高频电路原理与分析
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高频电路原理与分析
射线
(a) 电离层
(b) 对流层
(c)
(d)
图1— 5
（a） 直射传播; （b） 地波传播; （c） 天波传播; （d） 散射传播
5. 调制特性
无线电传播一般都要采用高频（射频）的另一个原因就是高频适于天线 辐射和无线传播。 只有当天线的尺寸到可以与信号波长相比拟时, 天线的辐 射效率才会较高, 从而以较小的信号功率传播较远的距离, 接收天线也才能有 效地接收信号。
信号的时间特性要求传输该信号的电路的时间特性（如时间常数）与之相 适应。
2. 频谱特性 对于较复杂的信号（如话音信号、 图像信号等）, 用频谱分析法表示较 为方便。
0 t
图 1 — 2 信号分解离散的频率分量（各分量间成谐频关 系）, 例如图 1 — 3即为图 1 — 2所示信号的频谱图; 对于非周期性信号, 可以用 傅里叶变换的方法分解为连续谱, 信号为连续谱的积分。
（2） 按照通信方式来分类, 主要有（全）双工、 半双工和单工方式。
（3） 按照调制方式的不同来划分, 有调幅、 调频、 调相以及混合调制 等。
（4） 按照传送的消息的类型分类, 有模拟通信和数字通信, 也可以分为 话音通信、 图像通信、 数据通信和多媒体通信等。
各种不同类型的通信系统, 其系统组成和设备的复杂程度都有很大不同。 但是组成设备的基本电路及其原理都是相同的, 遵从同样的规律。 本书将 以模拟通信为重点来研究这些基本电路, 认识其规律。 这些电路和规律完 全可以推广应用到其它类型的通信系统。
1.2 信号、 频谱与调制
在高频电路中, 我们要处理的无线电信号主要有三种: 基带（消息）信号、 高频载波信号和已调信号。 所谓基带信号, 就是没有进行调制之前的原始信 号, 也称调制信号。
高频电路原理与分析第2章 高频电路基础
(2-11)
Yp
1 rC 1 (2-12) j C G jB Zp L L 这时可以看做一个纯电阻（电导）和LC的并联，当电纳B为0时，发生 谐振，此时的谐振频率为0，谐振时的阻抗为一纯电阻，R0 L .。 rC
16
第2章 高频电路基础
由：B 0 C
(2-10)
15
1
B0.1 99 9.95 B0.7
第2章 高频电路基础
(2)并联谐振电路
等效
图2-7并联谐振电路
▲阻抗特性
Zp ( r j L) / j C 1 r j L j C
L r
L/C 1 1 r j ( L 1 / C ) rC j C L L
1 2 2 0 1 jQ 1 0
第2章 高频电路基础
f 2Q 2Q 0 f0
叫广义失谐量
(2-6)
因此可以得到串联谐振电路的幅频特性和相频特性。
幅频特性为：
I r 1 | || | 2 I0 Zs 1
1 1 2Q 0
▲并联谐振回路的谐振特性
U G0 rC / L U 0 Y p rC / L j (C 1 / L) 1 1 L 1 j r C r 1 1 1 1 0 1 j 2Q 1 j 2Q f 1 j 1 jQ 0 f0 0
(3)由介质隔开的两导体即构成电容。 一个电容器的等 效电路却如图2 -3（a）所示。 理想电容器的阻抗1/(jωC), 如图2 — 3（b）虚线所示, 其中, f为工作频率, ω=2πf。当频 率大于SRF时，电容呈现出电感特性。
高频电路原理与分析总复习
8
第2章 高频电路基础
（2）并联谐振回路
并联阻抗： Z
(a)谐振频率
P
L
C
1 r j (L ) C
0
1 LC
f0
1 2 LC
(b)特性阻抗
1 L 0 L 0C C
9
第2章 高频电路基础
并联谐振回路的等效电路
等效电路
并联阻抗： P
Z
L
C
谐振阻抗：
1．电流、 电压波形
基极回路电压：
ic I co I c1 cost I cn cosnt
0 时：谐振阻抗R 最大 L
输出电压：
uo uc I c1RL cost Uc cost
集电极电压：
uce Ec uo Ec Uc cost
CH2 高频电路基础
CH2
重点内容如下：
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
高频电路中的基本电路主要有：
高频振荡(谐振)回路
高频变压器 谐振器与各种滤波器
完成功能：
信号的传输、频率选择及阻抗变换等功能。
4
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
一、高频振荡回路
是高频电路中应用最广的无源网络，它是构成高频
C
U BZ E B 0.6 (0.5) 0.44 U bm 2.5
得C 63.90 ,查表得：
（C ） 0.232，1 C ） 0.410， （ 0
34
I c 0 ICM（C） 1.8 0.232 0.417( A) 0
I c1m ICM（C） 1.8 0.410 0.738( A) 1
高频电路原理与分析报告
高频电路原理与分析期末复习资料陈皓编10级通信工程2012年12月1.单调谐放大电路中，以LC 并联谐振回路为负载，若谐振频率f 0=10.7MH Z，C Σ= 50pF ，BW 0.7=150kH Z ，求回路的电感L 和Q e 。
如将通频带展宽为300kH Z ，应在回路两端并接一个多大的电阻？解：（1）求L 和Q e（H ）= 4.43μH（2）电阻并联前回路的总电导为47.1（μS ）电阻并联后的总电导为94.2（μS ）因故并接的电阻为2.图示为波段内调谐用的并联振荡回路，可变电容 C 的变化范围为 12～260pF ，Ct 为微调电容，要求此回路的调谐范围为 535～1605 kHz ，求回路电感L 和C t 的值，并要求C 的最大和最小值与波段的最低和最高频率对应。
题2图12min 12max ,1122(1210)1122(26010)33根据已知条件，可以得出：回路总电容为因此可以得到以下方程组16051053510t t t C C C LC L C LC L C ππππ∑--=+⎧⨯==⎪⨯+⎪⎨⎪⨯==⎪⨯+⎩3.在三级相同的单调谐放大器中，中心频率为465kH Z，每个回路的Q e=40，试问总的通频带等于多少？如果要使总的通频带为10kH Z ，则允许最大的Q e 为多少？ 解：（1）总的通频带为103465210.51 5.928()40e z ef Q kH Q =-≈⨯= （2）每个回路允许最大的Q e 为103465210.5123.710e ef Q Q =-≈⨯=1212121212121232260102601091210121082601091210260108101981253510260190.3175-1261605，535（）（）10103149423435ttt tt t C C C C C C pF L mH π-------⨯+⨯+==⨯+⨯+=⨯-⨯⨯-=⨯==⨯⨯+⨯=≈4.图示为一电容抽头的并联振荡回路。
高频电路原理与分析 第六版第2章
频率越高，电阻器的高频特性表现越明显。在实际使用 时，要尽量减小电阻器高频特性的影响，使之表现为纯电阻。
图 2-1 电阻的高频等效电路
2. 电容器 由介质隔开的两导体即构成电容。作为电路元件的电
容器一般只考虑其电容量值(标称值)，在理论上也只按电容 量来处理。但实际上一个电容器的等效电路却如图2-2(a)所 示。其中，电阻RC为极间绝缘电阻，它是由于两导体间的 介质的非理想(非完全绝缘)所致，通常用损耗角δ或品质因 数QC来表示; 电感LC为分布电感或(和)极间电感，小容量电 容器的引线电感也是其重要组成部分。
趋肤效应是指当频率升高时，电流只集中在导体的表面， 导致有效导电面积减小，交流电阻可能远大于直流电阻，从而 使导体损耗增加，电路性能恶化。辐射效应是指信号泄漏到空 间中，这就使得信号源或要传输的信号能量不能全部输送到负 载上，产生能量损失和电磁干扰。辐射效应还会引起一些耦合 效应，使得高频电路的设计、制作、调试和测量等都非常困难。
第2章 高频电路基础与系统问题
2.1 高频电路中的元器件 2.2 高频电路中的组件 2.3 阻抗变换与阻抗匹配 2.4 电子噪声与接收灵敏度 2.5 非线性失真与动太范围 2.6 高频电路的电磁兼容 思考题与习题
由上一章的介绍可知，各种无线电设备都包含有处理高频信 号的功能电路，如高频放大器、振荡器、调制与解调器等。虽然 这些电路的工作原理和实际电路都有各自的特点，但是它们之间 也有一些共同之处。这些共同之处就是高频电路的基础，主要包 括高频电路的基本元器件和基本组件等。各种高频电路基本上是 由无源元件、有源器件和高频基本组件等组成的，而这些元器件 和基本组件绝大部分是相同的，它们与用于低频电路的基本元器 件没有本质上的差异，主要需要注意这些元器件在高频运用时的 特殊性，当然也有一些高频电路所特有的器件。在高频多个单元 电路中常用的两个重要功能是选频滤波与阻抗变换，振荡回路、 石英谐振器与集中选频滤波器等组件都具有这两个功能，高频变 压器、传输线变压器及阻抗匹配器则具有较好的阻抗变换能力。
高频电路原理与分析(曾兴雯)课后习题答案
高频电路原理与分析第五版课后习题答案曾兴雯刘乃安陈健付卫红编[日期]NEUQ西安电子科技大学出版社第一章 绪论1－1 画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功用。
答：上图是一个语音无线电广播通信系统的基本组成框图，它由发射部分、接收部分以及无线信道三大部分组成。
发射部分由话筒、音频放大器、调制器、变频器（不一定必须）、功率放大器和发射天线组成。
低频音频信号经放大后，首先进行调制后变成一个高频已调波，然后可通过变频，达到所需的发射频率，经高频功率放大后，由天线发射出去。
接收设备由接收天线、高频小信号放大器、混频器、中频放大器、解调器、音频放大器、扬声器等组成。
由天线接收来的信号，经放大后，再经过混频器，变成一中频已调波，然后检波，恢复出原来的信息，经低频功放放大后，驱动扬声器。
1－2 无线通信为什么要用高频信号？“高频”信号指的是什么？ 答：高频信号指的是适合天线发射、传播和接收的射频信号。
采用高频信号的原因主要是： （1）频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就越大，而且可以减小或避免频道间的干扰；（2）高频信号更适合电线辐射和接收，因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离，也可获得较高的接收灵敏度。
1－3 无线通信为什么要进行凋制？如何进行调制？ 答：因为基带调制信号都是频率比较低的信号，为了达到较高的发射效率和接收效率，减小天线的尺寸，可以通过调制，把调制信号的频谱搬移到高频载波附近；另外，由于调制后的音频放大器调制器激励放大输出功率放大载波振荡器天线开关高频放大混频器中频放大与滤波解调器音频放大器话筒本地振荡器扬声器变频器信号是高频信号，所以也提高了信道利用率，实现了信道复用。
调制方式有模拟调调制和数字调制。
在模拟调制中，用调制信号去控制高频载波的某个参数。
在调幅方式中，AM 普通调幅、抑制载波的双边带调幅（DSB ）、单边带调幅（SSB ）、残留单边带调幅（VSSB ）；在调频方式中，有调频（FM ）和调相（PM ）。
高频电路原理与分析(第六版)曾兴雯章 (3)
由图可知，直流偏置电路与低频放大器的电路完全相同，只 是电容Cb、 Ce对高频旁路，它们的电容值比低频中小得多。 图3-1(b)是它的交流等效电路，图中采用抽头谐振回路作为 放大器负载，对信号频率谐振，即ω=ω0，完成阻抗匹配和 选频滤波功能。由于输入的是高频小信号，放大器工作在 A(甲)类状态。
第3章 高频谐振放大器
源 I表S 示， Y是S 电流源的内导纳，负载导为 ，YL 它
包括谐振回路的导纳和负载电阻RＬ的等效导纳。忽略管子 内部的反馈，即令Yre =0， 由图3-3可得
Ib IS YSUb
(3-6a)
Ic YLUc
(3-6b)
根据式(3-5)、 ()可以得出高频小信号放大器的主要性
能指标。
第3章 高频谐振放大器 图 3-3 图3-1高频小信号放大器的高频等效电路
第3章 高频谐振放大器
对高频小信号放大器的主要要求是: (1) 增益要高，也就是放大量要大。例如，用于各种接 收机中的中频放大器，其电压放大倍数可达104～105，即电 压增益为80～100 dB， 通常要靠多级放大器才能实现。 (2) 频率选择性要好。选择性就是描述选择所需信号和 抑制无用信号的能力，这是靠选频电路完成的，放大器的频 带宽度和矩形系数是衡量选择性的两个重要参数。
第3章 高频谐振放大器
(1) 电压放大倍数K
第3章 高频谐振放大器
第3章 高频谐振放大器
3.1 高频小信号放大器 3.2 高频功率放大器的原理和特性3.3 高频功率放大器的高频效应 3.4 高频功率放大器的实际线路 3.5 高效功放与功率合成 3.6 高频集成功率放大器简介 思考题与习题
第3章 高频谐振放大器
高频谐振放大器广泛应用于通信系统和其它电子系统中。 如在发射设备中，为了有效地使信号通过信道传送到接收端， 需要根据传送距离等因素来确定发射设备的发射功率，这就 要用高频谐振功率放大器将信号放大到所需的发射功率。在 接收设备中，从天线上感应的信号是非常微弱的，一般在微 伏级，要将传输的信号恢复出来，需要将信号放大，这就需 要用高频小信号谐振放大器来完成。本章主要介绍高频小信 号谐振放大器和高频谐振功率放大器。
第3章 高频谐振放大器
源 I表S 示， Y是S 电流源的内导纳，负载导为 ，YL 它
包括谐振回路的导纳和负载电阻RＬ的等效导纳。忽略管子 内部的反馈，即令Yre =0， 由图3-3可得
Ib IS YSUb
(3-6a)
Ic YLUc
(3-6b)
根据式(3-5)、 ()可以得出高频小信号放大器的主要性
能指标。
第3章 高频谐振放大器 图 3-3 图3-1高频小信号放大器的高频等效电路
第3章 高频谐振放大器
对高频小信号放大器的主要要求是: (1) 增益要高，也就是放大量要大。例如，用于各种接 收机中的中频放大器，其电压放大倍数可达104～105，即电 压增益为80～100 dB， 通常要靠多级放大器才能实现。 (2) 频率选择性要好。选择性就是描述选择所需信号和 抑制无用信号的能力，这是靠选频电路完成的，放大器的频 带宽度和矩形系数是衡量选择性的两个重要参数。
第3章 高频谐振放大器
(1) 电压放大倍数K
第3章 高频谐振放大器
第3章 高频谐振放大器
3.1 高频小信号放大器 3.2 高频功率放大器的原理和特性3.3 高频功率放大器的高频效应 3.4 高频功率放大器的实际线路 3.5 高效功放与功率合成 3.6 高频集成功率放大器简介 思考题与习题
第3章 高频谐振放大器
高频谐振放大器广泛应用于通信系统和其它电子系统中。 如在发射设备中，为了有效地使信号通过信道传送到接收端， 需要根据传送距离等因素来确定发射设备的发射功率，这就 要用高频谐振功率放大器将信号放大到所需的发射功率。在 接收设备中，从天线上感应的信号是非常微弱的，一般在微 伏级，要将传输的信号恢复出来，需要将信号放大，这就需 要用高频小信号谐振放大器来完成。本章主要介绍高频小信 号谐振放大器和高频谐振功率放大器。
高频电路原理与分析(第四版)课后习题答案
答2-4：
石英晶体有以下几个特点
1.晶体的谐振频率只与晶片的材料、尺寸、切割方式、几何形状等有关，温度系数非常小，因此受外界温度影响很小
2.具有很高的品质因数
3.具有非常小的接入系数，因此手外部电路的影响很小。
4.在工作频率附近有很大的等效电感，阻抗变化率大，因此谐振阻抗很大
5.构成震荡器非常方便，而且由于上述特点，会使频率非常稳定。
第一章绪论
1－1画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功用。
答：
上图是一个语音无线电广播通信系统的基本组成框图，它由发射部分、接收部分以及无线信道三大部分组成。发射部分由话筒、音频放大器、调制器、变频器（不一定必须）、功率放大器和发射天线组成。
低频音频信号经放大后，首先进行调制后变成一个高频已调波，然后可通过变频，达到所需的发射频率，经高频功率放大后，由天线发射出去。接收设备由接收天线、高频小信号放大器、混频器、中频放大器、解调器、音频放大器、扬声器等组成。由天线接收来的信号，经放大后，再经过混频器，变成一中频已调波，然后检波，恢复出原来的信息，经低频功放放大后，驱动扬声器。
1－2无线通信为什么要用高频信号？“高频”信号指的是什么？
答：
高频信号指的是适合天线发射、传播和接收的射频信号。采用高频信号的原因主要是：
（1）频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就越大，而且可以减小或避免频道间的干扰；
（2）高频信号更适合电线辐射和接收，因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离，也可获得较高的接收灵敏度。
（3）选用fT比较高的晶体管
（4）选用温度特性比较好的晶体管，或通过电路和其他措施，达到温度的自动补偿。
石英晶体有以下几个特点
1.晶体的谐振频率只与晶片的材料、尺寸、切割方式、几何形状等有关，温度系数非常小，因此受外界温度影响很小
2.具有很高的品质因数
3.具有非常小的接入系数，因此手外部电路的影响很小。
4.在工作频率附近有很大的等效电感，阻抗变化率大，因此谐振阻抗很大
5.构成震荡器非常方便，而且由于上述特点，会使频率非常稳定。
第一章绪论
1－1画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功用。
答：
上图是一个语音无线电广播通信系统的基本组成框图，它由发射部分、接收部分以及无线信道三大部分组成。发射部分由话筒、音频放大器、调制器、变频器（不一定必须）、功率放大器和发射天线组成。
低频音频信号经放大后，首先进行调制后变成一个高频已调波，然后可通过变频，达到所需的发射频率，经高频功率放大后，由天线发射出去。接收设备由接收天线、高频小信号放大器、混频器、中频放大器、解调器、音频放大器、扬声器等组成。由天线接收来的信号，经放大后，再经过混频器，变成一中频已调波，然后检波，恢复出原来的信息，经低频功放放大后，驱动扬声器。
1－2无线通信为什么要用高频信号？“高频”信号指的是什么？
答：
高频信号指的是适合天线发射、传播和接收的射频信号。采用高频信号的原因主要是：
（1）频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就越大，而且可以减小或避免频道间的干扰；
（2）高频信号更适合电线辐射和接收，因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离，也可获得较高的接收灵敏度。
（3）选用fT比较高的晶体管
（4）选用温度特性比较好的晶体管，或通过电路和其他措施，达到温度的自动补偿。
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《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
(1)按照频率来划分,有高频集成电路、甚高频集成 电路和微波集成电路（MIC）等几种。 (2)与普通集成电路一样,高频集成电路可分为单片 高 频 集 成 电 路 （ MHIC ） 和 混 合 高 频 集 成 电 路 （HHIC）。 (3)从功能或用途上来分,高频集成电路有高频通用 集成电路和高频专用集成电路（HFASIC）两种。
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
9.2 高频集成电路 高频集成电路
9.2.1 高频单元集成电路 这里的高频单元集成电路,指的是完成某一单一功 能的高频集成电路,如集成的高频放大器（低噪声放大 器、宽带高频放大器、高频功率放大器）、高频集成 乘法器（可用做混频器、调制解调器等）、高频混频 器、高频集成振荡器等,其功能和性能通常具有一定的 通用性。
～
÷40
32 IF OUT 31 VCC2 30 GND 29 GAIN CONTROL 28 VCC3 27 GND 26 GND 25 GND
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 CLK C2A C2B C1 CA CB VCC4 GND DCX0 GND OUT GND GND
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
表9―2 nRF401的主要电气性能
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
Dout TxEN CS DIN PWK-UP
10 19 12 9 18
DEM
BPF
LNA
16 15
天线1 天线2
OSC 20
PLL 4 5
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
B C p
＋
E n
＋
B p
＋
C
p＋ n＋ GaAs
p n－GaAs n＋GaAs v
p＋ n＋ GaAs
图9―3 GaAsHBT结构 《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
硅锗技术的主要优点是工艺简单、低功耗、 低成本、一致性好,频率特性介于传统硅器件和砷 化钾器件之间。一种典型的SiGeHBT的电特性参 数示于表9―1中。
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
9.1.2 高频电路的集成化技术 纷繁众多的高频集成电路,其实现方法和集成工艺 除薄/厚膜技术等混合技术外,通常有以下几种: 1．传统硅（Si）技术 1958年美国得克萨斯仪器公司（TI）和仙童公司 研制成功第一批集成电路,接着在1959年发明了制造硅 平面晶体管的“平面工艺”,利用半导体平面工艺在硅 片内制作元器件,并按电路要求在硅片表面制作互连导 体,从而制成高密度平面化的集成电路,完善了集成电路 的生产工艺。
图9―7 MRFIC1502内部框图 《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
9.2.3高频系统集成电路 高频系统集成电路主要是各种高频发射机、高频 接收机和高频收发信机集成电路。例如nRF401就是最 新推出的单片无线收发芯片,该芯片集成了高频发射、 高频接收、PLL合成、FSK调制、FSK解调、多频道切 换等功能,具有性能优异、外围元件少、功耗低、使用 , 方便等特点,可广泛应用于无线数据传输系统的产品设 计中。
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
GND GND GND GND TO FROM BPF BPF GND GND GND GND RFIN VCC1 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 GND 1 TQFP-48 VCO VT 2 GND 3 VCC5 4 GND 5 VCO CE 6 GND 7 SF CAP1 8 GND 9 SF CAP2 10 GND 11 GND 12 环路 滤波器 鉴相器 ÷2 有源 滤波器 36 GND 35 38 MHz TRAP 34 38 MHz TRAP 33 BYPASS CAP VCO
源极 n＋GaAs N型GaAs
栅极 “沟道” 半导体 GaAs 衬底
漏极
图9―1 砷化钾MESFET的结构 《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
首次出现于1980年的高电子迁移率晶体管（HEMT） 可以最大限度地利用砷化钾的高电子迁移率的特性。耗 尽型的HEMT场效应管是在半绝缘的GaAs衬底上连续生 长不掺杂或轻掺杂的GaAs、掺硅的n型AlxGa1-xAs层和掺 硅的n型GaAs层,在AlxGa1-xAs层内形成耗尽层。再利用 AlGaAs和GaAs电子亲和力之差,在未掺杂的GaAs的表面 之下形成二次电子气层,如图9-2所示
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
LQIP
RFHI RFLO
BPF
MIOP
IFHI BPF
VMID IFOP BPF 或LPF VQFO
LPF
IOUT FDIN
DMIP
FLTR LPF QOUT GAIN/ RSSI
电源偏置 产生
VMID
IFLO AGC检测
YPS1 YPS2 PRUP
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA 表9―1 典型的SiGeHBT的电特性参数
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
9.1.3高频集成电路的发展趋势 1.高集成度（更细工艺） 集成电路发展的核心是集成度的提高。 集成度的提高依赖于工艺技术的提高和新的制造方 法。21世纪的IC将冲破来自工艺技术和物理因素等方 面的限制继续高速发展,可以概括为: 1）（超）微细加工工艺 超微细加工的关键是形成图形的曝光方式和光刻 方法。
偏置 产生 COM1 COM2
PTAT 电压
GREF
图9―6 AD607的内部功能框图 《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
MRFIC1502是一个用于GPS接收机的下变换器,内 部不仅集成有混频器（MIXER）,而且还集成有压控振 荡器（VCO）、分频器、锁相环和环路滤波器,如图 9―7所示。MRFIC1502具有65dB的变换增益,功能强 大,应用方便。
《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
RSSI缓 冲输出 13 RSSI 输出 12 限幅器 输出 10
去耦 15
16 输入 1 三级放大器 解调器
9 正 交 线 圈
输入
8
2 去耦
4 5 平衡输出
7 限幅器输出
图9―4 MC13155的内部框图 《高频电路原理与分析》
第9章 高频电路的集成化与EDA
图9―5 AD607的引脚图 《高频电路原理与分析》
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AD607的内部功能框图如图9―6所示。它包含了 一个可变增益UHF混频器和线性四级IF放大器,可提供 的电压控制增益范围大于90dB。混频级后是双解调器, 各包含一个乘法器,后接一个双极点2MHz的低通滤波 器,由一锁相环路驱动,该锁相环路同时提供同相和正交 时钟。
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2．砷化钾（GaAs）技术 以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要 用在微波电路中。砷化钾集成电路自1974年由HP公司 首创以来,也都一直用在微波系统中。作为无线通信用 高频模拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的 事情。
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AD607为一种3V低功耗的接收机中频子系统芯片, 它带有自动增益控制（AGC）的接收信号强度指示功 能,可广泛应用于GSM、CDMA、TDMA和TETRA等通 信系统的接收机、卫星终端和便携式通信设备中。 AD607的引脚如图9―5所示。它提供了实现完整 的低功耗、单变频接收机或双变频接收机所需的大部 分电路,其输入频率最大为500MHz,中频输入为400kHz 到12MHz。
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砷化钾MESFET的结构如图9―1所示,它是在一块 半绝缘的砷化钾衬底上用外延法生长一层N型砷化钾层, 在其两端分别引出源极和漏极,在两者之间引出栅极。 对于砷化钾MESFET,栅长是一个决定最大工作频率 （fmax）的关键参数。
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FDIK COM1 PRUP LQIP RFLO RFHI GREF MXOP VMID IFHI
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
20 19 18 17 16 15 14 13 12 11
YPS1 FLTR IБайду номын сангаасUT QOUT YPS2 DMIP IFOP COM2 GAIN/RSSI IFLO
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9.2.2 高频组合集成电路 高频组合集成电路是集成了某几个高频单元集成 电路和其它电路而完成某种特定功能的集成电路。比 如MC13155是一种宽带调频中频集成电路,它是为卫星 电视、宽带数据和模拟调频应用而设计的调频解调器, 具 有 很 高 的 中 频 增 益 （ 典 型 值 为 46dB 功 率 增 益）,12MHz的视频/基带解调器,同时具有接收信号 强 度 指 示 （ RSSI ） 功 能 （ 动 态 范 围 约 35dB ） 。 MC13155的内部框图如图9―4所示。
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第9章 高频电路的集成化与 章 高频电路的集成化与EDA
9.1 高频电路的集成化 9.2 高频集成电路 9.3 高频电路 高频电路EDA
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