常规多晶与高效率n型晶体硅太阳电池组件光谱响应趋势及原因分析_宋肖

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效率的TOPCon高效晶体硅太阳能电池的研究陶科

效率的TOPCon高效晶体硅太阳能电池的研究陶科
陶科 (K. Tao), 贾锐 (R. Jia), 李强 (L. Qiang), 侯彩霞 (C. Hou)姜帅 (J. Shuai), 孙昀 (Y. Sun)
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
Implied Voc(mV)
TOPCon太阳电池的研究结果
背表面钝化研究
Effective carrier lifetime(µs)
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000
500
740
a-Si µc-Si
720
700
680
carrier lifetime
Implied Voc
TOPCon电池的载流子输运机制
良好的热稳定性 载流子选择性收集
电子
EC
EF
p++-Si
EV 空穴
SiOx n-c-Si
电子 EC EF
EV 空穴
n++-Si
n-c-Si
SiO
TOPCon电池的载流子输运机制
最新的研究对TOPCon电池的传输机制提出了新的看法: 除了doped-Si/c-Si界面的非局域带间遂穿,还发现了载流子的局域输运通道; 该通道的形成是因为氧化层在高温退火过程中减薄甚至出现局部漏洞。
tau(us)
implied Voc
348 660
35
30
25
hybrid
µc-Si
20
15
10
5
(a)
100
80
60
40
20
EQE of solar cells: hybrid µc-Si

太阳能光伏电池中的光谱响应研究

太阳能光伏电池中的光谱响应研究

太阳能光伏电池中的光谱响应研究第一部分:介绍太阳能光伏电池太阳能光伏电池是一种能够将太阳能转换为电能的装置。

它是由半导体材料制成的,通过光的能量将光子转化为带电粒子的过程,最终形成一定的电压和电流输出。

太阳能光伏电池的应用非常广泛,从家庭光伏发电到大型光伏电站,它们都可以为人们提供清洁、可靠的能源解决方案。

目前,太阳能光伏电池的效率正在不断提高,成本也在不断降低,使得它在未来的能源市场中具有巨大的潜力。

第二部分:光谱响应研究的意义和背景太阳能光伏电池的效率和性能受到许多因素的影响,其中之一就是光谱响应。

光谱响应指的是太阳能光伏电池对不同波长光的电流响应能力,通常用光谱响应曲线来描述。

对光谱响应进行研究有助于了解太阳能光伏电池在不同光照条件下的性能变化,并为太阳能光伏电池的设计和优化提供重要的参考依据。

此外,对光谱响应的研究也可以为太阳能光伏电池与其他能源转换技术相比较提供客观的依据。

目前,已经有许多研究对太阳能光伏电池的光谱响应进行了深入的研究,包括对不同材料的光谱响应进行比较、对太阳辐射光谱的研究等。

第三部分:太阳能光伏电池的光谱响应曲线太阳能光伏电池的光谱响应曲线是反映太阳能光伏电池对不同波长光的响应能力,通常用电流比例来表示,也可以用功率比例来表示。

通常来说,太阳能光伏电池在可见光范围内的响应能力是最强的。

在波长较短的紫外光和波长较长的红外光区域,太阳能光伏电池的响应能力则较弱。

然而,在不同材料、不同结构的太阳能光伏电池中,其光谱响应曲线会有所不同。

例如,在硅太阳能电池中,光谱响应曲线的峰值一般在波长为800纳米左右,而在铜铟镓硫太阳能电池中,光谱响应曲线的峰值则在波长为560纳米左右。

第四部分:影响太阳能光伏电池光谱响应的因素太阳能光伏电池的光谱响应受到许多因素的影响,其中最主要的因素包括:1. 材料特性:不同材料的带隙和光吸收谱会影响太阳能光伏电池对不同波长光的响应能力。

2. 结构特性:太阳能光伏电池的结构特性,如稳态和非稳态载流子扩散长度、光学吸收率等,也会影响光谱响应。

n型topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究

n型topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究

n型topcon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究N型TOPCon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究随着全球对可再生能源的需求不断增加,太阳能电池作为一种绿色、清洁、可再生的能源,受到了越来越多的关注。

其中,N型TOPCon晶硅太阳能电池因其高效率、长寿命等优点,成为了当前研究的热点之一。

而光注入退火技术则是提高N型TOPCon晶硅太阳能电池效率的一种重要手段。

光注入退火技术是指在太阳能电池中加入一定的光照,然后进行热退火处理。

通过这种方式,可以有效地改善太阳能电池的电学性能,提高其转换效率。

而在N型TOPCon晶硅太阳能电池中,光注入退火技术的应用更是具有重要的意义。

研究表明,N型TOPCon晶硅太阳能电池中的光注入退火技术可以显著提高其效率。

具体来说,光注入退火技术可以改善电池的表面质量,减少表面缺陷,提高电池的光电转换效率。

此外,光注入退火技术还可以改善电池的结构和电学性能,提高电池的填充因子和开路电压,从而进一步提高电池的效率。

在实际应用中,N型TOPCon晶硅太阳能电池的光注入退火技术也得到了广泛的应用。

例如,一些研究人员通过在电池中加入一定的氧气,然后进行光注入退火处理,成功地提高了电池的效率。

此外,还有一些研究人员通过在电池中加入一定的铝元素,然后进行光注入退火处理,成功地提高了电池的效率和稳定性。

总之,N型TOPCon晶硅太阳能电池的光注入退火技术是提高太阳能电池效率的一种重要手段。

通过这种技术的应用,可以有效地改善电池的表面质量、结构和电学性能,提高电池的光电转换效率,从而进一步推动太阳能电池的发展和应用。

多晶硅太阳能电池组件在不同光谱下的发电性能分析

多晶硅太阳能电池组件在不同光谱下的发电性能分析

多晶硅太阳能电池组件在不同光谱下的发电性能分析下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

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晶硅太阳电池效率提升方向及影响各电性能参数的因素

晶硅太阳电池效率提升方向及影响各电性能参数的因素

高丝网印刷太阳电池效率的路径Roadmap to Enhance the Efficiency of a Screen Printed Solar Cell生产程序概况如下:1.初始表面处理与绒面成型(Etching,Cleaning and Texturing Surfaces)2.磷扩散制p/n结与参数测试(Phosphorus Diffusion and Test)3.等离子周边刻蚀与表面腐蚀清洗(Plasma Etching and PSG Chemical Etching)4.减反射膜淀积,钝化与正面电场(Si3N4 Anti-reflection - AR Coating)5.丝网印刷电极和烧结背场(Screen Printing, Sintering and Back Surface Field)6.电池性能测试和分类(Measurement and Sorting)从1970年代至2003年左右,规模化生产太阳能电池的效率最高14%。

低成本、高效率,相互联系,高效率是关键,现在生产18%。

光-电能量转换效率η为:在太阳能电池I-V 特性曲线上作出Rs 和Rsh (ΔV/ΔI = Rs,ΔV/ΔI = Rsh)的图示。

作出最大功率点Pm及表示FF的方框图,写出用I,V表示FF和Pm的公式。

Pm = ImVm = IscVocFF图 p-n结的品质与FF、Rs 和Rsh的关系1.与能量转换效率η相关的参数(The Components of Efficiency)(1)开路电压Voc(Open circuit voltage Voc)式中, Io是无光照时电池的反向饱和电流;q是电子电荷;k是玻尔兹曼常数;T是绝对温度;n是二极管理想因子.(2)短路电流密度Jsc(Short circuit current density Jsc)短路电流Isc:理想状态下,应等于光生电流IL,即Isc=IL 。

结晶硅太阳电池效率的影响因素及优化方案

结晶硅太阳电池效率的影响因素及优化方案

结晶硅太阳电池效率的影响因素及优化方案本文基于结晶硅太阳电池的构造原理,理论上分析了影响太阳电池转换效率的主要因素,并为提高太阳电池的光电转换效率,提出优化方案。

进行电极优化以减小表面电极所引起的功率损失是一种行之有效的方法。

目前主要有减小电极栅线宽度、增加电极栅线高度、减少电极栅线电阻率、减小发射极与电极栅线之间的接触电阻四种方法。

其中第一种方法能够减少太阳电池的光学损失,后三种方法能够减少太阳能电池的电学损失。

综合考虑电池前表面的电学损失和光学损失,介绍了优于单层电极结构的双层电极技术。

对于俄歇复合与表面面积增加导致的电学损失,介绍了全背电极技术。

关键词:结晶硅太阳电池、光学损失、转换效率、双层电极技术第一章绪论1.1 结晶硅太阳电池的发展历史及现状中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。

进入二十一世纪,随着欧洲市场的放大,特别是德国市场,以及横空出世的无锡尚德太阳能电力有限公司,中国光伏产业在其超常规的发展中找到了前所未有的发展契机和机遇。

目前,我国在太阳能电池领域产业已经成功超过欧洲、日本,成为全球主要的太阳能电池生产国,也是世界太阳能电池生产第一大国。

在产业布局方面,我国的太阳能电池产业在环渤海、珠三角、长三角、中西部地区,已经形成了一定的集聚态势,衍生出了各具特色的太阳能产业集群。

在技术方面,国外的太阳能电池技术发展比国内早了近二十多年,尽管最近几年国家在太阳能电池方面加大了投入,但国内的太阳能电池技术与国外差距依旧很大。

想要有较大的发展,政府要给予政策上较大的引导和激励,有效合理的解决太阳能发电定价的问题和上网问题。

与此同时要较多借鉴国外的成功经验,要充分发挥政府的示范作用,可将太阳能强制推广到公共设施、政府办公楼等应用领域,推动国内太阳能电池市场需求,促使太阳能电池技术尽快起步和良性发展。

N型电池弱光效应好的原因分析

N型电池弱光效应好的原因分析

一、(1)采用n型硅片做衬底,载流子的寿命在1ms以上;
(2)前表面没有任何电极的遮挡
(3)前后表面都采用了热氧钝化技术
(4)在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散
(5)电极和硅片是采用定点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,从而使载流子在电极表面复合的几率大为减少,进一步提高了开路电压。

二、与掺硼(B)的P型晶体硅材料相比,掺磷(P)的N型晶体硅材料具有如下优势:
(1)N型材料中的杂质(如一些常见的金属离子)对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。

(2)选用掺磷的N型硅材料形成的电池则没有光致衰减效应的存在。

因此,N型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。

(3)N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率。

因此,采用N型晶体硅材料少子空穴的复合将远低于P 型材料中的少子电子的复合。

上述三大优势是 N 型晶体硅电池获得高转化效率的前提。

其次,背结背接触也是此类电池的另一重要特征。

与传统的常规电池相比,背结背接触电池具有:
(1)受光面无电极遮挡损失。

(2)背电极优化使得电池的串联电阻提高。

因此可进一步优化电极宽度从而达到提高串联电阻的目的。

(3)提供更好的优化前表面陷光和实现极低反射率的潜力。

三、(1)弱光效应主要体现在电池片的开路电压的降低,进而导致电池片的效率降低。

(2)并联电阻的大小直接决定弱光响应的好与差。

n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估

n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估

摘要:n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池。

结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决P型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题。

最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景。

关键词:n型晶体硅;太阳电池;PC1D模拟0引言P型晶体硅太阳电池一直是光伏市场的主力,目前只有Sunpower 和Sanyo公司以n型晶体硅制作太阳电池。

2008年n型晶体硅太阳电池产量只占晶体硅太阳电池总产量的8%。

尽管如此,Sunpower的IBC(Interdigitatedback-con-tacted)电池以及Sanyo的HIT(Heter0junctionwithintrinsicthinlayer)电池却是目前效率最高的两款商品化太阳电池,转换效率都在20%以上,实验室效率更是高达23%,表明n型太阳电池在低成本高效太阳电池方面具有良好的发展潜力。

本文将对近年来n型晶体硅太阳电池在材料性质、器件结构以及工艺技术方面的研究进展进行分析和评述。

1材料性质发展初期,太阳电池主要应用于航天领域,所以在选择基体时必须考虑材料的抗辐射能力。

1963年Bell实验室发现在高能辐射下n 型太阳电池性能衰减严重,稳定后的转换效率低于类似结构的P型太阳电池。

这一结果使P型太阳电池成为太空应用的优先选择,其电池结构和生产技术得到不断完善。

在随后太阳电池转向地面应用的过程中,P型太阳电池结构得到沿用,P型晶体硅太阳电池成为主流。

但是,在地面应用中并不存在太空辐射的威胁,因此P型晶体硅并不一定是最佳选择。

近年的研究成果证实了这一点。

一方面,P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减,而n型晶体硅的性能则更为稳定。

早在1973年H.Fischer等就发现刚制作好的P 型硼掺Cz硅太阳电池在光照下会出现明显的性能衰减。

1997年J.Schmidt等证实硼掺杂Cz硅出现的光致衰减是由硼氧对导致的。

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绒工艺上的区别。因此,未来的发展方向也会朝着这两方面努力。 ①晶体缺陷方面:缺陷是由于内部热应力所为,改进措施可以
降低晶体生长的速度,保证炉内温度的均匀性或者增加孪晶等措 施。
②在制绒方面,可以增加添加剂,通过控制反应速率使得化学 反应更加均匀充分,也可以研究其他腐蚀方法,比如等离子腐蚀等。
参考文献: [1]Knobloch J,Glunz S.W,BiroD,et al,Solar cells with efficiencies above 21% processed from Czochralski grown silicon [C]//IEEE Photovoltaic Specialist Conf.,1996;405-408. [2]宋登元,熊景峰.高效率 n 型 Si 太阳电池技术现状及发展趋势[J]. 半导体光电,2013,34(3).
表 1 多晶组件试验数据
表 2 n 型太阳电池组件试验数据
和取向时常发生变化,生长无序。其中的间界部分我们称之为晶界。 晶界是一个过渡区,也是晶体缺陷的密集区域。而所谓的这种晶体 缺陷是少数载流子的复合中心,极大的降低了少数载流子寿命,从 而导致短路电流较小。
1.2.2 电池制绒方面:目前工艺中,多晶电池片主要采用酸制 绒,即利用 Si 与 HNO3 和 HF 的混合液反应使硅片表面形成陷光结 构,从而吸收更多的入射光,提高太阳电池的转换效率。
当点样流出液中的阴离子总浓度等于进料原样中的阴离子总 浓度时,停止进料。根据流出液点样中阴离子含量检测数据确定阴 树脂离交柱贯穿体积、饱和体积等数据。
1.2.3 饱和树脂柱洗涤 以 5cm/min 的线速度,用去离子水洗涤饱和树脂柱,每 500ml 流 出液取一点样,检测酸度、pH 等,当出口流出液的酸度小于 0.2%时, 停止进水,记录消耗水量。 1.2.4 饱和树脂柱再生 分别以 2.0cm/min、4.0cm/min、6.0cm/min 线速度用 5%氢氧化钠 溶液对饱和阴树脂柱进行再生,收集再生废液,每 500ml 流出液取 一点样检测。当层析柱出口再生剂浓度是进口再生剂浓度 80%时, 停止进再生剂;开始用去离子水以 7cm/min 流速冲洗,冲洗至阴柱 出口流出液 pH8-9 停。记录液碱、水等辅料消耗,取再生废液点样、 阴离子交换树脂柱再生废液混合样检测 Ca2+、SO42-、Cl-、CA3- 等指 标。 1.2.5 试验数据统计核算 根据单柱试验统计数据计算阴离子交换树脂交换区带、处理 量、单位时间处理量、工作交换容量、收率、再生剂消耗及水耗等指 标,并对试验数据进行统计分析等。 2 结果与分析
针对柠檬酸酸解液脱除阴离子工艺,本文作者详细研究了不同 进料线速度下的单柱脱除阴离子规律。
1 材料与方法 1.1 材料与仪器 离交柱(φ22×1100);BT60-600M 型蠕动泵(常州维西尔流体 技术有限公司);7230G 型分光光度计 (上海精密科学仪器有限公 司);Agilent1200 液相色谱分析仪(美国安捷伦科技有限公司);D318 阴离子交换树脂;工业级浓碱(宿州汉泰化工有限公司)。 1.2 试验设计 1.2.1 阴离子交换树脂装柱及预处理 装柱:分别取淄博东大 D318 阴离子交换树脂 230g 分别装入型 号为 Φ22×1100mm 四根层析柱中,取该阴离子交换树脂检测水份, 并测量树脂湿体积与柱排空体积等。 树脂预处理:阴树脂预处理按碱→酸→碱步骤进行活化处理 (酸碱浓度按 5.0%配制),最后用去离子水冲洗至层析柱出口流出 液为近中性后备用。 1.2.2 进料吸附 取中粮生化柠檬酸提取车间柠檬酸酸解液阳柱辅柱出口料液 150kg 备 用,取 样检 测 酸 度 、透 光 率 、SO42-、Cl- 等 指 标 ,分 别 以 5cm/min、7cm/min、9cm/min、11cm/min 线速度进行脱除阴离子单柱试 验,并开始收集流出液。层析柱出口每流出 1000ml 液体时,取一点样 (25ml)检测溶液中的 SO42-、Cl- 等阴离子的含量。
关键词:多晶;n 型晶体硅;太阳电池组件;光谱响应
0 引言 太阳电池是基于空间航天器应用发展而来的,其材料是利用晶 体 Si 制作成电池。这种电池具有较高的电池转换效率以及稳定的工 作状态。其工作寿命大于 25 年。目前,由晶体 Si 制作而成的太阳电 池组件 90%是由硼参杂 P 型晶体 S(i 常规多晶太阳电池组件)形成 的。然而随着地面光伏的应用普及,研究发现 P 型 Si 太阳电池组件 在长时间光照情况下转换效率会出现衰减现象。这种现象的主要原 因是掺杂了 P 型 Si 衬底中的硼原子与衬底中的氧原子相结合形成 了硼氧对,这种硼氧对会降低少数载流子寿命,进而导致组件转换 效率衰减。 为了提高晶体 Si 太阳电池组件转换效率以及保证其工作状态 下的稳定性,人们研发了一种新型晶体 Si 太阳电池组件,即高效率 n 型 Si 太阳电池组件。这种组件电池是由磷参杂 n 型 Si,其硼元素 含量极低,从而可以忽略硼氧对降低少数载流子寿命的概率。由于 n 型 Si 对部分金属杂质的敏感性较低,因此在相同掺杂浓度下 n 型 Si 比 P 型 Si 具有更高的少数载流子寿命。由于 n 型晶体 Si 具有高寿 命、高效率的优势,使得其成为现在光伏行业主要的研究对象,同时 也正是因为两种组件存在各种差异,使得常规多晶太阳电池组件与 n 型晶体硅太阳电池组件在出厂前进行 I-V 测试时对光谱响应时间 要求也存在着很大的差异。下面文章介绍了两种组件在不同光谱响 应时间里,进行正反向测试时,对测试时间上的一个需求及原因分 析。 1 太阳电池组件 I-V 测试现状 目前业界对光伏组件功率测试采用的均是正向测试方法,即由 Voc 到 Isc 的扫描方向进行扫描测试。光谱响应时间对于多晶来说一 般控制在 10ms 到 15ms 左右,单晶组件控制在 35ms 到 40ms 左右。 1.1 两种组件随光谱响应时间的变化趋势 测试方法为在 5ms、10ms、15ms、20ms、25ms、30ms、35ms 不同光 谱响应时间内,对一已有标定功率的两种组件进行 I-V 测试,其中 先采用正向测试,随后采用反向测试。试验数据见表 1、表 2。 从数据表中我们可以得出以下几个结论: 第一,反向测试功率要高于正向测试功率; 第二,随着光谱响应时间的延长正向测试和反向测试数据差值 越来越小; 第三,随着光谱响应时间的延长,正、反向测试数据越接近标定 值。 1.2 原因分析 1.2.1 Isc 方面:n 型太阳电池组件的短路电流要大于多晶电池 组件。一般对于多晶单片电池来说其短路电流在 8.5 ̄8.6A 左右,最 多不会超过 9A,而 n 型电池片短路电流则保持在 9.1A 以上。导致这 种差别的原因在于晶体中原子排列是否规则。 单晶所有的原子占据安排良好的规则的位置(晶格),它具有生 长的有序性;而多晶原子排列彼此间随机取向的小晶粒,晶胞大小
2.1 离交柱与阴树脂装填基本参数如表 1: 表 1 离交柱与阴树脂装填基本参数表
离交柱参数
阴离子交换树脂装填参数
规格 容积 高径 装填 水分 湿体 树脂层 干重 排空体
(ml) 比 量()g (%) 积(m)l 高(cm) (g) 积(ml)
Φ22×1100 410 50 230 50.09 310 85 114.79 220
对于 n 型单晶来说,采用的是碱制绒。其相对多晶的酸制绒优 势在于 OH- 对不同晶面刻蚀速度存在选择性,属于异向刻蚀,而 HF+HNO3 则对不同晶面刻蚀速度不具备选择性,属于均向刻蚀。
在{111}晶面上,每个硅原子具有三个共价键与晶面内部的原子 键结合,另外一个是裸露于晶格外面的悬挂键。而{100}晶面上每个 硅原子有两个共价键和两个悬挂键,当刻蚀反应的时候碱中的 OH- 会和悬挂键结合形成刻蚀,所以说晶格上的单位面积悬挂键越多, 表面的化学反应就会越快。最终 n 型单晶电池表面制绒后成金字塔 结构。
不同的制绒方法使得两种电池对光的反射率存在很大的差距。 据试验数据得知,多晶电池平均反射率在 20%以上,而 n 型电池的 平均反射率小于 10%。因此,n 型电池吸收更多的入射光,当然会有 更多的光子能量转换成电子 - 空穴对,使得电池的电容效应更加突 出明显。
2 结论和发展方向 从前面分析可以看出,n 型组件在进行 I-V 测试时需要的光谱 响应时间大于多晶组件测试时间,其主要原因就在于短路电流和制
关 键 词 :柠檬酸酸解液;线速度;离子交换;树脂;阴离子
钙盐离交法提取柠檬酸的生产工艺中,以玉米、木薯等为原料 利用黑曲霉进行深层发酵,得到柠檬酸发酵液,该成熟柠檬酸发酵 液(粗柠檬酸含量约 15%)经加热至 75℃左右时,使蛋白絮凝,易于 过滤,然后经过压滤等除去菌丝体、酸渣等固体残渣后,得到柠檬酸 压滤清液。一定浓度的柠檬酸压滤清液被打入中和锅内,在高温和 搅拌下与碳酸钙浆液发生反应,并用氢氧化钙浆液微调至反应终点 pH 值 5.1 左右,生成难溶于水的较纯净的柠檬酸钙盐沉淀,从而实 现柠檬酸和蛋白、残糖、色素等杂质分离开。含杂质较少的柠檬酸钙 盐经过滤工艺处理,过滤时用热水充分洗涤柠檬酸钙盐,除去残糖、 蛋白质以及可溶性杂质。然后纯净的柠檬酸钙盐沉淀在酸解锅内和 浓硫酸反应,生成较纯净的粗柠檬酸溶液与硫酸钙,该浆液经过过 滤后,滤液即为较纯净的粗柠檬酸酸解液,滤饼即为白色固体废弃 物硫酸钙。然后将柠檬酸酸解液通过活性炭脱色除去色素及微量的 蛋白等杂质,再经过阴、阳离子交换树脂除去柠檬酸酸解液中的有 害的 Ca2+、Mg2+、Fe3+、K+、Na+、SO42-、Cl- 等阴、阳杂质离子,称为柠檬酸 酸解液的净化。
科学实践
常规多晶与高效率 n 型晶体硅Biblioteka 阳电池组件光谱响应 趋势及原因分析
宋肖 朱聪 罗琦 英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室 河北 保定 071051
摘 要:目前太阳能电池组件主要分为两种:一种是常规多晶太阳电池组件,一种是高效率 n 型晶体硅太阳电池组件。由于两种组件在 设计原理上存在很大差异,导致它们对光谱响应时间的要求也是各自不同。文章通过对两种电池组件在不同光谱响应时间内进行 I-V 测 试,分析两种组件对光谱响应时间上的需求情况以及原因分析。
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