模拟电子综合练习及答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
国家开放大学《模拟电子电路》形考任务-参考答案(一)
国家开放大学《模拟电子电路》形考任务-参考答案(一)国家开放大学学习班的《模拟电子电路》形考任务日前终于出炉，同学们可以参考下面的答案进行备考，轻松应对形考！一、单选题1.在二极管的I-V特性曲线上，正向截止与反向截止都具有如下特征：A.电流为0B.电压为0C.电流近似为常数D.电流随着电压增高而增强正确答案：A2.一个全桥逆变电路，当输入同步方波信号的占空比为50%时，输出的基本波形的占空比为：A.0%B.25%C.50%D.75%正确答案：C3.从简化的微小信号模型来分析场效应管的三个极间关系，其中下列表述正确的是：A.漏极电阻小，场效应管才是理想放大器B.栅极电压直接决定漏极电流C.源极直接耦合于信号源D.当栅极电极短路时，感性耦合也能产生放大效应正确答案：B4.样品保持电路是一种常见的电子测量技术，该电路可以实现的功能是：A.将直流信号转化为交流信号B.实现正弦波信号的调制C.实现信号放大的功能D.在短时间内记录并保持信号的幅度和电压值正确答案：D5.对于滤波器的响应特性，不精确但直观的表示方法为A.直流增益-相移曲线B.频率响应曲线C.群时延-相波曲线D.鉴别特性曲线正确答案：B二、计算题1.针对图1中的电路，请计算R=30kΩ时，电路的放大系数。
其中U1为一个齐纳二极管，其第三象限满足等效电路图相应参数为：Vbi=1.5V，I0=1mA。
另外，忽略传输非理想性。
解答：首先进行小信号模型分析，将电容滤波器变为补偿网络，计算出VB和IC的值。
VB=0.573V，IC=6.29μA。
将等效电路图代入计算，得到放大系数：Av=3.73。
2.对于图2的电路，请计算输出电压Vo的值。
其中U1是有源电阻，其电压增益为5。
设D1为2v截止二极管，D2和D3为1.6v截止二极管，C1=1μF。
解答：首先确定电容C1起到短路的作用，于是输出电压Vo等于U1+0.6（近似）。
由于U1的输入1V经过其增益为5的有源放大器，所以U1输出5V。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。
A．β增加，I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加，u BE减小C．β与u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1
洛阳理工学院模拟电子技术试卷（总）一、单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D其它2.稳压二极管稳压时应工作在（C）状态。
A．正向导通；B．反向截止；C．反向电击穿；D．反向热击穿3. N型半导体是在本征半导体中掺入（C）；P型半导体是在本征半导体中掺入（A）。
A.三价元素，如硼等；B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN结加正向电压时，有（A）形成电流，其耗尽层（D）；加反向电压时，由（B）形成电流，其耗尽层（C）。
A.扩散运动；B.漂移运动；C. 变宽；D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。
A.增大；B.不变；C.减小6.一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（ B）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流7.晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ B ）。
A.增加；B.下降；C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A）。
A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态9.双极型三极管用于放大时，应使（B）。
A．发射结正偏、集电结反偏； B．发射结、集电结均正偏；C．发射结反偏、集电结正偏； D．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B）造成的。
A．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A）组态。
A．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN型三极管各电极对地的电位分别为V e=2.1V，V b=2.8V，V c=4.4V，说明此三极管工作在（A）。
A．放大区；B．饱和区；C．截止区；D．反向击穿区13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B）。
A．共射电路；B．共集电路；C．共基电路；D．共源极电路14.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D）型。
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模拟电子综合练习练习一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI= 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(12分)四、图示运算放大电路中，已知u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求uO = ？(10分)五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)六、分析图示两个电路的级间反馈。
回答：(12分)1．它们是正反馈还是负反馈？ 2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？3．它们属于何种组态？ 4．各自的电压放大倍数大约是多少？七、电路如图所示。
试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240 W，电容C = 200 μF。
求：(8分)1．整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？2．当电网电压在±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？练习二填空：(18分)1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用__ 耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用____耦合方式。
2．在三极管多级放大电路中，，总的电压增益 = ；Au1是__ 放大器；Au2是__ 放大器；Au3是___ 放大器。
3．单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =___ A。
4．文氏桥正弦波振荡器用RC串并联网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) F = ？5．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。
6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)1．图示电路中二极管是理想的，电阻R为6 W。
当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时，用黑表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，则万用表的指示值为。
a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W 。
2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V。
这说明放大电路的输出电阻为。
a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW 。
三、判断下列管子的工作状态(10分)1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。
设所有的三极管和二极管均为硅管。
2．电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
四、图示差分放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。
1．求静态工作点(IB、IC、UCE)；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时，求uO = ？(12分)五、已知集成运放的BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。
(8分)六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压Uo的值。
(10分)七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf。
(10分)八、题图电路为两个三端集成稳压器，已知电流IQ = 5 mA。
1．写出图(a)中的I0的表达式，并算出具体数值；2．写出图(b)中的Uo的表达式，并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能。
(9分)九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。
设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为±12 V。
(12分)练习三一、填空(26分)1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。
2．图中二极管为理想器件，V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V。
3．三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极，晶体管为__型三极管。
4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V，最大稳定电流IZmax = 20 mA。
图中电压表中流过的电流忽略不计。
当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时，其读数分别为__ 、 __、。
5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为__dB，折合为__倍。
6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE，使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V，而CW7809的输出电压则为___V。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。
试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。
(12分)三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件，试估算闭环电压增益 (8分)四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12 V。
1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路？2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？3．若输入为1 V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)五、电路如图所示。
1．正确连接A、B、P、N四点，使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少？3．若R1 = 2 kW，求Rf的最小值。
(12分)六、图为一高通有源滤波电路。
设A为理想运算放大器，试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率fp。
(8分)七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。
1．指出这是两个什么类型的电路；2．画出它们的电压传输特性。
(10分)八、在图示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0 V。
1．为稳定输出电压uO，正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？3．求最大不失真输出电压功率Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12分)练习四一、填空(20分)1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为__V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2．场效应管属于__控制型器件，而晶体三极管则是___控制型器件。
3．某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N或P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = －2 V称为该管的电压。