、计算题1. 假设一个PN结的内建电势差为0.7V，求其空间电荷区的宽度。
答案：设PN结的空间电荷区宽度为W，内建电势差为Vbi，则有：\[ V_{bi} = \frac{qN_{A}N_{D}}{2\varepsilon}W \] 其中，q是电子电荷量，\( N_{A} \)和\( N_{D} \)分别是P型和N型半导体中的掺杂浓度，\( \varepsilon \)是半导体的介电常数。
通过这个公式可以计算出空间电荷区的宽度W。
四、论述题1. 论述半导体器件中的载流子注入效应及其对器件性能的影响。
习题与答案（第2章半导体器件）（修改）
习题与答案（第2章半导体器件）（修改）习题2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺⼊；P型半导体是在本征半导体中掺⼊。
（2）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个⼯作区分别是、和。
在放⼤电路中，晶体管通常⼯作在区。
（5）结型场效应管⼯作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增⼤；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放⼤区、截⽌区和饱和区；放⼤区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升⾼后，两种载流⼦浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS⼤的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作⽤。
（）（5）晶体管⼯作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在⽆光照、⽆外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS⼤于零，则其输⼊电阻会明显减⼩。
（）答案：（1）对；温度升⾼后，载流⼦浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电⼦和空⽳的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS⼤的特点。
（4）错；稳压管要进⼊稳压⼯作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管⼯作在饱和状态和放⼤状态时发射极有电流流过，只有在截⽌状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺⼊⾜够量的三价元素，不但可复合原先掺⼊的五价元素，⽽且可使空⽳成为多数载流⼦，从⽽形成P 型半导体。
（7）对；PN结在⽆光照、⽆外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
半导体物理与器件答案
半导体物理与器件答案半导体物理与器件答案篇一：半导体物理习题及答案复习思索题与自测题第一章1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用状况以及运动状况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参加共有化运动有何不同。
答：原子中的电子是在原子核与电子库伦互相作用势的束缚作用下以电子XX的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。
当原子相互靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍旧组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参加原子间的互相作用，应当把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。
组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相像，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相像。
2.描述半导体中电子运动为什么要引入有效质量的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。
4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:有效质量愈大,能量密度也愈大,因此能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1〔k〕随k的改变状况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。
5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。
半导体器件习题及答案
半导体器件习题及答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--1第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ）3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ）4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ）15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）16、有人测得某晶体管的U BE =，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =20μA=35kΩ。
（ ）17、有人测得晶体管在U BE =，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =Ω。
（ ）18、有人测得当U BE =，I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆-（ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
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第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
（1）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷（2）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷15．当 PN 结外加正向电压时，扩散电流__（1）__漂移电流，耗尽层__（2）__，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 __（3）__漂移电流，耗尽层 __（4）__。
（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变（2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变（3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变（4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最好？表 1.6管号加 0.5V 正向 电压时的电流 加反向电压 时的电流 哪个性能好？ 甲0.5mA 1uA （） 乙5 Ma 0.1 uA （） 丙 2 mA 5 uA （）A. 甲B. 乙C. 丙17. 一个硅二极管在正向电压V U D 6.0=时，正向电流mA I D 10=。
若D U 增大到0.66V（即增加10%），则电流D I ________A. 约为11mA （也增加10%）B. 约为20mA （增大1倍）C. 约为100mA （增大到原先的10倍）D. 仍为10 mA （基本不变）18. 在如下图所示的电路中，当电源V1=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整V1=10V ，则电流的大小将V1=5V 是 ________。
A. I =2mAB. I 〈2mAC. I 〉2mA21. 在P 型半导体中，多数载流子是 _（1）_，在N 型半导体中，多数载流子是 _（2）（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。
A. 自由电子数目增加，空穴数目不变B. 空穴数目增加，自由电子数目不变C. 自由电子和空穴数目等量增加24. N 型半导体__（1）__， P 型半导体__（2）__。
（1）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性（2）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性26. PN 结外加反向电压时，其电场________。
A. 减弱B. 不变C. 增强27. PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等于28. 在本征半导体中加入__（1）__ 元素可形成N 型半导体，加入__（2）__ 元素可形成P 型半导体。
（1） A. 五价 B. 四价 C. 三价（2） A. 五价 B. 四价 C. 三价29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _________A. 增大B. 不变C. 减小30. 工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12μA 增大22μ A 时，C I 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 __________A. 83B. 91C. 10031. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。
与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加。
这个电压称为锗二极管的死区电压。
（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V（2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V二、判断题(正确的选“Y”，错误的选“N”)1. P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（Y ） （N ）2. 在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P 型半导体。
（Y ） （N ）3. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（Y ） （N ）4. PN 结的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（Y ） （N ）5. 漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
（Y ） （N ）6. 由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（Y ） （N ）7. PN 结方程可以描述 PN 结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。
（Y ） （N ）8．N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。
（Y ） （N ）11．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（Y ） （N ）12．当外加反向电压增加时， PN 结的结电容将会增大。
（Y ） （N ）13．通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（Y ） （N ）14．通常的 JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
（Y ） （N ）15．当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。
（Y ） （N ）16．当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。
（Y ） （N ）17． P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此， P 型半导体带正电。
（Y ） （N ）18． PN 结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。
（Y ） （N ）19． 半导体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成。
因此，半导体二极管也具有单向导电性。
（Y ） （N ）21．当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。
这个正向电流是由P 型和N 型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
（Y）（N）22．用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。
（Y）（N）24．用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用R × 1 档测出的电阻值和用R × 100 挡测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。
（Y）（N）25．漂移电流是少数载流子形成的。
（Y）（N）26．当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P 型和N 型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
（Y）（N）27. 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。
（Y）（N）28. 正偏时二极管的动态阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。
（Y）（N）29. 发光二极管部仍有一个PN结，因而他同普通二极管一样导通后的正向压降为0.3V或0.7V 。
（Y）（N）30. 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。
（Y）（N）31. 稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。
（Y）（N）32. 整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。
（Y）（N）33. 硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。
（Y）（N）34. P 型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。
（Y）（N）35. N 型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。
（Y）（N）36. N 型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为P 型半导体。
（Y）（N）37．漂移电流是在电场作用先形成的。
（Y）（N）38．导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（Y）（N）39．导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。
（Y）（N）40．施主杂质成为离子后是正离子。
（Y）（N）41．受主杂质成为离子后是负离子。
（Y）（N）43．极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。
（Y）（N）题目系电力高等专科学校精品课程—电子技术基础211.82.16.84/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。
答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。
liuyj_chuxi163.答案：选择题：1~5. ACCAB 6~10. ACBDC第9题中，2表示二极管，三极管则为3，A、B表示材料锗，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。
11~15. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D11题中两个稳压管D1和D2，稳定电压分别是V1和V2，正向导通电压都是0.7V，当D1和D2都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V1+V2，若都正接即导通状态时，稳定电压为07V+0.7V＝1.4V，若一个反接一个正接，则为V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4个稳压值。