半导体三极管-公开课
合集下载
三极管公开课分解讲解学习
三个引脚 集电极，基极，发射极
三极管的符号：
• 文字符号： VT
在电路中的符号：
c
c
b
b
e
PNP型管
e
NPN型管
任务二: 三极管的放大作用
一、放大的概念
只要给电路中的三极管外加合适
的电源电压，就会产生电流 I b 、I c 和 I e ，这时很小的 I b 就可以控制比 它大上百倍的 I c 。显然 I c 不是由三 极管产生的，而是由电源电压在 I b
集电结
P
VT
发射结
三极管是由两个PN结组成的。我们把基 极和发射极之间的PN结称作发射结，基极和 集电极之间的PN结称作集电结。
三极管的材料和类型
三极管
硅三极管 锗三极管
PNP型
三极管类型
NPN型
三极管
归纳总结
两种类型 两种材料
PNP型，NPN型 硅三极管，锗三极管
三个区
集电区，基区，发射区
二个PN结 集电结，发射结
β IC IB
作业
习题册18页2.1三极管 一、判断题（1-3） 二、填空题（1、2） 三、选择题（1-5） 四、综合题（2、3、5-8）
请按时完成作业
此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！ 感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢
1.77
2.37
2.96
由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下：
IE ICIB
(2.1.1)
因IB很小，则
IC IE
(2.1.2)
实验数据
IB/mA -0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91
半导体三极管课件PPT
2、温度每升高 1C，UBE将减小 –(2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。
3、温度每升高 1C， 增加 0.5%~1.0%。
1.6 光电器件
1. 6. 1 发光二极管
符号
当在发光二极管（LED）上加正向电 压，并有足够大的正向电流时，就能发 出可见的光。这是由于电子与空穴复合 而释放能量的结果。
例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。
IC(mA ) 4
3
Q2
2
Q1
1
03 6 9
在 Q1 点，有
100A 80A
IC IB
1.5 0.04
37.5
60A 由 Q1 和Q2点，得
40A 20A IB=0
Δ Δ
IC IB
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数
当晶体管接成发射极电路时，
直流电流放大系数
___
IC
注意：
IB
交流电流放大系数
Δ Δ
IC IB
和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等
距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
3） IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
3.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏，
C
有少子形成的
反向电流ICBO。
ICBO ICE
N
3、温度每升高 1C， 增加 0.5%~1.0%。
1.6 光电器件
1. 6. 1 发光二极管
符号
当在发光二极管（LED）上加正向电 压，并有足够大的正向电流时，就能发 出可见的光。这是由于电子与空穴复合 而释放能量的结果。
例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。
IC(mA ) 4
3
Q2
2
Q1
1
03 6 9
在 Q1 点，有
100A 80A
IC IB
1.5 0.04
37.5
60A 由 Q1 和Q2点，得
40A 20A IB=0
Δ Δ
IC IB
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数
当晶体管接成发射极电路时，
直流电流放大系数
___
IC
注意：
IB
交流电流放大系数
Δ Δ
IC IB
和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等
距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
3） IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
3.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏，
C
有少子形成的
反向电流ICBO。
ICBO ICE
N
3半导体三极管ppt课件
（3〕集电区收集扩散过来的电子 集电极所加的是反向电压，这样集电结
形成一个由集电区指向基区的电场，使集 电区的电子和基区的空穴很难通过集电结， 但这个电场对基区扩散到集电结边缘的电 子却有很强的吸引力，可使电子很快地漂 移过集电结为集电区所收集，形成集电极 电流IC。
另一方面，根据反向PN结的特性，当集电结加反 向电压时，基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流，这部分 电流决定了少数载流子浓度，称为反向饱和电流ICBO， 它的数值是很小的，这个电流对放大没有贡献，而且 受温度影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制 造过程中要尽量设法减小ICBO。
iC VCC Rc
ICQ
斜率
1
R c// R L
斜率 - 1
Q
IBQ
Rc
V C EQ
VCC vCE
载流子的传输过程
（1〕发射区向基区注入电子
由于发射结外加正向电压，因此这时发射区的多数 载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发射 极电流IE，其方向与电子流动方向相反。
（2〕电子在基区中的扩散与复合 由发射区来的电子注入基区后，在基区中
形成了一定的浓度梯度，靠近发射结附近浓 度最高，离发射结越远浓度越小。因而，电 子就要向集电结的方向扩散，在扩散过程中 又会与基区中的空穴复合，同时接在基区的 电源VEE的正端则不断从基区拉走电子，好 像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电 源从基区拉走的电子数目相等，使基区的空 穴浓度基本维持不变。这样就形成了基区电 流IB，所以基极电流就是电子在基区与空穴 复合的电流。
三极管的结构与符号：
• 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
• 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制 下，通过载流子传输体现出来的。 • 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 • 1. 内部载流子的传输过程
半导体三极管放大电路基础课件
第2章 半导体三极管放大电路基础
§2.1 三极管工作原理 §2.2 共射极放大电路 §2.3 图解分析法 §2.4 微变等效电路分析法 §2.5 工作点稳定的放大电路 §2.6 共集电极放大电路和共基极放大电路
1
§2.1 三极管工作原理
BJT全称为双极型半导体三极管，内部有自由电子 和空穴两种载流子参与导电。种类很多：有硅管和锗管， 有高频管和低频管，有大、中、小功率管。
2
2.1.1 三极管的结构与符号：
NPN型 c 集电极
集电极
c PNP型
N
b
P
基极
N
P
B
N
基极
P
e
b c 发射极
e
几微米至 几十微米
e
发射极
c b
e
3
c 集电极
集电结
N
b
P
基极
N
发射结
e
发射极
4
集电区： 面积较大
b
基极
c
集电极
N P N
e
发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
5
2.1.2 三极管放大的工作原理
0.061mA
I B 50 0.061mA 3.05m Icmax
Ic Icmax 2mA
Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
二、共基极连接时的V-I特性曲线
IB
A
RE
V UEB
IC
mA R
C
V UCB EC
EE
实验线路
26
1、输入特性：
UCB=5V
8
UCB =1V
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB
§2.1 三极管工作原理 §2.2 共射极放大电路 §2.3 图解分析法 §2.4 微变等效电路分析法 §2.5 工作点稳定的放大电路 §2.6 共集电极放大电路和共基极放大电路
1
§2.1 三极管工作原理
BJT全称为双极型半导体三极管，内部有自由电子 和空穴两种载流子参与导电。种类很多：有硅管和锗管， 有高频管和低频管，有大、中、小功率管。
2
2.1.1 三极管的结构与符号：
NPN型 c 集电极
集电极
c PNP型
N
b
P
基极
N
P
B
N
基极
P
e
b c 发射极
e
几微米至 几十微米
e
发射极
c b
e
3
c 集电极
集电结
N
b
P
基极
N
发射结
e
发射极
4
集电区： 面积较大
b
基极
c
集电极
N P N
e
发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
5
2.1.2 三极管放大的工作原理
0.061mA
I B 50 0.061mA 3.05m Icmax
Ic Icmax 2mA
Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
二、共基极连接时的V-I特性曲线
IB
A
RE
V UEB
IC
mA R
C
V UCB EC
EE
实验线路
26
1、输入特性：
UCB=5V
8
UCB =1V
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB
半导体三极管及放大电路PPT精品课件
截止区
图3－20
饱和区： 输出特性的上升和弯曲部分
动态：当放大电路输入信号后（vi0）， 电路中各处的电压、电流处于变动 状态，这时电路处于动态工作情况， 简称动态。
1. 估算法确定静态工作点
见图3－14(b)
IB
V CC V BE Rb
VBE：硅管约为0.7V。 锗管约为0.2V。
Rb
300k
Rc 4k Cb2
Cb1 IB
c IC
vi
e
12V
BJT的放大作用，按电流分配实现，称 之为电流控制元件；
电流放大系数
共基电路： 共射电路：
IC 1
IE
IC
IB
三、BJT的特性曲线（共射连接）
iC
iB
N
P
N
vCE
vBE
图3－8
1. 输入特性曲线
iB f (vBE ) vCE 常数
iB(mA)
vCE=0V VCE 1V
80
25 C
60
40
满足放大的外部条件。
b. 下面推导IC和IB的关系
IE = IB + IC
I C αI E I CBO
代入
IC αI B αI C ICBO
整理 式得
IC
α 1
IB
I CBO
1
令 α 1
则 I C I B (1 ) I CBO
令 I CEO (1 ) I CBO
ICEO：基极开路，c流到e的电流，称穿透电流
4k
图3－18 (a)
ib
+ vi Rb
ic +
Rc RL v0
图3－18 (b)
半导体三极管--公开课
2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。 3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。 4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管 5.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
从严治校 科学管理
高素质·高技能·高能力·高就 业
• 6.4.2三极管的电流分配半与导放大体作三用极管
一、实验电路 （其中VCC>VBB）
IB
2．交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的能
力
从严治校
科学管理
IC
IB
高素质·高技能·高能力·高就 业
练一练
• 1、三极电管流具放有大_______特性，这是三极管的 一个重要特性，同电时流也说明了三极管是一种 _______控制元件。
2、三极管工作在放大状态时，发射结处正于向______偏置， 集电结处反于向_______偏置。
高素质·高技能·高能力·高就
城市轨道交通业 电工电子技术及应
用
6.4半导体三极管（BJT）
教师：郑红亮 班级：工业机器人1班
从严治校 科学管理
高素质·高技能·高能力·高就 业
复习提问：
• 1. 二极管的结构是什么样子的？
答案：P型半导体和N型半导体经过特殊工艺组合 在一起形成一个PN结，再加上相应 的电极引线及管壳封装而成。
• 车间中空气的尘埃多少用洁净度来 表示，空气中每立方英尺≥0.5um 的尘埃数量多少，就称为多少级。 洁净度的级数越低对器件生产越有 利。
从严治校 科学管理
高素质·高技能·高能力·高就 业
半导体三极管 作业
1.画出三极管的符号 2.说出三极管的内部结构特点 3.课本P154--6-10练习。
从严治校 科学管理
2024三极管检测公开课教案
三极管检测公开课教案•课程介绍与目标•三极管结构与工作原理•三极管检测方法•实践操作与案例分析目录•故障诊断与排除技巧•课程总结与拓展延伸01课程介绍与目标三极管基本概念三极管的定义与结构三极管是一种半导体器件，具有三个电极，分别为基极、发射极和集电极。
三极管的工作原理通过控制基极电流，实现对集电极与发射极之间电流的放大或开关控制。
三极管的类型与符号介绍NPN和PNP两种类型三极管的符号及特点。
掌握三极管的基本概念、工作原理、类型与符号。
知识目标能力目标情感目标能够识别三极管的引脚，掌握三极管的检测方法。
培养学生对电子技术的兴趣，提高学生的实践能力和创新能力。
030201课程目标与要求授课内容与安排授课内容介绍三极管的基本概念、工作原理、类型与符号；讲解三极管的检测方法，包括外观检测、引脚识别、放大倍数测试等。
授课安排通过理论讲解、实物展示、实验操作等多种方式，使学生能够全面了解三极管的相关知识，并掌握相应的检测技能。
02三极管结构与工作原理03结构类型NPN 型、PNP 型01三个电极基极（B ）、发射极（E ）、集电极（C ）02两个PN 结发射结、集电结三极管基本结构工作原理及特性曲线工作原理电流放大作用，利用基极电流控制集电极电流特性曲线输入特性曲线、输出特性曲线工作状态截止区、放大区、饱和区常见类型及其特点类型硅管、锗管特点硅管耐高温、锗管灵敏度高应用领域硅管广泛应用于各种电子设备中，锗管在某些特定场合如高灵敏度传感器中有应用。
03三极管检测方法•检测原理：利用指针式万用表测量三极管的各极间电阻，通过比较大小判断三极管的类型、电极及性能。
操作步骤1. 选择合适的倍率档，将红黑表笔短接调零。
2. 用红黑表笔分别接触三极管的两个电极，测量其正向和反向电阻，记录数据。
•根据测量数据判断三极管的类型（NPN或PNP）、基极（B）和集电极（C）、发射极（E）。
注意事项测量前需检查万用表电池电量是否充足。
半导体三极管PPT课件
2、输出特性曲线
（4）关于输出特性曲线的结论：
偏置 条件
（NPN）
①三极管各工作状态下，三个电极的电位关系
截止状态 发射结反偏 集电结反偏
VB≤VE
放大状态
发射结正偏 集电结反偏 VC＞VB＞VE
饱和状态
发射结正偏 集电结正偏 VB＞VE，VB＞Vc
（PVE
VB＜VE，VB＜VC
NO.1 三极管的特性曲线
2、输出特性曲线
（2）输出特性曲线测试电路： ①测试步骤： 每一个IB对应一条IC-VCE曲线，通过调节RP1可以得 到很多个IB 的值，相应地得到很多条IC-VCE曲线。 所以，三极管的输出特性曲线是一族曲线。
NO.1 三极管的特性曲线
2、输出特性曲线
（3）输出特性曲线测试结果： ①截止区。（非线性区） 偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。 特点：三极管处于截止状态。IB=0，IC=ICEO≠0， ICEO为穿透电流。截止区越小，管子性能越好
NO.1 三极管的特性曲线
2、输出特性曲线
（2）输出特性曲线测试电路： ①测试步骤：
比如：滑动RP1,使IB 固定为0 ，再调节RP2让VCE从0开始增 加，记下相应的IC值。得到IB =0A这一条输出特性曲线。
再比如：滑动RP1,使IB固定为40uA，再调节RP2让VCE从0开 始增加，记下相应的IC值。得到IB =40uA这一条输出特性曲线。
NO.1 三极管的特性曲线
1、输入特性曲线
（2）输入特性曲线测试电路： ①测试步骤：
比如：滑动RP2,使VCE固定为1V，再调节RP1让VBE从0开始增加， 记下相应的IB值，得到VCE=1V这一条输入特性曲线。
再比如：滑动RP2,使VCE固定为3V，再调节RP1让VBE从0开始增 加，记下相应的IB值，得到VCE=3V这一条输入特性曲线。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
城市轨道交通 电工电子技术及应用
6.4半导体三极管（BJT）
教师： 班级：综合部一（6）
复习提问：
1. 二极管的结构是什么样子的？
答案：P型半导体和N型半导体经过特殊工艺组合 在一起形成一个PN结，再加上相应 的电极引线及管壳封装而成。
2. 二极管具有什么特点？
答案：单向导电性
扩音器结构示意图
力
IC
IB
2．交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的能
力
IC
IB
练一练
1 、 三极管电具流有放_大______特性，这是三极管的一个重要特性， 同时也说明了三极管是一电种流_______控制元件。
2 、 三极管工作在放大状态时，发射结处正于向______偏置， 集电结处反于向_______偏置。
半导体三极管
3 、 一 个 正常工作的三极管各脚对地电位分别为： V1=11.6V V2=2V V3=2.7V,判断管子的电极名称 和类型
解：V3电位居中---3脚：b极 U32=0.7V---- 2脚：e极 1脚：c极
∵Vc > Vb > Ve
∴NPN
1
3
2
半导体三极管 课堂小结
三极管的结构特点：三极、三区、二极 三极管的基本特征：具有电流放大作用：
【知识目标】
1．掌握三极管结构特点、类型、分类方法和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3. 了解三极管的工作条件。
【能力目标】
1．能识别三极管的类型管脚电极。 2. 能识别三极管的类型。
引言
半导体三极管又称为晶体管或双极型三极 管，是组成各种电子电路的核心器件。
6.4 1.三级管的结构和类型（P 147、148）
工作条件： 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：
NPN型三极管：Vc > Vb > Ve PNP型三极管：Vc < Vb < Ve
两个数量关系： IE=IC+IB
IC=βIB
一个重要数据： UBE≈0.7V或0.3V
拓展知识
在半导体生产中，常遇到产品成品 率和可靠性不高等问题，经分析表 明，空气中的尘埃沾污是最主要的 原因之一。
声音信号转换为电信号 声音
放大电路
电信号转换为声音信号 声音
话筒
扬声器
图 1 扩音器示意图
放大电路又称放大器，是指能把微弱的电信号转换 为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件 （即放大元件）是半导体三极管。
1947年12月23日，美国的贝尔实验室里， 3位科学家在导体电路中正在进行用半导体 晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊 奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部 分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的 大得多的电流，因而产生了放大效应。这个 器件，就是在科技史上具有划时代意义的成 果——晶体管 。 这3位科学家因此共同荣获 了1956年诺贝尔物理学奖。
车间中空气的尘埃多少用洁净度来 表示，空气中每立方英尺≥0.5um 的尘埃数量多少，就称为多少级。 洁净度的级数越低对器件生产越有 利。
半导体三极管
作业
1.画出三极管的符号 2.说出三极管的内部结构特点 3.课本P154--6-10练习。
THANKS
感谢各位
@YourName
请各位老师指正
IC IE
5、三极管的电流放大特性
三极管的主要功能是实现电流放大。其实质是三极管能以 基极电流IB微小的变化量来控制集电极电流IC较大的变化量。
要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏 电压，集电结加反偏电压。
集电结
N
P
发射结
N
三极管电流放大作用实验数据：
1．直流电流放大系数 —— 表示三极管放大直流电流的能
三极管有:三个电极 两个结 三个区
2、三极管的基本结构
NPN型三极管
PNP型三极管
电路符号中箭头表示发射结加正偏电压时的电流方向.
半导体三极管
符号
C IC B
IB E
IE
C IC B
IB E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
半导体三极管
三极管的分类
1.按结构区分：有NPN型和PNP型。 2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。 3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。 4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管 5.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
半导体三极管
6.4.2三极管的电流分配与放大作用 一、实验电路 （其中VCC>VBB）
调节电位器RP的阻值，以改变IB。
2 实验数据及电流分配关系
测得基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE的对应 数据如表所示。
由表可见，三极管中电流分配关系如下：
IE = IC + IB
因 IB 很小，则
6.4半导体三极管（BJT）
教师： 班级：综合部一（6）
复习提问：
1. 二极管的结构是什么样子的？
答案：P型半导体和N型半导体经过特殊工艺组合 在一起形成一个PN结，再加上相应 的电极引线及管壳封装而成。
2. 二极管具有什么特点？
答案：单向导电性
扩音器结构示意图
力
IC
IB
2．交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的能
力
IC
IB
练一练
1 、 三极管电具流有放_大______特性，这是三极管的一个重要特性， 同时也说明了三极管是一电种流_______控制元件。
2 、 三极管工作在放大状态时，发射结处正于向______偏置， 集电结处反于向_______偏置。
半导体三极管
3 、 一 个 正常工作的三极管各脚对地电位分别为： V1=11.6V V2=2V V3=2.7V,判断管子的电极名称 和类型
解：V3电位居中---3脚：b极 U32=0.7V---- 2脚：e极 1脚：c极
∵Vc > Vb > Ve
∴NPN
1
3
2
半导体三极管 课堂小结
三极管的结构特点：三极、三区、二极 三极管的基本特征：具有电流放大作用：
【知识目标】
1．掌握三极管结构特点、类型、分类方法和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3. 了解三极管的工作条件。
【能力目标】
1．能识别三极管的类型管脚电极。 2. 能识别三极管的类型。
引言
半导体三极管又称为晶体管或双极型三极 管，是组成各种电子电路的核心器件。
6.4 1.三级管的结构和类型（P 147、148）
工作条件： 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：
NPN型三极管：Vc > Vb > Ve PNP型三极管：Vc < Vb < Ve
两个数量关系： IE=IC+IB
IC=βIB
一个重要数据： UBE≈0.7V或0.3V
拓展知识
在半导体生产中，常遇到产品成品 率和可靠性不高等问题，经分析表 明，空气中的尘埃沾污是最主要的 原因之一。
声音信号转换为电信号 声音
放大电路
电信号转换为声音信号 声音
话筒
扬声器
图 1 扩音器示意图
放大电路又称放大器，是指能把微弱的电信号转换 为较强的电信号的电子线路。放大器的核心元件 （即放大元件）是半导体三极管。
1947年12月23日，美国的贝尔实验室里， 3位科学家在导体电路中正在进行用半导体 晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊 奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部 分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的 大得多的电流，因而产生了放大效应。这个 器件，就是在科技史上具有划时代意义的成 果——晶体管 。 这3位科学家因此共同荣获 了1956年诺贝尔物理学奖。
车间中空气的尘埃多少用洁净度来 表示，空气中每立方英尺≥0.5um 的尘埃数量多少，就称为多少级。 洁净度的级数越低对器件生产越有 利。
半导体三极管
作业
1.画出三极管的符号 2.说出三极管的内部结构特点 3.课本P154--6-10练习。
THANKS
感谢各位
@YourName
请各位老师指正
IC IE
5、三极管的电流放大特性
三极管的主要功能是实现电流放大。其实质是三极管能以 基极电流IB微小的变化量来控制集电极电流IC较大的变化量。
要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏 电压，集电结加反偏电压。
集电结
N
P
发射结
N
三极管电流放大作用实验数据：
1．直流电流放大系数 —— 表示三极管放大直流电流的能
三极管有:三个电极 两个结 三个区
2、三极管的基本结构
NPN型三极管
PNP型三极管
电路符号中箭头表示发射结加正偏电压时的电流方向.
半导体三极管
符号
C IC B
IB E
IE
C IC B
IB E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
半导体三极管
三极管的分类
1.按结构区分：有NPN型和PNP型。 2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。 3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。 4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管 5.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
半导体三极管
6.4.2三极管的电流分配与放大作用 一、实验电路 （其中VCC>VBB）
调节电位器RP的阻值，以改变IB。
2 实验数据及电流分配关系
测得基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE的对应 数据如表所示。
由表可见，三极管中电流分配关系如下：
IE = IC + IB
因 IB 很小，则