IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计
IGBT单相半桥无源逆变电路设计

《单片机技术》课程设计说明书模板IGBT单相半桥无源逆变电路设计院、部:电子与信息工程学院学生姓名:指导教师:职称:博士专业:自动化班级:完成时间: 2013年5月20日摘要本次课程设计的题目是IGBT单相半桥无源逆变电路设计,同时设计相应的触发电路。
根据电力电子技术的相关知识,单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路,与整流电路相比较,把直流电变成交流电的电路成为逆变电路。
当交流侧接在电网上,称为有源逆变;当交流侧直接和负载相接时,称为无源逆变,逆变电路在现实生活中有很广泛的应用。
本次设计中主要由交流电源,整流,滤波和半桥逆变电路四部分构成电路的主电路,驱动电路和驱动电源构成指挥主电路中逆变桥正确工作的控制电路。
设计中使用到的绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor),英文简写为IGBT。
它是一种典型的全控器件。
它综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有良好的特性。
现已成为中、大功率电力电子设备的主导器件。
本文对使用的IGBT单相半桥无源逆变电路进行了波形的仿真和分析。
关键词:IGBT;单相半桥;无源逆变ABSTRACTThe course design is the subject of IGBT single-phase half-bridge passive inverter circuit design, while the design of trigger circuit corresponding. According to the related knowledge of power electronics technology, single-phase bridge inverter circuit is a circuit common, compared with the rectifier circuit, the DC to AC inverter circuit become. When the AC side is connected to the power grid, called active inverter; when the AC side directly and load connected, called passive inverter, the inverter circuit is widely applied in real life.This design is mainly composed of AC power, rectifier, filter and half-bridge inverter circuit four parts of the main circuit circuit, driving circuit and power supply control circuit in the main circuit of inverter bridge command work properly. Insulated gate bipolar transistor to use in design (Insulated-gate Bipolar Transistor), the English abbreviation for IGBT. It is a typical control device. It combines the advantages of GTR and MOSFET, which has a good characteristic. Has now become the leading device, high power electronic equipment. This paper analyzed and simulated waveforms of IGBT single-phase half-bridge inverter circuit using passive.Keywords:IGBT; single-phase half-bridge; passive inverter第一章 系统方案设计及原理1.1 系统方案系统方案如图1所示,在电路原理框图中,交流电源、整流、滤波和半桥逆变电路四个部分构成电路的主电路,驱动电源和驱动电路两部分构成指挥主电路中逆变桥正确工作的控制电路。
IGBT单相桥式无源逆变电路设计

IGBT单相桥式无源逆变电路设计IGBT单相桥式无源逆变电路是一种常用于将直流电转换成交流电的电路。
在没有任何主动元件的控制下,通过合适的电路设计可以实现直流到交流的转换。
本文将详细介绍IGBT单相桥式无源逆变电路的设计原理、电路组成以及相关参数的计算。
一、IGBT单相桥式无源逆变电路的设计原理IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种常用的功率开关元件,同时结合了MOSFET和BJT的优点,具有低开关损耗、高开关速度等特点。
单相桥式无源逆变电路是由四个IGBT和四个二极管组成的桥式整流电路,它可以将直流电源的电压转换成交流电,供给交流电动机等负载使用。
桥式无源逆变电路的工作原理是通过控制IGBT的导通和关断时间来生成脉冲调制信号,进而控制IGBT的输出电压波形。
通过合理的波形控制,可以实现直流到交流的转换。
二、IGBT单相桥式无源逆变电路的电路组成1.IGBT模块:IGBT模块由四个IGBT和四个二极管组成,承担了整流和逆变的功能。
2.LC滤波网络:LC滤波网络由电感器和电容器组成,用于平滑逆变后的脉冲信号,使其更接近于纯正弦波。
3.电源:电源为IGBT单相桥式无源逆变电路提供直流信号,可以采用整流桥或直流电源等形式。
4.纯电阻负载:纯电阻负载是指无感性和无容性的负载,用于测试和验证逆变电路的输出波形。
三、IGBT单相桥式无源逆变电路参数的计算1.IGBT参数的计算:IGBT的参数包括额定电压、额定电流、功率损耗等。
根据所需的载波频率、输入电压和输出功率等参数进行计算。
2.LC滤波网络参数的计算:根据所需的输出频率和负载电流等参数,计算出电感器和电容器的数值。
3.电源参数的计算:根据所需的输入电压、输出功率和效率等参数,选择合适的电源。
四、总结IGBT单相桥式无源逆变电路是一种常用的电路,用于将直流电转换成交流电供给负载使用。
本文介绍了该电路的设计原理、电路组成以及相关参数的计算方法。
igbt单相电压型半桥无源逆变电路设计

igbt单相电压型半桥无源逆变电路设计本文介绍了一种IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计,该电路采用半桥拓扑结构,通过IGBT管控制开关实现正负半周期无源逆变,具有高效、可靠、稳定等优点。
同时,本文还介绍了电路的设计流程和注意事项。
一、电路拓扑结构IGBT单相电压型半桥无源逆变电路采用半桥拓扑结构,如图1所示。
电路中,IGBT1和IGBT2分别代表上管和下管,L1和L2为变压器的两个线圈,C为输出滤波电容。
该拓扑结构有以下优点:1、半桥结构可以避免直流电离子飘移问题,提高电路的可靠性。
2、IGBT管负责开关电流,电压由变压器自行绝缘,可以避免功率管受到高频电磁干扰而损坏的问题。
3、半桥拓扑结构使得电路的效率较高,能够满足高效、小型化的需求。
二、电路设计1、选择IGBT管根据电路的工作电压和电流,选择适合的IGBT管是很重要的。
可以根据功率、电压承受能力、开关速度、漏电流等因素进行选择。
2、选择变压器变压器是半桥无源逆变电路的关键元件之一,变压器的参数需要根据电路需求进行选择。
如果输出功率较大,则需选择大功率变压器;如果需要较小的体积,则可以选择小型化的变压器。
3、选择输出电容电容可以用来过滤输出端的噪声和杂波。
根据输出电压、输出电流等参数选择适合的电容,并确保电容的电压承受能力充足。
4、电路参数计算根据电路的拓扑结构和工作参数,进行电路参数的计算。
需要计算的参数包括变压器的线圈数、电感值、电容容值等。
这些参数的计算需要根据电路需求进行合理设置。
三、注意事项在使用IGBT管时,需要防止温度过高和静电干扰等问题。
建议在使用IGBT管时加装散热器,并采用静电保护措施,以保证管子的正常工作。
总之,IGBT单相电压型半桥无源逆变电路是一种高效、可靠、稳定的电路结构,在工业自动化控制等领域有着广泛的应用。
电力电子技术课程设计mosfet电压型单相半桥无源逆变电路设计

电力电子技术课程设计一、课程设计的性质和目的1、性质:是电气自动化专业的必修实践性环节。
2、目的:1)培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力;2)加深理解《电力电子技术》课程的基本理论;3)初步掌握电力电子电路的设计方法。
二、课程设计的题目MOSFET电压型单相半桥无源逆变电路设计(阻感性负载)设计条件:(1)输入直流电压:Ui=200V(2)输出功率:500W(3)输出电压波形:1KHz方波三、课程设计的内容,指标内容及要求,应完成的任务1、课程设计的要求1)整流电路的选择2)整流变压器额定参数的计算3)晶闸管(全控型器件)电压、电流额定的选择4)平波电抗器电感值的计算5)保护电路(缓冲电路)的设计6)触发电路(驱动电路)的设计7)画出完整的主电路原理图和控制电路原理图2、指标要求(1)输入直流电压:Ui=200V;(2)输出功率:500W;(3)输出电压波形:1KHz方波。
3、整流电路的选择整流电路选择感容滤波的二极管整流电路,由于电容两端的电压不能突变,故能够保证输出电压为大小恒定的直流电压。
u d波形更平直,电流i2的上升段平缓了许多,这对于电路的工作是有利的。
4、触发电路(驱动电路)的设计实现逆变的主电路中用的是全控型器件MOSFET,触发电路主要是针对它的触发设计,电路的原理图如下图所示。
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。
这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计.

电子技术课程设计说明书IGBT 单相电压型全桥无源逆变电路设计学生姓名: 学号:学 院: 专指导教师:2013年01月XXX 1005044245 信息与通讯工程学院 电气工程及其自动化中北大学电子技术课程设计任务书2012/2013 学年第一学期学院:信息与通讯工程学院专业:电气工程及其自动化学生姓名:胡定章学号: 1005044245课程设计题目:IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计起迄日期: 12月24日~ 01月4 日课程设计地点:电气工程系软件实验室指导教师:石喜玲系主任:王忠庆下达任务书日期: 2012 年 12 月 24日课程设计任务书课程设计任务书目录1 引言 (1)2 工作原理概论 (1)2.1 IGBT的简述 (1)2.2 电压型逆变电路的特点及主要类型 (2)2.3 IGBT单相电压型全桥无源逆变电路原理分析 (2)3 主电路设计及参数选择 (3)3.1 主电路仿真图 (3)3.2参数设置及计算 (3)3.2.1参数设置 (3)3.2.2计算 (3)3.2.3设置主电路 (4)4 仿真电路结果的分析 (5)4.1 仿真电路图 (5)1.1.14.1.1 触发电平与负载输出波的波形图 (5)4.1.2 IGBT电流电压波形图 (6)4.2 仿真波形分析 (6)5 总结 (7)参考文献 (7)2引言本次课程设计的题目是IGBT单相电压型全桥无源逆变电路设计,根据电力电子技术的相关知识,单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路,与整流电路相比较,把直流电变成交流电的电路成为逆变电路。
当交流侧接在电网上,称为有源逆变;当交流侧直接和负载相接时,称为无源逆变,逆变电路在现实生活中有很广泛的应用。
3工作原理概论2. 1 IGBT的简述绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor),英文简写为IGBT。
它是一种典型的全控器件。
它综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有良好的特性。
IGBT单相桥式无源逆变仿真

图 2-7
6 本系统选择的仿真算法为 ode23tb,仿真 Start time 设为 0,Stop time 设为 0.08s。
三、仿真结果与分析
波形图分别代表输入电压波形、IGBT1.IGBT3 触发脉冲、IGBT2.IGBT4 触 发脉冲、负载输出波形上的电压。下列波形分别是延迟角 a 为 30、40、50 时的 波形变化。
3
Simulink 仿真实验报告
Subsystem 参数设定如下:
IGBT1 增补的触发脉冲:
图 2-4
4 RLC 支路参数设定:
图 2-5
图 2-6
4
Simulink 仿真实验报告
5 示波器相关参数的设定:“Number of axes”设置为 4,“Time range” 设置为 auto,“Tick labels”设置为 bottom axis only,“sampling”设置为 Decimation1。
图 1-2.移向调压理论波形
二、单相桥式无源逆变电路(阻感性负载)建模
1).单相桥式无源逆变电路(电阻性负载)仿真电路图如图 2-1.所示:
图 2-1.单相桥式无源逆变仿真电路图
2
Simulink 仿真实验报告
2).仿真参数设定 1 IGBT 参数 Rn=0.001Ω,Lon=1e-6H,Vf=1V,Rs=1e5Ω,Cs=250e-6F; 负载参数 R=1Ω,L=1e-3H; 2 直流电压源参数 U=100V;
IGBT单相桥式无源逆变电路设计资料
IGBT单相桥式无源逆变电路设计资料1.设计原理2.工作过程当输入电压正半周时,IGBT1和IGBT3导通,IGBT2和IGBT4截至,使得直流电源电压施加在纯电阻负载上,电流从A点流向B点。
当输入电压负半周时,IGBT2和IGBT4导通,IGBT1和IGBT3截至,电流从B点流向A点。
通过周期性地控制IGBT管的导通和截至,可以实现对输入电压的逆变转换。
3.性能分析在纯电阻负载情况下,IGBT单相桥式无源逆变电路具有以下特点:1)输出电压波形基本近似正弦波,谐波含量较低,可以满足很多电器设备对电源质量的要求。
2)输出电压最大值等于输入电压的峰值,输出电压最小值为0,可以满足正负半周的电压需求。
3)输出电压频率与输入电压频率相同,可以匹配大多数电器设备的工作频率。
4)可以通过改变IGBT管的导通时间和导通频率来调节输出电压的大小和频率。
5)由于使用了无源逆变,电路效率较高,损耗较小。
4.应用领域1)智能电网中的逆变器装置,用于将电网交流电转换为直流电,以供给电动汽车等设备使用。
2)变频空调、变频电机等设备的电源模块,用于将输入电源转换为合适的频率和电压,以满足设备的工作要求。
3)太阳能光伏逆变器,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,以供给电网使用或给其他设备充电。
4)离网系统中的逆变器,用于将微型风力发电机或小型水力发电机产生的直流电转换为交流电,以供给独立的电力系统使用。
总结:IGBT单相桥式无源逆变电路是一种常用的电力转换器,适用于各种领域的电源转换应用。
在纯电阻负载情况下,该电路具有输出电压近似正弦波、频率可调、效率高等特点,因此被广泛应用于智能电网、变频设备、太阳能光伏逆变器和离网系统等领域。
学位论文-—单相桥式逆变电路
电力电子技术课程设计说明书单相桥式逆变电路的设计院、部学生姓名:指导教师:职称专业:班级:学号:完成时间:摘要随着电力电子技术的高速发展,逆变电路的应用非常广泛,蓄电池、干电池、太阳能电池等都是直流电源,当我们使用这些电源向交流负载供电时,就需要用到逆变电路了。
本次基于MOSFET的单相桥式无源逆变电路的课程设计,主要涉及IGBT的工作原理、全桥的工作特性和无源逆变的性能。
本次所设计的单相全桥逆变电路采用IGBT作为开关器件,将直流电压Ud 逆变为波形电压,并将它加到纯电阻负载两端。
首先分析了单项桥式逆变电路的设计要求。
确定了单项桥式逆变电路的总体方案,对主电路、保护电路、驱动电路等单元电路进行了设计和参数的计算,其中保护电路有过电压、过电流、电压上升率、电流上升率等,选择和校验了IGBT、SG3525等元器件,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
最后利用MATLAB仿真软件建立了SIMULINK仿真模型,并进行了波形仿真,仿真的结果证明了完成设计任务要求,满足设计的技术参数要求。
关键词:单相;逆变;设计ABSTRACTWith the rapid development of power electronics technology, the inverter circuit is widely used, batteries, dry batteries, solar cells are DC power supply, when we use these power supply power to the AC load, you need to use the inverter circuit. This time based on MOSFET single phase bridge inverter circuit design, mainly related to the work principle of IGBT, the full bridge of the working characteristics and the performance of passive inverter. The single-phase full bridge inverter circuit designed by IGBT as the switching device, the DC voltage Ud inverter as the waveform voltage, and will be added to the pure resistance load at both ends.Firstly, the design requirements of the single bridge inverter circuit are analyzed. To determine the overall scheme of single bridge inverter circuit, of the main circuit, protection circuit, driving circuit unit circuit design and parameter calculation, the protection circuit have voltage, current and voltage rate of rise, the current rate of rise, selection and validation of the IGBT and SG3525 components, IGBT is by BJT (bipolar transistor) and MOS (insulated gate field effect transistor) composed of full control type voltage driven type power semiconductor devices, both MOSFET's high input impedance and GTR low conductance through the advantages of pressure drop. At last, the MATLAB simulation software is used to build the SIMULINK model, and the simulation results are carried out. The results prove that the design task is required to meet the design requirements.Keywords: single phase; inverter; design目录1 绪论 (1)1.1 逆变电路的背景与意义 (1)1.2 逆变器技术的发展现状 (2)1.3 本设计主要内容 (2)2 单相桥式逆变电路主电路设计 (3)2.1 方案设计 (3)2.1.1 系统框图 (3)2.1.2 主电路框图 (3)2.2 逆变电路分类及特点 (3)2.2.1 电压型逆变电路的特点 (3)2.2.2 单项全桥逆变电路的移相调压方式 (4)2.3 主电路的设计 (4)2.4 相关参数的计算 (5)3 辅助电路设计 (7)3.1 保护电路的设计 (7)3.1.1 保护电路的种类 (7)3.1.2 保护电路的作用 (7)3.1.3 过电流保护电路 (8)3.2 驱动电路的设计 (8)3.2.1 驱动电路的种类及作用 (8)3.2.2 驱动电路的设计 (8)3.2.3 驱动电路的原理 (9)3.3 控制电路的设计 (9)3.3.1 控制电路的作用 (9)3.3.2 控制电路原理分析 (9)4 仿真分析 (11)4.1 仿真软件MATLAB介绍 (11)4.2 主电路仿真图及参数计算 (13)4.3 仿真所得波形 (16)4.4 波形分析 (17)结束语 (18)参考文献 (19)附录 (21)1 绪论1.1 逆变电路的背景与意义随着电力电子技术的高速发展,逆变电路的应用非常广泛,蓄电池、干电池、太阳能电池等都是直流电源,当我们使用这些电源向交流负载供电时,就需要用到逆变电路了。
单相半桥电压型逆变电路参数计算
单相半桥电压型逆变电路参数计算引言:单相半桥电压型逆变电路是一种常见的电力电子变换电路,广泛应用于交流电源与直流负载之间的能量转换。
本文将详细介绍单相半桥电压型逆变电路的参数计算方法,帮助读者更好地理解和设计这一电路。
一、电路结构和工作原理单相半桥电压型逆变电路由两个开关管和一个中心点连接的电容组成。
当S1和S2两个开关管交替导通时,电容上会产生一个交流电压。
通过控制开关管的导通和关断,可以实现对输出电压的控制。
二、参数计算1. 电压和频率:根据应用需求确定逆变电路的输出电压和频率,常见的输出电压有220V或110V,输出频率一般为50Hz或60Hz。
2. 电容容值:电容的容值决定了逆变电路的输出电压波形的平滑程度。
容值过小会导致输出电压波形产生较大的纹波,容值过大则会增加成本和体积。
容值的计算方法如下:C = (2*I_max)/(f*ΔV)其中,C为电容的容值,I_max为输出电流的最大值,f为输出频率,ΔV为输出电压的纹波值。
3. 电阻选取:为了保证开关管工作的可靠性和效率,需要在电路中加入适当的电阻。
电阻的选取主要考虑开关管的导通和关断速度,防止产生过大的电流和电压冲击。
一般情况下,电阻的阻值可根据开关管的额定电流和额定电压来确定。
4. 开关管选取:开关管的选取需要考虑工作电流、额定电压、导通和关断速度等因素。
常用的开关管有晶闸管、MOS管等,根据具体需求进行选择。
5. 电感选取:电感的作用是平滑输出电流,减小电压纹波。
电感的选取需要考虑输出电流的大小、频率以及纹波要求。
一般情况下,电感的选取范围为输出电流的10%至20%。
6. 纹波滤波电感选取:为了进一步减小输出电压的纹波,可以在逆变电路的输出端串联一个纹波滤波电感。
电感的选取需要根据输出电流的大小和纹波要求来确定。
7. 电压限制器选取:为了保护逆变电路和负载,常常在电路中添加电压限制器。
电压限制器的选取需要考虑逆变电路的额定电压和负载的额定电压,以及工作电流和保护电流等参数。
IGBT单相桥式无源逆变电路课程设计
IGBT单相桥式无源逆变电路是一种常见的电力电子变换器拓扑结构,广泛应用于各种领域的电力控制和调节中。
本文将详细介绍IGBT单相桥式无源逆变电路的设计原理、电路结构、控制策略以及性能评估等方面,并通过课程设计来深入理解和实践这一电路的工作机制。
一、设计原理IGBT单相桥式无源逆变电路是一种将直流电压转换为交流电压的电力电子变换器。
其基本工作原理是通过控制IGBT管的导通和关断,调节输出电压的大小和频率,实现对负载端的功率调节。
在正半周和负半周分别通过两个IGBT管来实现电压的逆变,从而产生交流输出。
二、电路结构IGBT单相桥式无源逆变电路主要由四个IGBT管和四个二极管组成,其中两个IGBT管和两个二极管串联构成半桥,两个半桥串联形成全桥结构。
通过PWM控制方法,控制IGBT管的导通和关断,实现对输出电压的调节。
三、控制策略1. PWM控制:采用脉冲宽度调制(PWM)控制方法,通过改变PWM信号的占空比来调节输出电压的大小。
2. 电压闭环控制:通过采集输出电压信号,与设定的参考电压进行比较,控制PWM信号的占空比,实现稳定的输出电压控制。
3. 过流保护:设计合适的过流保护电路,当负载过大时及时切断IGBT 管的导通,以保护设备和负载不受损坏。
四、性能评估1. 效率评估:通过测量输入功率和输出功率,计算电路的效率,评估电路的能量转换效率。
2. 谐波分析:通过示波器等工具对输出波形进行谐波分析,评估谐波含量,检查输出波形的质量。
3. 动态响应:测试电路的动态响应特性,如瞬态响应时间、稳定性等,评估电路的动态性能。
五、课程设计内容1. 电路仿真:使用仿真软件搭建IGBT单相桥式无源逆变电路模型,进行电路仿真分析。
2. 硬件设计:根据电路原理图设计PCB电路板,选取合适的元器件进行电路搭建。
3. 控制程序编写:编写微控制器控制程序,实现对IGBT管的PWM 控制和电压闭环控制。
4. 性能测试与优化:进行电路性能测试,如效率测试、谐波分析、动态响应测试等,根据测试结果进行电路性能优化。
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1 引言
本次课程设计的题目是IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计,根据电力电子技术的相关知识,单相桥式逆变电路是一种常见的逆变电路,与整流电路相比较,把直流电变成交流电的电路成为逆变电路。
当交流侧接在电网上,称为有源逆变;当交流侧直接和负载相接时,称为无源逆变,逆变电路在现实生活中有很广泛的应用。
电力电子技术课程设计是电力电子技术课程理论教学之后的一个实践教学环节。
其目的是训练学生综合运用学过的各种变流电路原理的基础知识,独立完成查找资料、选择方案、设计电路、撰写报告的能力,使学生进一步加深对变流电路基本理论的理解和基本技能的运用,为今后的学习和工作打下坚实的基础。
2 工作原理概论
2.1 IGBT单相电压型半桥无源逆变电路
2.1.1单相电压型逆变电路
(1)半桥逆变电路结构及其工作原理
V 1和V
2
栅极信号各半周正偏、半周反偏,二者互补。
输出电压u
o
为矩形波,幅
值为Um=Ud/2,输出电流i
o 波形随负载而异,感性负载时,V
1
或V
2
通时,i
o
和u
o
同方向,直流侧向负载提供能量,VD
1或VD
2
通时,i
o
和u
o
反向,电感中贮能向直流
侧反馈,VD
1、VD
2
称为反馈二极管,还使i
o
连续,又称续流二极管。
单相半桥电压型逆变电路及其工作波形
优点:简单,使用器件少。
缺点:交流电压幅值U d/2,直流侧需两电容器串联,要控制两者电压均衡,用于几k W以下的小功率逆变电源。
2.1.2 IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2.2电压型逆变电路的特点及主要类型
根据直流侧电源性质的不同可分为两种:直流侧是电压源的称为电压型逆变电路;直流侧是电流源的则称为电流型逆变电路。
电压型逆变电路有以下特点:直流侧为电压源,或并联有大电容,相当于电压源。
直流侧电压基本无脉动,直流回路呈现低阻抗。
由于直流电压源的钳位作用,交流侧输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗角无关。
而交流侧输出电流波形和相位因为负载阻抗的情况不同而不同。
当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。
为了给交流侧想直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
又称为续流二极管。
逆变电路分为三相和单相两大类。
其中,单相逆变电路主要采用桥式接法。
主要有:单相半桥和单相全桥逆变电路。
而三相电压型逆变电路则是由三个单相逆变电路组成。
2.3 根据设计题目要求的指标,通过查阅有关资料分析其工作原理,确定各器件参数,设计电路原理图;
设计条件:
=100V
1.电源电压:直流U
d
2.输出功率:300W
3.输出电压波行1KHz 方波,脉宽ο180=θ
4.阻感负载
计算内容:
1.有效电压:Ud=U/2
2.R=Ud 2/P = 25/3Ω
3.L 为3h
设计原理图
3 主电路设计
3.1 MATLAB 仿真软件绘制主电路结构模型图
在本次设计中,主要采用单相半桥式无源逆变电路(阻感负载)作为设计的主电路。
由于软件上的电源等器件都是理想器件,故可将直流侧并联的大电容直接去掉。
由以上工作原理概论的分析可得其主电路仿真图如下所示:
仿真电路图
输入电压
第一个脉冲
负载
3.2示波器观察电源电压、控制信号、负载电压的波形图
电源电压、控制信号、负载电压的波形图
4仿真电路结果的分析
波形图分别为负载电压、电源电压、控制信号的波形图。
打开新建模型窗口,将所需元件模块从模块库中拖入新建模型窗口并改名,设定有关参数后将各模块库连接组成仿真模型,设置好各模块参数,点击下拉菜单仿真(Simulation)按钮,仿真参数(Simulation Parameters)命令设定有关仿真参数,设定停止时间(Stop Time)为0.1秒,仿真算法选择可变步长(Variable-step)积分算法函数其,他参数用默认值。
然后点击启动仿真按钮,则开始仿真,双击显示模块(scope)就能显示其信号波形。
总结
通过IGBT单相半桥无源逆变电路设计,使我加深了对整流,逆变电路的理解,让我对电力电子该课程产生了浓烈的兴趣。
整流电路的设计方法多种多样,且根据负载的不同,又可以设计出很多不同的电路。
其中单相半桥无源逆变电路设计其负载我们用的多的主要是电阻型、带大电感型,它们各自有自己的优点。
对于一个电路的设计,首先应该对它的理论知识很了解,这样才能设计出性能
好的电路。
整流电路中,开关器件的选择和触发电路的选择是最关键的,开关器件和触发电路选择的好,对整流电路的性能指标影响很大。
要想完成一个电力电子课程设计,要想自己做是不可能的,要有团队合作意识,同时,你也要对各种工程软件进行学习,不然无法进行电路的仿真。
在这次课程设计过程中,碰到的难题就是保护电路和触发电路的设计。
在课程设计过程中,自己对电力电子这门课程有了更进一步的了解,尤其是单相半桥无源逆变这部分极为深刻,对这个电路的工作原理,电压电流的波形有了更深一步的认识,通过设计,对它的内部结构以及其它方面了解了很多,很多知识课堂上是学不到的。
一些东西教材上提到的很少,必须自己找些课外书,这使我常去上网及去图书馆查资料。
在这次设计中,使我了解和学习到了许多书本所没有的知识,扩充了自己的知识面,开发了自己的思考能力,提高了自己在制作实物过程中的动手能力。
我将以这次实践为契机,在学专业课的过程中多使用软件操作,深层次学习。
在这里感谢老师对我的指导与帮助,我将踏踏实实的学好这门课。
参考文献
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